JP2013221175A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013221175A5
JP2013221175A5 JP2012093437A JP2012093437A JP2013221175A5 JP 2013221175 A5 JP2013221175 A5 JP 2013221175A5 JP 2012093437 A JP2012093437 A JP 2012093437A JP 2012093437 A JP2012093437 A JP 2012093437A JP 2013221175 A5 JP2013221175 A5 JP 2013221175A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic acid
oxide film
oxide
surface portion
metal region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012093437A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013221175A (ja
JP5984044B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012093437A priority Critical patent/JP5984044B2/ja
Priority claimed from JP2012093437A external-priority patent/JP5984044B2/ja
Publication of JP2013221175A publication Critical patent/JP2013221175A/ja
Publication of JP2013221175A5 publication Critical patent/JP2013221175A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5984044B2 publication Critical patent/JP5984044B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Claims (11)

  1. 少なくとも表面部に金属領域を有する部材を接合するために、有機酸により金属領域上の酸化膜を除去する工程を有する、表面酸化物除去方法。
  2. 有機酸がギ酸であることを特徴とする、請求項１に記載された表面酸化物除去方法。
  3. 触媒を用いて有機酸を分解して水素または水素ラジカルを発生させ、発生された水素または水素ラジカルにより金属領域上の酸化膜を除去することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された表面酸化物除去方法。
  4. 触媒を用いて有機酸を分解する際に、触媒を加熱することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載された表面酸化物除去方法。
  5. 有機酸のキャリアガスとして、不活性ガスが用いられることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載された表面酸化物除去方法。
  6. 少なくとも表面部に金属領域を有する一対の部材を接合する方法であって、少なくとも一方の部材に対して前記請求項１から５のいずれか一項に記載の表面酸化物除去方法を行って、その表面の酸化物を除去し、
    その後、前記一対の部材を、互いの銅電極が接触するように接合する、接合方法。
  7. 前記表面酸化物除去後に２５０℃以下の加熱により前記金属を接合する請求項６に記載の接合方法。
  8. 少なくとも表面部に金属領域を有する第１の部材の金属領域上の酸化膜と、少なくとも表面部に金属領域を有する第２の部材の金属領域上の酸化膜とを、有機酸を用いて除去する酸化膜除去手段と、
    酸化膜が除去された金属領域が互いに接触するように第１の部材と第２の部材とを接合する接合手段とを有して構成される接合装置。
  9. 有機酸の分解により発生するガスを密閉するガス密閉槽を備えることを特徴とする請求項８記載の接合装置。
  10. 少なくとも表面部に樹脂領域と銅電極とを有する部材を接合するために、有機酸により銅電極上の酸化膜を除去する工程を有する表面酸化物除去方法。
  11. 少なくとも表面部に有機酸により酸化膜が除去された銅電極と樹脂領域とを有する第１の部材と、少なくとも表面部に有機酸により酸化膜が除去された銅電極と樹脂領域とを有する第２の部材とを、互いの銅電極が接触するように接合することで得られるデバイス。
JP2012093437A 2012-04-16 2012-04-16 金属触媒下及び不活性ガス雰囲気下で有機酸ガスを用いた表面酸化物除去方法及び接合装置 Active JP5984044B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012093437A JP5984044B2 (ja) 2012-04-16 2012-04-16 金属触媒下及び不活性ガス雰囲気下で有機酸ガスを用いた表面酸化物除去方法及び接合装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012093437A JP5984044B2 (ja) 2012-04-16 2012-04-16 金属触媒下及び不活性ガス雰囲気下で有機酸ガスを用いた表面酸化物除去方法及び接合装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013221175A JP2013221175A (ja) 2013-10-28
JP2013221175A5 true JP2013221175A5 (ja) 2013-12-05
JP5984044B2 JP5984044B2 (ja) 2016-09-06

Family

ID=49592380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012093437A Active JP5984044B2 (ja) 2012-04-16 2012-04-16 金属触媒下及び不活性ガス雰囲気下で有機酸ガスを用いた表面酸化物除去方法及び接合装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5984044B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103831526B (zh) * 2014-03-07 2015-10-28 哈尔滨工业大学 利用一种去膜辅助装置进行扩散连接的方法
CN111613542A (zh) * 2019-02-22 2020-09-01 中科院微电子研究所昆山分所 一种铜-铜键合的方法
CN109986191A (zh) * 2019-04-15 2019-07-09 上海交通大学 一种应用于金属/高分子连接的表面处理方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5409543A (en) * 1992-12-22 1995-04-25 Sandia Corporation Dry soldering with hot filament produced atomic hydrogen
JP2002069648A (ja) * 2000-09-01 2002-03-08 Sigma Koki Kk 成膜装置の内壁堆積物検出方法及び監視装置付き成膜装置
JP4355836B2 (ja) * 2002-02-18 2009-11-04 株式会社アルバック Ｃｕ膜とＣｕバンプの接続方法、Ｃｕ膜とＣｕバンプの接続装置
US7387738B2 (en) * 2003-04-28 2008-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications
JP4032058B2 (ja) * 2004-07-06 2008-01-16 富士通株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2006156794A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Sony Corp 半導体装置の接合方法及び接合構造
JP2006278616A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 薄膜製造装置、薄膜の製造方法、および薄膜積層体
JP5024765B2 (ja) * 2007-01-30 2012-09-12 株式会社フジクラ 酸化物基板の清浄化方法及び酸化物半導体薄膜の製造方法
JP4875576B2 (ja) * 2007-09-25 2012-02-15 独立行政法人科学技術振興機構 ギ酸分解用触媒、ギ酸の分解方法、水素製造方法、ギ酸製造および分解用装置、水素貯蔵および発生方法
JP5548934B2 (ja) * 2009-03-12 2014-07-16 地方独立行政法人青森県産業技術センター 水素製造用光触媒
JP4473336B2 (ja) * 2009-04-13 2010-06-02 学校法人早稲田大学 接合方法
JPWO2011152423A1 (ja) * 2010-05-31 2013-08-01 三洋電機株式会社 金属の接合方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013102154A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2014212312A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2014513868A5 (ja)
MX2016015875A (es) Proceso de fabricacion de tetrafluoropropeno.
JP2011035387A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2014199896A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013153156A5 (ja)
JP2012146946A5 (ja)
JP2013110397A5 (ja)
WO2012134204A3 (ko) 인 루프 필터링 방법 및 그 장치
JP2009135464A5 (ja)
JP2013221175A5 (ja)
WO2012009612A3 (en) Method of plasma preparation of metallic contacts to enhance mechanical and electrical integrity of subsequent interconnect bonds
JP2014080570A5 (ja)
JP2013062537A5 (ja) 光電変換装置の製造方法
JP2012142569A5 (ja)
WO2013156162A3 (de) Elektrische heizvorrichtung, bauelement sowie verfahren zu deren herstellung
JP2016066792A5 (ja)
WO2013182478A3 (en) Method and regeneration apparatus for regenerating a plating composition
JP2012182447A5 (ja) 半導体膜の作製方法
EP2626891A3 (en) Activation process to improve metal adhesion
JP2014087781A5 (ja)
JP2013030764A5 (ja) 半導体基板の再生方法、及びｓｏｉ基板の作製方法
MX2019005612A (es) Metodo para limpiar una pieza de trabajo con limpieza catodica despues de un proceso de union termico, dispositivo de limpieza y gas de procesamiento.
MY169198A (en) An apparatus for heating a substrate during die bonding