JP6146566B2 - 物理量センサー、電子機器、および移動体 - Google Patents

物理量センサー、電子機器、および移動体 Download PDF

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Description

本発明は、物理量センサー、電子機器、および移動体に関する。
近年、例えばシリコンMEMS(Micro Electro Mechanical
Systems)技術を用いて、加速度等の物理量を検出する物理量センサーが開発されている。
物理量センサーは、例えば、基板と、基板に固定された固定電極部と、固定電極部に対して対向配置された可動電極部を備えた可動体と、を有し、固定電極部と可動電極部との間の静電容量に基づいて、加速度等の物理量を検出する。
例えば特許文献1には、鉛直方向の加速度を検出する(鉛直方向を検出方向とする)物理量センサーにおいて、検出方向以外の方向に検出感度をもつことによる誤差を、信号処理によってキャンセルするために、2つの可動体と、該可動体の可動電極部に対応して設けられた4つの固定電極部と、を含むことが記載されている。
特開2011−247812号公報
しかしながら、上記のような物理量センサーでは、4つの固定電極部に電位を与えるために固定電極部の各々に接続された配線を設けている。そのため、配線のレイアウトが複雑になり、物理量センサーの小型化を図ることが困難な場合があった。
本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、配線のレイアウトを単純にし、小型化を図ることができる物理量センサーを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記物理量センサーを含む電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
[適用例1]
本適用例に係る物理量センサーは、
基板と、
前記基板上に配置され、第1支持軸まわりに変位可能であり、且つ、第1可動電極部を備えた第1可動体と、
前記基板上に配置され、第2支持軸まわりに変位可能であり、且つ、第2可動電極部を備えた第2可動体と、
平面視で、前記第1可動電極部および前記第2可動電極部に重なって前記基板上に配置されている固定電極部と、
を含む。
このような物理量センサーでは、例えば、4つの固定電極部の各々に配線が接続されている形態(4つの固定電極部の各々から配線を引き出している形態)に比べて、配線のレイアウトを単純にすることができる。その結果、このような物理量センサーでは、小型化を図ることができる。
[適用例2]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第1可動体を前記第1支持軸を境に第1部分と第2部分とに分けた場合に、
前記第1部分に対向して前記基板上に配置された第1固定電極部と、
前記第2部分に対向して前記基板上に配置された第2固定電極部と、
を含み、
前記第2可動体を前記第2支持軸を境に第3部分と第4部分とに分けた場合に、
前記第3部分に対向して前記基板上に配置され、且つ前記第2固定電極部と電気的に接続された第3固定電極部と、
前記第4部分に対向して前記基板上に配置された第4固定電極部と、
を含んでもよい。
このような物理量センサーでは、例えば、4つの固定電極部の各々に配線が接続されている形態に比べて、配線のレイアウトを単純にすることができる。その結果、このような物理量センサーでは、小型化を図ることができる。
なお、本発明に係る記載では、「電気的に接続」という文言を、例えば、「特定の部材(以下「A部材」という)に「電気的に接続」された他の特定の部材(以下「B部材」という)」などと用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、A部材とB部材とが、直接接して電気的に接続されているような場合と、A部材とB部材とが、他の部材を介して電気的に接続されているような場合とが含まれるものとして、「電気的に接続」という文言を用いている。
[適用例3]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第2固定電極部および前記第3固定電極部は、第1配線により第1パッドに接続され、
前記第1固定電極部および前記第4固定電極部は、第2配線により第2パッドに接続されていてもよい。
このような物理量センサーでは、例えば、4つの固定電極部の各々に配線が接続されている形態に比べて、配線のレイアウトを単純にすることができる。その結果、このような物理量センサーでは、小型化を図ることができる。
[適用例4]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
信号処理回路を備え、
前記信号処理回路は、前記第1パッドの出力信号と前記第2パッドの出力信号との差を演算してもよい。
このような物理量センサーでは、差動検出方式により、加速度や角速度等の向きや大きさ等の物理量を検出することができる。
[適用例5]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第1固定電極部、前記第2固定電極部、前記第3固定電極部、および前記第4固定電極部は同じ基板上に設けられていてもよい。
このような物理量センサーでは、配線のレイアウトを単純にし、小型化を図ることができる。
[適用例6]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板上には、前記第1固定電極部と前記第2固定電極部との間の領域、前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間の領域、および前記第3固定電極部と前記第4固定電極部との間の領域の少なくとも1つに電極が配置されていてもよい。
このような物理量センサーでは、第1可動体や第2可動体と、基板と、の間に働く静電力を抑制して、第1可動体や第2可動体が基板に張り付くことを防ぐことができる。したがって、例えば物理量センサーを製造する際に、第1可動体や第2可動体と、基板と、に電位差が生じ、第1可動体や第2可動体が静電力によって基板側に引っ張られて、第1可動体や第2可動体が基板に張り付いてしまうという問題が生じない。
[適用例7]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第1固定電極部と前記第2固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第1可動体に電気的に接続されていてもよい。
このような物理量センサーでは、第1可動体や第2可動体と、基板と、の間に働く静電力を抑制して、第1可動体や第2可動体が基板に張り付くことを防ぐことができる。
[適用例8]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第1可動体および前記第2可動体の少なくとも一方に電気的に接続されていてもよい。
このような物理量センサーでは、第1可動体や第2可動体と、基板と、の間に働く静電力を抑制して、第1可動体や第2可動体が基板に張り付くことを防ぐことができる。
[適用例9]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第3固定電極部と前記第4固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第2可動体に電気的に接続されていてもよい。
このような物理量センサーでは、第1可動体や第2可動体と、基板と、の間に働く静電力を抑制して、第1可動体や第2可動体が基板に張り付くことを防ぐことができる。
[適用例10]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第1固定電極部、前記第2固定電極部、前記第3固定電極部、および前記第4電極部の各々の両側には前記電極が配置されていてもよい。
このような物理量センサーでは、第1固定電極部と電極との間に発生する寄生容量、第2固定電極部と電極との間に発生する寄生容量、第3固定電極部と電極との間に発生する寄生容量、および第4固定電極部と電極との間に発生する寄生容量を、容易に互いに等し
くすることができる。したがって、差動検出方式を用いて、第1固定電極部、第2固定電極部、第3固定電極部、および第4固定電極部における寄生容量の影響をキャンセルすることができる。
[適用例11]
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記基板には、前記電極とそれに隣り合う固定電極部との間には、溝部が設けられていてもよい。
このような物理量センサーでは、第1可動体および第2可動体と、基板と、の間に働く静電力を抑制し、第1可動体および第2可動体が基板に張り付くことを、より確実に防ぐことができる。
[適用例12]
本適用例に係る電子機器は、
適用例1ないし11のいずれか1例に記載の物理量センサーを含む。
このような電子機器では、本適用例に係る物理量センサーを含むため、小型化を図ることができる。
[適用例13]
本適用例に係る移動体は、
適用例1ないし11のいずれか1例に記載の物理量センサーを含む。
このような移動体では、本適用例に係る物理量センサーを含むため、小型化を図ることができる。
本適用例に係る物理量センサーは、基板と、前記基板上に配置され、第1支持軸まわりに変位可能であり、且つ、第1可動電極部を備え、開口部が設けられた第1可動体と、前記基板上に配置され、第2支持軸まわりに変位可能であり、且つ、第2可動電極部を備えた第2可動体と、平面視で、前記第1可動電極部および前記第2可動電極部に重なって前記基板上に配置されている固定電極部と、前記開口部に設けられ、平面視において前記第1支持軸上に配置され、前記基板に接合された固定部と、平面視において前記第1支持軸上に配置され、前記第1可動体と前記固定部とを接続し、前記第1可動体を前記第1支持軸まわりに変位可能に支持している第1支持部および第2支持部と、を含み、前記固定部の前記基板と離間している部分には、貫通孔が形成され、前記貫通孔は、平面視において、前記第1支持軸上に配置されている。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第1可動体を前記第1支持軸を境に第1部分と第2部分とに分けた場合に、前記第1部分に対向して前記基板上に配置された第1固定電極部と、前記第2部分に対向して前記基板上に配置された第2固定電極部と、を含み、前記第2可動体を前記第2支持軸を境に第3部分と第4部分とに分けた場合に、前記第3部分に対向して前記基板上に配置され、且つ前記第2固定電極部と電気的に接続された第3固定電極部と、前記第4部分に対向して前記基板上に配置された第4固定電極部と、を含んでもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第4固定電極部は、前記第1固定電極部と電気的に接続され、前記第2固定電極部および前記第3固定電極部は、前記固定電極部をなし、前記第1部分の質量は、第2部分の質量よりも大きく、前記第4部分の質量は、第3部分の質量よりも大きくてもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第2固定電極部および前記第3固定電極部は、第1配線により第1パッドに接続され、前記第1固定電極部および前記第4固定電極部は、第2配線により第2パッドに接続されていてもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、信号処理回路を備え、前記信号処理回路は、前記第1パッドの出力信号と前記第2パッドの出力信号との差を演算してもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第1固定電極部、前記第2固定電極部、前記第3固定電極部、および前記第4固定電極部は同じ基板上に設けられていてもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基板上には、前記第1固定電極部と前記第2固定電極部との間の領域、前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間の領域、および前記第3固定電極部と前記第4固定電極部との間の領域の少なくとも1つに電極が配置されていてもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第1固定電極部と前記第2固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第1可動体に電気的に接続されていてもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第1可動体および前記第2可動体の少なくとも一方に電気的に接続されていてもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第3固定電極部と前記第4固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第2可動体に電気的に接続されていてもよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第1固定電極部、前記第2固定電極部、前記第3固定電極部、および前記第4電極部の各々の両側には前記電極が配置されていて
もよい。
本適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基板には、前記電極とそれに隣り合う固定電極部との間には、溝部が設けられていてもよい。
本適用例に係る電子機器は、本適用例に係る物理量センサーを含む。
本適用例に係る移動体は、本適用例に係る物理量センサーを含む。
本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。 本実施形態の第1変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態の第1変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態の第2変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態の第2変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態の第3変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。 本実施形態の第3変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。 本実施形態に係る移動体を模式的に示す斜視図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない
1. 物理量センサー
まず、本実施形態に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す平面図である。図2は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す図1のII−II線断面図である。図3は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す図1のIII−III線断面図である。図4は、本実施形態に係る物理量センサー100を模式的に示す図1のIV−IV線断面図である。なお、便宜上、図1では、蓋体90を透視して図示している。また、図1〜図4では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
物理量センサー100は、図1〜図4に示すように、基板10と、可動体20a,20bと、支持部30,32,34,36と、固定部40,42と、固定電極部50,52,54,56と、電極60と、配線70,72,74と、パッド80,82,84と、蓋体90と、を含む。以下では、物理量センサー100が、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を検出する加速度センサー(静電容量型MEMS加速度センサー)である例について説明する。
基板10の材質は、例えば、ガラス等の絶縁材料である。例えば基板10をガラス等の絶縁材料、可動体20a,20bをシリコン等の半導体材料にすることにより、容易に両者を電気的に絶縁することができ、センサー構造を簡素化することができる。
基板10の表面11には、凹部12が形成されている。凹部12の上方には、間隙を介して、可動体20a,20bおよび支持部30,32,34,36が設けられている。図1に示す例では、凹部12の平面形状(Z軸方向から見た形状)は、長方形である。
基板10は、凹部12の底面(凹部12を規定する基板10の面)14に設けられたポスト部16を有している。ポスト部16は、底面14よりも上方(+Z軸方向)に突出している。ポスト部16の高さと凹部12の深さとは、例えば、等しい。ポスト部16は、2つ設けられている。ポスト部16には、可動体20a,20bに所定の電位を与えるための第3配線74が設けられている。
第1可動体20a、支持部30,32、および固定部40は、一体に設けられている。第1可動体20a、支持部30,32、および固定部40は、第1構造体101を構成している。第1構造体101の材質は、例えば、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。
第1可動体20aは、第1支持軸Q1まわりに変位可能である。具体的には、第1可動体20aは、鉛直方向(Z軸方向)の加速度が加わると、支持部30,32によって決定される第1支持軸Q1を回転軸(揺動軸)としてシーソー揺動する。第1支持軸Q1は、例えば、Y軸と平行である。図示の例では、第1可動体20aの平面形状は、長方形である。第1可動体20aの厚さ(Z軸方向の大きさ)は、例えば、一定である。
第1可動体20aは、第1シーソー片(第1部分)21aと、第2シーソー片(第2部分)22aと、を有している。第1シーソー片21aは、平面視において、第1支持軸Q1によって区画される第1可動体20aの2つの部分のうちの一方(図1では左側に位置する部分)である。第2シーソー片22aは、平面視において、第1支持軸Q1によって区画される第1可動体20aの2つの部分のうちの他方(図1では右側に位置する部分)である。すなわち、第1可動体20aは、第1支持軸Q1を境に、第1シーソー片21a
と第2シーソー片22aとに分けられている。
第1可動体20aに鉛直方向の加速度(例えば重力加速度)が加わった場合、第1シーソー片21aと第2シーソー片22aとの各々に回転モーメント(力のモーメント)が生じる。ここで、第1シーソー片21aの回転モーメント(例えば反時計回りの回転モーメント)と第2シーソー片22aの回転モーメント(例えば時計回りの回転モーメント)が均衡した場合には、第1可動体20aの傾きに変化が生じず、加速度を検出することができない。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、第1シーソー片21aの回転モーメントと、第2シーソー片22aの回転モーメントとが均衡せず、第1可動体20aに所定の傾きが生じるように、第1可動体20aが設計される。
物理量センサー100では、第1支持軸Q1を、第1可動体20aの中心(重心)から外れた位置に配置することによって(第1支持軸Qから各シーソー片21a,22aの先端までの距離を異ならせることによって)、シーソー片21a,22aが互いに異なる質量を有している。すなわち、第1可動体20aは、第1支持軸Q1を境にして、一方側(第1シーソー片21a)と他方側(第2シーソー片22a)とで質量が異なる。図示の例では、第1支持軸Q1から第1シーソー片21aの端面25までの距離は、第1支持軸Q1から第2シーソー片22aの端面26までの距離よりも大きい。また、第1シーソー片21aの厚さと、第2シーソー片22aの厚さとは、等しい。したがって、第1シーソー片21aの質量は、第2シーソー片22aの質量よりも大きい。このように、シーソー片21a,22aが互いに異なる質量を有することにより、鉛直方向の加速度が加わったときに、第1シーソー片21aの回転モーメントと、第2シーソー片22aの回転モーメントと、を均衡させないことができる。したがって、鉛直方向の加速度が加わったときに、第1可動体20aに所定の傾きを生じさせることができる。
なお、図示はしないが、第1支持軸Q1を第1可動体20aの中心に配置し、かつ、シーソー片21a,22aの厚さを互いに異ならせることによって、シーソー片21a,22aが互いに異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合にも、鉛直方向の加速度が加わったときに、第1可動体20aに所定の傾きを生じさせることができる。
第1可動体20aは、基板10と離間して設けられている。第1可動体20aは、凹部12の上方に設けられている。図示の例では、第1可動体20aと基板10との間には、間隙が設けられている。また、第1可動体20aは、支持部30,32によって、固定部40から離間して設けられている。これにより、第1可動体20aは、シーソー揺動することができる。
第1可動体20aは、第1支持軸Q1を境にして設けられた第3可動電極部23aおよび第1可動電極部24aを備えている。第3可動電極部23aは、第1シーソー片21aに設けられている。第1可動電極部24aは、第2シーソー片22aに設けられている。
第3可動電極部23aは、第1可動体20aのうち、平面視において第1固定電極部50と重なる部分である。第3可動電極部23aは、第1固定電極部50との間に静電容量C1を形成する。すなわち、第3可動電極部23aと第1固定電極部50とによって静電容量C1が形成される。
第1可動電極部24aは、第1可動体20aのうち、平面視において第2固定電極部52と重なる部分である。第1可動電極部24aは、第2固定電極部52との間に静電容量C2を形成する。すなわち、第1可動電極部24aと第2固定電極部52とによって静電容量C2が形成される。物理量センサー100では、第1可動体20aが導電性材料(不純物がドープされたシリコン)で構成されることによって、可動電極部23a,24aが
設けられている。すなわち、第1シーソー片21aが第3可動電極部23aとして機能し、第2シーソー片22aが第1可動電極部24aとして機能している。
静電容量C1および静電容量C2は、例えば、図2に示す第1可動体20aが水平な状態で、互いに等しくなるように構成されている。可動電極部23a,24aは、第1可動体20aの動きに応じて位置が変化する。この可動電極部23a,24aの位置に応じて、静電容量C1,C2が変化する。第1可動体20aには、支持部30,32を介して、所定の電位が与えられる。
第1可動体20aには、第1可動体20aを貫通するスリット部27が形成されている。これにより、第1可動体20aが揺動する際の空気の影響(空気の抵抗)を低減することができる。スリット部27は、例えば、複数形成されている。図示の例では、スリット部27の平面形状は、長方形である。
第1可動体20aには、第1可動体20aを貫通する開口部28が形成されている。開口部28には、支持部30,32および固定部40が設けられている。図示の例では、開口部28の平面形状は、長方形である。第1可動体20aは、支持部30,32を介して、固定部40と接続されている。
支持部30,32は、第1可動体20aを第1支持軸Q1まわりに変位可能に支持している。支持部30,32は、トーションバネ(捻りバネ)として機能する。これにより、支持部30,32は、第1可動体20aがシーソー揺動することにより支持部30,32に生じるねじり変形に対して強い復元力を有することができる。
支持部30,32は、平面視において、第1支持軸Q1上に配置されている。支持部30,32は、第1支持軸Q1に沿って延出している。支持部30は、固定部40から+Y軸方向に延出している。支持部32は、固定部40から−Y軸方向に延出している。
固定部40は、開口部28に設けられている。固定部40は、平面視において、第1支持軸Q1上に設けられている。固定部40は、基板10のポスト部16に接合されている。固定部40の(第1構造体101の)材質がシリコンであり、基板10の材質がガラスである場合、固定部40と基板10とは、例えば、陽極接合によって接合される。図示の例では、固定部40の中央部が、基板10に接合されている。
固定部40の基板10と離間している部分には、貫通孔44が形成されている。貫通孔44は、平面視において、第1支持軸Q1上に配置されている。固定部40に貫通孔44を形成することにより、基板10の熱膨張率と第1構造体101の熱膨張率との差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、支持部30,32に与える影響を低減することができる。
物理量センサー100では、第1構造体101は、1つの固定部40によって基板10に固定されている。すなわち、第1構造体101は、基板10に対して1点(1つの固定部40)で固定されている。したがって、例えば構造体が基板に対して2点(2つの固定部)で固定されている形態と比べて、基板10の熱膨張率と第1構造体101の熱膨張率との差によって生じる応力や、実装時に装置に加わる応力等が、支持部30,32に与える影響を低減することができる。
なお、図示はしないが、固定部40は、表面11の、第1可動体20aの+Y軸方向に位置する部分、および第1可動体20aの−Y軸方向に位置する部分に設けられていてもよい。この場合、第1可動体20aには開口部28は形成されていなくてもよい。
第2可動体20b、支持部34,36、および固定部42は、一体に設けられている。第2可動体20b、支持部34,36、および固定部42は、第2構造体102を構成している。第2構造体102の材質は、第1構造体101の材質と同じである。
第2可動体20bは、第3シーソー片(第3部分)21bと、第4シーソー片(第4部分)22bと、を有している。第3シーソー片21bは、平面視において、第2支持軸Q2によって区画される第2可動体20bの2つの部分のうちの一方(図1では左側に位置する部分)である。第4シーソー片22bは、平面視において、第2支持軸Q2によって区画される第2可動体20bの2つの部分のうちの他方(図1では右側に位置する部分)である。すなわち、第2可動体20bは、第2支持軸Q2を境に、第3シーソー片21bと第4シーソー片22bとに分けられている。
第2可動体20bは、第2支持軸Q2まわりに変位可能である。第2可動体20bは、第2支持軸Q2を境にして設けられた第2可動電極部23bおよび第4可動電極部24bを備えている。第2可動電極部23bは、第3シーソー片21bに設けられている。第2可動電極部23bは、第2可動体20bのうち、平面視において第3固定電極部54と重なる部分である。第2可動電極部23bは、第3固定電極部54との間に静電容量C3を形成する。第4可動電極部24bは、第4シーソー片22bに設けられている。第4可動電極部24bは、第2可動体20bのうち、平面視において第4固定電極部56と重なる部分である。第4可動電極部24bは、第4固定電極部56との間に静電容量C4を形成する。
第2可動体20b、支持部34,36、および固定部42によって構成される第2構造体102は、例えば、第1可動体20a、支持部30,32、および固定部40によって構成される第1構造体101と、仮想直線(平面視において凹部12の中心Cを通り、Y軸に平行な直線)Lに関して対称に配置されている。第2構造体102を構成する部材の説明は、上述した第1構造体101を構成する部材の説明を適用することができる。図1に示す例では、可動電極部23a,23b,24a,24bは、第3可動電極部23a、第1可動電極部24a、第2可動電極部23b、第4可動電極部24bの順で、X軸方向に配列されている。
第1固定電極部50は、基板10上に設けられている。第1固定電極部50は、第3可動電極部23aに対向して配置されている。第1固定電極部50の上方には、間隙を介して、第3可動電極部23aが位置している。第1可動体20aを、第1支持軸Q1を境に第1シーソー片21aと第2シーソー片22aとに分けた場合に、第1固定電極部50は、第1シーソー片21aに対向して基板10上に配置されている。
第2固定電極部52は、基板10上に設けられている。第2固定電極部52は、第1可動電極部24aに対向して配置されている。第2固定電極部52の上方には、間隙を介して、第1可動電極部24aが位置している。第1可動体20aを、第1支持軸Q1を境に第1シーソー片21aと第2シーソー片22aとに分けた場合に、第2固定電極部52は、第2シーソー片22aに対向して基板10上に配置されている。
第3固定電極部54は、基板10上に設けられている。第3固定電極部54は、第2可動電極部23bに対向して配置されている。第3固定電極部54の上方には、間隙を介して、第2可動電極部23bが位置している。第2可動体20bを、第2支持軸Q2を境に第3シーソー片21bと第4シーソー片22bとに分けた場合に、第3固定電極部54は、第3シーソー片21bに対向して基板10上に配置されている。
第3固定電極部54は、第2固定電極部52と共通電極53をなす。第3固定電極部54は、第2固定電極部52と電気的に接続されている。第3固定電極部54は、第2固定電極部52と一体に設けられている。共通電極53は、平面視において、可動電極部23b,24aに重なって基板10上に配置されている。固定電極部52,54間には、第3電極63が設けられている。図示の例では、共通電極53の、固定電極部52,54間の領域に切欠き部5が設けられ、第3電極63は、切欠き部5に設けられている。
第4固定電極部56は、基板10上に設けられている。第4固定電極部56は、第4可動電極部24bに対向して配置されている。第4固定電極部56の上方には、間隙を介して、第4可動電極部24bが位置している。第2可動体20bを、第2支持軸Q2を境に第3シーソー片21bと第4シーソー片22bとに分けた場合に、第4固定電極部56は、第4シーソー片22bに対向して基板10上に配置されている。固定電極部50,52,54,56は、同じ基板10上に設けられている。
第1固定電極部50は、電極61,62間に設けられている。第2固定電極部52は、電極61,63間に設けられている。第3固定電極部54は、電極63,64間に設けられている。第4固定電極部56は、電極64,65間に設けられている。すなわち、固定電極部50,52,54,56の各々の両側には、電極60が配置されている。固定電極部50,52,54,56の各々に隣り合う電極60の数は、2つである。このように、物理量センサー100では、第1固定電極部50に隣り合う電極60の数、第2固定電極部52に隣り合う電極60の数、第3固定電極部54に隣り合う電極60の数、および第4固定電極部56に隣り合う電極60の数は、互いに等しい。
第1固定電極部50の第1可動体20aと対向する部分の面積、第2固定電極部52の第1可動体20aと対向する部分の面積、第3固定電極部54の第2可動体20bと対向する部分の面積、および第4固定電極部56の第2可動体20bと対向する部分の面積は、例えば、互いに等しい。
なお、図示はしないが、蓋体90の、第3可動電極部23aに対向する位置に第1固定電極部50が設けられ、蓋体90の、第1可動電極部24aに対向する位置に第2固定電極部52が設けられ、蓋体90の、第2可動電極部23bに対向する位置に第3固定電極部54が設けられ、蓋体90の、第4可動電極部24bに対向する位置に第4固定電極部56が設けられていてもよい。
電極60は、基板10上に設けられている。図示の例では、電極60は、凹部12の底面14に設けられている。電極60は、複数設けられている。電極60は、可動体20a,20bと電気的に接続されている。そのため、物理量センサー100では、電極60と可動体20a,20bとを等電位にすることができる。これにより、電極60は、構造体101,102と(可動体20a,20bと)基板10との間に働く静電力を抑制することができる。
複数の電極60のうちの第1電極61は、基板10の第1固定電極部50と第2固定電極部52との間の領域に設けられている。第1電極61は、第1可動体20aと支持部30,32と対向して設けられている。すなわち、第1電極61は、平面視において、第1可動体20aおよび支持部30,32と重なっている。第1電極61上には、間隙を介して、第1可動体20aおよび支持部30,32が位置している。第1電極61の一部は、ポスト部16の表面に設けられ、固定部40に接続されている。
複数の電極60のうちの第2電極62は、平面視において基板10の第1シーソー片21aと重なる領域であって、第1固定電極部50の−X軸方向の領域に設けられている。
第2電極62は、第1シーソー片21aと対向して配置されている。第2電極62上には、間隙を介して、第1シーソー片21aが位置している。
複数の電極60のうちの第3電極63は、基板10の第2固定電極部52と第3固定電極部54との間の領域に設けられている。第3電極63は、例えば、平面視において可動体20a,20bと重ならない位置に配置されている。
複数の電極60のうちの第4電極64は、基板10の第3固定電極部54と第4固定電極部56との間の領域に設けられている。第4電極64は、第2可動体20bと支持部34,36と対向して設けられている。すなわち、第4電極64は、平面視において、第2可動体20bおよび支持部34,36と重なっている。第4電極64上には、間隙を介して、第2可動体20bおよび支持部34,36が位置している。第4電極64の一部は、ポスト部16の表面に設けられ、固定部42に接続されている。
複数の電極60のうちの第5電極65は、平面視において基板10の第4シーソー片22bと重なる領域であって、第4固定電極部56の+X軸方向の領域に設けられている。第5電極65は、第4シーソー片22bと対向して配置されている。第5電極65上には、間隙を介して、第4シーソー片22bが位置している。
固定電極部50,56、共通電極53、および電極60(以下、「固定電極部50等」ともいう)の材質は、例えば、アルミニウム、金、ITO(Indium Tin Oxide)等である。固定電極部50等の材質は、ITO等の透明電極材料であることが望ましい。固定電極部50等の材質として、透明電極材料を用いることにより、基板10が透明基板(ガラス基板)である場合、固定電極部50等上に存在する異物等を容易に視認することができるためである。
第1配線70は、基板10上に設けられている。第1配線70は、基板10上に設けられた第1パッド80と、共通電極53と、を接続している。すなわち、固定電極部52,54は、第1配線70により第1パッド80に接続されている。第1配線70は、リンやボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコン層からなるシリコン部70aと、金属層からなる金属部70bと、シリコン部70aと金属部70bとを接続するコンタクト部70cと、を有している。
第1配線70のシリコン部70aは、基板10の表面11に設けられている。シリコン部70aは、基板10に接合されている。金属部70bは、表面11に形成された溝部17aの底面、および凹部12の底面14に設けられている。図示の例では、シリコン部70aは、コンタクト部70cを介して、第1パッド80および金属部70bに接続されている。金属部70bは、共通電極53に接続されている。金属部70bの材質は、例えば、アルミニウム、金、ITO(Indium Tin Oxide)等である。コンタクト部70cの材質は、例えば、アルミニウム、金、白金である。
第2配線72は、基板10上に設けられている。具体的には、第2配線72は、基板10の表面11に形成された溝部18の底面、および凹部12の底面14に設けられている。第2配線72は、基板10に設けられた第2パッド82と、固定電極部50,56と、を接続している。すなわち、固定電極部50,56は、第2配線72により第2パッド82に接続されている。第2配線72は、第2パッド82から延出して分岐し、固定電極部50,56に接続されている。第2配線72は、例えば金属層からなり、より具体的には、第2配線72の材質は、第1配線70の金属部70bの材質と同じである。
配線70,72は、平面視において、交差部71において互いに交差している。交差部
71において、配線70,72のうちの一方は、基板10上に設けられたシリコン層であり、配線70,72のうちの他方は、基板10に形成された溝部に設けられた金属層である。図示の例では、交差部71において、第1配線70は、基板10上に設けられたシリコン部70a(シリコン層)であり、第2配線72は、基板10に形成された溝部18に設けられた金属層である。
なお、図示はしないが、交差部71において、第1配線70は、基板10に形成された溝部に設けられ金属層であり、第2配線72は、基板10上に設けられたシリコン層であってもよい。また、図示はしないが、配線70,72は、ともに溝部に設けられた金属層であってもよく、交差部71において、配線70,72間に絶縁層が設けられることにより、配線70,72は、分離していてもよい。
配線70,72は、互いに並走している並走部73を有している。並走部73において、配線70,72のうちの一方は、基板10上に設けられたシリコン層であり、配線70,72のうちの他方は、基板10に形成された溝部に設けられた金属層である。図示の例では、並走部73において、第1配線70は、基板10上に設けられたシリコン部70a(シリコン層)であり、第2配線72は、基板10に形成された溝部18に設けられた金属層である。ここで、「互いに並走している並走部73」とは、配線70,72間に可動体20a,20bおよび他の配線が存在しない部分であって、配線70,72の互いに平行に延出している部分である。図示の例では、並走部73は、第1配線70のX軸方向に延出している部分、および第2配線72のX軸方向に延出している部分である。
なお、図示はしないが、並走部73において、第1配線70は、基板10に形成された溝部に設けられた金属層であり、第2配線72は、基板10上に設けられたシリコンシリコン層であってもよい。
第3配線74は、基板10上に設けられている。具体的には、第3配線74は、基板10の表面11に形成された溝部19の底面、および凹部12の底面14に設けられている。第3配線74は、基板10に設けられた第3パッド84と、電極60と、を接続している。すなわち、電極60は、第3配線74により第3パッド84に接続されている。第3配線74は、第3パッド84から延出して分岐し、電極60に接続されている。第3配線74の材質は、例えば金属層からなり、より具体的には、第3配線74の材質は、第1配線70の金属部70bの材質と同じである。なお、第3配線74の一部は、シリコン層から構成されていてもよい。
パッド80,82,84は、基板10上に設けられている。図示の例では、パッド80,82,84は、それぞれ、溝部17b,18,19に設けられ、配線70,72,74に接続されている。パッド80,82,84は、平面視において、蓋体90と重ならない位置に設けられている。パッド80,82,84の材質は、例えば、固定電極部50等と同じである。
蓋体90は、基板10上に(表面11に)設けられている。蓋体90は、基板10に接合されている。蓋体90および基板10は、可動体20a,20bを収容するキャビティー92を形成している。キャビティー92は、例えば、不活性ガス(例えば窒素ガス)雰囲気である。蓋体90の材質は、例えば、シリコンである。蓋体90の材質がシリコンであり、基板10の材質がガラスである場合、基板10と蓋体90とは、例えば陽極接合によって接合される。
次に、物理量センサー100の動作について説明する。
物理量センサー100では、加速度、角速度等の物理量に応じて、第1可動体20aが第1支持軸Q1まわりに揺動し、第2可動体20bが第2支持軸Q2まわりに揺動する。第1可動体20aの動きに伴って、第3可動電極部23aと第1固定電極部50との間の距離、および第1可動電極部24aと第2固定電極部52との間の距離が変化する。第2可動体20bの動きに伴って、第2可動電極部23bと第3固定電極部54との間の距離、および第4可動電極部24bと第4固定電極部56との間の距離が変化する。
具体的には、例えば鉛直上向き(+Z軸方向)の加速度が物理量センサー100に加わると、第1可動体20aは反時計回りに回転し、第3可動電極部23aと第1固定電極部50との間の距離が小さくなり、第1可動電極部24aと第2固定電極部52との間の距離が大きくなる。この結果、静電容量C1が大きくなり、静電容量C2が小さくなる。また、第2可動体20bは時計回りに回転し、第2可動電極部23bと第3固定電極部54との間の距離が大きくなり、第4可動電極部24bと第4固定電極部56との間の距離が小さくなる。この結果、静電容量C3が小さくなり、静電容量C4が大きくなる。
例えば鉛直下向き(−Z軸方向)の加速度が物理量センサー100に加わると、第1可動体20aは時計回りに回転し、第3可動電極部23aと第1固定電極部50との間の距離が大きくなり、第1可動電極部24aと第2固定電極部52との間の距離が小さくなる。この結果、静電容量C1が小さくなり、静電容量C2が大きくなる。また、第2可動体20bは反時計回りに回転し、第2可動電極部23bと第3固定電極部54との間の距離が小さくなり、第4可動電極部24bと第4固定電極部56との間の距離が大きくなる。この結果、静電容量C3が大きくなり、静電容量C4が小さくなる。
物理量センサー100では、パッド80,84を用いて静電容量C2と静電容量C3との合計C2+C3を検出し、パッド82,84を用いて静電容量C1と静電容量C4との合計C1+C4を検出する。そして、C2+C3とC1+C4との差に基づいて(いわゆる差動検出方式により)、加速度や角速度等の向きや大きさ等の物理量を検出することができる。具体的には、物理量センサー100は、信号処理回路(図示せず)を備え、該信号処理回路は、第1パッド80の出力信号と第2パッド84の出力信号との差を演算して、差動検出方式により、加速度や角速度等の向きや大きさ等の物理量を検出することができる。
上述のように、物理量センサー100は、加速度センサーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができる。具体的には、物理量センサー100は、鉛直方向(Z軸方向)の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。また、物理量センサー100は、構造体101,102を有していることにより、検出方向(Z軸方向)以外の方向(例えばX軸方向)に検出感度をもつことによる誤差を、信号処理によってキャンセルすることができる。その結果、Z軸方向の検出感度をより向上させることができる。
物理量センサー100は、例えば、以下の特徴を有する。
物理量センサー100では、基板10と、基板10上に配置され、第1支持軸Q1まわりに変位可能であり、且つ、第1可動電極部24aを備えた第1可動体20aと、基板10上に配置され、第2支持軸Q2まわりに変位可能であり、且つ、第2可動電極部23bを備えた第2可動体20bと、平面視で、第1可動電極部24aおよび第2可動電極部23bに重なって基板10上に配置されている固定電極部(共通電極)53と、を含む。
具体的には、物理量センサー100は、第1可動体20aを第1支持軸Q1を境に第1シーソー片(第1部分)21aと第2シーソー片(第2部分)22aとに分けた場合に、
第1シーソー片21a対向して基板10上に配置された第1固定電極部50と、第2シーソー片22aに対向して基板10上に配置された第2固定電極部52と、を含み、第2可動体20bを第2支持軸Q2を境に第3シーソー片(第3部分)21bと第4シーソー片(第4部分)22bとに分けた場合に、第3シーソー片21bに対向して基板10上に配置され、且つ第2固定電極部52と電気的に接続された第3固定電極部54と、第4シーソー片22b対向して基板10上に配置された第4固定電極部56と、を含む。
そして、物理量センサー100では、固定電極部52,54は、第1配線70により第1パッド80に接続され、固定電極部50,56は、第2配線72により第2パッド82に接続されている。すなわち、固定電極部52,54は、共通電極53をなし、第1配線70は、第1パッド80と共通電極53とを接続し、第2配線72は、第2パッド82と固定電極部50,56とを接続している。そのため、物理量センサー100では、例えば、4つの固定電極部の各々に配線が接続されている形態(4つの固定電極部の各々から配線を引き出している形態)に比べて、配線のレイアウトを単純にすることができる。その結果、物理量センサー100では、小型化を図ることができる。
物理量センサー100では、信号処理回路を備え、信号処理回路は、第1パッド80の出力信号と第2パッド82の出力信号との差を演算する。これにより、物理量センサー100では、検出方向(Z軸方向)以外の方向(例えばX軸方向)に検出感度をもつことによる誤差を、信号処理によってキャンセルすることができる。その結果、Z軸方向の検出感度をより向上させることができる。
物理量センサー100では、基板10上には、第1固定電極部50と第2固定電極部52との間の領域、第2固定電極部52と第3固定電極部54との間の領域、および第3固定電極部54と第4固定電極部56との間の領域の少なくとも1つに電極60が配置されている。そして、固定電極部50,52間に配置された電極60は、第1可動体20aに電気的に接続されている。固定電極部52,54間に配置された電極60は、第1可動体20aおよび第2可動体20bの少なくとも一方に電気的に接続されている。固定電極部54,56間に配置された電極60は、第2可動体20bに電気的に接続されている。これにより、物理量センサー100では、可動体20a,20bおよび支持部30,32,34,36と、基板10と、の間に働く静電力を抑制して、可動体20a,20bが基板10に張り付くことを防ぐことができる。したがって、例えば物理量センサー100を製造する際に、可動体20a,20bおよび支持部30,32,34,36と、基板10と、に電位差が生じ、可動体20a,20bおよび支持部30,32,34,36が静電力によって基板10側に引っ張られて、可動体20a,20bが基板10に張り付いてしまうという問題が生じない。
物理量センサー100では、固定電極部50,52,54,56の各々の両側には電極60が配置されている。すなわち、第1固定電極部50に隣り合う電極60の数、第2固定電極部52に隣り合う電極60の数、第3固定電極部54に隣り合う電極60の数、および第4固定電極部56に隣り合う電極60の数は、互いに等しい。そのため、第1固定電極部50と電極60との間に発生する寄生容量、第2固定電極部52と電極60との間に発生する寄生容量、第3固定電極部54と電極60との間に発生する寄生容量、および第4固定電極部56と電極60との間に発生する寄生容量を、容易に互いに等しくすることができる。したがって、差動検出方式を用いて、固定電極部50,52,54,56における寄生容量の影響をキャンセルすることができる。
物理量センサー100では、配線70,72の互いに交差している交差部71において、配線70,72のうちの一方は、基板10上に設けられたシリコン層であり、配線70,72のうちの他方は、基板10に形成された溝部に設けられた金属層である。そのため
、物理量センサー100では、第1配線70と第2配線72とが短絡することを防止することができる。さらに、交差部71において、配線70,72間に絶縁層を形成する必要がなく、製造工程の簡素化を図ることができる。
物理量センサー100では、配線70,72の並走部73において、配線70,72のうちの一方は、基板10上に設けられ、配線70,72のうちの他方は、基板10に形成された溝部に設けられた金属層である。そのため、物理量センサー100では、並走部73における配線70,72間の寄生容量を、小さくすることができる。例えば、並走部において両配線とも、基板上に形成されたシリコン層であったり、溝部に設けられた金属層であったりする場合は、両配線の間の寄生容量が大きくなる。
1.2. 物理量センサーの製造方法
次に、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図5〜図7は、本実施形態に係る物理量センサー100の製造工程を模式的に示す断面図であって、図2に対応している。
図5に示すように、例えばガラス基板をパターニングして、凹部12、ポスト部16、および溝部17a,17b,18,19が形成された基板10を形成する。ガラス基板のパターニングは、例えばフォトリソグラフィーおよびエッチングにより行われる。
次に、凹部12の底面14に、固定電極部50,56、共通電極53、および電極60を形成する。固定電極部50,56、共通電極53、および電極60は、スパッタ法等により底面14上に導電層を成膜した後、当該導電層をフォトリソグラフィーおよびエッチングによりパターニングすることで形成される。本工程において、固定電極部52,54は、共通電極53として一体的に形成される。
次に、溝部17a,18,19に、それぞれ金属部70b、配線72,74を形成する。次に、溝部17b,18,19に、パッド80,82,84を形成する。次に、金属部70b上および第1パッド80上にコンタクト部70cを形成する。金属部70b、コンタクト部70c、配線72,74、およびパッド80,82,84は、スパッタ法等により導電層を成膜した後、当該導電層をフォトリソグラフィーおよびエッチングによりパターニングすることで形成される。
なお、固定電極部50,56、共通電極53、および電極60を形成する工程、金属部70b、配線72,74を形成する工程、およびパッド80,82,84を形成する工程は、その順序を問わない。
図6に示すように、基板10に、シリコン基板2を接合する。基板10とシリコン基板2との接合は、例えば、陽極接合によって行われる。
図7に示すように、シリコン基板2を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、パターニングして、第1可動体20a、支持部30,32、および固定部40を一体的に形成し、さらに第2可動体20b、支持部34,36、および固定部42を一体的に形成する。さらに、本工程において、シリコン部70aを形成する。これにより、第1配線70を形成することができる。パターニングは、フォトリソグラフィーおよびエッチング(ドライエッチング)によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ(Bosch)法を用いることができる。
図2に示すように、基板10に蓋体90を接合して、基板10および蓋体90によって形成されるキャビティー92に可動体20a,20bを収容する。基板10と蓋体90と
の接合は、例えば、陽極接合によって行われる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、キャビティー92に不活性ガスを充填することができる。
本工程において、基板10に蓋体90を接合する際に、第1構造体101と基板10との間、および第2構造体102と基板10との間には、大きな電位差が生じる。しかし、物理量センサー100では、電極60によって、可動体20a,20bおよび支持部30,32,34,36と、基板10と、の間に働く静電力を抑制することができる。したがって、可動体20a,20bが基板10に張り付くことを防ぐことができる。
以上の工程により、物理量センサー100を製造することができる。
1.3. 変形例
次に、本実施形態の変形例に係る物理量センサーについて、図面を参照しながら説明する。以下に示す各変形例に係る物理量センサー200,300,400において、上述した物理量センサー100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
(1)第1変形例
まず、第1変形例について説明する。図8は、第1変形例に係る物理量センサー200を模式的に示す平面図である。図9は、第1変形例に係る物理量センサー200を模式的に示す図8のIX−IX線断面図である。なお、便宜上、図8では、蓋体90を透視して図示している。また、図8,9および以下に示す図10〜図13では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
物理量センサー200では、図8および図9に示すように、基板10に溝部210が形成されている。
溝部210は、複数形成されている。溝部210は、基板10の、第1固定電極部50と、第1固定電極部50に隣り合う電極60と、の間の領域、第2固定電極部52と、第2固定電極部52に隣り合う電極60と、の間の領域、第3固定電極部54と、第3固定電極部54に隣り合う電極60と、の間の領域、および第4固定電極部56と、第4固定電極部56に隣り合う電極60と、の間の領域に形成されている。
具体的には、溝部210は、基板10の、第1固定電極部50と電極61,62との間の領域、第2固定電極部52と電極61,63との間の領域、第3固定電極部54と電極63,64との間の領域、および第4固定電極部56と電極64,65との間の領域に形成されている。すなわち、物理量センサー200では、基板10には、電極60とそれに隣り合う固定電極部50,52,54,56との間には、溝部210が設けられている。
溝部210は、凹部12の底面14に形成されている。溝部210は、凹部12の底面14よりも、第1可動体20aまたは第2可動体20bとの間の距離が大きい底面(第1可動体20aまたは第2可動体20bに対向する面)を有している。溝部210を形成することによって、基板10と可動体20a,20bとの間の距離(Z軸方向における距離)を大きくすることができる。ここで、静電力の大きさは、距離の2乗に反比例する。そのため、溝部210を形成することで、基板10と可動体20a,20bとの間に働く静電力を抑制することができる。
なお、溝部210の深さは、静電力によって基板10と可動体20a,20bとが張り付かないような深さであれば、特に限定されない。
物理量センサー200では、溝部210によって、可動体20a,20bおよび支持部30,32,34,36と、基板10と、の間に働く静電力を抑制し、可動体20a,20bが基板10に張り付くことを、より確実に防ぐことができる。
物理量センサー200の製造方法は、凹部12の底面14にエッチングにより溝部210を形成する工程を追加する点を除いて、上述した物理量センサー100の製造方法と同様であり、その説明を省略する。
(2)第2変形例
次に、第2変形例について説明する。図10は、第2変形例に係る物理量センサー300を模式的に示す平面図である。図11は、第2変形例に係る物理量センサー300を模式的に示す図10のXI−XI線断面図である。なお、便宜上、図10では、蓋体90を透視して図示している。
物理量センサー300では、図10および図11に示すように、固定電極部50,52,54,56および電極60には、それぞれ突起部69が設けられている。
突起部69は、固定電極部50,52,54,56および電極60から上方に(第1可動体20aまたは第2可動体20b側に)向けて突出している。突起部69の形状は、例えば、錘状である。突起部69は、平面視において、第1可動体20aまたは第2可動体20bと重なる領域に設けられている。突起部69の数や位置は特に限定されない。図示の例では、突起部69は、底面14の露出した領域(固定電極部50,52,54,56および電極60が設けられていない領域)の両側に設けられている。具体的には、突起部69は、固定電極部50,52,54,56の四隅、電極61,64の四隅、電極62の第1固定電極部50側の端部、および電極65の第4固定電極部56側の端部に設けられている。
物理量センサー300では、固定電極部50,52,54,56および電極60には、それぞれ突起部69が設けられている。これにより、可動体20a,20bが基板10に張り付くことを防ぐことができる。
物理量センサー300の製造方法は、凹部12を形成する際に、底面14に突起が形成されるようにエッチングし、該突起上に固定電極部50,52,54,56および電極60となる導電層を成膜して突起部69を形成する点を除いて、上述した物理量センサー100の製造方法と同様であり、その説明を省略する。
(3)第3変形例
次に、第3変形例について説明する。図12は、第3変形例に係る物理量センサー400を模式的に示す平面図である。図13は、第3変形例に係る物理量センサー400を模式的に示す図12のXIII−XIII線断面図である。なお、便宜上、図12では、蓋体90を透視して図示している。
物理量センサー400では、図12および図13に示すように、第1可動体20aには、基板10の第1固定電極部50と電極61,62との間の領域と対向するスリット部27が形成されている。また、第1可動体20aには、第2固定電極部52と第1電極61との間の領域と対向するスリット部27が形成されている。
第2可動体20bには、基板10の第3固定電極部54と第4電極64との間の領域と対向するスリット部27が形成されている。また、第2可動体20bには、第4固定電極部56と電極64,65との間の領域と対向するスリット部27が形成されている。
物理量センサー400では、底面14の露出した領域と対向するスリット部27が形成されている。これにより、可動体20a,20bと基板10との間に働く静電力を抑制して、可動体20a,20bが基板10に張り付くことを防ぐことができる。
(4)第4変形例
次に、第4変形例について説明する。図示はしないが、第4変形例に係る物理量センサーは、上述した図8および図9に示す溝部210、図10および図11に示す突起部69、および図12および図13に示すスリット部27を含んで構成されている。これにより、可動体20a,20bが基板10に張り付くことを、より確実に防ぐことができる。
4. 電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー100を含む電子機器について、説明する。
図14は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100を模式的に示す斜視図である。
図14に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を有する表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター1100には、物理量センサー100が内蔵されている。
図15は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機(PHSも含む)1200を模式的に示す斜視図である。
図15に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。
このような携帯電話機1200には、物理量センサー100が内蔵されている。
図16は、第3実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ1300を模式的に示す斜視図である。なお、図16には、外部機器との接続についても簡易的に示している。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCC
Dなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ1300には、物理量センサー100が内蔵されている。
以上のような電子機器1100,1200,1300は、物理量センサー100を含むため、小型化を図ることができる。
なお、物理量センサー100を備えた電子機器は、図14に示すパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図15に示す携帯電話機、図16に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ヘッドマウントディスプレイ、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類)、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
5. 移動体
次に、本実施形態に係る移動体について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る移動体は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量センサーとして、物理量センサー100を含む移動体について、説明する。
図17は、本実施形態に係る移動体として、自動車1500を模式的に示す斜視図である。
自動車1500には、物理量センサー100が内蔵されている。具体的には、図17に示すように、自動車1500の車体1502には、自動車1500の加速度を検知する物理量センサー100を内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit)1504が搭載されている。また、物理量センサー100は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、に広く適用することができる。
自動車1500は、物理量センサー100を含むため、小型化を図ることができる。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
2…シリコン基板、5…切欠き部、10…基板、11…表面、12…凹部、14…底面、16…ポスト部、17a,17b,18,19…溝部、20a…第1可動体、20b…第2可動体、21a…第1シーソー片、21b…第3シーソー片、22a…第2シーソー片、22b…第4シーソー片、23a…第3可動電極部、23b…第2可動電極部、24a…第1可動電極部、24b…第4可動電極部、25,26…端面、27…スリット部、28…開口部、30,32,34,36…支持部、40,42…固定部、44…貫通孔、50…第1固定電極部、52…第2固定電極部、53…共通電極、54…第3固定電極部、56…第4固定電極部、60…電極、61…第1電極、62…第2電極、63…第3電極、64…第4電極、65…第5電極、69…突起部、70…第1配線、70a…シリコン部、70b…金属部、70c…コンタクト部、71…交差部、72…第2配線、73…並走部、74…第3配線、80…第1パッド、82…第2パッド、84…第3パッド、90…蓋体、100,200…物理量センサー、210…溝部、300,400…物理量センサー、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1300…デジタルスチルカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1312…ビデオ信号出力端子、1314…入出力端子、1430…テレビモニター、1440…パーソナルコンピューター、1500…自動車、1502…車体、1504…電子制御ユニット

Claims (14)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置され、第1支持軸まわりに変位可能であり、且つ、第1可動電極部を備え、開口部が設けられた第1可動体と、
    前記基板上に配置され、第2支持軸まわりに変位可能であり、且つ、第2可動電極部を備えた第2可動体と、
    平面視で、前記第1可動電極部および前記第2可動電極部に重なって前記基板上に配置されている固定電極部と、
    前記開口部に設けられ、平面視において前記第1支持軸上に配置され、前記基板に接合された固定部と、
    平面視において前記第1支持軸上に配置され、前記第1可動体と前記固定部とを接続し、前記第1可動体を前記第1支持軸まわりに変位可能に支持している第1支持部および第2支持部と、
    を含み、
    前記固定部の前記基板と離間している部分には、貫通孔が形成され、
    前記貫通孔は、平面視において、前記第1支持軸上に配置されている、物理量センサー。
  2. 請求項1において、
    前記第1可動体を前記第1支持軸を境に第1部分と第2部分とに分けた場合に、
    前記第1部分に対向して前記基板上に配置された第1固定電極部と、
    前記第2部分に対向して前記基板上に配置された第2固定電極部と、
    を含み、
    前記第2可動体を前記第2支持軸を境に第3部分と第4部分とに分けた場合に、
    前記第3部分に対向して前記基板上に配置され、且つ前記第2固定電極部と電気的に接続された第3固定電極部と、
    前記第4部分に対向して前記基板上に配置された第4固定電極部と、
    を含む、物理量センサー。
  3. 請求項2において、
    前記第4固定電極部は、前記第1固定電極部と電気的に接続され、
    前記第2固定電極部および前記第3固定電極部は、前記固定電極部をなし、
    前記第1部分の質量は、第2部分の質量よりも大きく、
    前記第4部分の質量は、第3部分の質量よりも大きい、物理量センサー。
  4. 請求項2または3において、
    前記第2固定電極部および前記第3固定電極部は、第1配線により第1パッドに接続され、
    前記第1固定電極部および前記第4固定電極部は、第2配線により第2パッドに接続されている、物理量センサー。
  5. 請求項において、
    信号処理回路を備え、
    前記信号処理回路は、前記第1パッドの出力信号と前記第2パッドの出力信号との差を演算する、物理量センサー。
  6. 請求項2ないしのいずれか1項において、
    前記第1固定電極部、前記第2固定電極部、前記第3固定電極部、および前記第4固定電極部は同じ基板上に設けられている、物理量センサー。
  7. 請求項において、
    前記基板上には、前記第1固定電極部と前記第2固定電極部との間の領域、前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間の領域、および前記第3固定電極部と前記第4固定電極部との間の領域の少なくとも1つに電極が配置されている、物理量センサー。
  8. 請求項において、
    前記第1固定電極部と前記第2固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第1可動体に電気的に接続されている、物理量センサー。
  9. 請求項またはにおいて、
    前記第2固定電極部と前記第3固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第1可動体および前記第2可動体の少なくとも一方に電気的に接続されている、物理量センサー。
  10. 請求項ないしのいずれか1項において、
    前記第3固定電極部と前記第4固定電極部との間に配置された前記電極は、前記第2可動体に電気的に接続されている、物理量センサー。
  11. 請求項ないし10のいずれか1項において、
    前記第1固定電極部、前記第2固定電極部、前記第3固定電極部、および前記第4電極部の各々の両側には前記電極が配置されている、物理量センサー。
  12. 請求項ないし11のいずれか1項において、
    前記基板には、前記電極とそれに隣り合う固定電極部との間には、溝部が設けられている、物理量センサー。
  13. 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。
  14. 請求項1ないし12のいずれか1項に記載の物理量センサーを含む、移動体。
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