JP2013216528A - Iii族窒化物半導体基板およびiii族窒化物半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】a面をc面と重なる方向及びm面と重なる方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面である第1の面と、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面である第2の面とを露出面として有するIII族窒化物半導体の複数の個片を準備する準備工程S10と、第2の面が露出するとともに、第1の面が他の個片の第1の面と対向し、隣接する個片間の第1の面同士が対向する第1の方向の間隔が、隣接する個片間の第1の方向と直交する方向の間隔よりも小さくなるように、複数の個片を配置する配置工程S20と、複数の個片各々の第2の面からIII族窒化物半導体を成長させるとともに、成長したIII族窒化物半導体同士を接合させて、III族窒化物半導体の層を形成する成長工程S30と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。
【選択図】図1
Description
a面、及び、a面をc面と重なる方向及びm面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第1の面と、m面、及び、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第2の面とを露出面として有するIII族窒化物半導体の複数の個片を準備する準備工程と、
前記第1の面及び前記第2の面のいずれか一方を成長面、他方を側壁面と定め、前記成長面が露出するとともに、前記側壁面が他の前記個片の前記側壁面と対向し、隣接する前記個片間の前記側壁面同士が対向する第1の方向の間隔が、隣接する前記個片間の前記第1の方向と直交する方向の間隔よりも小さくなるように、複数の前記個片を支持基板の載置面に並べて配置する配置工程と、
前記配置工程の後、複数の前記個片各々の前記成長面からIII族窒化物半導体を成長させるとともに、少なくとも一部の複数の前記個片から成長した前記III族窒化物半導体同士を接合させて、III族窒化物半導体の層を形成する成長工程と、
を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。
a面、及び、a面をc面と重なる方向及びm面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第1の面と、m面、及び、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第2の面とを露出面として有するIII族窒化物半導体の複数の個片が並んでいる支持層と、
複数の前記個片各々から成長し、接合して一体となったIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記支持層の複数の前記個片は、
前記第1の面及び前記第2の面のいずれか一方である側壁面が隣接する前記個片の前記側壁面と対向し、かつ、隣接する前記個片間の前記側壁面同士が対向する第1の方向の間隔が、隣接する前記個片間の前記第1の方向と直交する方向の間隔よりも小さくなるように並んでおり、
前記第1の面及び前記第2の面の他方である成長面から、前記III族窒化物半導体層が成長しているIII族窒化物半導体基板が提供される。
図1は、本実施形態のIII族窒化物半導体基板の製造方法の処理の流れの一例を示すフローチャートである。図示するように、本実施形態のIII族窒化物半導体基板の製造方法は、準備工程S10と、配置工程S20と、成長工程S30とを有する。
本実施形態は、複数の個片10を載置する支持基板20の構成に特徴を有する。その他の構成は、第1の実施形態と同様である。
2 側壁面
10 個片
20 支持基板
21 載置面
22 孔
30 III族窒化物半導体層
40 III族窒化物半導体基板
50 支持層
Claims (16)
- a面、及び、a面をc面と重なる方向及びm面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第1の面と、m面、及び、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第2の面とを露出面として有するIII族窒化物半導体の複数の個片を準備する準備工程と、
前記第1の面及び前記第2の面のいずれか一方を成長面、他方を側壁面と定め、前記成長面が露出するとともに、前記側壁面が他の前記個片の前記側壁面と対向し、隣接する前記個片間の前記側壁面同士が対向する第1の方向の間隔が、隣接する前記個片間の前記第1の方向と直交する方向の間隔よりも小さくなるように、複数の前記個片を支持基板の載置面に並べて配置する配置工程と、
前記配置工程の後、複数の前記個片各々の前記成長面からIII族窒化物半導体を成長させるとともに、少なくとも一部の複数の前記個片から成長した前記III族窒化物半導体同士を接合させて、III族窒化物半導体の層を形成する成長工程と、
を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項1に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記配置工程では、隣接する前記個片同士が、互いの前記側壁面同士で接するように、複数の前記個片を配置するIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項1又は2に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記準備工程では、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面を前記第2の面として有するIII族窒化物半導体の複数の前記個片を準備し、
前記配置工程では、前記第2の面を前記成長面と定めるIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項3に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記準備工程では、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の両方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面を前記第2の面として有するIII族窒化物半導体の複数の前記個片を準備し、
前記配置工程では、前記第2の面を前記成長面と定めるIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記配置工程では、複数の前記個片をマトリクス状に並べて配置するIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記成長工程では、少なくとも一部の前記個片の前記成長面の裏側の面の少なくとも一部にも、前記III族窒化物半導体を成長させるIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項6に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記配置工程では、前記載置面から裏面まで貫通する孔を複数有する前記支持基板の上に、複数の前記個片を配置するIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項7に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記配置工程では、III族窒化物半導体を成長させる装置内に取り付けられるサセプタの上に、複数の前記個片を直接配置するIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板の製造方法において、
前記成長工程では、少なくとも一部の隣接する前記個片間の間を、成長した前記III族窒化物半導体で埋めるIII族窒化物半導体基板の製造方法。 - a面、及び、a面をc面と重なる方向及びm面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第1の面と、m面、及び、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面のいずれかである第2の面とを露出面として有するIII族窒化物半導体の複数の個片が並んでいる支持層と、
複数の前記個片各々から成長し、接合して一体となったIII族窒化物半導体層と、
を有し、
前記支持層の複数の前記個片は、
前記第1の面及び前記第2の面のいずれか一方である側壁面が隣接する前記個片の前記側壁面と対向し、かつ、隣接する前記個片間の前記側壁面同士が対向する第1の方向の間隔が、隣接する前記個片間の前記第1の方向と直交する方向の間隔よりも小さくなるように並んでおり、
前記第1の面及び前記第2の面の他方である成長面から、前記III族窒化物半導体層が成長しているIII族窒化物半導体基板。 - 請求項10に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記支持層では、隣接する前記個片同士が互いの前記側壁面同士で接しているIII族窒化物半導体基板。 - 請求項10又は11に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記支持層では、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の少なくとも一方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面を前記第2の面として有するIII族窒化物半導体の複数の前記個片が、前記第2の面を前記成長面とし、前記第1の面を前記側壁面として並んでいるIII族窒化物半導体基板。 - 請求項12に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記支持層では、m面をc面と重なる方向及びa面と重なる方向の両方向に0°より大90°より小の範囲で傾けた面を前記第2の面として有するIII族窒化物半導体の複数の前記個片が、前記第2の面を前記成長面とし、前記第1の面を前記側壁面として並んでいるIII族窒化物半導体基板。 - 請求項10から13のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記支持層では、複数の前記個片がマトリクス状に並んでいるIII族窒化物半導体基板。 - 請求項10から14のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層は、前記支持層の前記成長面の裏側の面の少なくとも一部からも成長しているIII族窒化物半導体基板。 - 請求項10から15のいずれか1項に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記III族窒化物半導体層は、少なくとも一部の隣接する前記個片間の間を埋めているIII族窒化物半導体基板。
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