JP2008250223A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】液晶表示装置を構成する基板に外付けされる部品や入出力端子を少なくすることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素をマトリクス状に配列したTFT基板と、画素に対向してコモン電極を配置したCF基板との間に液晶を封入して構成される表示部を備えた液晶表示装置において、TFT基板上に形成され、複数の画素を駆動するための液晶ドライバ100にコモン電極を駆動するコモン信号を生成するためのコモン信号回路部110−1が設けられ、コモン信号の直流成分信号VCOMDCと交流成分信号VCOMACを合成してコモン信号VCOMを生成する接続点NcがTFT基板上に設けられて、信号回路部110−1のVCOMDC出力端と接続点Ncとの間に設けられる抵抗R1をTFT基板上に形成される配線を用いて形成する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、液晶表示装置に関するものであり、特に、液晶表示パネルの共通電極(コモン電極)に所定の駆動信号(コモン信号)を供給する液晶表示装置に関する。
近年、薄型、軽量で省スペース化が可能かつ低消費電力駆動が可能な表示装置として液晶表示装置が用いられている。特に、液晶材を閉じ込めるための2枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板に複数の能動素子(薄膜トランジスタ/Thin Film Transistor: TFT)をマトリクス状に搭載し、他方のガラス基板に、カラー表示を行うためのカラーフィルタ(Color Filter :CF)を搭載したものはアクティブマトリクス型と呼ばれ、現在広範に用いられている。
能動素子を搭載したガラス基板はTFT基板と呼ばれ、カラーフィルタを搭載したガラス基板はCF基板と呼ばれる。TFT基板には各TFTに対応して複数の画素電極が設けられるとともに、CF基板上には共通(コモン)電極が設けられ、各画素電極と共通電極との間に液晶が充填されている。画素電極に表示データに対応した信号電圧を印加するとともに、共通電極にコモン電極駆動信号としての電圧を印加することにより液晶の状態を変化させて、バックライトからの照射光を透過あるいは遮断するようにしている。
図6は従来のコモン信号生成回路110周辺の配線構造を示し、図7は該コモン信号生成回路110の構成の一例を示している。コモン信号生成回路110は、所定の信号周期を有する基準信号(例えばパルス信号)を入力とし、所定の信号周期及び電圧振幅を有するパルス信号Vacを出力するオペアンプOP11と、オペアンプOP11の出力端と接続点Ncとの間に接続されたコンデンサC1と、所定の直流電圧Vdcを出力するオペアンプOP12と、オペアンプOP12の出力端と接続点Ncとの間に接続された抵抗R1とを有し、接続点Ncにおいてパルス信号Vacに直流電圧Vdcが重ね合わされて、コモン信号VCOMが生成される。オペアンプOP11,12はコモン信号回路部110−1として液晶ドライバ100内部に配置されている。
ここで、図6、図7からわかるように、従来の液晶表示装置では、接続点NcがTFT基板外部に設けられ、液晶ドライバ100がコモン電極を駆動するために、TFT基板外部へ直流成分のコモン駆動信号と交流成分のコモン駆動信号との2系統分を信号出力するとともに、TFT基板外部に配置されたコンデンサC1及び抵抗R1を介した直流/交流成分のコモン駆動信号を接続点Ncにて合成し、得られたコモン信号VCOMを1系統分基板内部へ再入力するように構成されていた。このような構成の一例は、例えば特開2002−358050に開示されている。
特開2002−358050
上記のような従来の液晶表示装置の構成では、TFT基板に外付けする部品が2個必要になるとともに、コモン信号を発生させるのに係わる3つの端子が必要であるが、近年のモジュール価格低下の影響による製品コスト削減の観点から、外付けされる部品や入出力端子を少なくすることが従来から望まれていた。
本発明はこのような課題に着目してなされたものであり、その目的とするところは、液晶表示装置を構成する基板に外付けされる部品や入出力端子を少なくすることができる液晶表示装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明に係る液晶表示装置は、複数の画素をマトリクス状に配列した第1の基板と、前記画素に対向してコモン電極を配置した第2の基板との間に液晶を封入して構成される表示部を備えた液晶表示装置において、前記第1の基板上に設けられ、前記複数の画素を駆動するドライバと、前記ドライバに内蔵された、前記コモン電極を駆動するコモン信号を生成するための直流成分信号と交流成分信号とを出力するコモン信号回路部と、を備え、抵抗素子を介した前記直流成分信号と、容量素子を介した前記交流成分信号とを接続して前記コモン信号を生成する接続点が前記第1の基板上に設けられ、前記抵抗素子が前記第1の基板上に設けられている。
また、請求項2に記載の発明に係る液晶表示装置は、請求項1に記載の発明に係る液晶表示装置において、前記抵抗素子は、前記第1の基板上に形成される配線を複数屈曲させて形成される。
また、請求項3に記載の発明に係る液晶表示装置は、請求項1に記載の発明に係る液晶表示装置において、前記複数の画素は透明導電膜よりなる画素電極を有して構成され、前記抵抗素子は、前記画素電極を構成する前記透明導電膜を用いて形成されている。
また、請求項4に記載の発明に係る液晶表示装置は、請求項1に記載の発明に係る液晶表示装置において、前記複数の画素は半導体層を有して構成される薄膜トランジスタを有し、前記抵抗素子は、前記薄膜トランジスタを構成する前記半導体層を用いて形成されている。
また、請求項5に記載の発明に係る液晶表示装置は、複数の画素をマトリクス状に配列した第1の基板と、前記画素に対向してコモン電極を配置した第2の基板との間に液晶を封入して構成される表示部を備えた液晶表示装置において、前記第1の基板上に設けられ、前記複数の画素を駆動するドライバと、前記ドライバに内蔵され、前記コモン電極を駆動するコモン信号の直流成分信号と交流成分信号とを出力するコモン信号回路部と、を備え、抵抗素子を介した前記直流成分信号と、容量素子を介した前記交流成分信号とを接続して前記コモン信号を生成する接続点が前記第1の基板上に設けられ、前記抵抗素子が前記ドライバ内に形成されている。
本発明によれば、液晶表示装置を構成する基板上に設けられるドライバに表示部のコモン電極を駆動するコモン信号を生成するための直流成分信号と交流成分信号を出力するコモン信号回路部が内蔵され、抵抗素子を介した直流成分信号と容量素子を介した交流成分信号とを合成してコモン信号を生成する接続点が第1の基板上に設けられて、抵抗素子が基板上に設けられることにより、基板に外付けされる部品及び入出力端子を少なくすることができ、これによって液晶表示装置を製造する上でのトータルコストを減らすことができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を詳細に説明する。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態の概念図である。図1に示すように、TFT基板上に複数の画素を駆動するための液晶ドライバ100が設けられ、該液晶ドライバ100内に前述の図6で示したのと同様の、コモン電極を駆動するためのコモン信号VCOMの交流成分信号となる所定の周期及び電圧振幅を有するパルス信号VCOMACを出力するオペアンプOP11と、コモン信号VCOMの直流成分信号となる所定の直流電圧VCOMDCを出力するオペアンプOP12とを有するコモン信号回路部110−1が設けられている。
従来においては、抵抗R1を介した直流電圧VCOMDCを出力する信号回路部110−1の出力端(オペアンプOP12の出力端)と、コンデンサC1を介したパルス信号VCOMACを出力する信号回路部110−1の出力端(オペアンプOP11の出力端)との接続点であって、共通電極に印加されるコモン信号が生成される接続点NcがTFT基板の外部にあり、接続点Ncと信号回路部110−1の出力端との間に接続される抵抗R1とコンデンサC1がTFT基板の外部に設けられていたが、本実施形態においては、この接続点NcがTFT基板上に設けられている。そして、信号回路部110−1のVCOMDC出力端と接続点Ncとの間に設けられる抵抗R1をTFT基板上に形成することを特徴とするものであり、これによって、TFT基板に対してコンデンサC1だけが外付けされる形となり、コモン信号の発生に係わるTFT基板に設けられる端子が2つだけとなり、端子数を削減することができる。
この抵抗R1は、液晶ドライバ100に接続して設けられる配線領域に形成するものであり、TFT基板上の種々の領域に形成される例えばアルミ又はアルミ合金からなる配線材料を利用して形成される。液晶ドライバ100とTFT基板上に設けられる接続点Ncとの間に、これらの配線材料等を用いて高抵抗部分としての抵抗R1を作成する。そして、液晶ドライバ100から出力される直流成分を作成する抵抗R1を通した直流成分のコモン駆動信号と、一旦、TFT基板の外部に出力された後、容量素子としての外付けのコンデンサC1を介してTFT基板の内部に再度入力された交流成分のコモン駆動信号とをTFT基板上に設けられた接続点Ncで接続し、これをTFT基板上に設けられた配線を介してコモン電極を駆動するコモン信号VCOMとしてコモン電極に供給する。
図2(a)〜(d)は、抵抗R1の具体的な作成方法のいくつかの例を示している。図2(a)は配線を屈曲させて長さをかせぐことにより高抵抗値の直列抵抗R1−1を形成する例である。TFT基板の他の領域にも形成される配線をそのまま用いる形態としたが、これに限るものではない。また、配線材料として図2(b)は抵抗部分の配線材R1−2をITO膜(Indium Tin Oxide)などの高抵抗金属材料を用いて作成する例である。ここで、ITO膜はTFT基板200に形成される複数の画素における画素電極を形成するための部材として用いられる透明導電膜であるため、ITO膜による画素電極の形成と同時に抵抗R1の配線材R1−2をITO膜により形成するようにすることで、工程を増やすことなく抵抗R1を形成することができる。また、ITO膜のシート抵抗は40〜50Ω/□であり、これに対してTFT基板200上の配線に通常用いられるAl−Nb−Ti合金のシート抵抗は1Ω/□程度であり、Crは1.5Ω/□程度であるため、図2(a)の構成に対して小さい面積で同程度の抵抗値を得ることができる。図2(c)は金属を用いる代わりに配線間にソース/ドレインのn+半導体を挟み込んで高抵抗部R1−3を形成する例であり、当該半導体層への不純物の注入量を調整したり、半導体層の幅と長さの比を調整したりすることで、所望の抵抗値を得ることができる。この場合、この半導体層を、TFT基板200に形成される複数の画素における薄膜トランジスタTFTの半導体層の形成と同時に形成するようにすることができる。更に、図2(d)は上記した図2(a)〜図2(c)の例を組み合わせて得られる抵抗素子R1−4である。
上記した第1実施形態によれば、ガラス基板の入力端子数や外部抵抗部品を削減することができ、これによって、液晶表示装置を製造する上でのトータルコストを減らすことができる。
また、従来から使用されているガラス基板の構成材料(Cr/Al/ITOなどの金属やa−Si(アモルファスシリコン)などの半導体)を用いて高抵抗部を作成するため、TFT基板上への薄膜堆積工程の順序などを考慮するだけでよく、高抵抗部を作成するための新たな材料を開発する手間とコストを削減することができる。
図3は、TFT基板200の全体構成の一例を示す図である。図4は、ドライバ周辺構成の拡大図である。TFT基板200の中央部には、画素電極、TFT,蓄積コンデンサ等で構成される複数の画素がマトリックス状に配列された表示部202が配置されている。TFT基板200の端部には液晶ドライバ100としてのゲートドライバ100−1とソースドライバ100−2とが並置されている。さらに、表示部202とゲートドライバ100−1、ソースドライバ100−2とは電気信号を供給するために多数の配線201、203により接続されている。また、ゲートドライバ100−1及びソースドライバ100−2は外部接続端子間の配線204を介してFPC(Flexible Printed Circuit)205に接続されている。本実施形態では、この配線204の一部をコモン信号VCOM発生用の抵抗R1として利用する。
[第2の実施形態]
図5は、本発明の第2実施形態の構成を示している。基本的な配線構成は第1実施形態と同様であるが、第2実施形態では、TFT基板上に形成され、複数の画素を駆動するためのドライバ内部に、コモン電極を駆動するコモン信号を生成するための抵抗素子を予め作成しておくことを特徴とする。すなわち、高抵抗部としての抵抗R1をあらかじめ液晶ドライバ100内部に作成し、直流成分のコモン駆動信号を、該抵抗R1を介して液晶ドライバ100から出力する。接続点NcはTFT基板上に設けられ、抵抗R1を介して液晶ドライバ100から直流成分のコモン駆動信号と、される出力信号と、外付けのコンデンサC1を介してTFT基板の内部に再度入力された交流成分のコモン駆動信号とを、TFT基板上に設けられた接続点Ncで接続する。ここで、液晶ドライバ100内部に作成される抵抗R1は、例えばドライバ内部の配線材料を用いて形成するものであってもよいし、不純物を注入した半導体層を用いるものであってもよい。
第2実施形態によれば、抵抗R1を別部品である液晶ドライバ100内に配置したことにより、単結晶による液晶ドライバ100を使用した場合、第1実施形態のようにTFT基板上で抵抗R1を作成する場合と比較して、高精度の抵抗R1を作成することができる。また、第2実施形態の方法は、狭額縁タイプや中小タイプの基板のように、TFT基板上に構成材料により抵抗R1を作成することがスペースの関係で困難である場合に非常に有効な方法となる。なお、上記において、液晶ドライバ100はTFT基板とは別部品であって、TFT基板上に搭載される形態としたが、これに限らず、例えばポリシリコントランジスタ等を用いてTFT基板上に一体的に形成されたドライバに適用してもよい。この場合、抵抗R1の作成方法としては、第1実施形態の場合と同様の構成を用いることができる。
図1は、本発明の第1の実施形態の概念図である。 図2(a)〜(d)は、抵抗R1の具体的な作成方法のいくつかの例を示す図である。 図3は、TFT基板200の全体構成の一例を示す図である。 図4は、図3においてドライバ周辺構成の拡大図である。 図5は、本発明の第2実施形態の構成を示す図である。 図6はコモン信号生成回路110周辺の配線構造を示す図である。 図7はコモン信号生成回路110の構成の一例を示す図である。
符号の説明
100 液晶ドライバ
100−1 ゲートドライバ
100−2 ソースドライバ
110−1 コモン回路部
110 コモン信号生成回路
R1 抵抗
C1 コンデンサ
200 TFT基板
201 配線
202 表示部
203 配線
204 配線
205 FPC

Claims (5)

  1. 複数の画素をマトリクス状に配列した第1の基板と、前記画素に対向してコモン電極を配置した第2の基板との間に液晶を封入して構成される表示部を備えた液晶表示装置において、
    前記第1の基板上に設けられ、前記複数の画素を駆動するドライバと、
    前記ドライバに内蔵された、前記コモン電極を駆動するコモン信号を生成するための直流成分信号と交流成分信号とを出力するコモン信号回路部と、
    を備え、
    抵抗素子を介した前記直流成分信号と、容量素子を介した前記交流成分信号とを接続して前記コモン信号を生成する接続点が前記第1の基板上に設けられ、
    前記抵抗素子が前記第1の基板上に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記抵抗素子は、前記第1の基板上に形成される配線を複数屈曲させて形成されることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  3. 前記複数の画素は透明導電膜よりなる画素電極を有して構成され、前記抵抗素子は、前記画素電極を構成する前記透明導電膜を用いて形成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  4. 前記複数の画素は半導体層を有して構成される薄膜トランジスタを有し、前記抵抗素子は、前記薄膜トランジスタを構成する前記半導体層を用いて形成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  5. 複数の画素をマトリクス状に配列した第1の基板と、前記画素に対向してコモン電極を配置した第2の基板との間に液晶を封入して構成される表示部を備えた液晶表示装置において、
    前記第1の基板上に設けられ、前記複数の画素を駆動するドライバと、
    前記ドライバに内蔵され、前記コモン電極を駆動するコモン信号の直流成分信号と交流成分信号とを出力するコモン信号回路部と、
    を備え、
    抵抗素子を介した前記直流成分信号と、容量素子を介した前記交流成分信号とを接続して前記コモン信号を生成する接続点が前記第1の基板上に設けられ、
    前記抵抗素子が前記ドライバ内に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
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