JP2013217794A5 - - Google Patents
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Description
このような物理量センサーによれば、例えば陽極接合によって、基板と、第１可動体および第２可動体となるシリコン基板と、を接合させる際に、シリコン基板が基板側に引っ張られて基板に貼り付くことを抑制できる。その結果、このような物理量センサーは、高い歩留まりを有することができる。
次に、支持基板１０上に（凹部１４の底面１５に）、固定電極部４０，４２を形成する。より具体的には、支持基板１０上の（凹部１４の底面１５の）、可動体２０と対向する位置に固定電極部４０，４２を形成する。固定電極部４０，４２は、スパッタ法等により底面１５上に導電層を成膜した後、当該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。
図５に示すように、シリコン基板１１０を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして（加工して）、可動体２０、梁部３０，３２、および固定部３４，３６を形成する。より具体的には、平面視において、ポスト部１６を境にして、一方側（−Ｘ軸方向側）に第１機能素子１０１の可動体２０を形成し、他方側（＋Ｘ軸方向側）に第２機能素子１０２の可動体２０を形成する（図１参照）。可動体２０の可動電極部２１，２２（図１参照）は、固定電極部４０，４２と対向するように形成される。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。本工程では、シリコン基板１１０をパターニング（エッチング）する
ことにより、可動体２０、梁部３０，３２、固定部３４，３６が一体的に形成される。また、本工程において、例えば、ポスト部１６の上面（シリコン基板１１０が接合されていた面）は、露出される。
ことにより、可動体２０、梁部３０，３２、固定部３４，３６が一体的に形成される。また、本工程において、例えば、ポスト部１６の上面（シリコン基板１１０が接合されていた面）は、露出される。
物理量センサー１００の製造方法によれば、支持基板１０のポスト部１６上および枠部１８上に、シリコン基板１１０を接合する。さらに、シリコン基板１１０を加工して、平面視において、ポスト部１６を境にして、−Ｘ軸方向側に第１機能素子１０１の可動体２０を形成し、＋Ｘ軸方向側に第２機能素子１０２の可動体２０を形成する。これにより、例えば陽極接合によって、支持基板１０とシリコン基板１１０とを接合する際に、シリコン基板１１０が支持基板１０側に引っ張られて支持基板１０に（凹部１４の底面１５に）貼り付くことを抑制できる。また、例えば、シリコン基板が支持基板１０側に引っ張られてシリコン基板に撓みが生じることを抑制できる。その結果、高い歩留まりを有することができる物理量センサー１００を得ることができる。
固定部６２は、支持基板１０のポスト部１７ａに固定（接合）されている。第１機能素子２０１において、固定部６２の数は、１つである。固定部６２は、図６に示すように平面視において、固定部６２および可動体６４によって構成される構造体の重心Ｇと重なって設けられている。固定部６２の平面形状は、例えば、長方形である。図６に示す例では、ポスト部１７ａは、固定部６２の外縁の内側に位置している。固定部６２によって、可動体６４は、支持基板１０の上方に間隙を介して支持されている。
図１０に示すように、シリコン基板２１０を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして（加工して）、固定部６２、可動体６４、固定電極６９ａ，６９ｂ、およびストッパー部８０，８２，８４，８６を形成する。より具体的には、平面視において、ポスト部１６を境にして、一方側（−Ｘ軸方向側）に第１機能素子２０１の可動体６４を形成し、他方側（＋Ｘ軸方向側）に第２機能素子２０２の可動体６４を形成する（図６参照）。可動電極部６８および固定電極部６９ａ，６９ｂは、互いに対向するように形成される。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。本工程では、シリコン基板２１０をパターニング（エッチング）することにより、固定部６２および可動体６４が一体的に形成される。
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