JP2013222747A - 塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013222747A JP2013222747A JP2012091800A JP2012091800A JP2013222747A JP 2013222747 A JP2013222747 A JP 2013222747A JP 2012091800 A JP2012091800 A JP 2012091800A JP 2012091800 A JP2012091800 A JP 2012091800A JP 2013222747 A JP2013222747 A JP 2013222747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- agent composition
- coating
- diffusing agent
- water
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 56
- -1 titanic acid ester Chemical class 0.000 claims abstract description 55
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 27
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 33
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 18
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 4
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 24
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- RLJWTAURUFQFJP-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O RLJWTAURUFQFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYFHYPJRHGVZDY-UHFFFAOYSA-N Dibutyl phosphate Chemical compound CCCCOP(O)(=O)OCCCC JYFHYPJRHGVZDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKUKTXOBAWVSHC-UHFFFAOYSA-N Dimethylphosphate Chemical compound COP(O)(=O)OC KKUKTXOBAWVSHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000003857 carboxamides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- UCQFCFPECQILOL-UHFFFAOYSA-N diethyl hydrogen phosphate Chemical compound CCOP(O)(=O)OCC UCQFCFPECQILOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZPMZMCZAGFKOC-UHFFFAOYSA-N diisopropyl hydrogen phosphate Chemical compound CC(C)OP(O)(=O)OC(C)C WZPMZMCZAGFKOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVKQJEWZVQFGIY-UHFFFAOYSA-N dipropyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCOP(O)(=O)OCCC QVKQJEWZVQFGIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- ZJXZSIYSNXKHEA-UHFFFAOYSA-N ethyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCOP(O)(O)=O ZJXZSIYSNXKHEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- QPPQHRDVPBTVEV-UHFFFAOYSA-N isopropyl dihydrogen phosphate Chemical compound CC(C)OP(O)(O)=O QPPQHRDVPBTVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N methanol;titanium Chemical compound [Ti].OC.OC.OC.OC ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-N methyl dihydrogen phosphate Chemical compound COP(O)(O)=O CAAULPUQFIIOTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound CCCO[Ti](OCCC)(OCCC)OCCC HKJYVRJHDIPMQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHZDONKZSXBOGL-UHFFFAOYSA-N propyl dihydrogen phosphate Chemical compound CCCOP(O)(O)=O MHZDONKZSXBOGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OCC DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXPQRKFMDQNODS-UHFFFAOYSA-N tripropyl phosphate Chemical compound CCCOP(=O)(OCCC)OCCC RXPQRKFMDQNODS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2225—Diffusion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
- H01L21/2254—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
- H01L21/2255—Diffusion into or out of group IV semiconductors from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【課題】析出物の発生を抑制することができ、従来の水を含まないPTG液に比べ薬液寿命が長く、PTG液を大量に生産しても長期的に安定して保存することが可能となり、コスト的に優れる塗布拡散剤組成物を提供する。
【解決手段】塗布拡散剤組成物は、チタン酸エステル、リン化合物、水及び有機溶剤を含む。リン化合物は、五酸化二リン及び/又はリン酸エステルである。
【選択図】図1
【解決手段】塗布拡散剤組成物は、チタン酸エステル、リン化合物、水及び有機溶剤を含む。リン化合物は、五酸化二リン及び/又はリン酸エステルである。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン基板上に不純物を拡散させる際に用いられる塗布拡散剤組成物及びその製造方法に関する。さらに、pn接合を有し、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池及びその製造方法に関する。
結晶シリコン系太陽電池は、pn接合により光エネルギーを電気エネルギーに変換する機能を持つ。一般的に、結晶シリコン系太陽電池のpn接合はシリコンに不純物としてホウ素を拡散させたp型半導体と、不純物としてリンを拡散させたn型半導体とから構成されている。pn接合の形成方法としては、n型半導体であるシリコンにp型となる不純物(例としてはホウ素)を拡散させる場合と、p型半導体であるシリコンにn型となる不純物(例としてはリン)を拡散させる場合とがある。
また、太陽電池セルに特性を持たせる場合にもリンを拡散する手法が用いられることもある。
また、太陽電池セルに特性を持たせる場合にもリンを拡散する手法が用いられることもある。
不純物の拡散方法としては、イオン注入法、熱拡散法などが知られており、熱拡散法はコスト的に特に優れている。
熱拡散法は、不純物を含む拡散剤の膜をシリコン基板に形成し、高温に加熱して拡散させる方法であり、拡散剤の膜は塗布もしくはCVD法(化学気相堆積法)により形成される場合が多い。塗布の方法としては、回転塗布、スプレー塗布、印刷など多くの方式が用いられている。
熱拡散法は、不純物を含む拡散剤の膜をシリコン基板に形成し、高温に加熱して拡散させる方法であり、拡散剤の膜は塗布もしくはCVD法(化学気相堆積法)により形成される場合が多い。塗布の方法としては、回転塗布、スプレー塗布、印刷など多くの方式が用いられている。
シリコン基板にリンを熱拡散により拡散させ、pn接合を形成させて太陽電池を製造する場合には、例えば、まずリンを含む拡散塗布剤をp型シリコン基板に塗布し、これを800〜1100℃で焼成してリンを熱拡散させた後、フッ化水素酸水溶液によりリンを含む拡散剤を除去することにより、pn接合を形成することができる。
また、太陽電池は光変換効率を上げるために、pn接合層の上に反射防止膜を形成することで、より光を吸収しやすい構造とすることもあり、この場合、反射防止膜としては、窒化シリコン膜、酸化チタン膜などが多く用いられている。
また、太陽電池は光変換効率を上げるために、pn接合層の上に反射防止膜を形成することで、より光を吸収しやすい構造とすることもあり、この場合、反射防止膜としては、窒化シリコン膜、酸化チタン膜などが多く用いられている。
PTG(Phospho Titanate Glass)膜は、五酸化二リンとチタン酸化物からなる。太陽電池の製造工程におけるPTG膜は、リンの拡散剤としての効果と反射防止膜としての効果とを併せ持つ膜であり、例えば、シリコン基板にPTG液を用いて形成した塗膜を加熱処理することにより、n型拡散層の形成と反射防止膜の形成とを一度に行うことができる。そのため、PTG膜を形成する工程を有する太陽電池の製造方法は、コスト的に極めて優れた手法であり、以前から多く使用されている(例えば、特許文献1〜5参照)。
PTG膜は、チタンを含む塗布拡散剤組成物(PTG液)をシリコン基板に種々の塗布法により塗布し、これを800〜1100℃で焼成してn型拡散層と反射防止膜(PTG膜)を形成することができ、他にCVD法によるPTG膜の形成も可能である。
PTG液の組成としては、例えば、チタン酸エステル、カルボン酸、五酸化二リン及びアルコールから成るものが特許文献2に例示されている。
PTG液の組成としては、例えば、チタン酸エステル、カルボン酸、五酸化二リン及びアルコールから成るものが特許文献2に例示されている。
従来のPTG液は、液中に含まれる水酸基によるチタン酸エステルの加水分解反応が起こり、チタン成分およびリン成分が分解及び縮合する性質がある。そして、加水分解反応が進行すると、アルコール溶媒に不溶な水酸化チタンとして、チタン成分が析出し、塗布剤としての性能が著しく劣化することとなる。
このような性質のため、PTG液は、工業的に大量に生産した場合、長期的に安定して液を保管することが困難であり、少量ずつ頻繁に製造して使用する必要があったためコスト的に不利となる欠点があった。
このような性質のため、PTG液は、工業的に大量に生産した場合、長期的に安定して液を保管することが困難であり、少量ずつ頻繁に製造して使用する必要があったためコスト的に不利となる欠点があった。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、チタン酸エステル、リン化合物及び有機溶剤を含む塗布拡散剤組成物(PTG液に相当)に水を配合することにより析出物(水酸化チタン)の発生を抑制することができ、従来の水を含まないPTG液に比べ、薬液寿命が長くなり、PTG液を大量に生産しても長期的に安定して保存することが可能となり、コスト的に優れることを見出し、本発明を完成した。
また、有機溶剤及びリン化合物を混合した後に、水を加える工程を行うことで、析出物(水酸化チタン)がより発生しにくいPTG液を得ることができることも合わせて見出した。
また、有機溶剤及びリン化合物を混合した後に、水を加える工程を行うことで、析出物(水酸化チタン)がより発生しにくいPTG液を得ることができることも合わせて見出した。
即ち、本発明の塗布拡散剤組成物は、チタン酸エステル、リン化合物、水及び有機溶剤を含むことを特徴とする。
上記塗布拡散剤組成物において、上記リン化合物は、五酸化二リン及び/又はリン酸エステルであることが好ましく、上記有機溶剤は、アルコールであることが好ましい。
上記塗布拡散剤組成物において、上記リン化合物は、五酸化二リン及び/又はリン酸エステルであることが好ましく、上記有機溶剤は、アルコールであることが好ましい。
また、上記塗布拡散剤組成物において、水の濃度は、5重量%以下であることが好ましく、0.05〜1.5重量%であることがより好ましい。
さらに、上記塗布拡散剤組成物においては、リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)が、0.5〜0.9であることが好ましい。
さらに、上記塗布拡散剤組成物においては、リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)が、0.5〜0.9であることが好ましい。
本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法は、上記塗布拡散剤組成物を製造する方法であって、
有機溶剤、リン化合物及び水を配合した溶液(A)に、チタン酸エステルを混合することを特徴とする。
上記塗布拡散剤組成物の製造方法では、有機溶剤及びリン化合物を配合した溶液(B)に、水を混合して溶液(A)とすることが好ましい。
また、上記塗布拡散剤組成物の製造方法において、水は、純水であることが好ましい。
有機溶剤、リン化合物及び水を配合した溶液(A)に、チタン酸エステルを混合することを特徴とする。
上記塗布拡散剤組成物の製造方法では、有機溶剤及びリン化合物を配合した溶液(B)に、水を混合して溶液(A)とすることが好ましい。
また、上記塗布拡散剤組成物の製造方法において、水は、純水であることが好ましい。
本発明の太陽電池は、本発明の塗布拡散剤組成物を用いて形成されたn型拡散層及び反射防止膜を備えることを特徴とする。
本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板上に、本発明の塗布拡散剤組成物を塗布した後、加熱処理を行うことにより、上記シリコン基板上にn型拡散層及び反射防止膜を成形する工程を有することを特徴とする。
本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板上に、本発明の塗布拡散剤組成物を塗布した後、加熱処理を行うことにより、上記シリコン基板上にn型拡散層及び反射防止膜を成形する工程を有することを特徴とする。
本発明の塗布拡散剤組成物は、チタン酸エステル、リン化合物及び有機溶剤に加えて水を含有するため、長期間に渡って析出物(水酸化チタン)の発生を抑制することができ、薬液寿命が長く、塗布拡散剤組成物を大量に生産しても長期的に安定して保存することが可能となり、コスト的に優れる。また、シリコン基板上にムラなく均一に塗布することができる。
また、本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法では、特定の順序で成分を配合するため、上述した特性を有する塗布拡散剤組成物を好適に製造することができる。
また、本発明の太陽電池は、本発明の塗布拡散剤組成物を用いてn型拡散層及び反射防止膜が形成されているため、均一なn型拡散層及び反射防止膜を有する。また、従来の太陽電池と比較して安価である。
また、本発明の太陽電池の製造方法では、拡散剤として本発明の塗布拡散剤組成物を用いるため、上述した特性を有する太陽電池を好適に製造することができる。
また、本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法では、特定の順序で成分を配合するため、上述した特性を有する塗布拡散剤組成物を好適に製造することができる。
また、本発明の太陽電池は、本発明の塗布拡散剤組成物を用いてn型拡散層及び反射防止膜が形成されているため、均一なn型拡散層及び反射防止膜を有する。また、従来の太陽電池と比較して安価である。
また、本発明の太陽電池の製造方法では、拡散剤として本発明の塗布拡散剤組成物を用いるため、上述した特性を有する太陽電池を好適に製造することができる。
まず、本発明の塗布拡散剤組成物について説明する。
本発明の塗布拡散剤組成物は、チタン酸エステル、リン化合物、水及び有機溶剤を含むことを特徴とする。
本発明の塗布拡散剤組成物は、チタン酸エステル、リン化合物、水及び有機溶剤を含むことを特徴とする。
上記チタン酸エステルとしては、例えば、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラ−2−エチルヘキシルチタン、及び、これらチタンアルコキシドの多量体、チタンキレート、アシレートチタン等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、2種以上併用しても良い。
これらのなかでは、テトライソプロポキシチタンが好ましい。流通量が多く、コスト的にも有利だからである。
これらのなかでは、テトライソプロポキシチタンが好ましい。流通量が多く、コスト的にも有利だからである。
上記塗布拡散剤組成物におけるチタン酸エステルの濃度は、20重量%以下が好ましく、10重量%以下がより好ましい。
その理由は、上記チタン酸エステルの濃度が20重量%を超えると、塗布拡散剤組成物中の固形分濃度が高くなり、塗布性が悪化するおそれがあるためである。
また、上記チタン酸エステルの濃度の好ましい下限は、0.5重量%である。
その理由は、上記チタン酸エステルの濃度が20重量%を超えると、塗布拡散剤組成物中の固形分濃度が高くなり、塗布性が悪化するおそれがあるためである。
また、上記チタン酸エステルの濃度の好ましい下限は、0.5重量%である。
上記リン化合物としては、例えば、五酸化二リン、リン酸、リン酸エステル等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、2種以上併用しても良い。
これらのなかでは、加水分解の反応要因となるOH基の少ない五酸化二リン及びリン酸エステルが望ましい。
上記リン酸エステルとしては、例えば、リン酸メチル、リン酸ジメチル、リン酸トリメチル、リン酸エチル、リン酸ジエチル、リン酸トリエチル、リン酸プロピル、リン酸ジプロピル、リン酸トリプロピル、リン酸イソプロピル、リン酸ジイソプロピル、リン酸ブチル、リン酸ジブチル、リン酸トリブチル、及び、これらリン酸エステルの多量体等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、2種以上併用しても良い。
これらのリン化合物は、塗布拡散剤組成物中に上記のみで存在している可能性もあり、また有機溶剤や他の成分との反応生成物として存在している可能性もある。
これらのなかでは、加水分解の反応要因となるOH基の少ない五酸化二リン及びリン酸エステルが望ましい。
上記リン酸エステルとしては、例えば、リン酸メチル、リン酸ジメチル、リン酸トリメチル、リン酸エチル、リン酸ジエチル、リン酸トリエチル、リン酸プロピル、リン酸ジプロピル、リン酸トリプロピル、リン酸イソプロピル、リン酸ジイソプロピル、リン酸ブチル、リン酸ジブチル、リン酸トリブチル、及び、これらリン酸エステルの多量体等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、2種以上併用しても良い。
これらのリン化合物は、塗布拡散剤組成物中に上記のみで存在している可能性もあり、また有機溶剤や他の成分との反応生成物として存在している可能性もある。
上記塗布拡散剤組成物におけるリン化合物の濃度は、20重量%以下が好ましく、10重量%以下がより好ましい。
その理由は、上記リン化合物の濃度が20重量%を超えると、塗布拡散剤組成物中の固形分濃度が高くなり、塗布性が悪化するおそれがあるためである。
また、上記リン化合物の濃度の好ましい下限は、0.5重量%である。
その理由は、上記リン化合物の濃度が20重量%を超えると、塗布拡散剤組成物中の固形分濃度が高くなり、塗布性が悪化するおそれがあるためである。
また、上記リン化合物の濃度の好ましい下限は、0.5重量%である。
上記有機溶剤としては、例えば、アルコール、有機酸、有機酸エステル、有機アミド、エーテル等が挙げられるが、これらのなかでは、アルコールが好適である。特に、上記チタン酸エステルのアルコキシ基の加水分解物に一致したアルコールが最も適している。
その理由は、化学平衡によりチタン酸エステルの加水分解反応が起こりにくくなり、長期間の保存安定性が期待されるためである。
よって、例えば、上記チタン酸エステルとしてテトライソプロポキシチタンを使用する場合には、上記有機溶剤はイソプロパノールを使用することが望ましい。
その理由は、化学平衡によりチタン酸エステルの加水分解反応が起こりにくくなり、長期間の保存安定性が期待されるためである。
よって、例えば、上記チタン酸エステルとしてテトライソプロポキシチタンを使用する場合には、上記有機溶剤はイソプロパノールを使用することが望ましい。
上記塗布拡散剤組成物における有機溶剤の濃度は、60重量%以上が好ましく、80重量%以上がより好ましい。
その理由は、上記有機溶剤の濃度が60重量%未満であると、塗布拡散剤組成物中の固形分濃度が高くなり、塗布性が悪化するおそれがあるためである。
また、上記有機溶剤の濃度の好ましい上限は、99重量%である。
その理由は、上記有機溶剤の濃度が60重量%未満であると、塗布拡散剤組成物中の固形分濃度が高くなり、塗布性が悪化するおそれがあるためである。
また、上記有機溶剤の濃度の好ましい上限は、99重量%である。
上記チタン酸エステルと上記リン化合物の比率については、リン原子の重量比率を1として、チタン原子の重量比率が0.2〜2.0となる、即ち、リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)が0.2〜2.0となることが好ましい。
上記リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)が上記範囲内にあると、上記塗布拡散剤組成物を用いて形成されたPTG膜の反射防止膜の能力とリンの拡散能力が太陽電池製造プロセスに適した範囲内にあり、太陽電池製造用のPTG膜として好適である。
リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)は、0.5〜0.9がより好ましく、0.67〜0.75がさらに好ましい。
上記チタン酸エステルの比率が高くなると(上記重量割合(チタン/リン)が大きくなると)、上記PTG膜の屈折率が高くなり、反射防止膜としての効果に優れた膜となるものの、リンの濃度(比率)が低いことから目的のリン拡散を行うことが難しくなる傾向にある。一方、チタン酸エステルの比率が低くなると(上記重量割合(チタン/リン)が小さくなると)、リンの拡散は容易となるが、PTG膜の屈折率が最適値からずれることになり、反射防止膜としての効果が低下する傾向にある。
上記リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)が上記範囲内にあると、上記塗布拡散剤組成物を用いて形成されたPTG膜の反射防止膜の能力とリンの拡散能力が太陽電池製造プロセスに適した範囲内にあり、太陽電池製造用のPTG膜として好適である。
リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)は、0.5〜0.9がより好ましく、0.67〜0.75がさらに好ましい。
上記チタン酸エステルの比率が高くなると(上記重量割合(チタン/リン)が大きくなると)、上記PTG膜の屈折率が高くなり、反射防止膜としての効果に優れた膜となるものの、リンの濃度(比率)が低いことから目的のリン拡散を行うことが難しくなる傾向にある。一方、チタン酸エステルの比率が低くなると(上記重量割合(チタン/リン)が小さくなると)、リンの拡散は容易となるが、PTG膜の屈折率が最適値からずれることになり、反射防止膜としての効果が低下する傾向にある。
本発明の塗布拡散剤組成物は、水を含有する。
上記塗布拡散剤組成物は、水が配合されていることが極めて重要であり、これにより上記塗布拡散剤組成物の長期保存安定性が格段に向上することとなる。
上記塗布拡散剤組成物における水の濃度は、5重量%以下が好ましく、1.5重量%以下がより好ましい。
上記水を濃度5重量%を超えて添加すると、上記チタン酸エステルが急激に加水分解を起こし、水酸化チタンとして白色の析出物が大量に発生するおそれがある。さらに、この析出物は、液中のリン成分と結合し、液中のリン濃度を著しく低下させるため、上記析出物が発生した液(組成物)は、塗布拡散剤として使用することができなくなる。
また、本発明の効果が発揮されるためには、上記水の濃度は0.05重量%以上であることが望ましい。
上記塗布拡散剤組成物は、水が配合されていることが極めて重要であり、これにより上記塗布拡散剤組成物の長期保存安定性が格段に向上することとなる。
上記塗布拡散剤組成物における水の濃度は、5重量%以下が好ましく、1.5重量%以下がより好ましい。
上記水を濃度5重量%を超えて添加すると、上記チタン酸エステルが急激に加水分解を起こし、水酸化チタンとして白色の析出物が大量に発生するおそれがある。さらに、この析出物は、液中のリン成分と結合し、液中のリン濃度を著しく低下させるため、上記析出物が発生した液(組成物)は、塗布拡散剤として使用することができなくなる。
また、本発明の効果が発揮されるためには、上記水の濃度は0.05重量%以上であることが望ましい。
上記塗布拡散剤組成物には、さらに界面活性剤を加えてもよい。
上記界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、イオン性界面活性剤等が挙げられる。
このような構成からなる塗布拡散剤組成物は、本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法により好適に製造することができる。
上記界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、イオン性界面活性剤等が挙げられる。
このような構成からなる塗布拡散剤組成物は、本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法により好適に製造することができる。
次に、本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法について説明する。
本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法は、上記塗布拡散剤組成物を製造する方法であって、
有機溶剤、リン化合物及び水を配合した溶液(A)に、チタン酸エステルを混合することを特徴とする。
上記製造方法では、有機溶剤、リン化合物及び水を配合した溶液(A)を調製した後、この溶液(A)にチタン酸エステルを混合することが重要である。
このような工程を経ることにより、チタン酸エステルの加水分解に起因する析出物の発生を防止することができるからである。
本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法は、上記塗布拡散剤組成物を製造する方法であって、
有機溶剤、リン化合物及び水を配合した溶液(A)に、チタン酸エステルを混合することを特徴とする。
上記製造方法では、有機溶剤、リン化合物及び水を配合した溶液(A)を調製した後、この溶液(A)にチタン酸エステルを混合することが重要である。
このような工程を経ることにより、チタン酸エステルの加水分解に起因する析出物の発生を防止することができるからである。
上記製造方法において、上記溶液(A)を調製する場合、有機溶剤、リン化合物及び水を同時に混合しても良いが、先に有機溶剤及びリン化合物を配合した溶液(B)を調製した後、この溶液(B)に水を混合して溶液(A)を調製することが好ましい。
この理由は、チタン酸エステルの加水分解に起因する析出物の発生を防止することができるからである。
この理由は、チタン酸エステルの加水分解に起因する析出物の発生を防止することができるからである。
また、上記水は、一度に全量混合しても良く、複数回に分けて混合して良く、例えば、有機溶剤及びリン化合物と水の一部とを混合した後、残りの水を混合しても良いが、有機溶剤とリン化合物とを先に混合し、リン化合物を有機溶剤に溶解させた後、水を全量混合させることが好ましい。
また、水を配合する場合、上記水は、無機酸、有機酸、無機アルカリ又は有機アルカリなどの水溶液として添加してもよいが、純水として添加することが好ましい。
ここで、純水とは、水以外の成分が実質的に含まれないものを意味する。
また、水を配合する場合、上記水は、無機酸、有機酸、無機アルカリ又は有機アルカリなどの水溶液として添加してもよいが、純水として添加することが好ましい。
ここで、純水とは、水以外の成分が実質的に含まれないものを意味する。
本発明の塗布拡散剤組成物の製造方法における特に好ましい実施形態としては、以下の実施形態が挙げられる。
即ち、まず製造する組成物の全重量に対して、イソプロピルアルコールを80重量%以上、五酸化二リンを10重量%以下投入し、混合溶解させる。続いて、水を0.05〜1.5重量%加え、よく撹拌した後に、テトライソプロポキシチタンを10重量%以下加えて塗布拡散剤組成物を得る実施形態である。
本発明の塗布拡散剤組成物は、このような塗布拡散剤組成物の製造方法により得られたものであってもよい。
即ち、まず製造する組成物の全重量に対して、イソプロピルアルコールを80重量%以上、五酸化二リンを10重量%以下投入し、混合溶解させる。続いて、水を0.05〜1.5重量%加え、よく撹拌した後に、テトライソプロポキシチタンを10重量%以下加えて塗布拡散剤組成物を得る実施形態である。
本発明の塗布拡散剤組成物は、このような塗布拡散剤組成物の製造方法により得られたものであってもよい。
次に、本発明の太陽電池について説明する。
本発明の太陽電池は、本発明の塗布拡散剤組成物を用いて形成されたn型拡散層及び反射防止膜を備えることを特徴とする。
このような太陽電池の具体例としては、例えば、図1に示した構造の太陽電池が挙げられる。
図1(a)は、本発明の太陽電池の一例を模式的に示す断面図であり、(b)は、本発明の太陽電池の別の一例を模式的に示す断面図である。
本発明の太陽電池は、本発明の塗布拡散剤組成物を用いて形成されたn型拡散層及び反射防止膜を備えることを特徴とする。
このような太陽電池の具体例としては、例えば、図1に示した構造の太陽電池が挙げられる。
図1(a)は、本発明の太陽電池の一例を模式的に示す断面図であり、(b)は、本発明の太陽電池の別の一例を模式的に示す断面図である。
図1(a)に示す太陽電池100は、両面電極型太陽電池であり、シリコン基板1の一方の面(受光面/図中、上面)に、微小なピラミッド形状のテクスチャ構造(図示せず)を備え、さらに、その上にn型拡散層6及びリンを含むチタン酸化物からなる反射防止膜5を備えている。また、この受光面側には、反射防止膜5を貫通しn型拡散層6に接続された受光面電極10が形成されている。
また、シリコン基板1の他方の面(裏面/図中、下面)には、BSF(Back Surface Field)層11が形成されるとともに、裏面アルミ電極13及び裏面銀電極12が形成されている。さらに、上記裏面側には、pn接合分離を行う溝14が形成されている。
また、シリコン基板1の他方の面(裏面/図中、下面)には、BSF(Back Surface Field)層11が形成されるとともに、裏面アルミ電極13及び裏面銀電極12が形成されている。さらに、上記裏面側には、pn接合分離を行う溝14が形成されている。
図1(b)に示す太陽電池200は、裏面電極型太陽電池であり、シリコン基板15の一方の面(受光面/図中、上面)に、微小なピラミッド形状のテクスチャ構造(図示せず)を備え、さらに、その上に受光面n型拡散層16及びリンを含むチタン酸化物からなる反射防止膜17を備えている。
また、シリコン基板15の他方の面(裏面/図中、下面)には、n型拡散層18及びp型拡散層19が形成されて、さらにその上に、裏面パッシベーション膜22が積層されている。さらに、裏面パッシベーション膜22を貫通するように、n型拡散層18に接続されたn型電極20及びp型拡散層19に接続されたp型電極21が形成されている。
なお、本発明の太陽電池の構造は、図1(a)、(b)に記載した構造に限定されず、n型拡散層及びリンを含むチタン酸化物からなる反射防止膜を備えた構造を有するものであればよい。
また、シリコン基板15の他方の面(裏面/図中、下面)には、n型拡散層18及びp型拡散層19が形成されて、さらにその上に、裏面パッシベーション膜22が積層されている。さらに、裏面パッシベーション膜22を貫通するように、n型拡散層18に接続されたn型電極20及びp型拡散層19に接続されたp型電極21が形成されている。
なお、本発明の太陽電池の構造は、図1(a)、(b)に記載した構造に限定されず、n型拡散層及びリンを含むチタン酸化物からなる反射防止膜を備えた構造を有するものであればよい。
次に、本発明の太陽電池の製造方法について説明する。
本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板上に、本発明の塗布拡散剤組成物を塗布した後、加熱処理を行うことにより、前記シリコン基板上にn型拡散層及び反射防止膜を成形する工程を有することを特徴とする。
本発明の太陽電池の製造方法は、シリコン基板上に、本発明の塗布拡散剤組成物を塗布した後、加熱処理を行うことにより、前記シリコン基板上にn型拡散層及び反射防止膜を成形する工程を有することを特徴とする。
以下、上記太陽電池を製造する方法について、図1(a)に示した両面電極型太陽電池を製造する場合を例に図2を参照しながら工程順に説明する。
図2−1(a)〜(d)及び図2−2(e)〜(g)は本発明の太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。
また、図2−1(a)〜(d)及び図2−2(e)〜(g)の各図は太陽電池の一断面を示すものであり、図中の上方が受光面であり、他方が裏面である。
図2−1(a)〜(d)及び図2−2(e)〜(g)は本発明の太陽電池の製造方法を説明するための断面図である。
また、図2−1(a)〜(d)及び図2−2(e)〜(g)の各図は太陽電池の一断面を示すものであり、図中の上方が受光面であり、他方が裏面である。
(1)まず、公知のワイヤソーなどを用い、単結晶又は多結晶のn型導電性又はp型導電性を有するシリコンインゴットからスライスして得られたシリコン基板1を用意する。スライス直後のシリコン基板1にはスライス時に発生したスライスダメージ層2があるので(図2−1(a)参照)、例えば、フッ化水素水溶液と硝酸との混酸などを用いてスライスダメージ層2を除去する。
(2)次に、シリコン基板1の一表面(受光面)にNaOH水溶液などを用いたエッチングを行い、微小なピラミッド形状の凹凸(テクスチャ構造)3を形成する(図2−1(b)参照)。このテクスチャ構造3は太陽電池受光面の光閉じ込めに寄与し、太陽電池の特性を向上させる効果がある。ここで、エッチングは酸を用いて行ってもよい。
なお、以下の説明で参照する図2−1(c)〜図2−2(g)では、テクスチャ構造3を省略する。
なお、以下の説明で参照する図2−1(c)〜図2−2(g)では、テクスチャ構造3を省略する。
(3)次に、シリコン基板1の受光面に塗布拡散剤組成物4を塗布する(図2−1(c)参照)。
ここで、塗布の方法としては、例えば、スピンコート法等を用いることができる。
ここで、塗布の方法としては、例えば、スピンコート法等を用いることができる。
(4)次に、塗布拡散剤組成物4を塗布したシリコン基板1を石英チューブ炉に入れ、N2雰囲気中において800〜1100℃の温度で、5〜30分間の熱処理を行う。
これにより、シリコン基板1の受光面(図中、上面)に、リンが拡散してn型拡散層6が形成されるとともに、リンを含むチタン酸化物からなる反射防止膜5が形成される(図2−1(d)参照)。
これにより、シリコン基板1の受光面(図中、上面)に、リンが拡散してn型拡散層6が形成されるとともに、リンを含むチタン酸化物からなる反射防止膜5が形成される(図2−1(d)参照)。
(5)次に、シリコン基板1の裏面(図中、下面)にアルミペースト8と銀ペースト9をスクリーン印刷法で印刷し、さらに乾燥を行なう。その後、シリコン基板1の受光面上の反射防止膜5の上に銀ペースト7をスクリーン印刷法で印刷し乾燥を行なう(図2−2(e)参照)。
(6)次に、上記(5)の工程を経たシリコン基板1を800〜1100℃の温度で焼成する。これにより、受光面上の反射防止膜5の上の銀ペースト7は反射防止膜5を貫通しn型拡散層6に接続され受光面電極10が形成されるとともに、裏面のアルミペースト8は一部がシリコン基板1に拡散しBSF層11が形成されるとともに裏面アルミ電極13及び裏面銀電極12が形成される(図2−2(f)参照)。
(7)最後に、シリコン基板1の裏面の外縁部に、レーザ処理にて溝14を形成することでpn接合分離を行う(図2−2(g)参照)。
このような工程を経ることにより、太陽電池を製造することができる。
このような工程を経ることにより、太陽電池を製造することができる。
なお、本発明の太陽電池の製造方法は、図2−1、2を参照しながら説明した上述の方法に限定されるわけではなく、本発明の塗布拡散剤組成物を用いてn型拡散層及びリンを含むチタン酸化物からなる反射防止膜を形成する工程を有するものであればよい。
以下に、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるわけではない。
以下の実施例/比較例では、有機溶剤としてイソプロピルアルコールを、チタン酸エステルとしてテトライソプロポキシチタンを、リン化合物として五酸化二リンを使用した。
また、以下の実施例/比較例において、単に「水」と記載した場合、水以外の成分を実質的に含まない純水を指す。
以下の実施例/比較例では、有機溶剤としてイソプロピルアルコールを、チタン酸エステルとしてテトライソプロポキシチタンを、リン化合物として五酸化二リンを使用した。
また、以下の実施例/比較例において、単に「水」と記載した場合、水以外の成分を実質的に含まない純水を指す。
(実施例1〜18、比較例1)
まず、イソプロピルアルコール(イソプロパノール)、五酸化ニリン、水(1)を混合溶解させた。その後、さらに水(2)を加え混合した後、テトライソプロポキシチタンを混合することにより、塗布拡散剤組成物を調製した。
なお、各実施例で使用した各成分の量は、下記表1に示した通りである。また、各実施例において、水(1)及び水(2)の量を変更することにより、水の濃度、及び、水を添加するタイミングを調整した。
まず、イソプロピルアルコール(イソプロパノール)、五酸化ニリン、水(1)を混合溶解させた。その後、さらに水(2)を加え混合した後、テトライソプロポキシチタンを混合することにより、塗布拡散剤組成物を調製した。
なお、各実施例で使用した各成分の量は、下記表1に示した通りである。また、各実施例において、水(1)及び水(2)の量を変更することにより、水の濃度、及び、水を添加するタイミングを調整した。
(経時安定性の評価)
各実施例で得られた塗布拡散剤組成物について、60℃の高温条件下で保管し、析出物(水酸化チタン)が発生するまでの時間を評価した。結果を表1に示す。
なお、析出物が発生するまでの時間は、液(塗布拡散剤組成物)の透明性が維持されている時間で評価した。
上記塗布拡散剤組成物は保管温度が高温であるほどに早く析出物が発生する傾向にあるため、この評価では、工業的に大量に製造した場合の析出物発生に関する経時安定性を評価することができる。
各実施例で得られた塗布拡散剤組成物について、60℃の高温条件下で保管し、析出物(水酸化チタン)が発生するまでの時間を評価した。結果を表1に示す。
なお、析出物が発生するまでの時間は、液(塗布拡散剤組成物)の透明性が維持されている時間で評価した。
上記塗布拡散剤組成物は保管温度が高温であるほどに早く析出物が発生する傾向にあるため、この評価では、工業的に大量に製造した場合の析出物発生に関する経時安定性を評価することができる。
また、表1に示した結果に関し、比較例1及び実施例1〜9における水(2)の濃度と液(塗布拡散剤組成物)の透明維持の時間との関係を図3にプロットし、実施例3及び実施例10〜13におけるTi/P重量比と液(塗布拡散剤組成物)の透明維持の時間との関係を図4にプロットし、実施例3及び実施例14〜18における水(1)の組成重量と液(塗布拡散剤組成物)の透明維持の時間との関係を図5にプロットした。
図3に示したように、実施例4の場合に、析出物が発生せず懸濁することなく液(塗布拡散剤組成物)が透明である時間が最も長くなる結果が得られた。透明である時間の極大値である実施例4と比較例1とを比べると、約2.5倍の液寿命があることが確認され、水(2)を加えることが塗布拡散剤組成物の安定性を向上させるのに非常に有効であることが明らかとなった。
図4に示したように、重量割合(チタン/リン)は0.70〜0.72の付近で液(塗布拡散剤組成物)が透明である時間の極大値をとることが確認された。
従って、塗布拡散剤組成物の重量割合(チタン/リン)がこの付近にある場合、析出物の発生に関する液寿命として、最も優れていることが明らかとなった。
従って、塗布拡散剤組成物の重量割合(チタン/リン)がこの付近にある場合、析出物の発生に関する液寿命として、最も優れていることが明らかとなった。
図5に示したように、水(2)のタイミングで水を加えた塗布拡散剤組成物であっても、水(1)のタイミングで水が加えられることにより、塗布拡散剤組成物が透明である時間は短くなる傾向があることが確認された。
(実施例19〜22、比較例2〜5)
実施例3又は比較例1と同様にして調製した塗布拡散剤組成物について、40℃、25℃、5℃及び−5℃のいずれかの温度条件下で保管した場合の塗布拡散剤組成物の経時安定性を評価した。結果を表2に示す。なお、経時安定性の評価は、保管温度以外は実施例1〜18及び比較例1と同様の方法で行った。
実施例3又は比較例1と同様にして調製した塗布拡散剤組成物について、40℃、25℃、5℃及び−5℃のいずれかの温度条件下で保管した場合の塗布拡散剤組成物の経時安定性を評価した。結果を表2に示す。なお、経時安定性の評価は、保管温度以外は実施例1〜18及び比較例1と同様の方法で行った。
表2に示したように、水(2)が0.15gの組成重量となる塗布拡散剤組成物と水を含まない塗布拡散剤組成物とでは、上述したいずれの保管温度においても、透明である時間に約2.5倍の差がある結果が得られた。
このことから、本発明の塗布拡散剤組成物では、実際に保管される温度範囲においても、析出物発生に関する経時安定性が向上していることが確認された。
このことから、本発明の塗布拡散剤組成物では、実際に保管される温度範囲においても、析出物発生に関する経時安定性が向上していることが確認された。
(実施例23〜29)
水(2)に代えて、表3に示した無機酸、有機酸、無機アルカリ、有機アルカリの水溶液を加えた以外は実施例19と同様にして塗布拡散剤組成物を調製した。得られた塗布拡散剤組成物について、実施例19と同様にして40℃保管条件下での析出物発生に関する経時安定性を評価した。結果を表3に示す。なお、表3には参考のため、実施例19及び比較例2の結果も併記した。
水(2)に代えて、表3に示した無機酸、有機酸、無機アルカリ、有機アルカリの水溶液を加えた以外は実施例19と同様にして塗布拡散剤組成物を調製した。得られた塗布拡散剤組成物について、実施例19と同様にして40℃保管条件下での析出物発生に関する経時安定性を評価した。結果を表3に示す。なお、表3には参考のため、実施例19及び比較例2の結果も併記した。
表中、「TMAH」は水酸化テトラメチルアンモニウムを示し、「MEA」はモノエタノールアミンを示す。
表3に示した通り、水、又は、無機酸、有機酸、無機アルカリ若しくは有機アルカリの水溶液を加えることで、液の透明が維持される時間が上昇することが確認され、中でも水は最も析出物発生を抑制する効果が高く液寿命向上に特に効果があることが示された。
本発明に係る塗布拡散剤組成物は、太陽電池等の製造に好適に使用することができる。
1、15 シリコン基板
2 スライスダメージ層
3 テクスチャ構造
4 塗布拡散剤組成物
5、17 反射防止膜
6、18 n型拡散層
7、9 銀ペースト
8 アルミペースト、
10 受光面電極
11 BSF層
12 裏面銀電極
13 裏面アルミ電極
14 溝
16 受光面n型拡散層
19 p型拡散層
20 n型電極、
21 p型電極
22 裏面パッシベーション膜
100、200 太陽電池
2 スライスダメージ層
3 テクスチャ構造
4 塗布拡散剤組成物
5、17 反射防止膜
6、18 n型拡散層
7、9 銀ペースト
8 アルミペースト、
10 受光面電極
11 BSF層
12 裏面銀電極
13 裏面アルミ電極
14 溝
16 受光面n型拡散層
19 p型拡散層
20 n型電極、
21 p型電極
22 裏面パッシベーション膜
100、200 太陽電池
Claims (11)
- チタン酸エステル、リン化合物、水及び有機溶剤を含むことを特徴とする塗布拡散剤組成物。
- リン化合物は、五酸化二リン及び/又はリン酸エステルである請求項1に記載の塗布拡散剤組成物。
- 有機溶剤は、アルコールである請求項1又は2に記載の塗布拡散剤組成物。
- 水の濃度が、5重量%以下である請求項1〜3のいずれかに記載の塗布拡散剤組成物。
- 水の濃度が、0.05〜1.5重量%である請求項1〜4のいずれかに記載の塗布拡散剤組成物。
- リン原子に対するチタン原子の重量割合(チタン/リン)が、0.5〜0.9である請求項1〜5のいずれかに記載の塗布拡散剤組成物。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の塗布拡散剤組成物を製造する方法であって、
有機溶剤、リン化合物及び水を配合した溶液(A)に、チタン酸エステルを混合することを特徴とする塗布拡散剤組成物の製造方法。 - 有機溶剤及びリン化合物を配合した溶液(B)に、水を混合して溶液(A)とする請求項7に記載の塗布拡散剤組成物の製造方法。
- 水は、純水である請求項7又は8に記載の塗布拡散剤組成物の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の塗布拡散剤組成物を用いて形成されたn型拡散層及び反射防止膜を備えることを特徴とする太陽電池。
- シリコン基板上に、請求項1〜6のいずれかに記載の塗布拡散剤組成物を塗布した後、加熱処理を行うことにより、前記シリコン基板上にn型拡散層及び反射防止膜を成形する工程を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012091800A JP2013222747A (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
CN201380019198.1A CN104221134A (zh) | 2012-04-13 | 2013-03-27 | 涂布扩散剂组合物、涂布扩散剂组合物的制造方法、太阳能电池及太阳能电池的制造方法 |
PCT/JP2013/058908 WO2013153950A1 (ja) | 2012-04-13 | 2013-03-27 | 塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
US14/391,365 US20150083209A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-03-27 | Coatable diffusing agent composition, method for producing coatable diffusing agent composition, solar cell, and method for manufacturing solar cell |
TW102111116A TW201342632A (zh) | 2012-04-13 | 2013-03-28 | 塗布擴散劑組成物、塗布擴散劑組成物之製造方法、太陽電池及太陽電池之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012091800A JP2013222747A (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013222747A true JP2013222747A (ja) | 2013-10-28 |
Family
ID=49327519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012091800A Pending JP2013222747A (ja) | 2012-04-13 | 2012-04-13 | 塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150083209A1 (ja) |
JP (1) | JP2013222747A (ja) |
CN (1) | CN104221134A (ja) |
TW (1) | TW201342632A (ja) |
WO (1) | WO2013153950A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015178307A1 (ja) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
CN104505439A (zh) * | 2015-01-10 | 2015-04-08 | 复旦大学 | 一步完成扩散、表面钝化和减反射的太阳电池制备方法 |
US11631779B2 (en) | 2016-11-07 | 2023-04-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and method for manufacturing solar cell with high photoelectric conversion efficiency |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS623597B2 (ja) * | 1977-11-30 | 1987-01-26 | Sharp Kk | |
JPH11340486A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Sharp Corp | pn接合及び反応生成物の形成方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4256980B2 (ja) * | 1999-04-21 | 2009-04-22 | シャープ株式会社 | チタン酸化物膜の製造装置 |
US8876963B2 (en) * | 2007-10-17 | 2014-11-04 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Dielectric coating for single sided back contact solar cells |
-
2012
- 2012-04-13 JP JP2012091800A patent/JP2013222747A/ja active Pending
-
2013
- 2013-03-27 WO PCT/JP2013/058908 patent/WO2013153950A1/ja active Application Filing
- 2013-03-27 US US14/391,365 patent/US20150083209A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-27 CN CN201380019198.1A patent/CN104221134A/zh active Pending
- 2013-03-28 TW TW102111116A patent/TW201342632A/zh unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS623597B2 (ja) * | 1977-11-30 | 1987-01-26 | Sharp Kk | |
JPH11340486A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Sharp Corp | pn接合及び反応生成物の形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013153950A1 (ja) | 2013-10-17 |
CN104221134A (zh) | 2014-12-17 |
TW201342632A (zh) | 2013-10-16 |
US20150083209A1 (en) | 2015-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5019397B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP4393938B2 (ja) | 電極材料及び太陽電池、並びに太陽電池の製造方法 | |
JP6553731B2 (ja) | N型両面電池のウェットエッチング方法 | |
US9837575B2 (en) | Method of manufacturing solar battery cell | |
KR102120147B1 (ko) | 태양 전지의 제조 방법 및 태양 전지 | |
WO2013153950A1 (ja) | 塗布拡散剤組成物、塗布拡散剤組成物の製造方法、太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
JPWO2015087472A1 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
US20170025561A1 (en) | Manufacturing method of solar cell and solar cell | |
CN102282682B (zh) | 增加晶片薄层电阻和/或光电池功率密度水平的溶液 | |
CN103474501B (zh) | 一种选择性发射极锑化镓红外电池及其制备方法 | |
TWI663738B (zh) | Method for forming surface coating film and solar cell with surface coating film | |
CN103746008A (zh) | 一种太阳能电池用减反射层及其制备工艺 | |
KR101083372B1 (ko) | 보론 도핑방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 | |
KR101132292B1 (ko) | 광 흡수 및 광전 변환 효율이 우수한 실리콘계 태양전지 및 그 제조 방법 | |
BR102012030606A2 (pt) | Processo de difusão de dopantes em lâminas de silício para fabricação de células solares | |
JP6153885B2 (ja) | 裏面接合型太陽電池 | |
JP2012182275A (ja) | 太陽電池、および太陽電池の製造方法 | |
WO2024057722A1 (ja) | 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法 | |
JP5316491B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2018174270A (ja) | パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 | |
KR101224643B1 (ko) | 태양전지 제조방법 | |
JP6371883B2 (ja) | 裏面接合型太陽電池の製造方法 | |
JP5994895B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2016092238A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
CN110993746A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160419 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161206 |