JP2013219296A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】隣り合って配置されるリードＬ１、Ｌ２上に接合材１１を介してチップコンデンサ（電子部品）６を搭載する。リードＬ１の上面には開口部（段差部）Ｋ１が形成され、リードＬ２の上面には開口部（段差部）Ｋ２が形成される。また、平面視において、開口部Ｋ１、Ｋ２は、リードＬ１のボンディング領域４ｃｒ１とリードＬ２のボンディング領域４ｃｒ２の間に配置される。また、チップコンデンサ６は、平面視において、電極（電極端子）６ｄｔ１が開口部Ｋ１と重ならず、電極（電極端子）６ｄｔ２が開口部Ｋ２と重ならないように配置する。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、例えば外部端子となるリードに、チップコンデンサなどの電子部品を搭載する半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。

特開２００３−１２４４１６号公報（特許文献１）には、バスバーに凹部を形成し、チップ部品を前記凹部上に、はんだ接合することが記載されている。

特開２００３−１２４４１６号公報

本願発明者は、例えば、チップコンデンサなどのチップ型電子部品の半導体装置内への実装技術について検討を行い以下の課題を見出した。すなわち、チップ型電子部品の電極を接合する端子間距離が短くなると、端子間で接合材が接触し易くなり、電子部品を搭載した装置（半導体装置）の信頼性低下の原因となる。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、本願の一態様である半導体装置の製造方法は、隣り合って配置される第１リードの第１ボンディング領域上、および第２リードの第２ボンディング領域上に接合材を介して電子部品を搭載する工程を有する。電子部品は、互いに対向する第１および第２側面、前記第１側面を覆う第１電極端子、および前記第２側面を覆う第２電極端子を有する。また、前記第１リードの上面には第１開口部が形成され、前記第２リードの上面には第２開口部が形成される。また、平面視において、前記第１および第２開口部は、前記第１リードの前記第１ボンディング領域と前記第２リードの前記第２ボンディング領域の間に配置される。また、前記電子部品を搭載する工程では、平面視において、前記第１電極端子が前記第１開口部と重ならず、前記第２電極端子が前記第２開口部と重ならないように、前記電子部品を配置するものである。

本願において開示される代表的な実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。

すなわち、本願において開示される代表的な実施の形態によれば、電子部品を搭載した装置の信頼性を向上させることができる。

一実施の形態である半導体装置の上面図である。 図１に示す半導体装置の下面図である。 図１に示す封止体を取り除いた状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。 図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 図１に示す半導体装置に形成された回路構成の一例を示す回路ブロック図である。 図３のＡ部の拡大透視平面図である。 図７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図７のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。 図７に示すＣ−Ｃ線側からリードを見た側面図である。 図８に対する変形例を示す拡大断面図である。 図１１に対する変形例を示す拡大断面図である。 図１〜図１０に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。 リードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図である。 図１４に示す複数の製品形成領域のうち、２つの製品形成領域周辺の拡大平面図である。 図１５に示すリードをさらに拡大して示す拡大平面図である。 図１３に示す電子部品準備工程で準備する電子部品（チップコンデンサ）の全体構造を示す斜視図である。 図１７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１５に示すリードのボンディング領域上に図１７に示すチップコンデンサを搭載した状態を示す拡大平面図である。 図１６に示すリード上に接合材を塗布した状態を示す拡大平面図である。 図２０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図２０に示すリード上にチップコンデンサを配置した状態を示す拡大平面図である。 図２２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図２２に示す半田ペーストを溶融した状態を示す拡大平面図である。 図２４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図１９に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。 図２６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図２６に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。 図２８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図２８に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。 図３０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図３１に示す封止体から露出する複数のリードおよびダイパッドの露出面に金属膜（外装めっき膜、半田膜）を形成した状態を示す拡大断面図である。 図３０に示すリードフレームに金属膜を形成した後、リードおよび吊りリードを枠部（ダム部）から切り離した状態を示す拡大平面図である。 図１６に対する変形例を示す拡大平面図である。 図３４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図２２に対する変形例を示す拡大平面図である。 図２４に対する変形例を示す拡大平面図である。 図３７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図３４に対する変形例を示す拡大平面図である。 図３９のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。 図３６に対する変形例を示す拡大平面図である。 図３７に対する変形例を示す拡大平面図である。 図４２のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。 図１３に対する変形例を示す説明図である。 図２０に対する変形例を示す拡大平面図である。 図４５に示すリード上にチップコンデンサを配置した状態を示す拡大平面図である。 図４６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図４６に対する変形例を示す拡大平面図である。 図４８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。 図８に対する第１の比較例を示す拡大断面図である。 図８に対する第２の比較例を示す拡大断面図である。 図１２に対する比較例を示す拡大断面図である。

（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。

同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。

さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。

また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。

また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。

以下の実施の形態で説明する技術はリードフレームを用いて製造する種々のパッケージタイプの半導体装置に適用可能であるが、本実施の形態では、一例として、外部端子である複数のリードが、封止体の下面（実装面）において封止体から露出する、ＱＦＮ（Quad Flat Nonleaded package）型の半導体装置に適用した実施態様について説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図、図２は、図１に示す半導体装置の下面図である。また、図３は、図１に示す封止体を取り除いた状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。また、図４は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図５は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

＜半導体装置＞
まず、本実施の形態の半導体装置１の構成の概要について、図１〜図５を用いて説明する。本実施の形態の半導体装置１は、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）２（図３〜図５参照）と、ダイパッド２上にダイボンド材８（図３〜図５参照）を介して搭載された半導体チップ３（図３〜図５参照）と、を備えている。また、半導体装置１は、半導体チップ３（ダイパッド２）の周囲に配置された複数のリード（端子、外部端子）４と、半導体チップ３の複数のパッド（電極、ボンディングパッド）ＰＤ（図３、図４参照）と複数のリード４とを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（導電性部材）５（図３、図４参照）と、を有している。また、半導体装置１は、複数のリード４のうち、互いに隣り合うリードＬ１、Ｌ２上に搭載されるチップコンデンサ（電子部品、チップ型電子部品）６（図３参照）を有している。また、半導体装置１は半導体チップ３、複数のワイヤ５、およびチップコンデンサ６を封止する封止体（樹脂体）７を備えている。また、ダイパッド２には、複数の吊りリード１０が接続されている。

＜外観構造＞
まず、半導体装置１の外観構造について説明する。図１に示す封止体（樹脂体）７の平面形状は矩形状からなり、本実施の形態では、例えば、正方形である。詳細には、各角部７ｄが面取り加工されており、これにより封止体７の欠けを抑制している。封止体７は上面７ａと、この上面７ａとは反対側の下面（裏面、実装面）７ｂ（図２参照）と、この上面７ａと下面７ｂとの間に位置する側面７ｃとを有している。側面７ｃは、図４に示すように傾斜面となっている。封止体７の角部７ｄとは、封止体７の四辺（四つの主辺）のうち、交差する任意の二辺（二つの主辺）の交点である角の周辺領域を含んでいる。なお、厳密には、図１に示すように、封止体７の角部７ｄは、一部が面取り加工されているので、主辺の交点は封止体７の角部７ｄよりも外側に配置される。しかし、面取り加工部は、主辺の長さと比較して十分に小さいため、本願では、面取り加工部の中心を封止体７の角と見做して説明する。つまり、本願においては、封止体７の四辺（四つの主辺）のうち、任意の二辺（二つの主辺）が交差する領域であって、該領域が面取り加工されている場合にはその面取り加工部が角部７ｄに相当し、該領域が面取り加工されていない場合には、任意の二辺（二つの主辺）の交点が角部７ｄに相当する。以下、本願において、封止体７の角部７ｄと説明するときは、特に異なる意味、内容で用いている旨を明記した場合を除き、上記と同様の意味、内容として用いる。

また、図１および図２に示すように、半導体装置１では、封止体７の各辺（各主辺）に沿って、それぞれ複数のリード４が配置されている。複数のリード４は、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。また複数のリード４は、図２に示すように封止体７の下面７ｂにおいて一部（下面）が封止体７からそれぞれ露出している。またリード４の封止体７からの露出部には、金属膜ＳＤが形成され、前記した基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは、例えばめっき法により形成された半田膜から成り、リード４を図示しない実装基板側の端子と接合する際に接合材として機能する。また、図１に示すように金属膜ＳＤはリード４の露出部の上面側にも形成されている。

本実施の形態の金属膜ＳＤは、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。以下、本実施の形態において、半田材、あるいは半田成分について説明する場合には、特にそうでない旨明示した場合を除き、鉛フリー半田を指す。

また、図１および図２に示す例では、複数のリード４のそれぞれは、封止体７の側面７ｃよりも外側に突出する突出部４ｔを有している。このように複数のリード４を封止体７から突出させることで、図示しない実装基板に半導体装置１を接合する際に、接合部の面積を増大させることができる。この結果、図示しない実装基板と、半導体装置１の実装強度を向上させることができる。ただし、変形例としては、リード４に突出部４ｔを設けず、平面視において封止体７の周縁部で切断された形状とすることができる。この場合、実装面積は、図１および図２に示す構造よりも低減することができる。

次に、図２に示すように、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）２の下面２ｂは、封止体７の下面７ｂにおいて、封止体７から露出している。つまり、半導体装置１は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置である。また、ダイパッド２は、封止体７よりも熱伝導率が高い金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。このように、ダイパッド露出型の半導体装置は、熱伝導率が封止体７よりも高い、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属部材（ダイパッド２）を露出させることで、ダイパッド２が露出しない半導体装置と比較して、パッケージの放熱性を向上させることができる。また、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、ダイパッド２の下面２ｂを実装基板の端子と、例えば半田材（接合材）を介して接続すれば、半導体装置１で発生した熱をさらに効率的に実装基板側に放熱することができる。図２に示す例では、ダイパッド２の下面２ｂには、実装時に接合材として機能する金属膜ＳＤが形成され、前記基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは前記したように例えばめっき法により形成された半田膜である。

また、図１および図２に示すように、半導体装置１は、封止体７の角部７ｄの外側において、吊りリード１０の一部が封止体７から露出している。詳しくは、図３および図５に示すように、吊りリード１０の一方の端部は、ダイパッド２に接続され（一体に形成され）、他方の端部は、角部７ｄにおいて封止体７から露出している。吊りリード１０は、ダイパッド２と一体に形成されるので、吊りリード１０はダイパッド２と同じ金属材料から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。このように吊りリード１０の一部を封止体７から露出させることにより、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、吊りリード１０の露出部を実装基板の端子と接合できる。これにより、半導体装置１の実装強度を向上させることができる。ただし、変形例としては、図１や図２に示すような吊りリード１０の露出部を設けず、平面視において封止体７の周縁部で吊りリード１０が切断された形状とすることができる。この場合、実装面積は、図１および図２に示す構造よりも低減することができる。

また、図２に示すように、吊りリード１０の露出部の下面には、実装時に接合材として機能する金属膜ＳＤが形成され、前記基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは前記したように例えばめっき法により形成された半田膜である。

＜内部構造＞
次に半導体装置１の内部構造について説明する。図３に示すように、ダイパッド２の上面（チップ搭載面）２ａは、平面形状が四角形（四辺形）から成る。本実施の形態では、例えば正方形である。また、本実施の形態では、半導体チップ３の外形サイズ（裏面３ｂの平面サイズ）よりも、ダイパッド２の外形サイズ（平面サイズ）の方が大きい。このように半導体チップ３を、その外形サイズよりも大きい面積を有するダイパッド２に搭載し、ダイパッド２の下面２ｂを封止体７から露出させることで、放熱性を向上させることができる。

また、ダイパッド２の外縁部には、下面２ｂ側からエッチング加工が施されており、図２に示す、封止体７から露出するダイパッド２の下面２ｂの外形サイズは、図３に示す上面２ａの外形サイズよりも小さい。言い換えれば、ダイパッド２は、図４に示すように第１の厚さを有する厚板部（部分）２ｆと、第１の厚さよりも小さい（薄い）第２の厚さを有する薄板部（部分）２ｈと、を有し、薄板部２ｈは厚板部２ｆの周縁部に配置されている。このようにダイパッド２の周縁部にハーフエッチング加工を施す事で、ダイパッド２が封止体７から抜け落ちることを防止することができる。このハーフエッチング加工は、下面２ｂから上面２ａに向かって施され、本実施の形態では、上面２ａと下面２ｂの中間位置まで形成されている。ただし、薄板部２ｈと厚板部２ｆの厚さの関係は、厳密に１対２に限定される訳ではなく、薄板部２ｈ、および薄板部２ｈの下面２ｈｂ側に形成された封止体７が破損しない程度の厚さを確保できる範囲内であれば、任意の厚さにする事が出来る。また、ダイパッド２が封止体７から抜け落ち難くなっている場合には、厚板部２ｆの周囲に薄板部２ｈを設けなくても良い。

また、図３に示すようにダイパッド２の周囲（半導体チップ３の周囲）には、複数のリード４が配置される。図４に示すように複数のリード４のそれぞれは、第１の厚さから成るアウタリード部（部分、厚板部、実装部、領域）４ａと、第１の厚さよりも小さい（薄い）第２の厚さから成るインナリード部（部分、薄板部、被封止部、ハーフエッチング部、領域）４ｂを有している。インナリード部４ｂはダイパッド２とアウタリード部４ａの間（アウタリード部４ａよりもダイパッド２に近い位置）に配置され、アウタリード部４ａと一体に形成されている。また、アウタリード部４ａの下面４ａｂは封止体７から露出し、その露出面には金属膜ＳＤが形成されている。つまり、アウタリード部４ａはリード４の封止体７からの露出部を構成する。一方、インナリード部４ｂの下面４ｂｂは封止体７に封止されている。また、図４に示す例では、インナリード部４ｂには、ワイヤ５を接合するワイヤボンディング領域が含まれる。このように、リード４の一部（アウタリード部４ａ）を封止体７から露出させ、他部（インナリード部４ｂ）は封止体７内に配置することで、リード４が封止体７から脱落することを防止できる。

また、図３に示すようにダイパッド２上には、半導体チップ３が搭載されている。半導体チップ３はダイパッド２の中央に搭載されている。図４に示すように半導体チップ３は、裏面３ｂがダイパッド２の上面２ａと対向した状態で、ダイボンド材（接着材）８を介してダイパッド２上に搭載されている。つまり、複数のパッドＰＤが形成された表面（主面）３ａの反対面（裏面３ｂ）をチップ搭載面（上面２ａ）と対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。このダイボンド材８は、半導体チップ３をダイボンディングする際の接着材であって、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂に、銀（Ａｇ）などから成る金属粒子を含有させたダイボンド材８を用いている。

図３に示すように、ダイパッド２上に搭載される半導体チップ３の平面形状は四角形から成る。本実施の形態では、例えば、正方形である。また、図４および図５に示すように、半導体チップ３は、表面（主面、上面）３ａと、表面３ａとは反対側の裏面（主面、下面）３ｂと、この表面３ａと裏面３ｂとの間に位置する側面とを有している。そして、図３および図４に示すように、半導体チップ３の表面３ａには、複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤが形成されており、本実施の形態では、複数のパッドＰＤが表面３ａの各辺に沿って形成されている。また、図示は省略するが、半導体チップ３の主面（詳しくは、半導体チップ３の基材（半導体基板）の上面に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されており、複数のパッドＰＤは、半導体チップ３の内部（詳しくは、表面３ａと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。

半導体チップ３（詳しくは、半導体チップ３の基材）は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。また、表面３ａには、半導体チップ３の基材および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤのそれぞれの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、このパッドＰＤは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。なお、パッドＰＤは、アルミニウム（Ａｌ）を主体とする合金層を採用してもよい。

また、図３に示すように、半導体チップ３の周囲（詳しくは、ダイパッド２の周囲）には、例えば、ダイパッド２と同じ銅（Ｃｕ）から成る複数のリード４が配置されている。そして、半導体チップ３の表面３ａに形成された複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤは、複数のリード４と、複数のワイヤ（導電性部材）５を介してそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ５は、例えば、金（Ａｕ）から成り、ワイヤ５の一部（例えば一方の端部）がパッドＰＤに接合され、他部（例えば他方の端部）がリード４のボンディング領域に接合されている。なお、図示は省略するが、リード４のボンディング領域の表面（詳しくはニッケル（Ｎｉ）から成るめっき膜の表面）には、めっき膜が形成されている。めっき膜は例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成る。リード４（インナリード部４ｂ）のボンディング領域（ワイヤボンディング領域）の表面に、銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）から成るめっき膜を形成することにより、金（Ａｕ）からなるワイヤ５との接合強度を向上させることができる。

また、図３に示すように、ダイパッド２には、複数の吊りリード１０が接続（連結）されている。複数の吊りリード１０は、それぞれ一方の端部が、平面視において四角形を成すダイパッド２の角部（角）に接続されている。また複数の吊りリード１０はそれぞれ他方の端部が封止体７の角部７ｄ（図１参照）に向かって延び、角部７ｄにおいて封止体７から露出している。吊りリード１０を封止体７の角部７ｄ（図１参照）に向かって、延ばすことにより、封止体７の各辺（各主辺）に沿って配置される複数のリード４の配列を阻害することなく配置できるので、リード４の数、すなわち、半導体装置１の端子数を増加させることができる。また、図５に示すように、吊りリード１０の一部（封止部）には、下面側からハーフエッチング加工が施され、下面側が封止体７により封止されている。これにより、吊りリード１０と封止体７をしっかりと固定することができるので、吊りリード１０が封止体７から抜け落ちることを防止することができる。

また、図３に示すように、半導体装置１は、チップコンデンサ（電子部品）６（図３参照）を有している。チップコンデンサ６は、複数のリード４のうち、互いに隣り合うリードＬ１、Ｌ２上に搭載され、封止体７（図１参照）に封止される。このチップコンデンサ６の搭載方法の詳細については、以下で詳細に説明する。

＜チップコンデンサの詳細＞
図６は、図１に示す半導体装置に形成された回路構成の一例を示す回路ブロック図である。図６に示すように、半導体チップ３には、入出力回路ＮＳ１、入出力回路ＮＳ１と電気的に接続されたコア回路（主回路）ＣＲ１が形成されている。また、コア回路ＣＲ１には、コア回路ＣＲ１に電源電位Ｖｄｄを供給する電源電位供給経路Ｖｄ１、およびコア回路ＣＲ１に基準電位Ｖｓｓを供給する基準電位供給経路Ｖｓ１が接続されている。つまり、電源電位供給経路Ｖｄ１と基準電位供給経路Ｖｓ１を介してコア回路ＣＲ１を駆動する駆動電圧が供給される。コア回路ＣＲ１では、例えば、入出力回路ＮＳ１から入力されたデータ信号に対して演算処理が行われ、処理結果をデータ信号として入出力回路ＮＳ１に出力する。基準電位Ｖｓｓは、電源電位Ｖｄｄとは異なる電位、例えば接地電位（ＧＮＤ）とすることができる。

ここで、図６に示すコンデンサｃ１を取り除いた場合であっても図６に示す回路は動作するが、本実施の形態のようにコア回路ＣＲ１に駆動電圧を供給する経路中にコンデンサｃ１を配置することにより、以下の効果が得られる。まずコンデンサｃ１をバイパスコンデンサとして機能させることで、電源電位供給経路Ｖｄ１に含まれるノイズ（信号）を基準電位供給経路Ｖｓ１側にバイパスして流すことができる。これにより、電源電位供給経路Ｖｄ１中のノイズを低減し、コア回路ＣＲ１に電源電位Ｖｄｄを安定的に供給することができる。

また、コンデンサｃ１を設けることで、コア回路ＣＲ１に流れる電流のループ（経路距離）を小さくし、電源電位供給経路Ｖｄ１および基準電位供給経路Ｖｓ１に含まれるインピーダンス成分の影響を低減することができる。言い換えれば、コンデンサｃ１をデカップリングコンデンサとして機能させることができる。このように、コンデンサｃ１がバイパスコンデンサ、あるいはデカップリングコンデンサの機能を果たすことで、コア回路ＣＲ１に供給される電源電位Ｖｄｄを安定化させることができる。このため、半導体装置１の信頼性を向上させることができる。

上記のように半導体装置１の信頼性を向上させる観点から、コンデンサｃ１とコア回路の間の経路のインピーダンス成分を低減することが好ましい。したがって、コンデンサｃ１とコア回路ＣＲ１の間の距離（伝送経路距離）は短くすることが好ましい。また、コンデンサｃ１と半導体チップを接続する部材の抵抗成分を低減することが好ましい。

そこで、本実施の形態では、図３に示すように半導体装置１の内部にチップコンデンサ６を搭載し、半導体チップ３と電気的に接続する。チップコンデンサ６は、複数のリード４のうち、隣り合うリードＬ１、Ｌ２を跨ぐように搭載される。また、図６に示すように、チップコンデンサ６の一方の電極（電極端子）６ｄｔ１は電源電位供給経路Ｖｄ１に接続され、電極６ｄｔ１には電源電位Ｖｄｄが供給される。一方、チップコンデンサの他方の電極（電極端子）６ｄｔ２は基準電位供給経路Ｖｓ１に接続され、電極６ｄｔ２には基準電位Ｖｓｓが供給される。また、リードＬ１、Ｌ２はそれぞれワイヤ５を介して半導体チップ３（詳しくは図６に示す半導体チップ３のコア回路ＣＲ１）と電気的に接続される。

つまり、本実施の形態によれば、チップコンデンサ６をバイパスコンデンサ、あるいはデカップリングコンデンサとして機能させることで、コア回路ＣＲ１（図６参照）に駆動電圧を供給する経路のノイズ成分を低減する。これにより、コア回路ＣＲ１を安定的に駆動させることが可能となり、半導体装置１の信頼性が向上する。このように、半導体装置１の内部に搭載する電子部品は、コンデンサには限定されないが、チップコンデンサ６を搭載し、半導体チップ３とチップコンデンサ６を電気的に接続することで、特に半導体装置１の信頼性を向上させることができる。

次に、チップコンデンサ６の搭載方法の詳細について説明する。図７は、図３のＡ部の拡大透視平面図、図８は図７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図９は図７のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。図８および図９では、チップコンデンサの内部電極の構造例を模式的に示している。また、図１０は、図７に示すＣ−Ｃ線側からリードを見た側面図である。

図７〜図１０に示すように、チップコンデンサ６は、上面６ａ、上面６ａの反対側の下面６ｂ（図８、図９参照）、および上面６ａと下面６ｂの間に位置する四つの側面６ｓ（図７参照）を有する。四つの側面６ｓには、図８に示すように互いに対向する側面（短側面）６ｓ１および側面（短側面）６ｓ２が含まれる。また、四つの側面６ｓには、図７に示すように側面６ｓ１、６ｓ２と交差する側面（長側面）６ｓ３および側面（長側面）６ｓ４が含まれる。側面６ｓ３と側面６ｓ４は、図９に示すように互いに対向する。

チップコンデンサ６の外形サイズは規格で規定されている。例えば、比較的小型のチップコンデンサ６の平面サイズの例を挙げると、１００５サイズ（１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）、０６０３サイズ（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）、０４０２サイズ（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）などがある。上記した平面サイズは、（相対的に長い辺（側面６ｓ３、６ｓ４）の長さ×相対的に短い辺（側面６ｓ１、６ｓ２）の長さ）の寸法を示している。

また、チップコンデンサ６は、図８に示すように側面６ｓ１を覆う電極（電極端子、外部電極、金属膜）６ｄｔ１、および側面６ｓ２を覆う電極（電極端子、外部電極、金属膜）６ｄｔ２を有している。また、チップコンデンサ６は、絶縁層（誘電体層、絶縁体）６ｚを介して積層される複数の内部電極（電極）６ｄｎを有している。詳しくは、内部電極６ｄｎには、電極６ｄｔ１に接続される内部電極６ｄｎ１と、電極６ｄｔ２に接続される内部電極６ｄｎ２が含まれ、内部電極６ｄｎ１と内部電極６ｄｎ２が絶縁層６ｚを介して交互に積層されている。チップコンデンサ６では、誘電体を介して対向配置される内部電極６ｄｎ１、６ｄｎ２に形成された容量を外部に取り出すための外部電極端子として、側面６ｓ１、６ｓ２を覆う電極６ｄｔ１、６ｄｔ２を形成している。

電極６ｄｔ１、６ｄｔ２は、それぞれ金属膜であって、例えば本実施の形態では、銅（Ｃｕ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜、錫（Ｓｎ）膜を順次積層した積層金属膜から成る。電極６ｄｔ１は、側面６ｓ１の他、上面６ａ、下面６ｂ、および側面６ｓ３、６ｓ４のうち、側面６ｓ１に連なる一部を覆う。また、電極６ｄｔ２は、側面６ｓ２の他、上面６ａ、下面６ｂ、および側面６ｓ３、６ｓ４のうち、側面６ｓ２に連なる一部を覆う。また、チップコンデンサ６は電極６ｄｔ１、６ｄｔ２の間に、内部電極６ｄｎを覆う絶縁層６ｚを有する。つまり、電極６ｄｔ１と電極６ｄｔ２は、上面６ａ、下面６ｂ、および側面６ｓ３、６ｓ４において、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２間に配置される絶縁層６ｚにより絶縁されている。

本実施の形態のチップコンデンサ６のように、四つの側面６ｓのうちの一つの側面６ｓ１を覆う第１の電極端子（電極６ｄｔ１）、および側面６ｓ１と対向する側面６ｓ２を覆う第２の電極端子（電極６ｄｔ２）を有する電子部品を、チップ型の電子部品と呼ぶ。チップ型の電子部品は、互いに対向する二つの側面に電極端子を形成することで、半田などの接合材を介して容易に表面実装することができる。このため、本実施の形態で説明するコンデンサ部品の他、抵抗部品、インダクタ部品（コイル部品）など、種々の受動部品（電子部品）にチップ型の構造が適用される。

また、図７および図８に示すように、チップコンデンサ６は、隣り合うリードＬ１とリードＬ２の間を跨ぐように配置され、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２が、それぞれ接合材１１を介して搭載される。詳しくは、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は、リードＬ１の上面４ｕのボンディング領域（チップ部品接合領域）４ｃｒ１上に接合材１１を介して接合される。また、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２は、リードＬ２の上面４ｕのボンディング領域（チップ部品接合領域）４ｃｒ２上に接合材１１を介して接合される。

接合材１１は、導電性を有する接合材であって、リードＬ１、Ｌ２と電極６ｄｔ１、６ｄｔ２を電気的に接続する機能、およびリードＬ１、Ｌ２とチップコンデンサ６を固着させる機能を有している。接合材１１の材料は上記二つの機能を備えていれば特に限定されないが、例えば銀（Ａｇ）粒子などの金属粒子を熱硬化性樹脂に混合した導電性樹脂、あるいは、半田材を例示することができる。本実施の形態では、接合材１１は、半田材から成る。半田材である接合材１１を介して電極６ｄｔ１、６ｄｔ２をリードＬ１、Ｌ２と接合することで、導電性樹脂を用いる場合よりも接合部のインピーダンス成分（抵抗成分）を低減できる。

また、図７に示すように、チップコンデンサ６が搭載されるリードＬ１、Ｌ２はそれぞれ四つの側面４ｓを有している。四つの側面４ｓには、互いに対向する長側面（側面）４ｓ１、４ｓ２が含まれる。また、四つの側面４ｓには、リードＬ１、Ｌ２の先端部（図３に示すダイパッド２側の端部）に配置される短側面（側面、先端面、内端面）４ｓ３、および短側面４ｓ３の反対側に位置する短側面（側面、後端面、外端面）４ｓ４が含まれる。長側面４ｓ１、４ｓ２は、それぞれ、封止体７の外部から、ダイパッド２（図３参照）に向かって延びる。また、リードＬ１の長側面４ｓ１とリードＬ２の長側面４ｓ１が対向するように配置される。

本実施の形態のようにチップ型の電子部品であるチップコンデンサ６は、互いに対向する二つの側面６ｓ１、６ｓ２に、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２を有する。このため、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２を導電性の接合材１１を介してそれぞれ異なるリードＬ１、Ｌ２に接合することで、図６に示す電源電位供給経路Ｖｄ１、基準電位供給経路Ｖｓ１に容易に接続することができる。

ここで、本願発明者の検討によれば、単に、隣り合うリード４のそれぞれにチップ型の電子部品の電極を接続する場合、以下の課題が生じることが判った。図５０は、図８に対する第１の比較例を示す拡大断面図、図５１は、図８に対する第２の比較例を示す拡大断面図である。また、図１１は図８に対する変形例を示す拡大断面図である。

図５０に示す半導体装置Ｈ１では、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１の一部が一つのリード４の長側面４ｓ１と重なる位置に配置される。また、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２の一部が他のリード４の長側面４ｓ１と重なる位置に配置される。このようにチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２の一部が、リード４の長側面４ｓ１と重なる場合、チップコンデンサ６をリード４に固着させる接合材１１は、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２に加え、互いに対向する長側面４ｓ１にも付着する。そして、長側面４ｓ１に付着した接合材１１は表面張力の影響により、対向するリード４に向かってアーチの頂点が突出するように形成される。このため、隣り合うリード４間の距離（対向する長側面４ｓ１間の距離）が短い場合には、長側面４ｓ１に付着した接合材１１同士が接触し、隣り合うリード４が接合材１１を介して電気的に短絡してしまう原因となる。つまり、比較例である半導体装置Ｈ１の信頼性が低下する原因となる。

一方、図５１に示す半導体装置Ｈ２では、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は一つのリード４の長側面４ｓ１と重ならない位置に配置される。また、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２は、他のリード４の長側面４ｓ１と重ならない位置に配置される。この半導体装置Ｈ２の場合、接合材１１の濡れ広がる範囲が、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の内端部（長側面４ｓ１側の端部）Ｒｅ１、Ｒｅ２よりも長側面４ｓ２側で収まれば、長側面４ｓ１には接合材１１が付着しない。しかし、接合材１１上にチップコンデンサ６を配置して、硬化させるまでの間には、チップコンデンサ６は、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２上で動き易い。このため、接合材１１の一部がチップコンデンサ６に引き摺られて内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を超え、図５１に示すように長側面４ｓ１に付着する場合がある。また、長側面４ｓ１に付着すると、長側面４ｓ１に接合材１１が流れ出る経路ができるので、長側面４ｓ１に沿って濡れ広がり易くなる。このように、半導体装置Ｈ２の場合、図５０に示す半導体装置Ｈ１よりは、接合材１１が短絡し難いが、隣り合うリード４間の距離（対向する長側面４ｓ１間の距離）が短い場合には、結局、接合材１１を介して隣り合うリード４が短絡してしまう懸念がある。

また、本実施の形態の半導体装置１や比較例として示す半導体装置Ｈ１、Ｈ２のように、リード４の一部（下面）が封止体７の下面において露出させて実装面とするタイプの半導体装置、例えばＱＦＮ型、あるいはＳＯＮ（Small Outline Nonleaded package）型などの半導体装置の場合には、リード４の側面４ｓに接合材１１が付着すると以下の課題が生じる。すなわち、接合材１１の一部が実装面側（図８に示すリード４の下面４ａｂ側）に回り込んで付着すると、実装時の接合を阻害する要因となる。したがって、リード４の下面を封止体７の下面において露出させるタイプの半導体装置の場合には、特に、リード４の側面４ｓに接合材１１を付着させない事が好ましい。

そこで、本願発明者は、隣り合うリード４間の距離（対向する長側面４ｓ１間の距離）が短い場合であっても、接合材１１が接触し難くする技術について検討し、本実施の形態の構成を見出した。

図７、図８および図１０に示すように、本実施の形態では、チップコンデンサ６の一部が配置されるリードＬ１の上面４ｕには、開口部（段差部、凹部）Ｋ１が形成されている。また、図７および図８に示すように、チップコンデンサ６の他部が配置されるリードＬ２の上面４ｕにも、開口部（段差部、凹部）Ｋ２が形成されている。また、図７に示すように、平面視において、開口部Ｋ１、Ｋ２は、リードＬ１のボンディング領域４ｃｒ１と、リードＬ２のボンディング領域４ｃｒ２の間に配置される。また、平面視において、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２は開口部Ｋ１、Ｋ２と重ならない。言い換えると、チップコンデンサ６の中心部から見て、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２がリードＬ１、Ｌ２に形成された開口部Ｋ１，Ｋ２を越えて、リードＬ１、Ｌ２のボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２上に配置されるよう、開口部Ｋ１、Ｋ２の寸法が選択される。

図１０に示すように開口部Ｋ１は底面（段差面）Ｋｂ、ボンディング領域４ｃｒ１（図８参照）の内端部Ｒｅ１（図８参照）に連なる側面（長側面）Ｋｓ１、および側面Ｋｓ１と交差し互いに対向する側面Ｋｓ２、Ｋｓ３を有している。また、図示は省略するが、図８に示す開口部Ｋ２も、底面Ｋｂ、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ２に連なる側面Ｋｓ１、および側面Ｋｓ１と交差し互いに対向する側面Ｋｓ２、Ｋｓ３（図１０参照）を有している。

本実施の形態では、ボンディング領域４ｃｒ１の内側（長側面４ｓ１側）に開口部Ｋ１を形成することで、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部（周縁部のうち、長側面４ｓ１側の端部）Ｒｅ１は、長側面４ｓ１と長側面４ｓ２の間に位置する事になる。また、ボンディング領域４ｃｒ２の内側（長側面４ｓ１側）に開口部Ｋ２を形成することで、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部（周縁部のうち、長側面４ｓ１側の端部）Ｒｅ２は、長側面４ｓ１と長側面４ｓ２の間に位置する事になる。このため、互いに対向する長側面４ｓ１間の距離が近い場合であっても、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２間の距離を離すことができる。

また、図８に示すように、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１は開口部Ｋ１の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ１には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成される。また、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部Ｒｅ２は開口部Ｋ２の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ２には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成される。

ここで、詳細は半導体装置の製造方法を説明する際に述べるが、接合材１１によりチップコンデンサ６を固着させる工程では、液状（ペースト状）の接合材１１をボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２に濡れ広がらせる。この時、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２に角が形成されていると、接合材１１は、接合材１１自身の表面張力の影響により、内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を超えては濡れ広がり難くなる。言い換えると、液状（ペースト状）の接合材１１は、接合材１１自身の表面張力の影響により、角が形成された内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を起点として盛り上がる。

また、本実施の形態では、図７および図８に示すようにチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は開口部Ｋ１と重ならず、電極６ｄｔ２は開口部Ｋ２と重ならない。言い換えれば、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１よりも外側（長側面４ｓ２側）に配置される。また、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２は、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部Ｒｅ２よりも外側（長側面４ｓ２側）に配置される。このため、接合材１１は開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１には付着し難い。特に、接合材１１が半田材から成る場合には、溶融した半田は、金属である電極６ｄｔ１、６ｄｔ２の表面に沿って濡れ広がるので、接合材１１が濡れ広がる範囲は、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２の位置により制御し易くなる。このため、半田材からなる接合材１１は、特に開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１には付着し難い。

また、仮に、接合材１１が硬化するまでの間にチップコンデンサ６の位置が移動し、チップコンデンサ６に引き摺られて接合材１１が側面Ｋｓ１に付着した場合であっても、図１１に変形例として示すように、接合材１１は開口部Ｋ１、Ｋ２内に留まる。言い換えれば、内側の長側面４ｓ１には接合材１１は付着しない。したがって、隣り合うリード４間の距離（対向する長側面４ｓ１間の距離）が短い場合であっても、接合材１１が接触することを防止または抑制できる。つまり、隣り合うリードＬ１、Ｌ２が接合材１１を介して電気的に短絡してしまうことを防止または抑制できる。これにより半導体装置１の信頼性を向上させることができる。

また、図８に示すように底面Ｋｂの位置は、リード４の上面４ｕと下面４ａｂの間になっており、本実施の形態では、上面４ｕと下面４ａｂの中間位置に底面Ｋｂが配置される。言い換えれば、本実施の形態では開口部Ｋ１、Ｋ２の深さは、リード４の厚さの半分になっている。言い換えれば、側面Ｋｓ１、Ｋｓ２、Ｋｓ３（図１０参照）の高さは、長側面４ｓ２の高さよりも小さく、本実施の形態では、側面Ｋｓ１、Ｋｓ２、Ｋｓ３は長側面４ｓ２の半分の高さである。前記したように液状（ペースト状）の接合材１１の表面張力により、接合材１１の濡れ広がりを内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２で堰き止められる場合には、開口部Ｋ１、Ｋ２の深さは特に限定されず、内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２に角が形成されていれば良い。しかし、図１１に示すように、接合材１１が内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を超えて、側面Ｋｓ１に付着した場合には、開口部Ｋ１、Ｋ２は、接合材１１が長側面４ｓ１まで濡れ広がることを防止するバッファスペースとなる。したがって、バッファスペースの容量を大きくする観点から、本実施の形態のように、開口部Ｋ１、Ｋ２の深さは、リード４の厚さの半分以上にすることが好ましい。

このように、開口部Ｋ１、Ｋ２の深さをリード４の厚さの半分以上にするためには、図８に示すように、開口部Ｋ１、Ｋ２はリード４のアウタリード部４ａに形成することが好ましい。図９および図１０に示すようにアウタリード部４ａはインナリード部４ｂよりも厚さが大きい（厚い）ので、図８に示す開口部Ｋ１、Ｋ２の深さを深くすることができる。

また、開口部Ｋ１、Ｋ２を形成する際の加工精度（深さ制御）には限界がある。そのため、リード４（アウタリード部４ａ）の下面４ａｂからインナリード部４ｂの下面４ｂｂまでの深さが加工精度の限界に相当する場合、インナリード部４ｂの上面４ｕに開口部を形成すると、使用するリード４の厚さによっては、開口部の底面が形成されない恐れもある。よって、使用するリード４の厚さが薄い場合には、インナリード部４ｂよりもアウタリード部４ａに形成することが好ましい。

ところで、図１１に示す半導体装置１ａのように、接合材１１が開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１に付着した場合でも、隣り合うリード４上に配置された接合材１１同士の接触は防止できるので、図１２に示す半導体装置１ｂのような変形例が考えられる。図１２は、図１１に対する変形例を示す拡大断面図である。また、図５２は図１２に対する比較例を示す拡大断面図である。図１２に示す変形例では、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１を、長側面４ｓ１とは重ならず、かつ、開口部Ｋ１（開口部Ｋ１の側面Ｋｓ１）とは重なる位置に配置する。また、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２を、長側面４ｓ１とは重ならず、かつ、開口部Ｋ２（開口部Ｋ２の側面Ｋｓ１）とは重なる位置に配置する。図１２に示す場合であっても、長側面４ｓ１に接合材１１が付着しなければ、隣り合うリード４上に配置された接合材１１同士の接触は抑制できる。だだし、図１２に示すように電極６ｄｔ１、６ｄｔ２が開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１と重なる場合、開口部Ｋ１、Ｋ２内に接合材１１が流れ込むことが前提となる。このため、接合材１１が硬化する前にチップコンデンサ６が移動すると、その影響により長側面４ｓ１に接合材１１が付着する。したがって、より確実に接合材１１の接触を防止する観点から、図８あるいは図１１に示す半導体装置１、１ａのように、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２が開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１と重ならない位置に配置することが好ましい。

一方、図５２に示すように、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２が、長側面４ｓ１と重なる場合には、例え、開口部Ｋ１、Ｋ２を設けても、長側面４ｓ１に接合材１１が付着してしまうため、接合材１１が接触し易くなる。つまり、図１２に示す半導体装置１ｂは、図５２に示す半導体装置Ｈ３よりは、信頼性を向上させることができる。

＜半導体装置の製造工程＞
次に、図１〜図１０に示す半導体装置１の製造工程について、説明する。本実施の形態における半導体装置１は、図１３に示す組立てフローに沿って製造される。図１３は、図１〜図１０に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。

１．リードフレーム準備工程；
まず、図１３に示すリードフレーム準備工程として、図１４に示すようなリードフレーム２０を準備する。図１４は、リードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図１５は、図１４に示す複数の製品形成領域のうち、２つの製品形成領域周辺の拡大平面図である。また、図１６は図１５に示すリードをさらに拡大して示す拡大平面図である。なお、図１６では、図３のＡ部に対応する部分を拡大して示している。

本工程で準備するリードフレーム２０は、外枠２０ｂの内側に複数の製品形成領域２０ａを備えている。図１４に示す例では、リードフレーム２０は、行方向に１４個、列方向に４個の製品形成領域２０ａが、マトリクス状に配置され、合計５６個の製品形成領域２０ａを備えている。リードフレーム２０は、金属から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜から成る。

また、各製品形成領域２０ａの間には、各製品形成領域２０ａの周囲をそれぞれ囲む枠部（ダム部）２０ｃが配置されている。この枠部２０ｃは、後述する封止工程（図１３参照）において、キャビティ内に圧入した封止用の樹脂を堰き止めるダム部としての機能を備えている。また、図１５に示すように枠部２０ｃは、複数のリード４の周囲を囲むように形成され、図１４に示す外枠２０ｂと一体に形成されている。

図１５に示すように、各製品形成領域２０ａの中央部には、平面視において四角形を成すダイパッド２が形成されている。ダイパッド２の４つの角部には、それぞれ複数の吊りリード１０が接続され、製品形成領域２０ａの角部に向かって延びるように配置されている。また、ダイパッド２の周囲には、複数の吊りリード１０の間に、それぞれ複数のリード４が形成されている。また、複数のリード４は、ダイパッド２に対して、複数のリード４よりも外側に配置される枠部（ダム部）２０ｃにそれぞれ接続されている。言い換えれば、リードフレーム２０は、枠部２０ｃ、平面視において枠部２０ｃの内側に配置されたダイパッド２、ダイパッド２と枠部２０ｃを連結する複数の吊りリード１０、およびダイパッド２と枠部２０ｃの間に配置され枠部２０ｃに接続される複数のリード４、を備えている。

また、各製品形成領域２０ａが備えるダイパッド２の周囲に配置される複数のリード４には、図１６に示すリードＬ１と、リードＬ１の隣に配置されるリードＬ２と、が含まれる。リードＬ１は後述する電子部品搭載工程でチップコンデンサ（電子部品）の一方の電極端子を固定する領域であるボンディング領域４ｃｒ１を有する。また、リードＬ２は後述する電子部品搭載工程でチップコンデンサ（電子部品）の他方の電極端子を固定する領域であるボンディング領域４ｃｒ２を有する。

また、リードＬ１の上面４ｕ側には、開口部Ｋ１が形成される。開口部Ｋ１は、ボンディング領域４ｃｒ１に隣接して設けられる。また、リードＬ２の上面４ｕ側には、開口部Ｋ２が形成される。開口部Ｋ２は、ボンディング領域４ｃｒ２に隣接して設けられる。また、開口部Ｋ１、Ｋ２は、ボンディング領域４ｃｒ１と４ｃｒ２の間に設け有られる。図１６に示す例では、開口部Ｋ１、Ｋ２は、それぞれリードＬ１、Ｌ２の長側面４ｓ１に連なっており、互いに対向するように形成されている。

また、開口部Ｋ１は底面Ｋｂ、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１に連なる側面（長側面）Ｋｓ１、および側面Ｋｓ１と交差し互いに対向する側面Ｋｓ２、Ｋｓ３を有している。また、開口部Ｋ２は、底面Ｋｂ、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ２に連なる側面Ｋｓ１、および側面Ｋｓ１と交差し互いに対向する側面Ｋｓ２、Ｋｓ３を有している。

本実施の形態では、ボンディング領域４ｃｒ１の内側（長側面４ｓ１側）に開口部Ｋ１を形成することで、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部（周縁部のうち、長側面４ｓ１側の端部）Ｒｅ１は、長側面４ｓ１と長側面４ｓ２の間に位置する事になる。また、ボンディング領域４ｃｒ２の内側（長側面４ｓ１側）に開口部Ｋ２を形成することで、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部（周縁部のうち、長側面４ｓ１側の端部）Ｒｅ２は、長側面４ｓ１と長側面４ｓ２の間に位置する事になる。このため、リードＬ１、Ｌ２間の距離、すなわち、互いに対向する長側面４ｓ１間の距離が近い場合であっても、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２間の距離を離すことができる。

また、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１は開口部Ｋ１の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ１には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成される。また、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部Ｒｅ２は開口部Ｋ２の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ２には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成されている。

２．電子部品準備；
また、図１３に示す電子部品準備工程として、図１７および図１８に示すようなチップコンデンサ６を準備する。図１７は、図１３に示す電子部品準備工程で準備する電子部品（チップコンデンサ）の全体構造を示す斜視図、図１８は、図１７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

図１７および図１８に示すように、チップコンデンサ６は、上面６ａ、上面６ａの反対側の下面６ｂ（図８、図９参照）、および上面６ａと下面６ｂの間に位置する四つの側面６ｓ（図１７参照）を有する。四つの側面６ｓには、互いに対向する側面（短側面）６ｓ１および側面（短側面）６ｓ２が含まれる。また、四つの側面６ｓには、側面６ｓ１、６ｓ２と交差する側面（長側面）６ｓ３および側面（長側面）６ｓ４が含まれる。側面６ｓ３と側面６ｓ４は、図９に示すように互いに対向する。

また、チップコンデンサ６は、側面６ｓ１を覆う電極（電極端子、外部電極、金属膜）６ｄｔ１、および側面６ｓ２を覆う電極（電極端子、外部電極、金属膜）６ｄｔ２を有している。また、図１８に示すようにチップコンデンサ６は、絶縁層（誘電体層、絶縁体、誘電体）６ｚを介して積層される複数の内部電極（電極）６ｄｎを有している。詳しくは、内部電極６ｄｎには、電極６ｄｔ１に接続される内部電極６ｄｎ１と、電極６ｄｔ２に接続される内部電極６ｄｎ２が含まれ、内部電極６ｄｎ１と内部電極６ｄｎ２を、それぞれ絶縁層６ｚを介して交互に積層することにより形成されている。チップコンデンサ６では、絶縁層６ｚを介して対向配置される内部電極６ｄｎ１、６ｄｎ２に形成された容量を外部に取り出すための外部電極端子として、チップコンデンサ６の側面６ｓ１、６ｓ２を電極６ｄｔ１、６ｄｔ２で覆っている。

電極６ｄｔ１、６ｄｔ２は、それぞれ金属膜であって、例えば本実施の形態では、銅（Ｃｕ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜、錫（Ｓｎ）膜を順次積層して形成する。電極６ｄｔ１は、側面６ｓ１の他、上面６ａ、下面６ｂ、および側面６ｓ３、６ｓ４のうち、側面６ｓ１に連なる一部を覆う。また、電極６ｄｔ２は、側面６ｓ２の他、上面６ａ、下面６ｂ、および側面６ｓ３、６ｓ４のうち、側面６ｓ２に連なる一部を覆う。このように、単に側面６ｓ１、６ｓ２のみでなく、側面６ｓ１に連なる面他の面の一部を電極６ｄｔ１、６ｄｔ２を構成する金属膜で覆うことにより、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２と接合材の接合強度を向上させることができる。また、チップコンデンサ６は電極６ｄｔ１、６ｄｔ２の間に、内部電極６ｄｎを覆う絶縁層６ｚを有する。つまり、電極６ｄｔ１と電極６ｄｔ２は、上面６ａ、下面６ｂ、および側面６ｓ３、６ｓ４において、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２間に配置される絶縁層６ｚにより絶縁されている。

なお、本工程は、次の電子部品搭載工程の前に行えば良く、前記したリードフレーム準備工程との順序の前後は問わない。

３．電子部品搭載；
次に、図１３に示す電子部品搭載工程として、図１９に示すように、リードＬ１、Ｌ２を跨ぐようにチップコンデンサ（電子部品）６を搭載する。図１９は図１５に示すリードのボンディング領域上に図１７に示すチップコンデンサを搭載した状態を示す拡大平面図である。図１３に示すように、本工程には、接合材塗布工程、電子部品配置工程、加熱工程、接合材硬化工程、および洗浄工程が含まれる。なお、前記したようにチップコンデンサ６をリードＬ１、Ｌ２と電気的に接続し、かつ、固着させる接合材としては、半田材や導電性樹脂を用いることができるが、本実施の形態では半田材を用いた例を取り上げて詳しく説明する。

３．１．接合材塗布工程
まず、図１３に示す接合材塗布工程では、図２０および図２１に示すように、リードＬ１、Ｌ２のボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２上にそれぞれ接合材１１（半田ペースト１１ｈｐ）を塗布する。図２０は、図１６に示すリード上に接合材を塗布した状態を示す拡大平面図、図２１は図２０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

半田ペースト（接合材）１１ｈｐは、半田成分と、半田成分および金属の接合界面を活性化させるフラックス成分を含み常温でペースト状の性状を有する。半田ペースト１１ｈｐは、例えば水よりは粘度が高く、リード４上に塗布すると、外力が加わらなければ変形しない程度の保形性（粘度）を備える。また、半田ペースト１１ｈｐの硬さ（硬度）は、リード４およびチップコンデンサ６（図１７参照）よりも柔らかい（低い）。このため、チップコンデンサ６を半田ペースト１１ｈｐに向かって押し付けると半田ペースト１１ｈｐは変形し、チップコンデンサ６（詳しくはチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２）と密着する。

図２０および図２１に示すように、本工程では、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２上の一部にそれぞれ接合材１１（半田ペースト１１ｈｐ）を塗布する。この時、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２以外に半田ペースト１１ｈｐが付着しないように配置することができれば塗布方法は特に限定されない。例えば、図示しない印刷装置（例えばスクリーン印刷装置など）を用いた印刷法、あるいは図示しないノズルから半田ペースト１１ｈｐを吐出するディスペンス法などを適用することができる。

３．２．電子部品配置工程
次に、図１３に示す電子部品配置工程では、図２２および図２３に示すように、リードＬ１、Ｌ２のボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２上にチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２がそれぞれ位置するように配置する。図２２は、図２０に示すリード上にチップコンデンサを配置した状態を示す拡大平面図、図２３は図２２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

本工程では、リードＬ１のボンディング領域４ｃｒ１上に導電性の半田ペースト１１ｈｐを介してチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１が位置するように配置する。また、リードＬ２のボンディング領域４ｃｒ２上に導電性の半田ペースト１１ｈｐを介してチップコンデンサ６の電極６ｄｔ２が位置するように配置する。

ここで、前記したように、半導体装置の信頼性向上の観点から、リードＬ１、Ｌ２の長側面４ｓ１に接合材１１が付着しないことが好ましい。このため、本工程では、少なくとも、電極６ｄｔ１とリードＬ１の長側面４ｓ１、電極６ｄｔ２とリードＬ２の長側面４ｓ１がそれぞれ重ならないように配置する。また、図２２に示すように、平面視において電極６ｄｔ１が開口部Ｋ１と重ならず、かつ、電極６ｄｔ２が開口部Ｋ２と重ならないようにチップコンデンサ６を配置することが特に好ましい。言い換えれば、図２３に示すように電極６ｄｔ１が開口部Ｋ１の側面Ｋｓ１とリードＬ１の長側面４ｓ２の間に位置するように配置することが好ましい。また、電極６ｄｔ２が開口部Ｋ２の側面Ｋｓ１とリードＬ２の長側面４ｓ２の間に位置するように配置することが好ましい。これにより、半田ペースト１１ｈｐが長側面４ｓ１に付着することを抑制できる。

また、本工程では、チップコンデンサ６を半田ペースト１１ｈｐ上に置くこともできるが、図２３に示すようにチップコンデンサ６の一部（電極６ｄｔ１、６ｄｔ２）が半田ペースト１１ｈｐに食い込むように配置することが特に好ましい。これにより、電極６ｄｔ１、６ｄｔ２と半田ペースト１１ｈｐの密着する面積が増大し、後述する加熱工程（リフロー工程）で接合材１１を濡れ易くすることができる。また、チップコンデンサ６を位置決めすることができる。

３．３．加熱工程（リフロー工程）
次に、図１３に示す加熱工程では、図２４および図２５に示すように、半田ペースト（接合材）１１ｈｐに熱を加えることで、半田ペースト１１ｈｐに含まれる半田成分を溶融させる（リフロー処理を行う）。図２４は、図２２に示す半田ペーストを溶融した状態を示す拡大平面図、図２５は図２４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

本工程では、半田ペースト１１ｈｐに含まれる半田成分の融点よりも高い温度に半田ペースト１１ｈｐを加熱する。これにより半田ペースト１１ｈｐに含まれる半田成分は溶融し、半田ペースト１１ｈｐに密着している金属（電極６ｄｔ１、６ｄｔ２）に沿って濡れ広がる。この時、半田ペースト１１ｈｐには半田成分および金属の接合界面を活性化させるフラックス成分が含まれるので、半田成分の濡れ性を向上させることができる。例えば、平面視においては、図２４に示すように半田ペースト１１ｈｐはボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２全体に広がる。また、断面視においては、図２５に示すように、半田ペースト１１ｈｐは側面６ｓ１、６ｓ２に沿って濡れ上がる。

ここで、前記したようにボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１は開口部Ｋ１の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ１には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成される。また、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部Ｒｅ２は開口部Ｋ２の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ２には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成されている。このように、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２に角が形成されていると、溶融した半田ペースト１１ｈｐは、半田成分の表面張力の影響により、内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を超えては濡れ広がり難くなる。言い換えると、半田ペースト１１ｈｐは、半田ペースト１１ｈｐに含まれる半田成分の表面張力の影響により、角が形成された内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を起点として盛り上がる。

また、前記した電子部品配置工程では、少なくとも、電極６ｄｔ１とリードＬ１の長側面４ｓ１、電極６ｄｔ２とリードＬ２の長側面４ｓ１がそれぞれ重ならないように配置する。このため、溶融した半田ペースト１１ｈｐはリードＬ１、Ｌ２の長側面４ｓ１には付着し難い。

特に、本実施の形態では、図２４および図２５に示すようにチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は開口部Ｋ１と重ならず、電極６ｄｔ２は開口部Ｋ２と重ならない。言い換えれば、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１よりも外側（長側面４ｓ２側）に配置される。また、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２は、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部Ｒｅ２よりも外側（長側面４ｓ２側）に配置される。このため、溶融した半田ペースト１１ｈｐは開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１には付着し難い。つまり、リードＬ１、Ｌ２の長側面４ｓ１にはさらに付着し難い。

また、半田ペースト１１ｈｐの半田成分が硬化するまでの間に、チップコンデンサ６が半田ペースト１１ｈｐ上で移動すると、チップコンデンサ６に引き摺られて半田ペースト１１ｈｐが開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１に付着する場合が考えられる。この場合であっても、開口部Ｋ１、Ｋ２と長側面４ｓ１の境界には、別の角（互いに交差する二つの面の交線）が形成されている。このため、半田ペースト１１ｈｐは、開口部Ｋ１、Ｋ２を越えず、開口部Ｋ１、Ｋ２内に留まる。言い換えれば、内側の長側面４ｓ１には接合材１１は付着しない。したがって、図８および図１１を用いて説明したように隣り合うリード４間の距離（対向する長側面４ｓ１間の距離）が短い場合であっても、接合材１１が接触することを防止または抑制できる。つまり、隣り合うリードＬ１、Ｌ２が接合材１１を介して電気的に短絡してしまうことを防止または抑制できる。これにより半導体装置１の信頼性を向上させることができる。

３．４．接合材硬化工程（冷却工程）
次に、図１３に示す接合材硬化工程では、図２４および図２５に示すように、溶融した半田ペースト（接合材）１１ｈｐの半田成分を冷却することで、半田成分を硬化させて接合材１１を形成する。本工程により、リードＬ１と電極６ｄｔ１、およびリードＬ２と電極６ｄｔ２はそれぞれ電気的に接続される。また、本工程により、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は接合材１１を介してリードＬ１上に、電極６ｄｔ２は接合材１１を介してリードＬ２上に、それぞれ固着される。

３．５．洗浄工程
次に、図１３に示す洗浄工程では、図２４および図２５に示す、半田ペースト（接合材）１１ｈｐに含まれていた半田成分以外の残渣を洗浄し、除去する。残渣を除去することができれば洗浄方法は以下には限定されないが、例えば、加圧された水をリードＬ１、Ｌ２のボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の周辺に吹き付けることで、残渣を除去することができる。

接合材１１として半田材を用いる場合には、以上の各工程により、図１９に示すように、リードＬ１、Ｌ２を跨ぐようにチップコンデンサ（電子部品）６を搭載する。

４．半導体チップ搭載；
次に、図１３に示す半導体チップ搭載工程として、図２６および図２７に示すように半導体チップ３を、ダイパッド２上にダイボンド材８を介して搭載する。図２６は、図１９に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図２７は、図２６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

本実施の形態では、図２７に示すように、半導体チップ３の裏面３ｂ（複数のパッドＰＤが形成された表面３ａの反対側の面）をダイパッド２の上面２ａと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。また、図２６に示すように、半導体チップ３はダイパッド２の中央部に、表面３ａの各辺が、ダイパッド２の各辺に沿って配置されるように搭載する。

本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂であるダイボンド材８を介して半導体チップ３を搭載するが、ダイボンド材８は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材をダイボンド材８として用いる場合には、まず、ダイパッド２上に、ダイボンド材８を塗布し、その後、半導体チップ３の裏面３ｂをダイパッド２の上面２ａに接着する。そして、接着後に、ダイボンド材８を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図２７に示すように、半導体チップ３はダイボンド材８を介してダイパッド２上に固定される。

なお、本実施の形態では、ダイボンド材８に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップ３の裏面３ｂに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ３をダイパッド２上に搭載しても良い。

また、本実施の形態では、半導体チップ搭載工程を、前記した電子部品搭載工程の後で行う。前記したように、接合材１１（図２５参照）として半田材を用いる場合には、半田成分の融点よりも高い温度まで加熱する加熱工程（リフロー工程）や、フラックス成分などの残渣を除去する洗浄工程が必要になる。したがって、半導体チップ３に対するストレスを低減し、半導体チップ３の信頼性低下を抑制する観点からは、本実施の形態のように半導体チップ搭載工程を前記した電子部品搭載工程の後で行うことが好ましい。

５．ワイヤボンディング工程；
次に、図１３に示すワイヤボンディング工程として、図２８および図２９に示すように、半導体チップ３の複数のパッドＰＤと複数のリード４とを、複数のワイヤ（導電性部材）５を介して、それぞれ電気的に接続する。図２８は、図２６に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図２９は、図２８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

本工程では、例えば、各製品形成領域２０ａのダイパッド２上に半導体チップ３が搭載されたリードフレーム２０を、図示しないヒートステージ（リードフレーム加熱台）上に配置する。そして、半導体チップ３のパッドＰＤとリード４とを、ワイヤ５を介して電気的に接続する。本実施の形態では、例えば図示しないキャピラリを介してワイヤ５を供給し、超音波と熱圧着を併用してワイヤ５を接合する、所謂、ネイルヘッドボンディング方式によりワイヤ５を接続する。

リード４の一部（インナリード部４ｂの先端に配置されたボンディング領域）には、例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成るめっき膜が形成されており、ワイヤ５の一部は、このめっき膜を介してリード４と電気的に接続されている。また、ワイヤ５は金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）からなる。

また、本実施の形態では、半導体チップ３のパッドＰＤにワイヤの一部（端部）を接続した後、ワイヤ５の他部をリード４におけるボンディング領域（リード４の上面において、めっき膜が形成された部分）に接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤを接続している。

また、本実施の形態では、図２８に示す半導体チップ３とチップコンデンサ６を電気的に接続するので、チップコンデンサ６が搭載されるリードＬ１、Ｌ２のそれぞれを、ワイヤ５を介して半導体チップ３のパッドＰＤと電気的に接続する。詳しくは、リードＬ１のインナリード部４ｂ（図２９参照）にワイヤ５の一方の端部が接続され、半導体チップ３のパッドＰＤにワイヤ５の他方の端部が接続される。また、リードＬ２のインナリード部４ｂ（図２９参照）にワイヤ５の一方の端部が接続され、半導体チップ３のパッドＰＤにワイヤ５の他方の端部が接続される。

６．封止工程；
次に、図１３に示す封止工程として、図３０および図３１に示すように、封止体（封止体）７を形成し、半導体チップ３（図３１参照）、複数のワイヤ５（図３１参照）およびチップコンデンサ６（図２８参照）を封止する。図３０は、図２８に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す拡大平面図、図３１は図３０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

本実施の形態では、封止工程で、図３１に示すように複数のリード４の下面４ａｂが封止体７の下面（実装面）７ｂにおいて、封止体７から露出するように、半導体チップ３、複数のワイヤ５、およびチップコンデンサ６（図２８参照）を樹脂で封止し、封止体（樹脂体）７を形成する。詳しくは、図３１に示すように、複数のリード４のアウタリード部４ａの下面４ａｂを露出させる。したがって、下面４ａｂを露出させる部分（アウタリード部４ａ）には、図２５に示すチップコンデンサ６を搭載するボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２も含まれる。

また、本実施の形態では、封止工程で、ダイパッド２の下面２ｂが封止体７から露出するように封止体７を形成する。ダイパッド２は上面２ａ、側面および周縁部のハーフエッチング加工領域（薄板領域）が封止体７により封止され、下面２ｂは、封止体７から露出させる。ただし、ダイパッド２の下面２ｂを露出させるか否かは、製品仕様に応じて決定することが可能であり、下面２ｂを封止することもできる。また、本実施の形態では、吊りリード１０の一部が露出するように封止体７を形成する。

本工程では、例えば、図示しない成形金型でリードフレーム２０を挟んだ状態で、成形金型内に軟化した樹脂を圧入した後、硬化させる、所謂トランスファ封止方式により図２８に示す封止体７を形成する。このように成形金型を用いたトラスファモールド方式により封止体７を形成する場合、リードフレーム２０の封止体７と枠部２０ｃの間の領域に樹脂が充填され、図３０に示すようにダム内樹脂７ｚが形成される。このダム内樹脂７ｚは、封止体７と枠部２０ｃの間において、隣り合うリード４間、および吊りリード１０の露出部とリード４の間に形成される。

このようにダム内樹脂７ｚが残った状態で次のめっき工程を行うと、ダム内樹脂７ｚに覆われた部分には、金属膜が形成されない。したがって、複数のリード４の露出部全体にめっき法により金属膜を形成する観点からは、ダム内樹脂７ｚを取り除くことが好ましい。ダム内樹脂７ｚを取り除く方法は、例えばレーザ照射により除去できる。また、平面視において封止体７の外側に突出する部分を全て切断する場合には、ダム内樹脂７ｚをプレス加工で除去することができる。この場合、複数のリード４を分離する際にダム内樹脂７ｚを除去することができるので、本工程ではダム内樹脂を除去する工程を省略できる。

７．めっき工程；
次に、図１３に示すめっき工程として、図３２に示すように封止体７から露出する複数のリード４の露出面に金属膜（外装めっき膜、半田膜）ＳＤを形成する。図３２は、図３１に示す封止体から露出する複数のリードおよびダイパッドの露出面に金属膜（外装めっき膜、半田膜）を形成した状態を示す拡大断面図である。

本工程では、被めっき加工物であるリードフレーム２０を、めっき液（図示は省略）が入っためっき槽（図示は省略）内に配置して、例えば、電解めっき法により金属膜ＳＤを形成する。この電解めっき法によれば、封止体７から露出しているリードフレーム２０の各領域に一括して外装めっき膜を形成することができる。したがって、リード４の露出部に加え、ダイパッド２の露出部を覆うように金属膜ＳＤが形成される。また、枠部２０ｃにも金属膜ＳＤが形成される。

本実施の形態では、封止体７内に封止される接合材１１（図２５参照）および封止体７から露出する金属膜ＳＤにそれぞれ半田材を用いる。半導体装置１（図１〜図１０参照）を実装する際に行うリフロー処理において、接合材１１が再溶融することを抑制する観点から、接合材１１に含まれる半田材は、金属膜ＳＤに含まれる半田材よりも高い融点を有する材料にすることが好ましい。

８．個片化工程；
次に、図１３に示す個片化工程として、図３３に示すように、枠部２０ｃに連結されている複数のリード４および複数の吊りリード１０を切断し、製品形成領域２０ａ毎に個片化して複数の半導体装置１（図１参照）を取得する。図３３は、図３０に示すリードフレームに金属膜を形成した後、リードおよび吊りリードを枠部（ダム部）から切り離した状態を示す拡大平面図である。

個片化方法は特に限定されないが、図示しない切断金型を用いてプレス加工により切断する方法を適用することができる。この時、封止体７の側面から突出する突出部を残すようにリード４を切断することで、リード４の実装強度を向上させることができる。または、図示しない変形例としては、封止体７の側面から突出する突出部を全て切断することができる。この場合、突出部を残す場合よりも平面積を小さくすることができる。前記したようにこの変形例の場合には、リード４の突出部と共に、ダム内樹脂７ｚ（図３０参照）を取り除くことができる。

本工程の後、外観検査、電気的試験など、必要な検査、試験を行い、合格したものが、図１〜図１１に示す完成品の半導体装置１となる。そして、半導体装置１は出荷され、あるいは図示しない実装基板に実装される。

＜変形例１＞
次に、前記した実施態様に対する変形例を示し、順に説明する。まず、チップコンデンサを搭載するリードのボンディング領域に隣接させて設ける開口部Ｋ１、Ｋ２の変形例について説明する。図３４は図１６に対する変形例を示す拡大平面図、図３５は図３４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。また、図３６は、図２２に対する変形例を示す拡大平面図である。また、図３７は、図２４に対する変形例を示す拡大平面図、図３８は図３７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。リードＬ１とリードＬ２には、それぞれ同様な構造の開口部が形成されているため、図３５および図３８では、リードＬ１とリードＬ２を一図で示している。

図３４〜図３８に示す変形例では、リードＬ１の上面４ｕには、開口部Ｋ１に加えて、開口部（段差部、凹部）Ｋ３、および開口部（段差部、凹部）Ｋ４が形成されている。開口部Ｋ３は、開口部Ｋ１の延在方向と交差する方向、言い換えれば、図３６および図３７に示すようにチップコンデンサ６の側面６ｓ３に沿って、かつ、ボンディング領域４ｃｒ１に隣接して形成されている。また、開口部Ｋ４は、開口部Ｋ１の延在方向と交差する方向、言い換えれば、図３６および図３７に示すようにチップコンデンサ６の側面６ｓ４に沿って、かつ、ボンディング領域４ｃｒ１に隣接して形成されている。また開口部Ｋ３と開口部Ｋ４は互いに対向するように配置されている。

また、図３４〜図３８に示す変形例では、リードＬ２の上面４ｕには、開口部Ｋ２に加えて、開口部（段差部、凹部）Ｋ５、および開口部（段差部、凹部）Ｋ６が形成されている。開口部Ｋ５は、開口部Ｋ２の延在方向と交差する方向、言い換えれば、図３６および図３７に示すようにチップコンデンサ６の側面６ｓ３に沿って、かつ、ボンディング領域４ｃｒ２に隣接して形成されている。また、開口部Ｋ６は、開口部Ｋ２の延在方向と交差する方向、言い換えれば、図３６および図３７に示すようにチップコンデンサ６の側面６ｓ４に沿って、かつ、ボンディング領域４ｃｒ２に隣接して形成されている。また開口部Ｋ５と開口部Ｋ６は互いに対向するように配置されている。

また、図３５および図３８に示すように、開口部Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６は、それぞれ底面Ｋｂ、およびボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の端部に連なる側面（長側面）Ｋｓ１を有する。また、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２と側面Ｋｓ１の境界には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成される。

このように、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２と側面Ｋｓ１の境界に角を形成することで、リードＬ１、Ｌ２の長手方向に対するチップコンデンサ６の位置ズレを抑制することができる。前記加熱工程で説明したように溶融した半田ペースト１１ｈｐ（図３７、図３８参照）上でチップコンデンサ６が移動する場合がある。しかし、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の周縁部に角が形成されている場合には、半田ペースト１１ｈｐに含まれる半田成分の表面張力の影響により、半田ペースト１１ｈｐが濡れ広がることを抑制できる。したがって、図３４〜図３８に示すように開口部Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６を追加すれば、リードＬ１、Ｌ２上での長手方向に対するチップコンデンサ６の移動距離を制限することができる。

また、リードＬ１、Ｌ２上での長手方向に対するチップコンデンサ６の移動距離を制限すれば、チップコンデンサ６に引き摺られて半田ペースト１１ｈｐが開口部Ｋ１、Ｋ２の周囲を回り込んで長側面４ｓ１に付着することを抑制できる。

また、開口部Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６によってチップコンデンサ６の位置ズレを確実に抑制する観点からは、前記した電子部品配置工程において、図３６に示すように、平面視において、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１が開口部Ｋ３と開口部Ｋ４の間に位置するように、かつ、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２が開口部Ｋ５と開口部Ｋ６の間に位置するように、チップコンデンサ６を配置することが好ましい。また、平面視において、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１の面積はボンディング領域４ｃｒ１の面積よりも小さく、かつ、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２の面積はボンディング領域４ｃｒ２の面積よりも小さいことが好ましい。

つまり、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の面積よりも平面積が小さい電極６ｄｔ１、６ｄｔ２がそれぞれボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２内に収まるように配置することが好ましい。これにより、加熱工程で溶融した半田ペースト１１ｈｐ（図３７、図３８参照）上でチップコンデンサ６が移動した場合でも、その移動距離を制限することができる。

＜変形例２＞
次に、チップコンデンサを搭載するリードのボンディング領域に隣接させて設ける開口部Ｋ１、Ｋ２の他の変形例について説明する。図３９は、図３４に対する変形例を示す拡大平面図、図４０は図３９のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。また、図４１は、図３６に対する変形例を示す拡大平面図である。また、図４２は、図３７に対する変形例を示す拡大平面図、図４３は図４２のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。なお、図３９のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、および図４２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図は、それぞれ図３５、図３８と同様なので図示は省略する。また、図３４〜図３８を用いて説明した変形例との相違点を中心に説明し、重複する説明は省略する。

図３９〜図４３に示す変形例では、リードＬ１の上面４ｕには、開口部Ｋ１、Ｋ３、Ｋ４に加えて、開口部（段差部、凹部）Ｋ７が形成されている。開口部Ｋ７は、開口部Ｋ３、Ｋ４の延在方向と交差する方向、言い換えれば、図４１に示すようにチップコンデンサ６の側面６ｓ１に沿って、かつ、ボンディング領域４ｃｒ１に隣接して形成されている。また、開口部Ｋ１と開口部Ｋ７は互いに対向するように配置されている。言い換えれば、平面視においてリードＬ１の長側面４ｓ１側には、開口部Ｋ１が、リードＬ１の長側面４ｓ２側には開口部Ｋ７が形成され、ボンディング領域４ｃｒ１は、開口部Ｋ１と開口部Ｋ７の間に配置されている。

また、図３９〜図４３に示す変形例では、リードＬ２の上面４ｕには、開口部Ｋ２、Ｋ５、Ｋ６に加えて、開口部（段差部、凹部）Ｋ８が形成されている。開口部Ｋ８は、開口部Ｋ５、Ｋ６の延在方向と交差する方向、言い換えれば、図４１に示すようにチップコンデンサ６の側面６ｓ２に沿って、かつ、ボンディング領域４ｃｒ２に隣接して形成されている。また、開口部Ｋ２と開口部Ｋ８は互いに対向するように配置されている。言い換えれば、平面視においてリードＬ２の長側面４ｓ１側には、開口部Ｋ２が、リードＬ２の長側面４ｓ２側には開口部Ｋ８が形成され、ボンディング領域４ｃｒ２は、開口部Ｋ２と開口部Ｋ８の間に配置されている。

また、図４０および図４３に示すように、開口部Ｋ７、Ｋ８は、それぞれ底面Ｋｂ、およびボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の端部に連なる側面（長側面）Ｋｓ１を有する。また、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２と側面Ｋｓ１の境界には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成される。

このように、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２と側面Ｋｓ１の境界に角を形成することで、リードＬ１、Ｌ２の配列方向に対するチップコンデンサ６の位置ズレを抑制することができる。詳しくは、前記したようにボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の周縁部に角が形成されている場合には、半田ペースト１１ｈｐに含まれる半田成分の表面張力の影響により、半田ペースト１１ｈｐが濡れ広がることを抑制できる。このため、開口部Ｋ７、Ｋ８を追加すれば、リードＬ１、Ｌ２の配列方向に対するチップコンデンサ６の移動距離を、より確実に制限することができる。

また、図３９〜図４３に示す変形例のようにボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の周囲を開口部Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６、Ｋ７、Ｋ８で取り囲むことにより、半田ペースト１１ｈｐが濡れ広がる範囲を規定することができる。このため、図４３に示すように、半田ペースト１１ｈｐが側面６ｓに沿ってしっかりと濡れ上がり、接合材１１と電極６ｄｔ１、６ｄｔ２の接合強度を向上させることができる。あるいは、半田ペースト１１ｈｐの塗布量を低減することで、リードＬ１、Ｌ２の長側面４ｓ１に付着する可能性をさらに低減することができる。

また、前記した電子部品配置工程において、図４１に示すように、平面視において、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１が開口部Ｋ１と開口部Ｋ７の間に位置するように、かつ、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２が開口部Ｋ２と開口部Ｋ８の間に位置するように、チップコンデンサ６を配置することが好ましい。また、平面視において、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１の面積はボンディング領域４ｃｒ１の面積よりも小さく、かつ、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２の面積はボンディング領域４ｃｒ２の面積よりも小さいことが好ましい。

なお、本変形例２では、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の周囲を複数の開口部Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６、Ｋ７、Ｋ８で取り囲む場合について説明したが、これに限定されず、例えば開口部の平面形状を環状に形成し、この開口部に囲まれる領域をボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２としてもよい。

＜変形例３＞
次に、チップコンデンサ６を接合する接合材１１として、樹脂中に互いに接触する多数の導電性粒子を含ませた、所謂、導電性樹脂を適用した場合の変形例について説明する。図４４は、図１３に対する変形例を示す説明図である。

図４４に示すように、リードＬ１、Ｌ２（図８参照）にチップコンデンサ６（図８参照）を接合する接合材１１（図８参照）として、導電性樹脂を用いる場合には以下の点が相違する。まず、図４４に示す製造工程では、電子部品搭載工程に含まれる工程のうち、図１３に示す加熱工程（リフロー工程）および洗浄工程を省略することができる。また、加熱工程（リフロー工程）および洗浄工程を省略するので、半導体チップ搭載工程を電子部品搭載工程の前に行っても、半導体チップ３（図３参照）に与えるストレスは小さい。ただし、図１３に示す製造フローと同様に電子部品搭載工程の後で半導体チップ搭載工程を行っても良い。

図４４に示す接合材塗布工程では、図４５に示すように、リードＬ１、Ｌ２のボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２上にそれぞれ接合材１１（導電性樹脂ペースト１１ｇｐ）を塗布する。図４５は、図２０に対する変形例を示す拡大平面図である。なお、図４５のＡ−Ａ線に沿った断面は、図２１の半田ペースト１１ｈｐを図４５に示す導電性樹脂ペースト１１ｇｐに置き換えて適用できるので、図示は省略する。

導電性樹脂ペースト（接合材）１１ｇｐは、例えば熱硬化性樹脂中に多数の導電性粒子を含有させた接合材であって、常温でペースト状の性状を有する。導電性樹脂ペースト１１ｇｐは、前記した半田ペースト１１ｈｐと同様に例えば水よりは粘度が高く、リード４上に塗布すると、外力が加わらなければ変形しない程度の保形性（粘度）を備える。また、導電性樹脂ペースト１１ｇｐの硬さ（硬度）は、リード４およびチップコンデンサ６（図１７参照）よりも柔らかい（低い）。このため、チップコンデンサ６を導電性樹脂ペースト１１ｇｐに向かって押し付けると導電性樹脂ペースト１１ｇｐは変形し、チップコンデンサ６（詳しくはチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２）と密着する。そして、導電性樹脂ペーストを硬化させると、導電性樹脂ペースト中に含まれる導電性粒子が互いに接触して、導電経路が形成される。このような材料として本変形例では、銀（Ａｇ）粒子を導電性粒子として用いる、所謂、銀ペーストを用いている。図４４に示す接合材塗布工程の上記した以外の点は、前記した半田ペースト１１ｈｐを用いた接合材塗布工程と同様なので、重複する説明は省略する。

次に、図４４に示す接合材塗布工程では、図４６に示すように、リードＬ１、Ｌ２のボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２上にチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２がそれぞれ位置するように配置する。図４６は、図４５に示すリード上にチップコンデンサを配置した状態を示す拡大平面図である。図４７は図４６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

本工程では、リードＬ１のボンディング領域４ｃｒ１上に導電性の導電性樹脂ペースト１１ｇｐを介してチップコンデンサ６の電極６ｄｔ１が位置するように配置する。また、リードＬ２のボンディング領域４ｃｒ２上に導電性の導電性樹脂ペースト１１ｇｐを介してチップコンデンサ６の電極６ｄｔ２が位置するように配置する。

本変形例で用いる導電性樹脂ペーストは、前記した半田ペースト１１ｈｐと比較して相対的に柔らかい。このため、本工程で、チップコンデンサ６の一部（電極６ｄｔ１、６ｄｔ２）が導電性樹脂ペースト１１ｇｐに食い込むように押し込むと、図４７に示すように、導電性樹脂ペースト１１ｇｐは導電性樹脂ペースト１１ｇｐに含まれる樹脂成分の表面張力を利用して広がる。例えば、平面視においては、図４６に示すように導電性樹脂ペースト１１ｇｐはボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２全体に広がる。また、断面視においては、図４７に示すように、導電性樹脂ペースト１１ｇｐは側面６ｓ１、６ｓ２に沿って広がる。

ここで、前記したようにボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１は開口部Ｋ１の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ１には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成される。また、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部Ｒｅ２は開口部Ｋ２の側面Ｋｓ１に連なり、内端部Ｒｅ２には角（互いに交差する二つの面の交線）が形成されている。このように、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２に角が形成されていると、導電性樹脂ペースト１１ｇｐは、樹脂成分の表面張力の影響により、内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を超えては濡れ広がり難くなる。言い換えると、導電性樹脂ペースト１１ｇｐは、導電性樹脂ペースト１１ｇｐに含まれる樹脂成分の表面張力の影響により、角が形成された内端部Ｒｅ１、Ｒｅ２を起点として盛り上がる。

このため、導電性樹脂ペースト１１ｇｐを用いた場合であっても、前記した半田ペースト１１ｈｐを用いた場合と同様に、少なくとも、電極６ｄｔ１とリードＬ１の長側面４ｓ１、電極６ｄｔ２とリードＬ２の長側面４ｓ１がそれぞれ重ならないように配置することで、溶融した導電性樹脂ペースト１１ｇｐはリードＬ１、Ｌ２の長側面４ｓ１には付着し難くなる。

特に、本変形例では、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は開口部Ｋ１と重ならず、電極６ｄｔ２は開口部Ｋ２と重ならない。言い換えれば、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１は、ボンディング領域４ｃｒ１の内端部Ｒｅ１よりも外側（長側面４ｓ２側）に配置される。また、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ２は、ボンディング領域４ｃｒ２の内端部Ｒｅ２よりも外側（長側面４ｓ２側）に配置される。このため、導電性樹脂ペースト１１ｇｐは開口部Ｋ１、Ｋ２の側面Ｋｓ１には付着し難い。つまり、リードＬ１、Ｌ２の長側面４ｓ１にはさらに付着し難い。図４４に示す電子部品配置工程の上記した以外の点は、前記した半田ペースト１１ｈｐを用いた電子部品配置工程と同様なので、重複する説明は省略する。

次に、図４４に示す接合材硬化工程では、導電性樹脂ペースト（接合材）１１ｇｐの樹脂成分を硬化させて接合材１１を形成する。本工程では、導電性樹脂ペースト（接合材）１１ｇｐの形状は、図４６および図４７に示す形状と大きくは変化しないため、図示は省略する。本変形例では、樹脂成分に熱硬化性樹脂が含まれるので、導電性樹脂ペースト１１ｇｐを加熱することで樹脂成分を硬化させる。ただし、熱硬化性樹脂を硬化させるために必要な温度は、前記した半田成分を溶融させるための温度よりも低い。例えば図２７に示すダイボンド材８を硬化させる温度と同程度である。したがって、導電性樹脂ペースト１１ｇｐを加熱した場合でも、半導体チップ３（図２７参照）に与える熱影響は非常に小さい。図４４に示す接合材硬化工程の上記した以外の点は、前記した半田ペースト１１ｈｐを用いた接合材硬化工程と同様なので、重複する説明は省略する。

上記したように、接合材１１は、半田材あるいは、導電性樹脂を用いることができる。ただし、導電性樹脂の場合には半田材と比較してインピーダンス成分が大きくなるので、電気的特性を向上させる観点からは、半田材を用いることが好ましい。

＜その他の変形例＞
以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、前記実施の形態では、変形例１、変形例２、変形例３として、図１〜図３３を用いて説明した実施態様に対する代表的な変形例について説明した。ただし、図１〜図３３を用いて説明した実施態様に対する変形例は変形例１、２、３に限定されず、変更可能である。例えば、変形例２で説明した実施態様から開口部Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６を取り除き、開口部Ｋ１、Ｋ２、Ｋ７、Ｋ８のみを形成することができる。

また例えば、変形例３は、図１〜図３３を用いて説明した実施態様に対する変形例として説明したが、変形例１、変形例２、あるいはこれらの一部と組み合わせて適用する事ができる。

また例えば、前記実施の形態では、チップコンデンサ６を搭載したリードＬ１、Ｌ２を、ワイヤ５を介して半導体チップ３と電気的に接続する例について説明したが、変形例としては、電子部品を搭載したリードＬ１、Ｌ２にはワイヤ５を接続せず、半導体チップ３と電気的に接続しない実施態様とすることもできる。この場合でも、チップコンデンサ６の電極６ｄｔ１、６ｄｔ２が接合材１１を介して短絡することを抑制する効果は得られる。

また例えば、前記実施の形態では電子部品として一つのチップコンデンサ６を搭載する例を説明したが、電子部品の数は一個には限定されず、電子部品の種類も一種類には限定されない。例えば、チップ型の構造を有するコンデンサ部品、抵抗部品、インダクタ部品（コイル部品）を含む電子部品のうち、任意の２個以上の部品を内蔵する半導体装置に適用することができる。

また、前記実施の形態では、四辺形を成す封止体７の各辺に沿って、それぞれ複数のリード４が配置され、封止体７の下面においてリード４の下面が露出する、所謂ＱＦＮ型の半導体装置に適用した実施態様について説明した。しかし、適用可能なパッケージ形態はＱＦＮには限定されない。例えばリード４の下面が封止体７の下面において露出しない、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置、あるいは、平面視において長方形を成す封止体の互いに対向する長辺に沿って、複数のリード４が配置される、所謂ＳＯＰ（Small Outline Package）型やＳＯＮ型の半導体装置に適用することができる。ただし、接合材１１が実装面に回り込むことを防止ないしは抑制する、という効果が得られる点で、ＱＦＮやＳＯＮなど、封止体７の下面においてリード４の下面が露出するタイプの半導体装置に適用して特に有効である。

また、前記実施の形態では、図３や図４に示すように、半導体チップ３の外形サイズ（裏面３ｂの平面サイズ）よりも、ダイパッド２の外形サイズ（平面サイズ）の方が大きい半導体装置に適用した実施態様について説明したが、半導体チップ３の外形サイズよりもダイパッド２の外形サイズを小さくすることもできる。

また、前記実施の形態では、図６に示すように、コア回路ＣＲ１に駆動電圧を供給する経路中にバイパスコンデンサとしてのコンデンサｃ１を配置する実施態様について説明した。しかし、変形例としては、例えば、チップコンデンサの一方の端子を入力用の信号リードに電気的に接続し、チップコンデンサの他方の端子を出力用の信号リードに接続することができる。

また、例えば、リード間のピッチが更に狭くなり、チップ型電子部品を搭載するスペースが確保し難い場合には、図４８および図４９に示すように、リードＬ１、Ｌ２の上面のうち、ボンディング領域４ｃｒ１、４ｃｒ２の幅を他の部分よりも広く（大きく）形成しても良い。この場合、リード４の幅およびピッチが狭くなっても、開口部Ｋ１、Ｋ２を設けるスペースが確保できる。図４８は、図４６に対する変形例を示す拡大平面図、図４９は、図４８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。

１、１ａ、１ｂ、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３ 半導体装置
２ ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
２ａ 上面
２ｂ 下面
２ｆ 厚板部
２ｈ 薄板部
２ｈｂ 下面
３ 半導体チップ
３ａ 表面
３ｂ 裏面
４ リード（端子、外部端子）
４ａ アウタリード部（部分、厚板部、実装部、領域）
４ａｂ 下面
４ｂ インナリード部（部分、薄板部、被封止部、ハーフエッチング部、領域）
４ｂｂ 下面
４ｃｒ１、４ｃｒ２ ボンディング領域（チップ部品接合領域）
４ｓ 側面
４ｓ１、４ｓ２ 長側面（側面）
４ｓ３ 短側面（側面、先端面、内端面）
４ｓ４ 短側面（側面、後端面、外端面）
４ｔ 突出部
４ｕ 上面
５ ワイヤ（導電性部材）
６ チップコンデンサ（電子部品、チップ型電子部品）
６ａ 上面
６ｂ 下面
６ｄｎ、６ｄｎ１、６ｄｎ２ 内部電極（電極）
６ｄｔ１、６ｄｔ２ 電極（電極端子、外部電極、金属膜）
６ｓ 側面
６ｓ１、６ｓ２ 側面（短側面）
６ｓ３、６ｓ４ 側面（長側面）
６ｚ 絶縁層（誘電体層、絶縁体）
７ 封止体（樹脂体）
７ａ 上面
７ｂ 下面（裏面、実装面）
７ｃ 側面
７ｄ 角部
７ｚ ダム内樹脂
８ ダイボンド材（接着材）
１０ 吊りリード
１１ 接合材
１１ｇｐ 導電性樹脂ペースト（接合材）
１１ｈｐ 半田ペースト（接合材）
２０ リードフレーム
２０ａ 製品形成領域
２０ｂ 外枠
２０ｃ 枠部
ＣＲ１ コア回路（主回路）
Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４、Ｋ５、Ｋ６、Ｋ７、Ｋ８ 開口部（段差部、凹部）
Ｋｂ 底面（段差面）
Ｋｓ１、Ｋｓ２、Ｋｓ３ 側面
Ｌ１、Ｌ２ リード（端子、外部端子）
ＮＳ１ 入出力回路
ＰＤ パッド（電極、ボンディングパッド）
Ｒｅ１、Ｒｅ２ 内端部（リードの長側面４ｓ１側の端部）
ＳＤ 金属膜（外装めっき膜、半田膜）
Ｖｄ１ 電源電位供給経路（電位供給経路）
Ｖｄｄ 電源電位（電位）
Ｖｓ１ 基準電位供給経路（電位供給経路）
Ｖｓｓ 基準電位（電位）
ｃ１ コンデンサ

Claims (20)

1. 以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
   （ａ）チップ搭載部と、第１リード、前記第１リードの隣に配置される第２リードを有する複数のリードと、を備えるリードフレームを準備する工程；
   （ｂ）上面と、前記上面の反対側の下面と、前記上面と前記下面の間に位置し、かつ、互いに対向する第１および第２側面と、前記上面と前記下面の間に位置し、かつ、前記第１および第２側面と交差する第３および第４側面と、前記第１側面を覆う第１電極端子と、前記第２側面を覆う第２電極端子と、を有する電子部品を準備する工程；
   （ｃ）前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程の後、前記第１リードの第１ボンディング領域上に導電性の第１接合材を、前記第２リードの第２ボンディング領域上に導電性の第２接合材を、それぞれ配置する工程；
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１リードの第１ボンディング領域上に前記第１接合材を介して前記電子部品の前記第１電極端子が、前記第２リードの第２ボンディング領域上に前記第２接合材を介して前記電子部品の前記第２電極端子が位置するように、前記電子部品を配置する工程；
   （ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１および第２接合材を硬化させることで、前記第１および第２リードと前記第１および第２電極端子を、それぞれ電気的に接続し、かつ、固着させる工程；
   （ｆ）前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程の後、表面、前記表面に形成された複数の電極パッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記チップ搭載部上に搭載する工程；
   （ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを複数の導電性部材を介して電気的に接続する工程；
   （ｈ）前記（ｅ）工程および前記（ｇ）工程の後、前記複数のリードの一部が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記電子部品を樹脂で封止する工程；
   ここで、
   前記第１リードの第１上面には、前記第１上面と前記第１上面とは反対側の第１下面との間に位置する第１段差面を有する第１段差部が形成され、
   前記第２リードの第２上面には、前記第２上面と前記第２上面とは反対側の第２下面との間に位置する第２段差面を有する第２段差部が形成され、
   平面視において、前記第１および第２段差部は、前記第１リードの前記第１ボンディング領域と前記第２リードの前記第２ボンディング領域の間に配置され、
   前記（ｄ）工程では、平面視において、前記第１電極端子が前記第１段差部と重ならず、かつ、前記第２電極端子が前記第２段差部と重ならないように、前記電子部品を配置する。
2. 請求項１において、
   前記第１電極端子は、前記第１リードを介して第１電位が供給される端子であって、前記第２電極端子は、前記第２リードを介して前記第１電位とは異なる第２電位が供給される端子である半導体装置の製造方法。
3. 請求項２において、
   前記（ｇ）工程で、前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを電気的に接続する前記複数の導電性部材はワイヤであって、
   前記（ｇ）工程では、
   前記半導体チップの第１電極パッドと前記第１リードを、第１ワイヤを介して電気的に接続し、
   前記半導体チップの第２電極パッドと前記第２リードを、第２ワイヤを介して電気的に接続する半導体装置の製造方法。
4. 請求項３において、
   前記電子部品は、チップコンデンサである半導体装置の製造方法。
5. 請求項１において、
   前記第１および第２リードは、第１の厚さから成るアウタリード部と、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さから成るインナリード部と、を有し、
   前記第１段差部は前記第１リードの前記アウタリード部に形成され、
   前記第２段差部は前記第２リードの前記アウタリード部に形成される半導体装置の製造方法。
6. 請求項５において、
   前記（ｇ）工程で、前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを電気的に接続する前記複数の導電性部材はワイヤであって、
   前記（ｇ）工程では、
   前記第１リードの前記インナリード部に第１ワイヤを接続し、
   前記第２リードの前記インナリード部に第２ワイヤを接続する半導体装置の製造方法。
7. 請求項１において、
   前記第１リードの前記第１上面には、前記電子部品の前記第３側面に沿って前記第１ボンディング領域の隣に配置される第３段差部、および前記電子部品の前記第４側面に沿って前記第１ボンディング領域の隣に前記第３段差部と対向するように配置される第４段差部がさらに形成され、
   前記第２リードの前記第２上面には、前記電子部品の前記第３側面に沿って前記第２ボンディング領域の隣に配置される第５段差部、および前記電子部品の前記第４側面に沿って前記第２ボンディング領域の隣に前記第５段差部と対向するように配置される第６段差部がさらに形成され、
   前記（ｄ）工程では、平面視において、前記電子部品の前記第１電極端子が前記第３段差部と前記第４段差部の間に位置するように、かつ、前記電子部品の前記第２電極端子が前記第５段差部と前記第６段差部の間に位置するように、前記電子部品を配置する半導体装置の製造方法。
8. 請求項７において、
   前記第１リードの前記第１上面には、前記電子部品の前記第１側面に沿って前記第１ボンディング領域の隣に前記第１段差部と対向するように配置される第７段差部がさらに形成され、
   前記第２リードの前記第２上面には、前記電子部品の前記第２側面に沿って前記第２ボンディング領域の隣に前記第２段差部と対向するように配置される第８段差部がさらに形成され、
   前記（ｄ）工程では、平面視において、前記電子部品の前記第１電極端子が前記第１段差部と前記第７段差部の間に位置するように、かつ、前記電子部品の前記第２電極端子が前記第２段差部と前記第８段差部の間に位置するように、前記電子部品を配置する半導体装置の製造方法。
9. 請求項１において、
   前記第１および第２接合材は半田材であって、
   前記（ｅ）工程は、
   （ｅ１）前記（ｄ）工程の後、前記第１および第２接合材を加熱溶融させて前記第１リードと前記第１電極端子、および前記第２リードと前記第２電極端子をそれぞれ接合する工程；
   （ｅ２）前記（ｅ１）工程の後、前記第１および第２接合材を冷却して硬化させることで前記第１リードと前記第１電極端子、および前記第２リードと前記第２電極端子をそれぞれ電気的に接続し、かつ固着させる工程；
   （ｅ３）前記（ｅ１）工程の後、前記第１および前記第２接合材による接合部の周囲を洗浄する工程；
   を含み、
   前記（ｆ）工程は、前記（ｅ３）工程の後で行う半導体装置の製造方法。
10. 請求項１において、
    前記第１および第２接合材は樹脂中に多数の導電性粒子を含有させた導電性樹脂である半導体装置の製造方法。
11. 請求項１において、
    前記（ｈ）工程では、
    前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記電子部品を封止する封止体の実装面において、前記複数のリードの下面がそれぞれ露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記電子部品を樹脂で封止する半導体装置の製造方法。
12. チップ搭載部と、
    第１リード、前記第１リードの隣に配置される第２リードを含み、前記チップ搭載部の周囲に配置される複数のリードと、
    上面、前記上面の反対側の下面、前記上面と前記下面の間に位置し互いに対向する第１および第２側面、前記上面と前記下面の間に位置し前記第１および第２側面と交差する第３および第４側面、前記第１側面を覆う第１電極端子、および前記第２側面を覆う第２電極端子を有する電子部品と、
    前記第１リードの第１ボンディング領域上に前記電子部品の前記第１電極端子を電気的に接続し、かつ、固着させる導電性の第１接合材と、
    前記第２リードの第２ボンディング領域上に前記電子部品の前記第２電極端子を電気的に接続し、かつ、固着させる導電性の第２接合材と、
    表面、前記表面に形成された複数の電極パッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップと、
    前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを電気的に接続する複数の導電性部材と、
    前記複数のリードの一部が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記電子部品を封止する封止体と、
    を有し、
    前記第１リードの第１上面には、前記第１上面と前記第１上面とは反対側の第１下面との間に位置する第１段差面を有する第１段差部が形成され、
    前記第２リードの第２上面には、前記第２上面と前記第２上面とは反対側の第２下面との間に位置する第２段差面を有する第２段差部が形成され、
    平面視において、前記第１および第２段差部は、前記第１リードの前記第１ボンディング領域と前記第２リードの前記第２ボンディング領域の間に配置され、
    平面視において、前記第１電極端子が前記第１段差部と重ならず、かつ、前記第２電極端子が前記第２段差部と重ならない半導体装置。
13. 請求項１２において、
    前記第１電極端子は、前記第１リードを介して第１電位が供給される端子であって、前記第２電極端子は、前記第２リードを介して前記第１電位とは異なる第２電位が供給される端子である半導体装置。
14. 請求項１３において、
    前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを電気的に接続する前記複数の導電性部材はワイヤであって、
    前記半導体チップの第１電極パッドと前記第１リードは、第１ワイヤを介して電気的に接続され、
    前記半導体チップの第２電極パッドと前記第２リードは、第２ワイヤを介して電気的に接続される半導体装置。
15. 請求項１４において、
    前記電子部品は、チップコンデンサである半導体装置。
16. 請求項１２において、
    前記第１および第２リードは、第１の厚さから成るアウタリード部と、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さから成るインナリード部と、を有し、
    前記第１段差部は前記第１リードの前記アウタリード部に形成され、
    前記第２段差部は前記第２リードの前記アウタリード部に形成される半導体装置。
17. 請求項１２において、
    前記第１リードの前記第１上面には、前記電子部品の前記第３側面に沿って前記第１ボンディング領域の隣に配置される第３段差部、および前記電子部品の前記第４側面に沿って前記第１ボンディング領域の隣に前記第３段差部と対向するように配置される第４段差部がさらに形成され、
    前記第２リードの前記第２上面には、前記電子部品の前記第３側面に沿って前記第２ボンディング領域の隣に配置される第５段差部、および前記電子部品の前記第４側面に沿って前記第２ボンディング領域の隣に前記第５段差部と対向するように配置される第６段差部がさらに形成され、
    平面視において、前記電子部品の前記第１電極端子が前記第３段差部と前記第４段差部の間に位置し、かつ、前記電子部品の前記第２電極端子が前記第５段差部と前記第６段差部の間に位置する半導体装置。
18. 請求項１７において、
    前記第１リードの前記第１上面には、前記電子部品の前記第１側面に沿って前記第１ボンディング領域の隣に前記第１段差部と対向するように配置される第７段差部がさらに形成され、
    前記第２リードの前記第２上面には、前記電子部品の前記第２側面に沿って前記第２ボンディング領域の隣に前記第２段差部と対向するように配置される第８段差部がさらに形成され、
    平面視において、前記電子部品の前記第１電極端子が前記第１段差部と前記第７段差部の間に位置し、かつ、前記電子部品の前記第２電極端子が前記第２段差部と前記第８段差部の間に位置する半導体装置。
19. 請求項１２において、
    前記第１および第２接合材は半田材である半導体装置。
20. 請求項１２において、
    前記複数のリードの下面は、前記封止体の実装面においてそれぞれ露出する半導体装置。

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