JP2013214747A - 直接液体注入用の第二族イミダゾレート配合物 - Google Patents

直接液体注入用の第二族イミダゾレート配合物 Download PDF

Info

Publication number
JP2013214747A
JP2013214747A JP2013075821A JP2013075821A JP2013214747A JP 2013214747 A JP2013214747 A JP 2013214747A JP 2013075821 A JP2013075821 A JP 2013075821A JP 2013075821 A JP2013075821 A JP 2013075821A JP 2013214747 A JP2013214747 A JP 2013214747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dimethylpropyl
imidazolate
imidazole
dimethylbutyl
tert
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2013075821A
Other languages
English (en)
Inventor
John A T Norman
アンソニー トーマス ノーマン ジョン
K Perez Melanie
ケー.ペレッツ メラニー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Air Products and Chemicals Inc
Original Assignee
Air Products and Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Products and Chemicals Inc filed Critical Air Products and Chemicals Inc
Publication of JP2013214747A publication Critical patent/JP2013214747A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24Electrically-conducting paints
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34Nitrides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/409Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02197Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

【課題】第二族含有薄膜、例えばSTO膜及びBST膜を堆積するためのALD又はCVDチャンバーへの第二族前駆体の直接液体注入に用いることができる組成物を与える。
【解決手段】炭化水素系溶媒への高い溶解性を有する第二族金属錯体を与える、適切な中性のドナー配位子分子が配位している第二族イミダゾレート化合物を含む組成物。
【選択図】図1

Description

半導体製造産業は、化学気相成長(CVD)及び原子層堆積(ALD)等の蒸着プロセスに関して、基材上にコンフォーマルな(conformal)金属含有膜を作製するために、揮発性金属含有前駆体を原料にし続けており、例えば、これらの金属含有前駆体を用いて、シリコン、金属窒化物、金属酸化物及び他の金属含有層を作製している。
周期表の第二族の金属(例えば、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)及びラジウム(Ra))を含む前駆体が、半導体産業で求められている。例えば、高度なメモリデバイス製造のため、バリウム及びストロンチウムを含有している前駆体が、バリウム及びストロンチウムの酸化物含有薄膜、例えばチタン酸ストロンチウム(STO)及びチタン酸バリウムストロンチウム(BST)の堆積に関して、特に求められている。ストロンチウム前駆体は、不揮発性メモリのためのSrBiTa型の強誘電材料の薄膜堆積、BiSrCan−1Cu5+(2n−1)d型の薄膜高温(Tc)超伝導体の製作、及び電子発光ディスプレイのためのSrS:Ce及びSrS:Cu蛍光体の製造のためにも有用である。優れた揮発度を有しているフッ素化バリウム前駆体が存在するが、BST製造に関するそれらの使用は、事実上排除される。それは、フッ化物イオンが酸化物膜中に形成され、そして電荷キャリアとして作用することがあり、それは酸化物膜の誘電率を劣化させるからである。酸化ストロンチウム及びチタン酸ストロンチウムの数多くのストロンチウム源があるが、これらの膜を堆積するのに用いられる原子層堆積(ALD)プロセス用としては、これらの原料は有効に用いることができない。
上述のように、高いALD性能を有する、フッ素化されていない揮発性のバリウム及びストロンチウム前駆体化合物が当分野で強く必要とされるが、そのような化合物はまれであり、特にバリウム化合物はまれである。このことは、バリウム+2イオン及びストロンチウム+2イオンの大きなイオン半径に由来する。大きなイオン半径であることは、ストロンチウム又はバリウムにおいて単量体又は二量体となる化合物を提供するのに十分な配位結合環境を提供できるイオン配位子を必要とする。このような要件が満たされない場合には、ストロンチウム化合物及び特にバリウム化合物は、揮発性が限定的である高会合型の構造又は重合体構造を形成する傾向がある。しかし、単量体又は二量体構造を達成することができても、これらは熱安定性をまだ有していない場合がある。この熱安定性は、気化に必要とされる高い昇華温度又は蒸留温度に耐えるために、そしてALDプロセスにおいて単分子層として吸着されるときにこれらの熱安定性を維持するために必要となる。これらの理由全てのために、単量体又は二量体であり、熱安定性であり、易揮発性であり、そしてALD又はCVDによるBST及びSTOに非常に適しているフッ素化されていないバリウム及びストロンチウム前駆体は非常にまれであるが、しかし強く求められている。
特許文献1は、第二族金属に配位することができる立体障害性のイミダゾール配位子、及びこれを含むBST膜を形成するのに用いられる前駆体の例を与えている。ウェハーのスループットを最大化し、またALDサイクルを高速化するために、直接液体注入(DLI:Direct Liquid Injection)によって、第二族前駆体の気相を輸送するのに非常に望ましいので、これらの前駆体は、高濃度で容易に溶解して、DLI輸送用に好適な配合物を生成することが重要である。さらに、これらの配合物が、炭化水素系溶媒を用いて調製できることが特に重要である。これは、炭化水素系溶媒は、サブppmレベルの水まで容易に脱水できるためである。また、OH等の表面反応部位と相互作用して前駆体の有効反応率を低下させる場合がある酸素含有溶媒及び窒素含有溶媒よりも、炭化水素系溶媒は、ALD基材に対して比較的不活性である。非特許文献1は、トリtert−ブチル置換イミダゾールに基づく揮発性第二族イミダゾレートを記載している。ALD又はCVD堆積プロセスに有用とするために、この特定の錯体群は、DLI輸送用の炭化水素溶媒に対して溶解性を高くできることが重要である。最終使用者にとって、反応チャンバーに容易に輸送できる前駆体とすることが重要である。この点において、ウェハーのスループットを最大化し、またALDサイクルを高速化するために、直接液体注入(DLI)によって気体の第二族前駆体を輸送することが望ましい。
米国特許出願公開2012/0035351号
"New Volatile Strontium and Barium Imidazolate Complexes for the Deposition of Group 2 Metal Oxides",J. A. T. Norman et al.,Inorganic Chemistry,Vol. 50 (2011),pp. 12396−98
大きな立体障害性を有するイミダゾール配位子を持つ第二族錯体を含む組成物を記載する。これは、第二族元素を含む膜、例えばSTO及びBSTの成長のための蒸着プロセス、例えば原子層堆積(ALD)及び化学気相成長(CVD)のための、これら前駆体のDLI輸送に有用である。これらの前駆体をDLIで輸送するために、これらの前駆体は、高濃度で容易に溶解して、DLI輸送に適切な組成物を形成する必要がある。さらに、これらの組成物は、炭化水素溶媒を用いて製造できることが特に重要である。これは、この特定の溶媒が、100万分の1部(ppm)以下のレベルの水まで容易に脱水できるためである。また、ヒドロキシル(−OH)等の表面反応部位と相互作用して前駆体の有効反応率を低下させる場合がある酸素含有溶媒及び窒素含有溶媒よりも、炭化水素系溶媒は、ALD基材に対して比較的不活性である。本明細書に記載した第二族イミダゾレート化合物の組成物は、気化条件下で、揮発性及び熱安定性の両方を示す。さらに、これらはSTO及びBST膜成長用の前駆体として非常に有効であり、またバリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム又はカルシウムの前駆体を揮発源として必要とするあらゆる用途に非常に有効である。
1つの態様では、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、テトラゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、及びピリジンからなる群より選択される中性のドナー配位子を、第二族トリ−tert−アルキルイミダゾレート錯体に配位させて、イミダゾレートアニオンを含む付加物錯体を与える方法を提供する。この付加物錯体中のイミダゾレートアニオンは、ビス−η5型で構成され、かつ炭化水素系溶媒に溶解して組成物を与える。
さらなる態様では、次を含む第二族金属イミダゾレート錯体、及び炭化水素系溶媒を含有する組成物Aが与えられる:2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート、2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート、2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート、2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート、2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート、2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート、2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート、2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート、及び2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレートからなる群より選択される少なくとも1つを含む、イミダゾレート;バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム及びカルシウムから選択される、第二族金属;及び上記第二族金属イミダゾレート錯体に配位する配位子であって、単座のC〜C12の窒素含有環状分子、単座のC〜C12の酸素含有環状分子、C〜C12の窒素含有二座配位子、C〜C12の酸素含有二座配位子、及びC〜C12の窒素及び酸素を含有する二座配位子からなる群より選択される少なくとも1つである、配位子。
さらなる態様では、以下の工程を含む、厚みを有する第二族金属酸化物膜を基材に形成する方法が与えられる:
a.次を含む第二族金属イミダゾレート錯体、及び炭化水素系溶媒を含有する第二族金属含有組成物を導入する工程:
2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート、2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート、2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート、2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート、2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート、2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート、2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート、2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート、及び2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレートからなる群より選択される少なくとも1つを含む、イミダゾレート;バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム及びカルシウムから選択される、第二族金属;及び上記錯体の上記イミダゾレートに第二族金属を配位させる配位子であって、単座のC〜C12の窒素含有環状分子、単座のC〜C12の酸素含有環状分子、C〜C12の窒素含有二座配位子、C〜C12の酸素含有二座配位子、及びC〜C12の窒素及び酸素を含有する二座配位子からなる群より選択される少なくとも1つである、配位子、
b.上記基材に上記第二族金属含有組成物を化学吸着させる工程、
c.パージガスを用いて、未反応の上記第二族金属含有組成物をパージする工程、
d.加熱した上記基材上の上記第二族金属含有組成物に、酸素源を与えて、上記吸着した第二族金属含有組成と反応させる工程、及び
e.随意に、未反応の酸素源をパージする工程。
ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)のX線構造の説明図である。 ストロンチウムジ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)の説明図である。 ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)の構造の説明図である。 ストロンチウムジ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(1,2−ジメトキシプロパン)の説明図である。 ストロンチウムジ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(1,1−ジメトキシエタン)の説明図である。 ストロンチウムジ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラメチルエチレンジアミン)の説明図である。 ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)に関する熱重量分析(TGA)/示唆走査熱量計(DSC)の結果である。TGAが実線であり、DCSが破線である。
トリ−tert−ブチルイミダゾレート前駆体を、特定の中性配位子、例えばフラン又は他の小さなヘテロ環配位子にまず配位させることによって、それらの炭化水素系溶媒への本質的に低い溶解性を改善する組成物を開示する。ここで開示される第二族イミダゾレート化合物の生成組成物は、蒸着プロセスに関する揮発性、より特定的には原子層堆積に関する揮発性、及び気化条件における熱安定性の両方を与える。さらに、上記の化合物又は錯体及びこれらを含む組成物は、STO膜及びBST膜の成長の前駆体として有用であり、またバリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム又はカルシウムの前駆体の揮発源を必要とするあらゆる用途に有用である。
式2、3又は4に示すような種類の単量体錯体を生成するための、式1に示すような種類の第二族金属イミダゾレート二量体への中性配位子の配位が記載される。式2では、L1が金属の中心に配位して、2つのη5型配位イミダゾレートアニオンを含む錯体を生成しており、ここでは5員のイミダゾレートアニオンの両方の各3つの炭素原子及び各2つの窒素原子が、その金属に結合している。中性配位子L1の例としては、限定されないが、単座のC〜C12の窒素又は酸素含有環状分子が挙げられ、例えばテトラヒドロフラン、3−メチルテトラヒドロフラン、2,5−ジヒドロフラン、2,3−ジヒドロフラン、ピリジン、N−メチルイミダゾール及びピロールが挙げられる。式3では、L2が金属中心に配位して、1つのη1型イミダゾレート及び1つのη5型イミダゾレートアニオンを含む錯体を生成している。η1型イミダゾレートでは、イミダゾレートアニオンの1つのみの窒素原子を通じて金属中心への結合が生じている。中性配位子L2の例としては、限定されないが、C〜C12の窒素又は酸素含有二座配位子が挙げられ、例えば1,1−ジメトキシエタン、1,2−ジメトキシプロパンが挙げられる。式4では、L3が金属中心に配位して、2つのη1型イミダゾレートアニオンを含む錯体を生成している。中性配位子L3の例としては、限定されないが、C〜C12の窒素含有二座配位子が挙げられ、例えばテトラメチルエチレンジアミンが挙げられる。予想外なことに、式2で例示される種類のビスη5型配位の例のみで、炭化水素系溶媒への溶解性の向上が観察された。理論に拘束されることを望むものではないが、ビスη5型配位の場合では、1つ(式3)の又は両方(式4)のイミダゾレートアニオンがη1型である場合に比べて、金属−イミダゾレート結合の共有結合性が比較的強く、イオン性が比較的弱い性質であることが考えられる。η1型では、金属−イミダゾレート結合のイオン性が比較的強く、共有結合性が比較的弱いと考えられる。炭化水素系溶媒への溶解度は、イオン性分子に対して共有結合性分子の方が高いため、ビスη5型付加物錯体前駆体は、1つのη1型又は2つのη1型イミダゾレートアニオンを有する前駆体に比べて、高い溶解度を有する。これに関して、ビスη5型付加物錯体前駆体の溶解度の向上は、元の前駆体(例えば、式1を有する第二族金属イミダゾレート二量体)の約8〜10倍である。以下に示される式1、2、3及び4では、イミダゾレートアニオンの環の3つの炭素にある嵩高いアルキル置換基(R、R及びR、ここでR、R及びRはC3〜12の分岐アルキルから独立して選択される)は、明確性のために省略されている。イミダゾレートアニオンの3つの炭素原子のそれぞれに置換しているこれらの嵩高いアルキル基は、第3級の基であり、好ましくはtert−ブチル基である。
Figure 2013214747
Figure 2013214747
Figure 2013214747
Figure 2013214747
溶媒のシクロオクタン及びメシチレンへのストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(L)付加物の溶解度を、以下の表1及び表2にそれぞれ示す。溶解度は、室温で秤量した溶媒を用いて、それ以上溶解できなくなるまで徐々に金属錯体を撹拌しながら添加し、そして得られた溶液を再秤量し、溶解した金属錯体の重量百分率を計算することによって決定された。そして、一定の体積の溶液を秤量した。この重量から、金属錯体の重量及び溶解した金属錯体のモル数を計算する。そして、金属錯体のモル数を、秤量した溶液のリットル単位での体積で除して、溶液のモル濃度を得る。表1及び表2を参照すると、全てが式2に示す種類のビスη5型配位のイミダゾレートを有する、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、及びストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)は、その元の錯体であるジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)よりも、溶媒のメシチレンに対する溶解性が9〜13倍高い。例外である錯体ビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)も、その元の錯体よりも、シクロオクタンに対する溶解性が11〜12倍高い。式3で示される他の例は、元の錯体よりもわずかに高い溶解性を有し、式4の例は、元の錯体よりもわずかに低い溶解性を有する。さらに、本明細書の例7で例示されるように、単純なエーテル、例えばジ−n−ブチルエーテルは、ジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)と錯体を形成しないことが示される。全ての中性配位子分子が配位して、ビスη5型イミダゾレート錯体を形成しないのはもちろんのこと、錯体を形成しないという事実に留意すべきである。したがって、選ばれた種類の中性配位子だけが、第二族イミダゾレートに配位して、錯体を形成し、そして、中性配位子の群の中でも、選ばれた群のみが、第二族金属へのビスη5型イミダゾレート配位を有する錯体を形成し、炭化水素系溶媒への非常に高い溶解性を与えるであろう。
Figure 2013214747
Figure 2013214747
表1及び2の錯体の熱重量分析(TGA)は、安定した窒素流の下で、一定の速度で加熱しながら、微量天秤パンにサンプルを入れて、実行した。温度/時間の関数として重量損失を測定しながら、示差走査熱量計で発熱(分解)又は吸熱(相変化/溶融又は蒸発冷却)を監視する。上記の付加物錯体前駆体からのTGAの結果は、配位した中性配位子の気化による初期重量損失が、配位子自身の沸点よりも大幅に高い温度で始まることを示している。代表的な例では、図7のビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)の場合では、テトラヒドロフランの喪失に関連する重量損失における初期の減少は、純粋なテトラヒドロフランの沸点が65℃なのに対して、約100℃超の温度で始まる。
理論に拘束されることを望むものではないが、配位する配位子は、それらが、TGA条件の下で少なくとも部分的にそのストロンチウム前駆体と同時に気化できる十分な親和性を有して、配位していると考えられ、これにより炭化水素系溶媒、例えばシクロオクタン又はメシチレンに溶解したこれらの前駆体の組成物、好ましくは図2に示した種類の前駆体を用いた組成物を用いたDLIシステムでは、高い性能を期待できると考えられる。
他の実験では、発明者らは、ジストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)が、室温では0.03Mが飽和濃度であるのに対して、70℃では0.3Mのシクロオクタン溶液を容易に形成できることを見出した。したがって、配位したテトラヒドロフランの全てが、DLI気化中に溶液が気化器で70℃に到達するのにしたがって、シクロオクタン中の0.3Mのストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)から気化して失われたとしても、こうして形成された残渣のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)が溶液中に残留するであろう。しかし、図7のTGAは、テトラヒドロフランが、約100℃まで失われないことを示しており、この温度では、シクロオクタンへのジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)の溶解度は、0.3Mを超えると予想されるであろう。理論に拘束されることを望むものではないが、これらの結果は、この前駆体が、炭化水素系溶媒との同時気化中に沈殿するのではなく、溶解したままであることを示唆している。
他の1つの態様では、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、カルシウム、もしくはラジウム、又はこれらの混合物からなる群より選択される金属に配位した1つ以上の多置換イミダゾレートアニオンを有する化合物を含む組成物が、本明細書で記載される。この生成錯体には、中性配位子、例えばエーテル、アミン、又はここで規定した任意の他の配位子が配位して、新たな比較的高い溶解性の錯体を形成し、これを適切な溶媒に溶解し、そしてその生成した組成物を、DLIに用いる。他の金属錯体と組み合わせた本明細書に記載した組成物も、考慮することができ、この場合、その追加の金属錯体は、チタンイミダゾレート錯体又は非イミダゾレート錯体となることができ、これはこの錯体を溶媒に溶解したものを含み、その生成した組成物をDLIモードで用いる。特に有用な組合せとしては、ALD又はCVDの第二族金属含有薄膜の堆積によるSTO、BST又はBTO用のDLI組成物として用いるために適切な組成物を形成するために、このような組成物を与えるように、又は適切な溶媒にともに溶解して与えるように、ストロンチウムイミダゾールをチタン錯体と組み合わせた組成物が挙げられる。同様に、ストロンチウムイミダゾレート錯体及びバリウムイミダゾレート錯体を含む組成物を、BST膜成長のために、適切なチタン錯体と組み合わせることができる。
あるいは、これらの組成物に、1つのイミダゾレートアニオンを、第二の非イミダゾレートアニオンと置換することができる。さらに、イミダゾレートアニオンが、置換基を有してもよく、これを脱プロトン化して、2価のアニオン種を生成してもよく、そしてこの2価アニオンが金属、例えばバリウム、ストロンチウム、マグネシウム、カルシウム、若しくはラジウム、又はこれらの混合物に配位してもよい。
好ましくは、第二の非イミダゾレートアニオンは、多置換イミダゾレートアニオン、ポリアルキル化ピロリルアニオン、β−ジケトナート、アセテート、ケトイミナート、ジイミン、アルコキシド、アミド、ヒドリド、β−ケトエステル、アミジナート、グアジニナート、シクロペンタジエニル、シアニド、イソシアニド、ホルマート、オキサラート、マロナート、フェノキシド、チオラート、スルフィド、ニトラート、アルキル、シリルアルキル、フルオロアルキル、アリール、イミダゾレート、ヒドリド、及びこれらの混合物からなる群より選択される。
配位ドナー配位子化合物の存在下しているDLI溶媒中でイミダゾール配位子を第二族原料試薬と反応させる、ここで開示した新規なDLI配合物の直接的合成も、考慮される。
ここに開示したDLI配合物に基づくバリウム及びストロンチウムイミダゾレートの、BST及びSTO膜の製造のための使用も考慮される。
最も好ましくは、このイミダゾレートは、2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート;並びに、これらそれぞれの第二族、又はバリウム、ストロンチウム、マグネシウム及びカルシウム化合物からなる群より選択される少なくとも1つである。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えば、カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)( 2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えば、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えばカルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えばカルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えば、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル))イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル))イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えば、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート))(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えばカルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、and バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えばカルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル) イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)− イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、and バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)− イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
DLI用の好ましい組成物は、金属イミダゾレートを含み、これは例えばカルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)が挙げられる。
好ましくは、本発明の金属イミダゾレート組成物は、ステンレス鋼容器に入れられる。より好ましくは、このステンレス鋼容器は、その内部を電解研磨されている。最も好ましくは、このステンレス鋼容器は、高純度及び少ないデッドスペースでの供給のために、入口バルブ及び出口バルブを備えている。
近年、半導体産業でのALDの主要な用途は、金属酸化物膜、例えば酸化ストロンチウム、酸化バリウム、及びペロブスカイト型酸化物、チタン酸ストロンチウム(STO)、及びチタン酸バリウムストロンチウム(BST)の成長である。多くの場合、これらのプロセスでは、完全にコンフォーマルな膜を、深い孔の円筒形容積部(ビア)又は他の円柱状構造体(ピラー)に成長さえることが求められており、ここでは熱分解が起きないこと、又はコンフォーマル性を劣化させるであろうCVD成分がないことが必須である。
DLIにより供給される第二族イミダゾール前駆体は、CVDによる堆積を防ぐために熱安定性であることに加えて、これらは、ALD条件の下で高い化学反応性を維持することも必要である。ALD基材上の反応部位、例えば表面−OHは、酸素及び窒素を含有する溶媒と反応することがあるので、これらの溶媒は、前駆体の有効反応率(effective reactivity)を低下させる可能性がある。この観点から、炭化水素系溶媒を用いることが非常に望ましく、炭化水素に非常に溶解しやすい前駆体を用いる必要性が強調される。さらに、炭化水素系溶媒は、サブppmレベルの水まで容易に脱水できて、前駆体のあらゆる加水分解の発生を防ぐ。前駆体の加水分解の発生は、DLI輸送装置の微細孔の気化ノズルを詰まらせて障害を発生させる場合がある、不溶性の副生成物の生成を導くことがある。
好ましくは、ここで開示されるDLI配合物を調製するための、第二族イミダゾレートを調製するのに用いることができるイミダゾールは、次のイミダゾールの少なくとも1つである:
2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル) イミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル);2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;
2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;
2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5− tert−ブチル−イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5− tert−ブチルイミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール。
2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチル ブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ブチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチル ペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ペンチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチル ヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ヘキシル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチル ブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチル ペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2,5−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;
2,4,5−トリ(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチルイミダゾール−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチルイミダゾール−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5− tert−ブチルイミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチルイミダゾール−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチルイミダゾール
2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−−(1,1−ジメチルペンチル)−イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−イミダゾール;
2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−tert−ブチル−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルpenyl)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5− tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5 -(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール
2,4−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,4−(1−メチルエチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2,5−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチルイミダゾール;2,4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;
2,4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール
2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4− (1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−5−イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−5−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5− tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5(1,2−ジメチルプロピル)−5イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル))イミダゾール;
2,5−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル))イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4− (1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2,4−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2,5−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチルイミダゾール;2,4−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,4−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;及び2,5−ジ(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール。
特定の実施態様では、このイミダゾールは次から選択される1つである:
2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル);2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4− (1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5− (1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4− (1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチル イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピルイミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチルイミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5− tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチル ブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ブチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチル ペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ペンチル)−5− tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチル ヘキシル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ヘキシル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチル ブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチル ペンチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチル ブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチル ブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;及び2,5−ジ(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール。
好ましくは、このイミダゾールは、以下のいずれかである:
2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾール;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tertブチル−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2,4,5−トリ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ−ter−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ−ter−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−4−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−5−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)− 4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルブチル)− 4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)− 4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチル− 5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2,4−ジ(1−メチルエチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルエチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;
2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;
2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチルイミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tertブチル−4,5−ジ(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2,4,5−トリ(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ−ter−ブチル−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ−ter−ブチル−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−4−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−5−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)− 4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)− 4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)− 4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2,4−ジ(1−メチルエチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルエチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2,5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;
2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;
2,5−ジ(1−メチルプロピル)−4−tert−ブチルイミダゾール;2,4−ジ(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2,5−ジ(1−メチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−tertブチル−4,5−ジ(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1−メチルブチル)イミダゾール;
2,4,5−トリ(1−メチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−4−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−5−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−(1−メチルエチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2,4−ジ(1−メチルエチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルエチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;
2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルブチル)イミダゾール;2,5−(1,2−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;
2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;
2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチルブチル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルブチル)−5−tert−ブチルイミダゾール;
2,5−ジ(1−メチルブチル)−4−tert−ブチルイミダゾール;2,4−ジ(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルブチル)−5−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチルブチル)−4−(1−メチルエチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチルブチル)−5−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール;及び2,5−ジ(1−メチルブチル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)イミダゾール。
より好ましくは、このイミダゾールは以下の1つである:
2−tertブチル− 4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1−メチルエチル)−4,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4,5−トリ(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ−ter−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ−ter−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチルエチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチルエチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1,2−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2,5−ジ(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−4−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−5−ジ(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−tert−ブチル−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−tert−ブチル−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルブチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;
2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルブチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,4−(1,1−ジメチルヘキシル)−5−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2,5−(1,1−ジメチルヘキシル)−4−(1−メチル−1−エチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;
2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチル−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチル−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)−5−(ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;
2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(ジメチルペンチル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2−(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(ジメチルペンチル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−tert−ブチルイミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−tert−ブチルイミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルペンチル)イミダゾール;2,4−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−5−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール;及び2,5−ジ(1−メチル−1−エチルプロピル)−4−(1,1−ジメチルヘキシル)イミダゾール。
これらのイミダゾールを脱プロトン化して、個々のイミダゾレートアニオンを生成することができ、そしてそれらをバリウム、ストロンチウム、カルシウム、又はラジウムのイオンに配位させて、それぞれ錯体を生成することができる。本明細書に記載した付加物錯体を、ドナー配位子の存在の下で金属錯体を生成することによって、この手順で直接的に合成することができる。
好ましくは、このイミダゾレートのR及びRは、次の群から個々に選択される:tert−ブチル、イソプロピル、tert−アミル、ネオペンチル、アダマンチル(adamantly)、ヘキシル、シクロヘキシル、プロピル、ブチル、ネオブチル、ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ネオペンチル、ノルボルニル、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル、プロピル、ブチル、ネオブチル、ペンチル、ネオペンチル、ジメチルブチル、ジメチルペンチル、ジメチルヘキシル、sec−ブチル、エチルメチルプロピル、ネオヘキシル、ネオペンチル。
好ましくは、このイミダゾレートのRは、次の群から個々に選択される嵩高い基である:tert−ブチル、イソプロピル、tert−アミル、ネオペンチル、アダマンチル、ヘキシル、ヘキシル、シクロヘキシル、プロピル、ブチル、ネオブチル、ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ネオペンチル、ノルボルニル、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル、プロピル、ブチル、ネオブチル、ペンチル、ネオペンチル、ジメチルブチル、ジメチルペンチル、ジメチルヘキシル、sec−ブチル、エチルメチルプロピル、ネオヘキシル、ネオペンチル。
特定の実施態様では、このイミダゾレートは、次からなる群から選択される1つである:2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;並びにこれらのバリウム、ストロンチウム、マグネシウム及びカルシウム化合物。
他の1つの態様では、本発明は、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、カルシウム若しくはラジウム、又はこれらの混合物から選択される金属に配位した、1以上の多置換イミダゾレートアニオンを含む化合物を教示する。
あるいは、1つのイミダゾレートアニオンを、第二の非イミダゾレートアニオンと置換することができる。さらに、このイミダゾレートアニオンは、置換基を有してもよく、これを脱プロトン化して、二価アニオン種を生成してもよい。この二価アニオンは、金属、例えば、バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、カルシウム若しくはラジウム、又はこれらの混合物に配位する。
この新規な化合物又は錯体の合成、及びBST膜を形成するためのそれらの使用も考慮される。
本明細書に記載した第二族金属含有組成物は、半導体型のマイクロ電子デバイス、例えばDRAMデバイス等のメモリ用途のマイクロキャパシタセルの製造に用いられる、ALD、CVD、パルスCVD、プラズマALD、プラズマCVD用の揮発性前駆体として用いるのに非常に好適である。また、それらは高温検出器(pyrodetector)の製造にも非常に有用である。本明細書に開示した方法に好適な堆積プロセスの例としては、限定されないが、サイクリックCVD(CCVD)、MOCVD(有機金属CVD)、熱化学気相成長、プラズマ化学気相成長(「PECVD」)(plasma enhanced chemical vapor deposition)、高密度PECVD、光CVD(photon assisted CVD)、プラズマ−光CVD(「PPECVD」)(plasma−photon assisted CVD)、極低温化学気相成長(cryogenic chemical vapor deposition)、化学支援気相成長(chemical assisted vapor deposition)、熱フィラメント化学気相成長、液体ポリマー前駆体のCVD、超臨界流体からの堆積、及び低エネルギーCVD(LECVD)(low energy CVD)が挙げられる。特定の実施態様では、金属含有膜を、原子層堆積(ALD)、プラズマALD(PEALD)、又はプラズマサイクリックCVD(PECCVD)プロセスによって堆積する。本明細書で用いる場合、用語「化学気相成長プロセス(chemical vapor deposition process)」とは、基材表面で反応及び/又は分解して所望の堆積物を生成する1種以上の揮発性前駆体に、基材を曝露する、あらゆるプロセスについて言及している。本明細書で用いられる場合、用語「原子層堆積プロセス」は、様々な組成の基材に膜の材料を堆積させる、自己制限的な(例えば、各反応サイクルで堆積する膜材料の量が一定である)、順次的な表面化学反応について言及している。本明細書で用いられる前駆体、試薬及び物質源は、「ガス状」として記載される場合があるが、この前駆体は、不活性ガスを用いて又は不活性ガスを用いずに、直接気化、バブリング又は昇華によって、反応器に輸送される、液体又は固体のいずれかであってよいことが理解される。いくつかの場合では、揮発した前駆体は、プラズマ発生器を通過することができる。1つの実施態様では、金属含有膜を、ALDプロセスを用いて堆積させる。他の一つの実施態様では、金属含有膜を、CCVDプロセスを用いて堆積させる。さらなる実施態様では、金属含有膜を、熱CVDプロセスを用いて堆積させる。本明細書で用いる場合、用語「反応器」は、限定しないが、反応チャンバー又は堆積チャンバーを含む。
ある種の実施態様では、本明細書に開示した方法は、反応器に導入する前に且つ/又は導入中に、前駆体を分離しておくALD法又はCCVD法を用いることによって、前駆体の事前反応を防ぐ。これに関連して、堆積技術、例えばALDプロセス又はCCVDプロセスを用いて、この誘電膜を堆積させる。1つの実施態様では、基材表面を、第二族金属含有組成物、酸素源、又は他の前駆体若しくは試薬の1種以上に交互に曝露することによって、ALDプロセスを用いて、膜を堆積させる。膜の成長は、表面反応の自己制限的な制御、各前駆体又は試薬のパルス長さ、及び堆積温度によって進む。しかし、基材の表面が飽和すると、膜の成長は停止する。
堆積方法に応じて、ある種の実施態様では、1種以上の第二族金属前駆体を、所定のモル体積で又は約0.1〜約1000マイクロモルで、反応器に導入することができる。この実施態様又は他の実施態様では、第二族金属前駆体を、所定の時間間隔で反応器に導入することができる。ある種の実施態様では、その時間間隔は、約0.001〜約500秒の範囲となる。
ある種の実施態様では、本明細書に記載した方法を用いて堆積させる膜を、酸素源、試薬又は酸素を含む前駆体を用いて、酸素の存在下で形成させる。酸素源は、少なくとも1種の酸素源の形態で反応器に導入させることができ、且つ/又は堆積プロセスで用いる他の前駆体に付随して存在させることができる。適切な酸素源ガスとしては、例えば水(HO)(例えば、脱イオン水、精製水、及び/又は蒸留水)、水プラズマ、酸素(O)、酸素プラズマ、オゾン(O)、NO、NO、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO)及びこれらの組合せを挙げることができる。ある種の実施態様では、酸素源は、約1〜約2000sccm又は約1〜約1000sccmの範囲の流量で反応器に導入する酸素源を含む。酸素源を、約0.1秒〜約100秒の範囲の時間で導入することができる。1つの特定の実施態様では、酸素源は、10℃以上の温度を有する水を含む。膜をALDプロセス又はサイクリックCVDプロセスによって堆積させる実施態様において、前駆体パルスは、0.01秒超であるパルス時間を有することができ、且つ酸素源が、0.01秒未満であるパルス時間を有することができ、さらに水のパルス時間が、0.01秒未満であるパルス時間を有することができる。さらなる他の1つの実施態様では、パルスとパルスの間のパージ時間間隔は、0秒程度まで小さくすることができ、又はその間にパージをしないで連続的なパルスにすることができる。
本明細書で開示した堆積方法は、1種以上のパージガスを伴う場合がある。未反応の反応物及び/又は反応副生成物をパージするために用いるパージガスは、不活性ガスであり、これは前駆体と反応しない。典型的なパージガスとしては、限定されないが、アルゴン(Ar)、窒素(N)、ヘリウム(He)、ネオン、水素(H)及びこれらの混合物が挙げられる。ある種の実施態様では、パージガス、例えばArを、約0.1秒〜1000秒の間に、約10〜約2000sccmの範囲の流量で反応器に供給することができ、それにより反応器に残留している場合がある未反応の材料及びあらゆる副生成物を、パージすることができる。
前駆体、酸素源、並びに/又は他の前駆体、他の物質源ガス及び/若しくは試薬を供給する各工程を、それらを供給する時間を変えることによって実行し、生成膜の化学両論的な組成を変えることができる。
エネルギーを、前駆体、酸素含有源、還元剤、他の前駆体又はこれらの組合せの少なくとも1つに適用して、反応を誘導し、そして金属含有膜又は金属含有コーティングを基材に形成させる。そのようなエネルギーは、限定されないが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、光子、リモートプラズマ法及びこれらの組合せによって与えることができる。ある種の実施態様では、二次高周波(secondary rf frequency)源を用いて、プラズマ特性を基材表面で変えることができる。堆積にプラズマを伴う実施態様では、プラズマ生成プロセスは、プラズマを反応器で直接的に生成させる直接プラズマ生成プロセス、あるいはプラズマを反応器の外部で生成させて反応器に供給するリモートプラズマ生成プロセスを、含むことができる。
第二族金属前駆体を、反応チャンバー、例えばCVD反応器又はALD反応器に、様々な方法で提供することができる。1つの実施態様では、液体提供システムを用いることができる。別の実施態様では、液体提供プロセスとフラッシュ気化プロセスが組み合わされたユニット、例えばターボ気化器(MSP Corporation製、ショアビュー、ミネソタ州、米国)を用いることで、低揮発度物質を容量分析的に供給することができる。これは、前駆体の熱的分解のない状態で再現性のある輸送及び堆積をもたらすことができる。本明細書に記載した前駆体組成物は、DLIモードでの原料試薬として効果的に用いることができ、これらの第二族イミダゾレート前駆体の気相流をALD又はCVD反応器に供給することができる。これらの組成物としては、特にサブppmレベルの水まで脱水できる性質に起因して特に望ましい炭化水素系溶媒を用いる組成物が挙げられる。本発明で用いることができる典型的な炭化水素系溶媒としては、限定されないが、トルエン、メシチレン、クメン(イソプロピルベンゼン)、p−シメン(4−イソプロピルトルエン)、1,3−ジイソプロピルベンゼン、オクタン、ドデカン、1,2,4−トリメチルシクロヘキサン、n−ブチルシクロヘキサン、及びデカヒドロナフタレン(デカリン)が挙げられる。本明細書に記載の前駆体は、ステンレス鋼容器内で貯蔵して使用することもできる。特定の実施態様では、この組成物中の炭化水素系溶媒は、高沸点溶媒であり、又は100℃超の沸点を有する。本明細書に記載の第二族イミダゾレート前駆体DLI組成物を、他の好適な金属前駆体と混合することもでき、この混合物を用いて、二成分金属酸化物膜又は窒化物膜の成長のために同時に両方の金属を供給することができる。例えば、本開示のストロンチウム前駆体は、チタン酸ストロンチウム(STO)膜の成長のために、イミダゾレート系チタン前駆体を含む好適なチタン前駆体と混合することができる。同様に、本開示のバリウム前駆体も、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)膜の成長のために、イミダゾレート系ストロンチウム前駆体を含む好適なストロンチウム前駆体と、そしてイミダゾレート前駆体を含む好適なチタン前駆体と混合することができる。同様に、本開示のバリウム前駆体は、チタン酸バリウム(BTO)膜の成長のために、イミダゾレート系チタン前駆体を含む好適なチタン前駆体と混合することができる。
特定の実施態様では、この前駆体組成物の純度は、信頼性のある半導体の製造を可能とするのに十分に高い。特定の実施態様では、本明細書に記載した第二族金属含有前駆体及びそれを含む組成物は、次の不純物の1種以上を、2重量%以下、1重量%以下、又は0.5重量%以下で有する:遊離アミン、ハロゲン化物及び比較的高い分子量の物質。本明細書に記載した第二族金属含有前駆体の比較的高い純度は、次の1以上のプロセスを通じて得ることができる:精製、吸着及び/又は蒸留。
ある種の実施態様では、前駆体容器から反応チャンバーに連結するガスラインを、プロセスの必要性に応じて、1以上の温度に加熱し、この組成物を含む容器を、バブリングのために1以上の温度で維持する。他の実施態様では、第二族金属含有前駆体を含む組成物を、直接液体注入のために1以上の温度で維持した気化器に注入する。
アルゴン及び/又は他のガスの流れを、キャリアガスとして用いて、前駆体パルスの間に、少なくとも1種の第二族金属含有前駆体の気相を反応チャンバーへの供給を促進することができる。ある種の実施態様では、反応チャンバーのプロセス圧力は、約1Torrである。
典型的なALD又はCCVDプロセスでは、基材、例えば酸化ケイ素基材を、反応チャンバー内のヒーター台で加熱し、これを始めに第二族金属含有前駆体にさらして、錯体を基材の表面に化学的に吸着させる。
パージガス、例えばアルゴンは、未吸着の余分な錯体をプロセスチャンバーからパージする。十分なパージの後で、窒素含有源を、反応チャンバーに導入して、吸着した表面と反応させた後で、他のガスパージによって、チャンバーから反応副生成物を除去することができる。このプロセスサイクルを、所望の膜厚さを得るように繰り返すことができる。
特定の実施態様では、このプロセスは、還元剤を用いる。還元剤は、典型的にはガス状の形態で導入される。適切な還元剤の例としては、限定されないが、水素ガス、水素プラズマ、リモート水素プラズマ、シラン類(例えば、ジエチルシラン、エチルシラン、ジメチルシラン、フェニルシラン、シラン、ジシラン、アミノシラン、クロロシラン)、ボラン類(例えば、ボラン、ジボラン)、アレイン、ゲルマン、ヒドラジン、アンモニア、又はこれらの混合物が挙げられる。アモルファスシリコンの堆積等の特定の実施態様では、還元剤を用いる。
この実施態様、又は他の実施態様において、本明細書に記載した方法の工程を、様々な順番で実行でき、順次的に又は同時に(例えば、他の1つの工程の少なくとも一部の間に)実行でき、そしてこれらのあらゆる組合せで実行することができると理解される。前駆体及び窒素含有源ガスを提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための持続時間を変えることによって実行して、生成する誘電膜の化学量論的組成を変えることができる。
本明細書に開示した方法の他の1つの実施態様では、誘電膜を、次の工程を含むALD堆積法を用いて形成する:
基材を反応器に与える工程;
上記反応器に、第二族金属含有前駆体を含む含有組成物を導入する工程;
上記第二族金属含有前駆体を、基材に化学吸着させる工程;
未吸着の上記第二族金属含有前駆体を、パージガスを用いてパージする工程;
酸素源を、加熱した上記基材上の上記第二族金属含有前駆体に与えて、上記吸着した少なくとも1種の第二族金属含有前駆体と反応させる工程;及び
随意に、あらゆる未反応の酸素源をパージする工程。
本明細書に記載した方法に関して、上記の工程は1サイクルを構成し;このサイクルを、所望の厚みの膜を得るまで繰り返すことができる。この実施態様又は他の実施態様において、本明細書に記載した方法の工程を、様々な順番で実行することができ、順次的に又は同時に(例えば、他の1つの工程の少なくとも一部の間に)実行でき、そしてこれらのあらゆる組合せで実行することができると理解される。前駆体及び酸素源を提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための持続時間を変えることによって実行して、生成する誘電膜の化学量論的組成を変えることができる。ただし、ここでは、利用可能なケイ素に対して、常に酸素を化学量論量よりも少なくして用いる。
多成分膜に関して、他の前駆体、例えばケイ素含有前駆体、窒素含有前駆体、還元剤及び/又は他の試薬を、反応チャンバーに交互に導入することができる。
本明細書に記載した方法のさらなる実施態様では、誘電膜を、熱CVDプロセスを用いて堆積させる。この実施態様では、この方法は、次のステップを含む:
周囲温度から約700℃までの範囲の温度に加熱し、且つ1Torr以下の圧力で維持した反応器に、1以上の基材を置くステップ;
第二族金属含有前駆体を含む組成物を導入するステップ:
酸素源を、上記反応器に与えて、上記第二族金属含有前駆体と少なくとも部分的に反応させ、そして上記1以上の基材に第二族金属膜を堆積させるステップ。
このCVD法のある種の実施態様では、上記反応器を、上記導入ステップの間に100mTorr〜600mTorrの範囲の圧力で維持する。
本明細書に記載した方法に関して、上記の工程は1サイクルを構成し;このサイクルを、所望の厚みの膜を得るまで繰り返すことができる。この実施態様又は他の実施態様において、本明細書に記載した方法の工程を、様々な順番で実行することができ、順次的に又は同時に(例えば、他の1つの工程の少なくとも一部の間に)実行でき、そしてこれらのあらゆる組合せで実行することができると理解される。前駆体及び酸素源を提供するそれぞれの工程を、それらを供給するための持続時間を変えることによって実行して、生成する膜の化学量論的組成を変えることができる。
多成分膜に関して、他の前駆体、例えばケイ素含有前駆体、窒素含有前駆体、酸素源、還元剤及び/又は他の試薬を、反応チャンバーに交互に導入することができる。
ここでは、上記の本発明の金属イミダゾート前駆体を含む組成物を用いることを含む、ALD又はCVDによる金属含有膜を堆積する方法が述べられる。特定の実施態様では、第二族イミダゾレート(付加物)前駆体及び適合する溶媒を含む組成物を、反応チャンバーにDKI供給によって供給し、そして、0.001〜1000Torrの反応器圧力及び0〜1000℃の温度を用いて、水、アルコール、酸素、オゾン、亜酸化窒素、二酸化窒素、過酸化水素又はそれらの組合せからなる群より選択される酸化剤と反応させて、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム又は酸化ラジウム及びそれらの混合物からなる群より選択される金属含有膜を成長させることで、金属含有膜を堆積する方法が与えられる。第二族金属の性質に応じて、この方法は、酸化バリウム又は酸化ストロンチウムを、1サイクル当たり約1オングストローム(Å)以上で堆積させる。
またここでは、本明細書に記載したBa及びSrイミダゾレート構造体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド/ジケトナート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとALD又はパルスCVDモードで反応させて、BST膜を成長させる工程を含む方法も述べられる。
他の1つの実施態様では、本発明のSrイミダゾレート前駆体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド/ジケトナート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとALD又はパルスCVDモードで反応させて、STO膜を成長させる工程を含む方法が与えられる。
さらなる実施態様は、本発明のBaイミダゾレート前駆体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド/ジケトナート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとALD又はパルスCVDモードで反応させて、BTO膜を成長させる工程を含む方法である。
なおさらなる実施態様は、本発明のバリウムイミダゾレート前駆体を、ストロンチウムケトイミネート、ストロンチウムジケトネート及びそれらの混合物からなる群より選択されるストロンチウム化合物、並びにチタンアルコキシド、チタンアルコキシド/ジケトネート、チタンアルコキシ/ケトエステル、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン化合物と、ALD、CVD又はパルス化CVDで反応させてBST膜を成長させる方法である。
さらに別の実施態様は、イミダゾレート前駆体を、HCl、HF、SiCl4、HBr及びそれらの混合物からなる群より選択されるハロゲン化物含有ガスとALD、CVD又はパルス化CVDモードで反応させて、MX2(式中、Xはハロゲン化物であり、MはBa、Sr、Mg、Ca、Ra及びそれらの混合物からなる群より選択される)を成長させる方法である。
上記の前駆体を合成する方法もここで与えられ、これは、n−ブチルリチウム、n−ヘキシルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、水素化カリウム、水素化ナトリウム、ナトリウム金属、カリウム金属、ナトリウムt−ブトキシド、カリウムt−ブトキシド、カリウムヘキサメチルジシラザン、ナトリウムヘキサメチルジシラザンからなる群より選択される金属試薬でイミダゾールを直接金属化し、次いで、得られた生成物を、アルカリ土類金属ヨウ化物、アルカリ土類金属アセテート、アルカリ土類金属カルボキシレート、アルカリ土類金属カルボネート、アルカリ土類金属ホルメート、アルカリ土類金属臭化物、アルカリ土類金属トリフルオロアセテート、アルカリ土類金属ヘキサフルオロアセチルアセトン、アルカリ土類金属トリフルオロアセチルアセトネート、アルカリ土類金属アセチルアセトネート、アルカリ土類金属ジイミン、アルカリ土類金属ケトイミン、アルカリ土類金属アミジネート、アルカリ土類金属グアニジネート及びそれらの混合物からなる群より選択される反応物と、ドナー配位子の存在下又は不在下で、反応させることによって行われる。ドナー配位子が不在の下で合成した場合には、その単離後にドナー配位子をこのイミダゾレート錯体に付加してもよい。
本発明のイミダゾレート構造体を直接に合成する方法は、アルカリ土類金属アミド、アルカリ土類金属フェノキシド、アルカリ土類金属ヒドロキシド、アルカリ土類金属アルキル、アルカリ土類金属アリール及びそれらの混合物からなる群より選択される試薬を用いて、ドナー配位子の存在下又は不在下で、ポリアルキル化イミダゾールを反応させることによって行われる。ドナー配位子が不在の下で合成した場合には、その単離後にドナー配位子をこのイミダゾレート錯体に付加してもよい。
別の実施態様では、本発明は、アンモニアの存在下で、ドナー配位子の存在下又は不在下で、イミダゾールをアルカリ土類金属と反応させることにより本発明のイミダゾレート構造体を合成する方法である。ドナー配位子が不在の下で合成した場合には、その単離後にドナー配位子をこのイミダゾレート錯体に付加してもよい。
さらに別の実施態様は、アンモニアを含むアミンの存在下で、ドナー配位子の存在下又は不在下で、イミダゾールをアルカリ土類金属と反応させることにより本発明のイミダゾレート構造体を合成する方法である。ドナー配位子が不在の下で合成した場合には、その単離後にドナー配位子をこのイミダゾレート錯体に付加してもよい。
本発明はまた、本発明の金属イミダゾレートの混合物を用いて、STO及びBSTからなる群より選択される誘電体膜を成長させて、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)のメモリセル及び高温測定デバイス(pyrometric device)からなる群より選択されるマイクロ電子デバイスを形成する方法である。
あるいは、本発明は、本発明のイミダゾレート構造体を用いて、不揮発性強誘電体マイクロ電子メモリデバイス、電子発光ディスプレイのためのディスプレイ蛍光体、高Tc超伝導デバイスからなる群より選択されるマイクロ電子デバイスを製造する方法である。
さらに別の実施態様では、本発明は、エーテル、アミノエーテル、アミド、エステル、芳香族又は炭化水素系溶剤からなる群より選択される溶剤中に溶解した、チタン源及び本発明のバリウム又はストロンチウムイミダゾレート構造体を提供する工程、及び得られた組成物をDLIシステムによって供給して、その組成物の気相流を提供し、ALD又はCVDによって金属酸化物膜又は金属窒化物膜を成長させる工程を含む、ALD又はCVDによって金属酸化物膜又は金属窒化物膜を成長させる方法である。
例1:ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)
2.79g(0.0025モル)のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)を、50ミリリットル(ml)の脱水ヘキサン中で、窒素雰囲気下で攪拌した。次いで、0.36g(0.005モル)のテトラヒドロフランを、5分にわたって添加して、このストロンチウム錯体をゆっくりと溶解させた。この生成溶液を終夜攪拌し、そして減圧してヘキサンを除去した。生成物は2.8gであった。最終生成物の構造が、X線結晶解析によって図1のように決定し、式2のタイプとなることが分かった。
1H NMR:(500MHz、D8トルエン):δ =1.34(m、4H)、δ=1.41(s、18H)、δ=1.57(s、36H)、δ=3.96(m、4H)。
例2:ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)
2.79g(0.0025モル)のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)を、50mlの脱水ヘキサン中で、窒素雰囲気下で攪拌した。次いで、0.50ml(0.005モル)の3−メチルTHFを添加して、この混合物を終夜で攪拌した。そして、減圧してヘキサンを除去して、白い固体を得た。最終生成物の構造が、X線結晶解析によって図2のように決定し、式2のタイプとなることが分かった。収率:2.74g、85%。
1H NMR:(500MHz、D8トルエン):δ =0.72(d、3H)、δ=1.43(s、18H)、δ=1.53(m、1H)、δ=1.58(s、36H)、δ=1.87(m、2H)、δ=3.25(t、1H)、δ=4.0035(m、2H)、δ=4.3456(t、1H)。
例3:ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)
2.79g(0.0025モル)のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)を、50mlの脱水ヘキサン中で、窒素雰囲気下で攪拌した。次いで、0.35g(0.005モル)の2,5−ジヒドロフランを添加して、この混合物を終夜で攪拌した。そして、減圧してヘキサンを除去して、白い固体を得た。最終生成物の構造が、X線結晶解析によって図3のように決定し、式2のタイプとなることが分かった。
1H NMR:(500MHz、D8トルエン):δ =1.43(s、18H)、δ=1.56(s、36H)、δ=4.47(s、4H)、δ=5.24(s、2H)。
収率:2.51g、80%。
TGA:8.09%の残渣質量
例4:ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(1,2−ジメトキシプロパン)
2.79g(0.0025モル)のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)を、50mlの脱水ヘキサン中で、窒素雰囲気下で攪拌した。次いで、0.52g(0.005モル)のジメトキシプロパンを5分にわたって添加して、このストロンチウム錯体をゆっくりと溶解させた。さらに20分の攪拌後、この混合物は濁り、そしてさらに10分以内に白い沈殿物が形成した。この混合物を終夜で攪拌した。減圧してヘキサンを除去して、白い固体を得た。生成物は2.83gであった。
1H NMR:(500MHz、D8トルエン):δ=0.47(d、3H)、δ=1.47(s、18H)、δ=1.62(s、36H)、δ=2.25(m、1H)、δ=2.4(m、1H)、δ=2.64(m、1H)、δ=2.86(s、3H)、δ=3.02(s、3H)。
最終生成物の構造が、X線結晶解析によって図4のように決定し、式3のタイプとなることが分かった。
例5:ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(1,1−ジメトキシエタン)
2.79g(0.0025モル)のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)を、30mlの脱水ヘキサン中で、窒素雰囲気下で攪拌した。次いで、0.53ml(0.005モル)の1,1−ジメトキシエタンを添加して、この混合物を終夜で攪拌した。そして、減圧してヘキサンを除去して、白い固体を得た。収率:3.05g、94%。
1H NMR:(500MHz、D8トルエン):δ=0.61(d、3H)、δ=1.48(s、18H)、δ=1.58(s、36H)、δ=2.73(s、6H)、δ=3.58(q、1H)。
最終生成物の構造が、X線結晶解析によって図5のように決定し、式3のタイプとなることが分かった。
例6:ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(テトラメチルエチレンジアンミン)
2.79g(0.0025モル)のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)を、50mlの脱水ヘキサン中で、窒素雰囲気下で攪拌した。次いで、0.58g(0.005モル)のテトラメチルエチレンジアンミンを5分にわたって添加して、このストロンチウム錯体をゆっくりと溶解させた。さらに20分の攪拌後、この混合物は濁り、そしてさらに10分以内に白い沈殿物が形成した。この混合物を終夜で攪拌した。減圧してヘキサンを除去して、白い固体を得た。生成物:2.8g。
1H NMR:(500MHz、D8トルエン):δ=1.50(s、18H)、δ=1.59(s、36H)、δ=1.68(t、4H)、δ=1.79(s、12H)。
最終生成物の構造が、X線結晶解析によって図6のように決定し、式4のタイプとなることが分かった。
例7:ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(ジ−n−ブチルエーテル)の合成の試み
2.79g(0.0025モル)のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)を、50mlの脱水ヘキサン中で、窒素雰囲気下で攪拌した。次いで、0.65g(0.005モル)のジ−n−ブチルエーテルを添加して、この混合物を終夜で攪拌した。そして、減圧を適用してヘキサンを除去して、白い固体を得た。この白い固体のNMRは、のジ−ストロンチウムテトラ(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)であることを示し、これは減圧によってジ−n−ブチルエーテルも除去されたこと、及びこのストロンチウムイミダゾレートと錯体を形成しないことを示唆した。
例8:シクロオクタンへのストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)の0.37M溶液の調製
0.29g(0.46mmol)のストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)を、0.91gのシクロオクタンに、室温で、ドライ窒素雰囲気下で溶解して、1.2gの重量の1.25mlの体積の最終的な溶液を得た。
ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)の最終的なモル濃度は、0.00046/0.00125=0.37Mと計算された。
ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)の最終的なwt%は、0.29/1.2=24wt%と計算された。
例9:メシチレンへのストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)の0.64M溶液の調製
0.33g(0.53mmol)のストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tertブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)を、0.53gのメシチレンに、室温で、ドライ窒素雰囲気下で溶解して、0.86gの重量の0.81mlの体積の最終的な溶液を得た。
ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)の最終的なモル濃度は、0.00053/0.00081=0.65Mと計算された。
ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)の最終的なwt%は、0.33/0.86=38wt%と計算された。
例10:メシチレン中の0.3Mのストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)の直接液体注入
メシチレン中のストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)の0.3M溶液を、DLIシステム(モデル:2830HT、MSP Corp.、米国)に、0.5g/分で提供した。500sccmのアルゴンフローを用いて、200℃で設定した気化器を通じて、その生成蒸気流を、1Torrの圧力に設定したALD反応チャンバーに送った。30秒の液体フローコントローラー(LFC:liquid flow controller)による前駆体パルスに続く、90秒のアルゴンパージの繰り返しサイクルを実行した。200分間にわたって、サイクル当たりのLFCフローレートは、一定に0.5g/分に保持した。これにより、気化器の詰り及びその結果として起こる前駆体流の制限は発生しなかった。これは、前駆体溶液の清浄な気化を明らかに示している。メシチレン及びストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)からなる蒸気を、4重極質量分析器(QMS)によって、同じく200分間にわたって、サンプリングした。組成物中に存在するメシチレンを表している、分子フラグメントが77及び79muのイオン流強度を、時間の関数としてプロットした。QMSの結果は、77及び79質量単位(mu:mass unit)のフラグメントの応答が、1×10e−10(液体フローがオフ)及び1×10e−7(液体フローがオン)の間で一貫してサイクルを行った場合に、効果的に重なることを示した。さらに、この質量分析器のイオン流サイクルと調和して、QMSの圧力が、3.5×10e−6Torr(液体フローがオフ)及び5.5×10e−6Torr(液体フローがオン)の間での一貫したサイクルとなることを観測した。これらの結果は、QMS圧力及びメシチレンの流がLFC前駆体パルスと共に一貫したサイクルになることを示している。また、これらの結果は気化器の詰り及びその結果としての前駆体流の制限が起こらないこと、及びこの前駆体溶液が清浄に気化することを、さらに示している。

Claims (23)

  1. 以下を含む第二族金属イミダゾレート錯体、及び炭化水素系溶媒を含む、組成物:
    2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;及び2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレートからなる群より選択される少なくとも1つの、イミダゾレート;
    バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム、及びカルシウムからなる群より選択される、第二族金属;及び
    単座のC〜C12の窒素含有環状分子、単座のC〜C12の酸素含有環状分子、C〜C12の窒素含有二座配位子、C〜C12の酸素含有二座配位子、及びC〜C12の窒素及び酸素を含有する二座配位子からなる群より選択される少なくとも1つの、前記第二族金属イミダゾレート錯体に配位する配位子。
  2. 前記第二族金属イミダゾレート錯体の濃度が、0.1〜1Mの範囲である、請求項1に記載の組成物。
  3. 前記第二族金属イミダゾレート錯体の濃度が、0.1〜0.5Mの範囲である、請求項2に記載の組成物。
  4. 2つの異なる第二族金属イミダゾレート錯体を含む、請求項1に記載の組成物。
  5. 100℃以上の沸点を有する炭化水素系溶媒を含む、請求項1に記載の組成物。
  6. 前記炭化水素系溶媒が、シクロオクタンを含む、請求項5に記載の組成物。
  7. 前記炭化水素系溶媒が、メシチレンを含む、請求項5に記載の組成物。
  8. 第二族含有薄膜のALD堆積又はCVD堆積用のDLI供給に用いられる、請求項5に記載の組成物。
  9. ALD又はCVDによるSTO薄膜及びBST薄膜の堆積のために、揮発性チタン源と共に用いられる、請求項8に記載の組成物。
  10. 前記配位子が、単座のC〜C12の窒素含有環状分子及び単座のC〜C12の酸素含有環状分子からなる群より選択される配位子である、請求項1に記載の組成物。
  11. 前記配位子が、テトラヒドロフラン、3−メチルテトラヒドロフラン、2,5−ジヒドロフラン、2,3−ジヒドロフラン、ピリジン、N−メチルイミダゾール、及びピロールからなる群より選択される配位子である、請求項10に記載の組成物。
  12. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート)( 2,3−ジヒドロフラン)。
  13. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)。
  14. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)。
  15. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)。
  16. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル))イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル))イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)。
  17. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート))(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン),ストロンチウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2.4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン) 。
  18. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン) 。
  19. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル) イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)− イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)− イミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン) 。
  20. 前記第二族金属イミダゾレート錯体が、以下から選択される少なくとも1つである、請求項11に記載の組成物:
    カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(テトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(3−メチルテトラヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、バリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,5−ジヒドロフラン)、カルシウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、ストロンチウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)、及びバリウムビス(2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート)(2,3−ジヒドロフラン)。
  21. 次の工程を含む、厚みを有する第二族金属酸化物膜を基材に形成する方法:
    a.次を含む第二族金属イミダゾレート錯体、及び炭化水素系溶媒を含む第二族金属含有組成物を導入する工程:
    2,4,5−トリ−tert−ブチルイミダゾレート;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレート;2−(1,1−ジメチルブチル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−tert−ブチル−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;2,4,5−トリ−(1,1−ジメチルプロピル)イミダゾレート;2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−(1,1−ジメチルブチル)イミダゾレート;及び2−(1,1−ジメチルプロピル)−4,5−ジ−tert−ブチルイミダゾレートからなる群より選択される少なくとも1つの、イミダゾレート;
    バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム、及びカルシウムからなる群より選択される、第二族金属;及び
    単座のC〜C12の窒素含有環状分子、単座のC〜C12の酸素含有環状分子、C〜C12の窒素含有二座配位子、C〜C12の酸素含有二座配位子、及びC〜C12の窒素及び酸素の両方を含有する二座配位子からなる群より選択される少なくとも1つの、前記第二族金属イミダゾレート錯体に配位する配位子;
    b.前記基材に、前記第二族金属含有組成物を化学吸着させる工程;
    c.未反応の前記第二族金属含有組成物を、パージガスを用いてパージする工程;
    d.加熱した前記基材上にある前記第二族金属含有組成物に酸素源を与えて、前記吸着した第二族金属含有組成物と反応させる工程;及び
    e.随意に、あらゆる未反応の酸素源をパージする工程。
  22. 前記厚みのフィルムが得られるまで工程a〜工程d及び随意に工程eを繰り返す、請求項21に記載の方法。
  23. 前記方法が原子層堆積プロセスである、請求項21に記載の方法。
JP2013075821A 2012-03-30 2013-04-01 直接液体注入用の第二族イミダゾレート配合物 Ceased JP2013214747A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261618019P 2012-03-30 2012-03-30
US61/618,019 2012-03-30
US13/848,808 US20130260025A1 (en) 2012-03-30 2013-03-22 Group 2 Imidazolate Formulations for Direct Liquid Injection
US13/848,808 2013-03-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013214747A true JP2013214747A (ja) 2013-10-17

Family

ID=48049813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013075821A Ceased JP2013214747A (ja) 2012-03-30 2013-04-01 直接液体注入用の第二族イミダゾレート配合物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130260025A1 (ja)
EP (1) EP2644284B1 (ja)
JP (1) JP2013214747A (ja)
KR (2) KR20130113374A (ja)
CN (1) CN103361630A (ja)
TW (1) TWI468395B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014220879A1 (de) 2013-10-15 2015-07-23 Honda Motor Co., Ltd. Abgasreinigungsfilter
JP2021064787A (ja) * 2019-10-10 2021-04-22 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 薄膜蒸着用組成物、薄膜蒸着用組成物を用いた薄膜の製造方法、薄膜蒸着用組成物から製造された薄膜、および薄膜を含む半導体素子

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101933727B1 (ko) * 2013-08-26 2018-12-31 연세대학교 산학협력단 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막
CN114621259A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 中国科学院大连化学物理研究所 一种金属有机氢化物络合物材料及其制备方法与应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009290016A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、シリコンの前駆体液および電子機器の製造方法
JP2011001362A (ja) * 2009-05-29 2011-01-06 Air Products & Chemicals Inc 揮発性第二族金属前駆体
JP2011121936A (ja) * 2009-10-23 2011-06-23 Air Products & Chemicals Inc 金属含有フィルムのための第四族金属前駆体
JP2011155243A (ja) * 2009-10-23 2011-08-11 Air Products & Chemicals Inc 第四族金属含有フィルムの堆積方法
JP2012062303A (ja) * 2010-02-05 2012-03-29 Air Products & Chemicals Inc 揮発性イミダゾール及び二族イミダゾール系金属前駆体

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8507704B2 (en) * 2009-09-08 2013-08-13 Air Products And Chemicals, Inc. Liquid composition containing aminoether for deposition of metal-containing films

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009290016A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、シリコンの前駆体液および電子機器の製造方法
JP2011001362A (ja) * 2009-05-29 2011-01-06 Air Products & Chemicals Inc 揮発性第二族金属前駆体
JP2011121936A (ja) * 2009-10-23 2011-06-23 Air Products & Chemicals Inc 金属含有フィルムのための第四族金属前駆体
JP2011155243A (ja) * 2009-10-23 2011-08-11 Air Products & Chemicals Inc 第四族金属含有フィルムの堆積方法
JP2012062303A (ja) * 2010-02-05 2012-03-29 Air Products & Chemicals Inc 揮発性イミダゾール及び二族イミダゾール系金属前駆体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014220879A1 (de) 2013-10-15 2015-07-23 Honda Motor Co., Ltd. Abgasreinigungsfilter
JP2021064787A (ja) * 2019-10-10 2021-04-22 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. 薄膜蒸着用組成物、薄膜蒸着用組成物を用いた薄膜の製造方法、薄膜蒸着用組成物から製造された薄膜、および薄膜を含む半導体素子
US11482593B2 (en) 2019-10-10 2022-10-25 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for depositing thin film, manufacturing method for thin film using the composition, thin film manufactured from the composition, and semiconductor device including the thin film
JP7168624B2 (ja) 2019-10-10 2022-11-09 三星エスディアイ株式会社 薄膜蒸着用組成物、薄膜蒸着用組成物を用いた薄膜の製造方法、薄膜蒸着用組成物から製造された薄膜、および薄膜を含む半導体素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP2644284A1 (en) 2013-10-02
KR20130113374A (ko) 2013-10-15
CN103361630A (zh) 2013-10-23
TW201341368A (zh) 2013-10-16
US20130260025A1 (en) 2013-10-03
EP2644284B1 (en) 2015-06-03
TWI468395B (zh) 2015-01-11
KR20150116430A (ko) 2015-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10914001B2 (en) Volatile dihydropyrazinly and dihydropyrazine metal complexes
KR101157745B1 (ko) 휘발성 2족 금속 전구체
KR101349888B1 (ko) 금속 함유 막을 증착시키기 위한 금속 에놀레이트 전구체
US20060292303A1 (en) Beta-diketiminate ligand sources and metal-containing compounds thereof, and systems and methods including same
KR20060110328A (ko) 금속화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조방법
EP2644284B1 (en) Group 2 imidazolate formulations for direct liquid injection
KR101128542B1 (ko) 금속화합물, 박막형성용 원료 및 박막의 제조방법
WO2020244988A1 (en) Process for the generation of metal- or semimetal-containing films
CN114539295B (zh) 稀土前驱体、制备其的方法和使用其形成薄膜的方法
JP6210828B2 (ja) 薄膜形成用原料、薄膜の製造方法
EP3781577B1 (en) Aluminum precursor and process for the generation of metal-containing films
US20220145461A1 (en) Rare earth precursor, method of preparing the same, and method of forming thin film using the same
JP2018083771A (ja) 化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
JP2023035820A (ja) 薄膜蒸着のためのニオブ前駆体化合物及びそれを用いたニオブ含有薄膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140827

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20141104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150304

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20150311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150707

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151007

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151110

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20160322