TWI468395B - 用於直接液體注射的第２族咪唑根配方 - Google Patents

用於直接液體注射的第２族咪唑根配方 Download PDF

Info

Publication number
TWI468395B
TWI468395B TW102111543A TW102111543A TWI468395B TW I468395 B TWI468395 B TW I468395B TW 102111543 A TW102111543 A TW 102111543A TW 102111543 A TW102111543 A TW 102111543A TW I468395 B TWI468395 B TW I468395B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dimethylpropyl
bis
imidazole
imidazolium
dimethylbutyl
Prior art date
Application number
TW102111543A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201341368A (zh
Inventor
John Anthony Thomas Norman
Melanie K Perez
Original Assignee
Air Prod & Chem
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Prod & Chem filed Critical Air Prod & Chem
Publication of TW201341368A publication Critical patent/TW201341368A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI468395B publication Critical patent/TWI468395B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Description

用於直接液體注射的第2族咪唑根配方 相關申請案之相互參照
本專利申請案請求2012年3月30日申請的美國臨時專利申請案序號第61/618,019號的優先權益。
本發明關於一種包含第2族咪唑根化合物的組合物，其中該等第2族咪唑根化合物係配位於適合的中性供體配位子分子以提供於烴溶劑中具有高溶解性的第2族金屬錯合物。
半導體製造業不斷尋找用於氣相沉積方法的揮發性含金屬的前驅物，該氣相沉積方法包括化學氣相沉積法(CVD)及原子層沉積法(ALD)，以供使用這些含金屬的前驅物將保形的含金屬膜裝配於下列基材上，例如矽、金屬氮化物、金屬氧化物及其他含金屬層。
含有周期表第2族的金屬(例如，鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)及鐳(Ra))之前驅物在半導體產業中廣受歡迎。舉例來說，含鋇鍶前驅物尤其廣受下列含薄 氧化鋇鍶的薄膜之沉積歡迎，例如：用於先進記憶裝置製造的鈦酸鍶(STO)及氧化鈦酸鋇鍶(BST)。鍶前驅物也可用於供非揮發性記憶體用的類型SrBi2 Ta2 O9 的鐵電材料之薄膜沉積，用於此類型Bi2 Sr2 Can-1 Cun O5+(2n-1) D的薄膜高溫(Tc)超導體的製造，及用於電致發光顯示器的SrS：Ce及SrS：Cu燐光體的製造。儘管有的氟化鋇前驅物具有優良揮發性，但是實際上卻排除其用於BST製造的用途，因為氟離子會形成於該氧化物膜中並且扮作電荷載子，使該氧化物膜的介電常數降低。現在有許多用於氧化鍶及鈦酸鍶的鍶來源，但是這些來源卻無一能有效地用於用以沉積這些膜的原子層沉積(ALD)製程。
如前所述，非常需要具有高ALD性能的揮發性未經氟化的鋇與鍶前驅物化合物，但是此類化合物稀少，鋇尤其如此。這是因為鋇+2離子及鍶+2離子的大離子半徑需要能提供足以提供化合物的配位環境的離子配位子，該等化合物在鍶或鋇方面為單體或二聚體。若不符合此必備條件，該等鍶化合物，尤其是該等鋇化合物，傾向於形成有限揮發性的高度關聯或聚合結構。然而，即使是能達到單體或二聚體結構，這些結構可能尚未具有倖免於其汽化所需的高昇華或蒸餾溫度及在ALD製程時以單層形式吸附時保持其熱安定性所要求的熱安定性。由於所有這些原因，未經氟化的鋇前驅物，其係單體或二聚體、熱定性、易揮發而且非常適於藉由ALD或CVD進行的BST及STO製造，非常稀少，但是非常廣受歡迎。
美國專利公告第2012/0035351號提供能配位於第2族金屬的空間位阻咪唑配位子及包含彼之用以形成BST膜的前驅物之實例。因為非常企盼經由直接液體注射(DLI)輸送第2族前驅物的蒸氣以獲得最大化晶圓處理量及快速ALD循環，所以使這些前驅物能於高濃度下輕易溶解以設計出適用於DLI輸送的配方很重要。此外，使這些配方能使用烴溶劑來製造尤其重要，因為這些溶劑能輕易乾燥至低於ppm的水分量。同樣地，烴溶劑對於ALD基材比含氧和氮的溶劑較具惰性，該等含氧和氮的溶劑有可能與表面反應部位例如-OH交互作用藉以降低前驅物的有效反應性。標題名為“New Volatile Strontium and Barium Imidazolate Complexes es for the Deposition of Group 2 Metal Oxides”,J.A.T.Norman et al.,Inorganic Chemistry,Vol.50(2011),pp.12396-98的參考資料敘述以經三第三丁基取代的咪唑類為基礎的揮發性第2族咪唑根。為了能用於ALD或CVD沉積製程，錯合物的這個特定基團能於供DLI輸送用的烴溶劑中表現高溶解性很重要。使最終使用者擁有能輕易輸送至該反應艙的前驅物很重要。關此，吾人非常企盼經由直接液體注射(DLI)輸送第2族前驅物的蒸氣以獲得最大化晶圓處理量及快速ALD循環。
本文描述的是包含具有高空間位阻的咪唑配位子之第2族錯合物的組合物，該等組合物可用於氣相沉積製程例如含第2族元素的膜例如STO和BST的原子層沉積(ALD) 和化學氣相沉積(CVD)生長的這些前驅物的DLI輸送。為了使這些前驅物能經由DLI輸送，這些前驅物也應該以夠高的濃度輕易溶解以形成適合於DLI輸送的組合物。此外，這些組合物能使用烴溶劑做成尤其重要，因為這些特定溶劑能輕易乾燥至低於每百萬分之一(ppm)的水分。再者，烴溶劑比有可能與表面反應部位例如羥基(-OH)交互作用之含氧和氮的溶劑對於在ALD或CVD製程中的基材更具惰性，藉以降低該前驅物的有效反應性。本文所述的第2族咪唑根化合物的組合物在汽化條件之下同時顯出揮發性及熱安定性。此外，彼等能非常有效地用作STO及BST膜生長及任何其他需要揮發性來源鋇、鍶、鎂、鐳或鈣前驅物的應用之前驅物。
在一方面中，提供用於將選自由下列所組成的群組者的中性供體配位子：呋喃類、吡咯類、咪唑類、吡唑類、四唑類、吡唑類、噁唑類、異噁唑類、噻唑類、異噻唑類、吡嗪類、嘧啶類、吡二嗪(pyrididazine)及吡啶類配位於第2族三第三烷基咪唑根錯合物以提供包含咪唑根陰離子的加成錯合物之方法，其中該加成錯合物中的咪唑根陰離子包含雙-η 5並且可溶於烴溶劑以提供一組合物。
在另一方面中，提供一種組合物，其包含：第2族金屬咪唑根錯合物，該錯合物包含：咪唑根，該咪唑根包含：至少一選自由下列所組成的群組者：2,4,5-三第三丁基咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁 基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；及2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根；選自鋇、鍶、鎂、鐳及鈣的第2族金屬；及配位於該第2族金屬咪唑根錯合物的配位子，其中該配位子係至少一選自由含氮的單牙C4 至C12 環狀分子、含氧的單牙C4 至C12 環狀分子、含氮的C4 至C12 雙牙配位子、含氧的C4 至C12 雙牙配位子及包含氮和氧的C4 至C12 雙牙配位子所組成的群組者；及烴溶劑。
在又另一方面中提供一種用於將第2族金屬氧化物膜形成於基材上之方法，其中該膜包含一厚度，該方法包含：
a.引進含第2族金屬的組合物，該組合物包含：一第2族金屬咪唑根錯合物，其包含：咪唑根，該咪唑根包含：至少一選自由下列所組成的群組者：2,4,5-三第三丁基咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；及2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根；選自鋇、鍶、鎂、鐳及鈣的第2族金屬；及將該第2族金屬配位於該錯合物中的咪唑根的配位子，其中該配位子係至少一選自由含氮的單牙C4 至C12 環狀分子、含氧的單牙C4 至C12 環狀分子、含氮的C4 至C12 雙牙配位子、含氧的C4 至C12 雙牙配位子及同時包含氮和氧的C4 至C12 雙牙配位子所組成的群組者；及一烴溶劑。
b.使該含第2族金屬的組合物化學吸附於該基材上；c.使用洗淨氣體洗掉未反應的含第2族金屬的組合物；d.提供氧來源給該受熱基材上之含第2族金屬的組合物以與該吸附之含第2族金屬的組合物反應；及e.任意地洗掉任何未反應的氧來源。
圖1是雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶的X-射線結構的示意圖。
圖2是二(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶的示意圖。
圖3是雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶結構的示意圖。
圖4是二(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(1,2-二甲氧基丙烷)鍶的示意圖。
圖5是二(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(1,1-二甲氧基乙烷)鍶的示意圖。
圖6是二(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四甲基乙二胺)鍶的示意圖。
圖7是雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶的熱重量分析(TGA)/示差掃描式熱分析儀(DSC)結果，其中TGA是實線而且DSC是虛線。
本文描述的是經由先將三第三丁基咪唑前驅物配位於指定中性配位子例如呋喃類或其他小雜環配位子克服三第三丁基咪唑前驅物於烴溶劑中的固有低溶解度的組合物。本文揭示的第2族咪唑根化合物所得的組合物讓其能對於沉積製程均有揮發性，更明確地說原子層沉積法製程，還有在汽化條件之下的熱安定性。除了前述之外，化合物或錯合物及包含彼的組合物可用作STO及BST膜生長及任何其他需要揮發性來源鋇、鍶、鎂、鐳或鈣前驅物的應用之前驅物。
本文描述的是式1所示類型的中性配位子對於第2族金屬咪唑根二聚物的配位以產生式2、3或4所示的類型的單體錯合物。在式2中，L1係配位於金屬中心以產生含有二經η-5配位的咪唑根陰離子的錯合物，其中那三碳原子各個及兩個五員咪唑根陰離子的二氮原子各個係鍵結於該金屬。中性配位子L1的實例包括，但不限於，含氮或氧的單牙C4-C12環狀分子例如四氫呋喃、3-甲基四氫呋喃、2,5-二氫呋喃、2,3-二氫呋喃、吡啶、N-甲基咪唑及吡咯。在式3中，L2係配位於該金屬中心以產生含有一η-1咪唑根，其中鍵結於該金屬僅透過一咪唑根陰離子氮原子發生，及一η-5咪唑根陰離子的錯合物。中性配位子L2的實例包括，但不限於， C4 -C12 含氮或氧的雙牙配位子例如1,1-二甲氧基乙烷，1,2-二甲氧基丙烷。在式4中，L3配位於該金屬中心以產生含有二η-1咪唑根陰離子的錯合物。中性配位子L3的實例包括，但不限於，C4 -C12 雙牙含氮配位子例如四甲基乙二胺。意外的是，發現到僅於式2舉例的類型之雙η-5配位的例子中觀察到於烴溶劑中的提昇溶解度。儘管不欲受理論束縛，咸相信在此雙η-5配位的案例中該金屬-咪唑根鍵結對比於該等咪唑根陰離子之一者(式3)或二者(式4)是η-1的案例，在此案例中該金屬-咪唑根鍵結具有較高離子性及較低共價性，具有較高共價性及較低離子性。因為對比於離子性分子，共價性分子於烴溶劑中的溶解度提高，所以該雙-η-5加成錯合物前驅物比具有一η-1或二η-1咪唑根陰離子者擁有提高的溶解度。關此，雙η-5加成錯合物前驅物的溶解度提昇程度係約母體前驅物(例如，具有式1的第2族金屬咪唑根二聚體)的約8至10倍。在下示的式1、2、3和4中，為求清晰已經省略於該咪唑根陰離子的三個環碳原子上的大型烷基取代基(R1 、R2 和R3 ，其中R1 、R2 和R3 係獨立地選自C3 -12 分支烷基)。這些取代於該等咪唑根陰離子的三個碳原子各者上的大型烷基係三級基團，較佳為第三丁基。
表1和2分別於下列顯示雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(L)鍶加成物於溶劑環辛烷和均三甲苯中的溶解度。溶解度係經由下列方式求得：於室溫下取得溶劑的稱重量，配合混合遞增地添加金屬錯合物直到無法再溶解更多為止接著再稱取所得的溶液以便能算出已溶解的金屬錯合物的重量百分比。接著稱取固定體積的溶液。從此重量，算出該金屬錯合物的重量並且進而已經溶解的金屬錯合物的莫耳數。接著以該金屬錯合物的莫耳數除以以公升表示之已稱重溶液的體積 以產生該溶液的莫耳濃度。參照表1和2，雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶，其全都具有式2所示之類型的咪唑根的雙η-5配位，於該溶劑均三甲苯中的溶解度比其母錯合物四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶更高9至13倍但是該錯合物雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)是個例外，於環辛烷中的溶解度也比其母錯合物更高11至12倍。式3所示的其他實例比該母錯合物的溶解度稍高而且式4的實例比該母錯合物的溶解度稍低。此外，據顯示簡單醚類例如二正丁醚不會與本文所述的實施例7舉例的四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶形成錯合物，那強調事實上並非所有中性配位子分子均能配位以形成錯合物，更不用說形成雙-η-5咪唑根錯合物。因此很顯然只有挑出來的類型的中性配位子能配位於第2族咪唑根以形成錯合物而且於該中性配位子群組的範圍以內，只有挑選的基團能與配位於該第2族金屬的雙η-5咪唑根形成錯合物以產生於烴溶劑中的最高溶解度。
進行表1和2中列示的錯合物熱重量分析(TGA)藉以在恆定速率之下加熱時將樣品吊掛於穩定氮流作用之下的微量天平盤中。當示差掃描式熱分析儀監視放熱(分解)或吸熱(相變化/熔融或汽化產生的冷卻)時把重量損失當溫度/時間的函數測量。以上加熱錯合物前驅物的TGA結果顯示由已配位的中性配位子的汽化引起的初始重量損失從比該等配位子沸點本身明顯更高的溫度開始。關於代表性實例，在雙(2,4,5- 三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)的案例中，(圖7)，與純四氫呋喃的65℃沸點相比與四氫呋喃損失相關的重量損失初始降低明顯從約100℃或更高的溫度開始。因此，儘管不欲受理論束縛，咸相信經配位的配位子係以使其能與該鍶前驅物在這些TGA條件之下至少部分一同汽化的充分親和力配位，而且預期於使用這些前驅物溶於烴溶劑例如環辛烷或均三甲苯中的組合物，較佳為使用式2所示類型的前驅物，之DLI系統中能達到相當的效能。
在其他實驗中，發明人發現四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶能於70℃下於環辛烷中輕易形成0.3M溶液。比起其於室溫下的0.03M飽和濃度。因此，即使是當此溶液於汽化器中達到70℃時所有經配位的四氫呋喃均於DLI汽化期間從環辛烷中的0.3M雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶以汽化方式喪失，因此形成的殘餘四((2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶也可能會留在溶液中。然而，圖7中的TGA指示四氫呋喃並未喪失直到大約100℃，此時預期四((2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶於環辛烷中的溶解度可能超過0.3M。儘管不欲受理論束縛，這些結果指示該前驅物可能不會沉澱，而是在其與該烴溶劑一同汽化的期間保持溶解狀態。
在另一方面中，本文所述的是包含具有一或更多經多取代的咪唑根陰離子之化合物的組合物，該等陰離子係配位於選自由鋇、鍶、鎂、鈣或鐳或其混合物所組成的群組之金屬。接著將所得的錯合物配位於中性供體配位子例如醚或胺或文中定義的其他配位子以形成新的溶解度更高的錯合 物，該新錯合物接著溶於適合溶劑及所得之用於DLI的組合物。預期本文所述的組合物也能聯合其他金屬錯合物，其中該其他金屬錯合物可能是咪唑根鈦錯合物或非咪唑根錯合物，包括該等錯合物也溶於溶劑及按照DLI模式使用的所得組合物的情形。特別有用的組合可能包括咪唑鍶與鈦錯合物聯合以便提供這樣的組合物或一同溶於適合溶劑中以形成適合作為供STO、BST或BTO用的DLI組合物之組合物，該STO、BST或BTO係由ALD或CVD薄膜之含第2族金屬薄膜沉積得到。同樣地，包含鍶和鋇的咪唑根錯合物的組合物可與用於BST膜生長的適合鈦錯合物聯合。
或者，在這些組合物中可以第二非咪唑根陰離子取代一咪唑根陰離子。此外，該咪唑根陰離子也可能帶有一取代基，該取代基也熱質子化而產生二陰離子物種，而且此二陰離子係配位於金屬，例如鋇、鍶、鎂、鈣或鐳或其混合物。
較佳地，該第二非咪唑基陰離子係選自由下列所組成的群組：經多取代的咪唑基陰離子、多烷基化吡咯陰離子、β-二酮酸根類、醋酸根類、酮亞胺基類、二亞胺類、烷氧化物、醯胺類、氫化物類、β-酮酯類、脒基類、胍基、環戊二烯基、氰化物、異氰化物、甲酸根、草酸根、丙二酸根、苯氧化物、硫羥酸根、硫化物、硝酸根、烷基、甲矽烷基烷基、氟烷基、芳基、咪唑基、氫化物及其混合物。
也考慮過本文揭示的新穎DLI配方的直接合成，其中該咪唑配位子與該DLI溶劑中的第2族來源試劑在 配位供體配位子化合物存在之下反應。
為了製造BST和STO膜而考慮到本文揭示之以該鋇和鍶咪唑根為基礎的DLI配方的用途。
最佳地，該咪唑根係至少一選自由下列所組成的群組者：2,4,5-三第三丁基咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根；及其分別的第2族或鋇、鍶、鎂和鈣化合物。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金 屬咪唑根類包括：雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-第三 丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基))咪唑根)(3-甲基四氫呋 喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基))咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根))(四氫呋喃)鈣、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2.4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙 (2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)-咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)-咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
用於DLI的較佳組合物含有金屬咪唑根類，該金屬咪唑根類包括：雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇。
較佳地，本發明的金屬咪唑根組合物係容納於不銹鋼容器中。該不銹鋼容器的內部經過電拋光。最佳地，為了獲得高純度及低死空間設備(dead space service)而給該不銹 鋼容器裝備入口和出口閥。
目前，在半導體業中ALD的主要應用是生長金屬氧化物膜，例如：氧化鍶、氧化鋇及鈣鈦礦氧化物：鈦酸鍶(STO)及鈦酸鋇(BST)。經常，這些製程必需將保形膜完善地長入深度鑽孔的圓柱體(通孔)或長在柱狀構造(柱狀物)上面，在此情形中必須得沒有熱分解或會以保形方式降解的CVD組分。
除了必須使經由DLI輸送的第2族咪唑根前驅物具有熱安定性以排除由CVD來沉積，其也必須在ALD條件之下保持高化學反應性。因為在該ALD基材例如表面的-OH上的反應性部位能與含氧和氮的溶劑交互作用，這些溶劑具有降低該前驅物的有效反應性的潛在能力。從此觀點來看，吾人非常企盼使用烴溶劑，這清楚表示必須使用於烴類中極易溶解的前驅物。此外，該等烴溶劑能輕易乾燥至低於ppm的水量以防止該前驅物的任何水解，那會導致不溶性副產物的形成，那些副產物會阻塞並且阻擋DLI系統輸送之經微細穿孔的汽化噴嘴。
較佳地，能利用製備此揭示內容的DLI配方來製備該第2族咪唑根類的咪唑類係下列至少一者：2,4,5-三第三丁基咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑 2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4,5-三(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4,5-三(1,1-二甲基己基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑 2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑 2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基-咪唑2,4-二(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑 2,5-二(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基 咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基咪唑 2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊 基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三 丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1- 二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2,4,5-三(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基咪唑-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基咪唑-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基 咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基咪唑-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5--(1,1-二甲基丙基)-咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5--(1,1-二甲基丙基)-咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5--(1,1-二甲基丙基)-咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5--(1,1-二甲基丁基)-咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5--(1,1-二甲基戊基)-咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5--(1,1-二甲基己基)-咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲 基戊基)-咪唑2,4-二第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1-甲基乙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-第三丁基-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-第三丁基-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-第三丁基-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-咪唑 2,5-二(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-第三丁基-5-咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲 基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-5-咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-5-咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1- 二甲基乙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)-5-咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-5咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)咪唑 2,5-二(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2,4-(1-甲基乙基)-5-第三丁基咪唑2,5-(1-甲基乙基)-4-第三丁基咪唑2,4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4,5-二(1-甲基乙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三 丁基咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1- 二甲基戊基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲 基己基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基) 咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2,4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙 基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)-5-咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-5-咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-5-咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-5-咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙 基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5(1,2-二甲基丙基)-5咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基))咪唑2,5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基))咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙 基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基-咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基) 咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2,5-二(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基咪唑2,4-二(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑 2,5-二(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2,4-二(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2,5-二(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)咪唑在特定的具體實施例中，該咪唑係選自下列者：2,4,5-三第三丁基咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二第三丁基咪唑 2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4,5-三(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4,5-三(1,1-二甲基己基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙 基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三 丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基-咪唑2,4-二(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑 2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑 2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1- 二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑 2,4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑 2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑較佳地，該咪唑係2,4,5-三第三丁基咪唑2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4,5-三(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1-甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1-甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2,4-二(1-甲基乙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基乙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑 2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑 2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑 2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑 2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1-甲基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1-甲基丙基)咪唑2,4,5-三(1-甲基丙基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1-甲基丙基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1-甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1-甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑 2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丙 基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丙 基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲 基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲 基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2,5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丙 基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲 基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2,4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丙基)咪唑2,5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基) 咪唑2-(1-甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己 基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基) 咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基丙基)-5-第三丁基咪唑2,5-二(1-甲基丙基)-4-第三丁基咪唑2,4-二(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑 2,5-二(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1-甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二(1-甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2,4-二(1-甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2,5-二(1-甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2,4-二(1-甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-第三丁基-4,5-二(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1-甲基丁基)咪唑2,4,5-三(1-甲基丁基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1-甲基丁基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基) 咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1-甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-5-(1-甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丁基)咪唑2,4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑 2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丁基)咪唑 2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丁基)咪唑 2-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑 2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2,4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2,5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑 2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2,4-二(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2,5-二(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑 2-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑 2-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2,4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基丁基)咪唑2,5-(1,2-二甲基丙基)-4-(1-甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑 2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)咪唑 2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基乙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑 2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基丁基)-5-第三丁基咪唑2,5-二(1-甲基丁基)-4-第三丁基咪唑2,4-二(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,5-二(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1-甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二(1-甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2,4-二(1-甲基丁基)-5-(1-甲基乙基)咪唑2,5-二(1-甲基丁基)-4-(1-甲基乙基)咪唑 2,4-二(1-甲基丁基)-5-(1,2-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基丁基)-4-(1,2-二甲基丙基)咪唑。
更佳地，該咪唑係下列之一者：2-第三丁基-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1-甲基乙基)-4,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4,5-三(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-二第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-二第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基乙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基乙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-4-(1,2-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-二(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-二(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基丁基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-4-二(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-5-二(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1,1-二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-第三丁基-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-第三丁基-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丙基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基丁基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基丁基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-4-(1,1-二甲基戊基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2-(1,1-二甲基己基)-5-(1,1-二甲基戊基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,4-(1,1-二甲基己基)-5-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑2,5-(1,1-二甲基己基)-4-(1-甲基-1-乙基丙基)咪唑 2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基丁-基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基戊基)咪唑 2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)-5-(二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(二甲基戊基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2-(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(二甲基戊基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-第三丁基咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-第三丁基咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丙基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基丁基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基戊基)咪唑 2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基戊基)咪唑2,4-二(1-甲基-1-乙基丙基)-5-(1,1-二甲基己基)咪唑2,5-二(1-甲基-1-乙基丙基)-4-(1,1-二甲基己基)咪唑。
這些咪唑可接著去質子化以產生其分別的咪唑根陰離子，該等陰離子能接著配位於鋇、鍶、鈣或鐳離子以，接著，產生其分別的錯合物。本文所述的加成錯合物可在此步驟中藉由在供體配位子存在的情形下形成該金屬錯合物直接合成。
較佳地，該咪唑根的R1 和R3 係個別選自由第三丁基，異丙基、第三戊基、新戊基、金剛烷基、己基、環己基、丙基、丁基、異丁基、戊基、環戊基、異戊基、新戊基、降莰基、雙環[2.2.1]庚基、丙基、丁基、異丁基、戊基、異戊基、二甲基丁基、二甲基戊基、二甲基己基、第二丁基、乙基甲基丙基、異己基、異戊基所組成的群組。
較佳地，該咪唑根的R2 係一巨型基團，其係選自由第三丁基，異丙基、第三戊基、新戊基、金剛烷基、己基、環己基、丙基、丁基、異丁基、戊基、環戊基、異戊基、新戊基、降莰基、雙環[2.2.1]庚基、丙基、丁基、異丁基、戊基、異戊基、二甲基丁基、二甲基戊基、二甲基己基、第二丁基、乙基甲基丙基、異己基、異戊基所組成的群組。
在特定的具體實施例中，該咪唑根係選自由 2,4,5-三第三丁基咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；及其鋇、鍶、鎂和鈣化合物所組成的群組者。
在另一形態中，本發明教導包含一或更多配位於金屬之經多取代的咪唑基陰離子的化合物，該金屬係選自由鋇、鍶、鎂、鈣或鐳或其混合物所組成的群組。
或者，一咪唑基陰離子可以一第二非咪唑基陰離子加以取代。此外，該咪唑基陰離子也可帶有一取代基，該取代基也被去質子化以產生二價陰離子物種，並且將此二價陰離子配位於金屬，例如鋇、鍶、鎂、鈣或鐳或其混合物。
本發明也考慮到該等新穎化合物或錯合物的合成及其形成BST膜的用途。
用以形成該含矽介電膜或塗層的沉積方法是沉積製程。用於本文揭示的方法的適合沉積方法之實例包括，但不限於，循環式CVD(CCVD)、MOCVD(金屬有機CVD)、熱化學氣相沉積、電漿強化化學氣相沉積(PECVD)、高密度PECVD、光子輔助CVD、電漿-光子輔助(PPECVD)、低溫化學氣相沉積、化學輔助氣相沉積、熱絲化學氣相沉積、液態聚合物前驅物的CVD、從超臨界流體沉積和低能CVD(LECVD)及流動性化學氣相沉積。
本文所述的含第2族金屬的組合物非常適用於作為供用於製造半導體型微電子裝置，例如用於記憶體應用例如DRAM裝置的微電容器電池，的ALD、CVD、脈衝CVD、 電漿強化ALD(PEALD)或電漿強化CVD(PECVD)用的揮發性前驅物。其也非常有用於製造熱偵測裝置。用以形成該等含金屬膜或塗層的方法是沉積製程。適用於本文揭示的方法的適合沉積製程之實例包括，但不限於，循環式CVD(CCVD)、MOCVD(金屬有機CVD)、熱化學氣相沉積、電漿強化化學氣相沉積(“PECVD”)、高密度PECVD、光子輔助CVD、電漿-光子輔助(“PPECVD”)、低溫化學氣相沉積、化學輔助氣相沉積、熱絲化學氣相沉積、液態聚合物前驅物的CVD、從超臨界流體沉積和低能CVD(LECVD)。在特定的具體實施例中，該等含金屬膜係經由原子層沉積法(ALD)、電漿強化ALD(PEALD)或電漿強化循環式CVD(PECCVD)製程沉積。用於本文時，該措辭“化學氣相沉積製程”表示使基材暴露於一或更多揮發性前驅物的任何製程，該等前驅物於該基材上反應及/或分解以製造所欲的沉積。用於本文時，該措辭“原子層沉積製程”表示把材料的膜沉積於變化組成的基材上之自限性(例如，在各反應周期中沉積的膜材料量固定)連續表面化學。儘管文中使用的前驅物及來源有時候可被描述成“氣態”，但是咸瞭解該等前驅物可為液態或固態，其係經由直接蒸發、起泡或昇華作用利用或沒用惰性氣體輸送至該反應器內。在一些案例中，該等汽化前驅物可通過一電漿產生器。在一具體實施例中，該含金屬膜係利用ALD製程沉積。在另一具體實施例中，該含金屬膜係利用CCVD製程沉積。在另一具體實施例中，該含金屬膜係利用熱CVD製程沉積。用於本文時該措辭“反應器”包括，但不限於，反應艙或沉積 艙。
在特定的具體實施例中，文中所揭示的方法利用ALD或CCVD方法避免該等金屬前驅物的預反應，該等方法在引至該反應器之前及/或期間隔開該等前驅物。關於這一點，使用例如ALD或CCVD製程的沉積技術來沉積該介電膜。在一具體實施例中，該膜係經由ALD製程藉由使該基材表面輪流暴露於該含第2族金屬的組合物、氧來源或其他前驅物或試劑中之一或多者來沉積。經由表面反應的自限性控制，各前驅物或試劑的脈衝時間長度及沉積溫度進行薄膜生長。然而，一旦該基材的表面飽和之後，該膜生長就停止。
根據該沉積方法，在特定的具體實施例中，該一或更多第2族金屬前驅物可於預定的莫耳體積或約0.1至約1000微莫耳下被引入該反應器中。在各個不同具體實施例中，該第2族金屬前驅物可被引入該反應器中歷經預定的時期。在特定的具體實施例中，該時期介於約0.001至約500秒。
在特定的具體實施例中，利用文中所述的方法所沉積的膜係在氧存在之下使用氧來源、試劑或包含氧的前驅物形成。氧來源可以至少一氧來源的形態被引入該反應器內及/或可附帶存在於該沉積製程中使用的其他前驅物中。適合的氧來源氣體可包括，舉例來說，水(H2 O)(例如，去離子水、純水及/或蒸餾水)、氧(O2 )、氧電漿、臭氧(O3 )、NO、N2 O、NO2 、一氧化碳(CO)、二氧化碳(CO2 )及其組合。在特定的具體實施例中，該氧來源包含在介於約1至約2000標準立方公 分(sccm)或約1至約1000 sccm的流速下被引入該反應器的氧來源氣體。該氧來源可被引入介於約0.1至約100秒的時間。在一特定具體實施例中，該氧來源包含具有10℃或更高溫度的水。在藉由ALD或循環式CVD製程沉積該薄膜的具體實施例中，該前驅物脈衝可具有大於0.01秒的脈衝期間，而且該氧來源可具有小於0.01秒的脈衝期間，而該水脈衝期間可具有小於0.01秒的脈衝期間。在又另一具體實施例中，介於該等脈衝之間的洗淨期間可為至少0秒或連續脈衝而於其間不洗淨。
文中所揭示的沉積方法可能涉及一或更多洗淨氣體。該洗淨氣體，其係用以洗掉未消耗的反應物及/或反應副產物，為不會與該等前驅物起反應的惰性氣體。例示性洗淨氣體包括，但不限於，氬(Ar)、氮(N2 )、氦(He)、氖、氫(H2 )及其混合物。在特定的具體實施例中，洗淨氣體例如Ar係在介於約10至約2000 sccm的流速下被供應至該反應器內歷經約0.1至1000秒，藉以洗淨未反應的材料及任何可能留在該反應器中的副產物。
供應該等前驅物、氧來源及/或其他前驅物、來源氣體及/或試劑的分別步驟可經由改變供應彼等以改變所得的膜的化學計量組成而進行。
將能量施於該前驅物、含氧的來源、還原劑、其他前驅物或其組合之至少其一以引發反應並且在該基材上形成該含金屬膜或塗層。此能量可經由，但不限於，熱、電漿、脈衝電漿、螺旋電漿(helicon plasma)、高密度電漿、誘導耦 合電漿、X-射線、電子束、光子、遠距電漿方法及其組合來提供。在特定的具體實施例中，可使用二次射頻(RF)頻率來源以改變該基材表面的電漿特性。在沉積涉及電漿的具體實施例中，該電漿產生製程可包含在該反應器中直接產生電漿的直接電漿產生製程，或選擇性地在該反應器外側產生電漿而且供應至該反應器內的遠距電漿產生製程。
該等第2族金屬前驅物可以多種不同的方式輸送至該反應艙例如CVD或ALD反應器。有一具體實施例中，可利用液體遞送系統。在一選擇性具體實施例中，可運用合併液體輸送及閃蒸(flash vaporization)處理單元，例如，舉例來說，明尼蘇達州，休爾瓦的MSP股份有限公司所製造的渦輪汽化器，使低揮發性材料能夠以容積測流方式輸送，導致可再現的輸送及沉積而不會使該前驅物熱分解。本案所述的前驅物組合物可依DLI模式有效地作為來源試劑以將這些第2族咪唑根前驅物供入ALD或CVD反應器中。這些組合物包括利用烴溶劑者，由於該等烴溶劑能乾燥至低於ppm水量的能力而特別理想。可用於本發明的例示性烴溶劑包括，但不限於，甲苯、均三甲苯、枯烯(異丙基苯)、對-傘花烴(4-異丙基甲苯)、1,3-二異丙基苯、辛烷、十二烷、1,2,4-三甲基環己烷、正丁基環己烷及十氫萘(萘烷)。本案的前驅物也可儲存並且於不銹鋼容器中使用。在特定的具體實施例中，該組合物中的烴溶劑是高沸點溶劑或具有100℃或更高的沸點。本案的第2族咪唑根DLI前驅物組合物也可與其他適合的金屬前驅物及用以輸送能同時生長二元金屬氧化物或氮化物膜的混 合物混合。舉例來說，本揭示內容的鍶前驅物可與適合的鈦前驅物混合，該鈦前驅物包括以咪唑基為基礎的鈦前驅物，以供生長鈦酸鍶(STO)膜。同樣地，此揭示內容的鋇前驅物可與包括以咪唑根為基礎的鍶前驅物的適合鍶前驅物混合，接著與包括咪唑根前驅物的適合鈦前驅物混合，以供生長鈦酸鋇鍶(BST)膜。同樣地，本揭示內容的鋇前驅物可與適合的鈦前驅物混合，該鈦前驅物包括以咪唑基為基礎的鈦前驅物，以供生長鈦酸鋇(BTO)膜。
在特定的具體實施例中，該等前驅物組合物的純度高到足以為可靠的半導體製造所接受。在特定的具體實施例中，該等含第2族金屬的前驅物及本文所述之包含彼的組合物包含少於2重量%，或少於1重量%，或少於0.5重量%的一或更多下列雜質：游離的胺類、游離的鹵化物或鹵離子，及更高分子量的物種。較高純度之本文所述的含第2族金屬的前驅物可透過一或更多下列製程獲得：純化、吸附及/或蒸餾。
在特定的具體實施例中，依據製程的需求把從該等前驅物藥罐連接到該反應艙的氣體管道加熱至一或更多溫度並且使包含該組合物的容器保持於一或更多溫度以供起泡。在其他具體實施例中，把包含該含第2族金屬前驅物的組合物注入維持於一或更多溫度的汽化器以供直接液體注射。
氫及/或其他氣體的流動可作為載體氣體運用以助於在該前驅物脈衝的期間將該含至少一第2族金屬前驅物 的蒸氣輸送至該反應艙。在特定的具體實施例中，該反應艙製程壓力係約1托耳。
在典型的ALD或CCVD方法中，在最初暴露於該含第2族金屬前驅物的反應艙之加熱器段上加熱基材例如氧化矽基材，以使該錯合物能化學吸附於該基材的表面上。
洗淨氣體例如氬從該加工艙洗掉未被吸附的過量錯合物。經過充分的洗淨之後，可將含氮來源引進反應艙以與被吸附的表面起反應，接著另一氣體洗淨以從該艙移除反應副產物。此製程周期可重複進行以達成所欲的膜厚度。
在特定的具體實施例中，此製程運用還原劑。該還原劑經常以氣態引進。適合還原劑的實例包括，但不限於，氫氣、氫電漿、遙距氫電漿、矽烷類(亦即，二乙基矽烷、乙基矽烷、二甲基矽烷、苯基矽烷、甲矽烷、二矽烷、胺基矽烷類、氯矽烷類)、硼烷類(亦即，硼烷、二硼烷)、鋁烷類、鍺烷類、肼類、氨或其混合物。在一特定具體實施例例如非晶矽的沉積中，有使用還原劑。
在各個不同具體實施例中，咸瞭解文中所述的方法的步驟可依照多個不同的順序進行，可連續地或同時地進行(例如，在另一步驟的至少一部分的期間)，及其任何組合進行。供應該等前驅物及該等含氮來源氣體的分別步驟可藉由變化供應彼等的時期以改變所得的介電膜的化學計量組成。
在文中所揭示的方法之又另一具體實施例中，該介電膜係利用包含下列步驟的ALD沉積方法形成：將基材提供於反應器中； 將包括含第2族金屬的前驅物之組合物引進該反應器；使該含第2族金屬前驅物化學吸附於基材上；使用洗淨氣體洗掉未反應的含第2族金屬前驅物；將氧來源供至於該被加熱的基材上的含第2族金屬前驅物以與該吸附的含至少一第2族金屬前驅物反應；及任意洗掉未反應的氧來源。
上述步驟界定有關文中所述的方法之一周期；而且此周期可重複進行直到獲得所欲的膜厚度為止。在各個不同具體實施例中，咸瞭解文中所述的方法的步驟可依照多個不同的順序進行，可連續地或同時地進行(例如，在另一步驟的至少一部分的期間)，及其任何組合進行。供應該等前驅物及氧來源的分別步驟可藉由變化供應彼等的時期以改變所得的介電膜的化學計量組成，但是始終按照相對於可利用的矽之低於計量化學的量使用氧。
關於多組分膜，其他前驅物例如含矽前驅物、含氮前驅物、還原劑或其他試劑均可輪流引進該反應艙。
在文中所揭示的方法之又另一具體實施例中，該介電膜係利用熱CVD製程沉積。在此具體實施例中，該方法包含：將一或更多基材置於被加熱至介於周遭溫度至約700℃的溫度並且保持於1托耳或更低的壓力下之反應器中；引進包括該含第2族金屬前驅物的組合物；及將氧來源供入該反應器中以與該含第2族金屬前 驅物至少部分反應並且將第2族金屬膜沉積於該一或更多基材上。在該CVD方法的特定具體實施例中，使該反應器在此引進步驟的期間保持於介於100毫托耳至600毫托耳的壓力下。
上述步驟界定有關文中所述的方法之一周期；而且此循環可重複進行直到獲得所欲的膜厚度為止。在各個不同具體實施例中，咸瞭解文中所述的方法的步驟可以多個不同的順序進行，可連續地或同時地進行(例如，在另一步驟的至少一部分的期間)，及其任何組合進行。供應該等前驅物及氧來源氣體的分別步驟可藉由變化供應彼等的時期以改變所得的膜的化學計量組成。
關於多組分膜，其他前驅物例如含矽前驅物、含氮前驅物、氧來源、還原劑及/或其他試劑可輪流引進該反應艙。
本文所述的是藉由ALD或CVD沉積含金屬膜的方法，該方法包含使用上述本發明之包含金屬咪唑根前驅物的組合物。在一特定具體實施例中，提供藉由DLI輸送將該第2族咪唑根(加成物)前驅物的組合物及相容性溶劑輸送至該反應艙，接著使其與氧來源反應而沉積含金屬膜的方法，該氧來源係選自由水、醇、氧、臭氧、一氧化氮、二氧化氮、過氧化氫或其組合所組成的群組以生長含金屬膜，該含金屬膜係選自由氧化鋇、氧化鍶、氧化鎂、氧化鈣或氧化鐳及其混合物所組成的群組，該方法使用介於約0.001至約1000托耳的反應器壓力及0至1000℃的溫度。依據該第2族金屬的 識別，此方法造成每周期約1埃(Å)的氧化鋇或氧化鍶的沉積。
本文也描述包括使本文所述的咪唑根鋇鍶結構與鈦前驅物的交錯脈衝依ALD或脈衝CVD模式反應以生長BST膜，該等鈦前驅物係選自由烷氧化鈦、烷氧化鈦/二酮酸根、環戊二烯基鈦、胺化鈦、咪唑根鈦及其混合物所組成的群組。
在另一具體實施例中，提供本發明的咪唑根鍶與鈦前驅物的交錯脈衝依ALD或脈衝CVD模式反應以生長STO膜的方法，該等鈦前驅物係選自由烷氧化鈦、烷氧化鈦/二酮酸根、環戊二烯基鈦、胺化鈦、咪唑根鈦及其混合物所組成的群組。
另一具體實施例是本發明的咪唑根鋇與鈦前驅物的交錯脈衝依ALD或脈衝CVD模式反應以生長BTO膜的方法，該等鈦前驅物係選自由烷氧化鈦、烷氧化鈦/二酮酸根、烷氧基鈦/酮酯、環戊二烯基鈦、胺化鈦、咪唑根鈦及其混合物所組成的群組。
又另一具體實施例是本發明的咪唑根鋇與鍶化合物及鈦化合物的交錯脈衝依ALD、CVD或脈衝CVD反應以生長BST膜的方法，該鍶化合物係選自由酮亞胺根鍶、二酮酸根鍶及其混合物所組成的群組而且該鈦化合物係選自由烷氧化鈦、烷氧化鈦/二酮酸根、烷氧基鈦/酮酯、環戊二烯基鈦、胺化鈦及其混合物所組成的群組。
又另一具體實施例為使咪唑根前驅物與含鹵化物氣體依ALD、CVD或脈衝CVD模式反應以生長MX2 的方 法，其中X=鹵化物而且M係選自由Ba、Sr、Mg、Ca、Ra及其混合物所組成的群組，該含鹵化物氣體係選自由HCl、HF、SiCl4 、HBr及其混合物所組成的群組。
本文也提供一種合成本文所述的前驅物的方法，該方法係藉由咪唑與金屬試劑的直接金屬化，該金屬試劑係選自由下列所組成的群組：正丁基鋰、正己基鋰、第二丁基鋰、第三丁基鋰、二異丙基醯胺鋰、氫化鉀、氫化鈉、鈉金屬、鉀金屬、第三丁氧基鈉、第三丁氧基鉀、六甲基二矽氮烷鉀鹽、六甲基二矽氮烷鈉鹽；並且接著在供體配位子存在或不存在的情形下使所得的產物與選自由下列所組成的群組的反應物反應而進行：鹼土金屬碘化物、鹼土金屬醋酸鹽、鹼土金屬羧酸鹽、鹼土金屬碳酸鹽、鹼土金屬甲酸鹽、鹼土金屬溴化物、鹼土金屬三氟醋酸鹽、鹼土金屬六氟乙醯基丙酮酸鹽、鹼土金屬三氟丙酮酸鹽、鹼土金屬乙醯基丙酮酸鹽、鹼土金屬二亞胺、鹼土金屬酮亞胺、鹼土金屬脒鹽、鹼土金屬胍鹽及其混合物。在後者案例中，等其分離之後該供體配位子可加於該咪唑根錯合物。
一種直接合成本發明的咪唑根結構的方法，其係利用一試劑在供體配位子存在或不存在的情形下使多烷基化咪唑反應而進行，該試劑係選自由下列所組成的群組：鹼土金屬醯胺化物、鹼土金屬苯氧化物、鹼土金屬氫氧化物、鹼土金屬烷基物、鹼土金屬芳基物及其混合物。在後者案例中，等其分離之後該供體配位子可加於該咪唑根錯合物。
在一選擇性具體實施例中，本發明為合成本發明 的咪唑根結構的方法，其係在氨存在的情形之下在供體配位子存在或不存在的情形下使咪唑與鹼土金屬反應。在後者案例中，等其分離之後該供體配位子可加於該咪唑根錯合物。
另一替代方案為合成本發明的咪唑根結構的方法，其係於胺與氨存在的情形之下在供體配位子存在或不存在的情形下使咪唑與鹼土金屬反應。在後者案例中，等其分離之後該供體配位子可加於該咪唑根錯合物。
本發明亦為一種生長介電膜的方法，該等介電膜係選自由下列所組成的群組：STO及BST，該方法使用本發明的金屬咪唑鹽類混合物以形成選自由動態隨機存取記憶體(DRAM)記憶電池及高溫計裝置(pyrometric devices)所組成的群組之微電子裝置。
或者，本發明為一種使用本發明的咪唑根結構製造微電子裝置的方法，該等微電子裝置係選自由下列所組成的群組：非揮發性鐵電微電子記憶體裝置、用於電致發光顯示器的顯示燐光體(display phosphor)、高Tc超導裝置。
在又另一具體實施例中，本發明為一種藉由ALD或CVD生長金屬金屬氧化物或氮化物膜的方法，其包含：提供本發明的咪唑根鋇或鍶結構聯合溶於溶劑中的鈦來源，該溶劑係選自由下列所組成的群組：醚、胺基醚、醯胺、酯、芳烴或烴溶劑；及經由DLI系統輸送所得組合物以提供該所得組合物的蒸氣流以藉由ALD或CVD生長該金屬氧化物或氮化物膜。
實施例 實施例1：雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶
在氮氣氛作用之下將2.79g(0.0025莫耳)的四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶攪入50毫升(ml)的乾燥己烷。接著經歷5分鐘添加0.36g(0.005莫耳)的四氫呋喃造成該鍶錯合物緩慢溶解。將所得的溶液攪拌過夜並且接著經由真空除去己烷。生產量為2.8g。最終產物的結構係經由X-射線結晶學測定，顯示於圖1中，據發現其具有式2的類型。1 H NMR：(500 MHz,D8甲苯)：δ=1.34(m,4H),δ=1.41(s,18H),δ=1.57(s,36H),δ=3.96(m,4H)。
實施例2：雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶
在氮氣氛作用之下將2.79g(0.0025莫耳)的四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶攪入50ml的乾燥己烷。接著經歷5分鐘添加0.50mL(0.005莫耳)的3-甲基四氫呋喃並且攪拌該混合物過夜。接著經由真空除去己烷以產生白色固體。最終產物的結構係經由X-射線結晶學測定，顯示於圖2中，據發現其具有式2的類型。生產量：2.74g，85%。1 H NMR：(500 MHz,D8甲苯)：δ=0.72(d,3H),δ=1.43(s,18H),δ=1.53(m,1H),δ=1.58(s,36H),δ=1.87(m,2H),δ=3.25(t,1H),δ=4.0035(m,2H),δ=4.3456(t,1H)。
實施例3：雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶
在氮氣氛作用之下將2.79g(0.0025莫耳)的四 (2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶攪入50ml的乾燥己烷。接著添加0.35g(0.005莫耳)的2,5-二氫呋喃並且攪拌該混合物過夜。接著經由真空除去己烷以產生白色固體。最終產物的結構係經由X-射線結晶學測定，顯示於圖3中，據發現其具有式2的類型。1 H NMR：(500 MHz,D8甲苯)：δ=1.43(s,18H),δ=1.56(s,36H),δ=4.47(s,4H),δ=5.24(s,2H)。生產量：2.51g，80%。TGA：8.09%的殘餘質量。
實施例4：雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(1,2-二甲氧基丙烷)鍶
在氮氣氛作用之下將2.79g(0.0025莫耳)的四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶攪入50ml的乾燥己烷。接著經歷5分鐘添加0.52g(0.005莫耳)的二甲氧基丙烷造成該鍶錯合物緩慢溶解。再攪拌20分鐘之後，該混合物變得混濁並且於額外的10分鐘內形成白色沉澱。接著攪拌該混合物過夜。接著經由真空除去己烷以產生白色固體。生產量為2.83g。1 H NMR：(500 MHz,D8甲苯)：δ=0.47(d,3H),δ=1.47(s,18H),δ=1.62(s,36H),δ=2.25(m,1H),δ=2.4(m,1H),δ=2.64(m,1H),δ=2.86(s,3H),δ=3.02(s,3H)。最終產物的結構係經由X-射線結晶學測定，顯示於圖4中，據發現其具有式3的類型。
實施例5：雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(1,1-二甲氧基乙烷)鍶
在氮氣氛作用之下將2.79g(0.0025莫耳)的四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶攪入30ml的乾燥己烷。接著添 加0.53mL(0.005莫耳)的1,1-二甲氧基乙烷並且攪拌該混合物過夜。接著經由真空除去己烷以產生白色固體。生產量為3.05g，94%。1 H NMR：(500 MHz,D8甲苯)：δ=0.61(d,3H),δ=1.48(s,18H),δ=1.58(s,36H),δ=2.73(s,6H),δ=3.58(q,1H)。最終產物的結構係經由X-射線結晶學測定，顯示於圖5中，據發現其具有式3的類型。
實施例6：雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四甲基乙二胺)鍶
在氮氣氛作用之下將2.79g(0.0025莫耳)的四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶攪入50ml的乾燥己烷。接著經歷5分鐘添加0.58g(0.005莫耳)的四甲基乙二胺造成該鍶錯合物緩慢溶解。再攪拌20分鐘之後，該混合物變得混濁並且於額外的10分鐘內形成白色沉澱。接著攪拌該混合物過夜。接著經由真空除去己烷以產生白色固體。生產量=2.8g。1 H NMR：(500 MHz,D8甲苯)：δ=1.50(s,18H),δ=1.59(s,36H),δ=1.68(t,4H),δ=1.79(s,12H)。最終產物的結構係經由X-射線結晶學測定，顯示於圖6中，據發現其具有式4的類型。
實施例7：嘗試合成雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(二正丁醚)鍶
在氮氣氛作用之下將2.79g(0.0025莫耳)的四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶攪入30ml的乾燥己烷。接著添加0.65g(0.005莫耳)的二正丁醚並且攪拌該混合物過夜。應用真空以除去己烷而產生白色固體。該白色固體的NMR顯示 其係四(2,4,5-三第三丁基咪唑根)二鍶，這指示該二正丁醚也被真空除去而且不會與該鍶咪唑根形成錯合物。
實施例8：製備雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶於環辛烷中的0.37M溶液
於室溫下在乾燥氮氣氛作用之下將0.29g(0.46毫莫耳)的雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶溶於0.91g的環辛烷以得到稱重得1.2g的1.25ml最終溶液體積。
按照0.00046/0.00125=0.37M算出雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶的最終莫耳濃度。
按照0.29/1.2=24重量%算出雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶的最終重量%。
實施例9：製備雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶於均三甲苯中的0.64M溶液
於室溫下在乾燥氮氣氛作用之下將0.33g(0.53毫莫耳)的雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶溶於0.53g的均三甲苯以得到稱重得0.86g的0.81ml最終溶液體積。
按照0.00053/0.00081=0.65M算出雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶的最終莫耳濃度。
按照0.33/0.86=38重量%算出雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶的最終重量%。
實施例10：將0.3M雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶直接液體注射於均三甲苯
利用500sccm通過調設於200℃下的氬流及供入調設於1托耳壓力下的所得蒸氣流，於0.5克/分下將雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶於均三甲苯中的0.3M溶液供應至2830HT型DLI系統(美國，MSP股份有限公司)。重複進行30秒液流控制器(LFC)前驅物脈衝接著90秒氬洗淨的周期。經歷200分鐘的時期，每周期的LFC流率保持穩定於0.5g/min藉以證明該汽化器的阻塞及結果導致的前驅物流動限制沒有發生。這接著強調該前驅物溶液之乾淨汽化。藉由四極質譜儀(QMS)同樣經歷200分鐘的時期檢查包含均三甲苯和雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶的蒸氣混合物的品質。接著把分子斷片77和79mu的離子電流強度，代表均三甲苯存在於該組合物，當時間的函數繪圖。當77和79質量單位(mu)斷片的響應於1 X 10e-10(液體流動關)與1X 10e-07(液體流動開)之間調和地周期循環時，該QMS讀值顯示該等響應便能有效地疊置。此外，據觀察該QMS壓力於3.5 X 10e-06托耳(液體流動關)與5.5 X 1-e-06托耳(液體流動開)之間調和地周期循環，與質譜儀離子電流周期完全一致。同時，這些結果說明該QMS壓力及該均三甲苯流量與該LFC前驅物脈衝調和地周期循環。這些結果也進一步說明沒見到該汽化器阻塞和結果導致的前驅物流動限制及該前驅物溶液乾淨地汽化。

Claims (21)

  1. 一種組合物，其包含：一第2族金屬咪唑根錯合物，其包含：咪唑根，該咪唑根包含：至少一選自由下列所組成的群組者：2,4,5-三第三丁基咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；及2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根；選自鋇、鍶、鎂、鐳及鈣的第2族金屬；及配位於該第2族金屬咪唑根錯合物的配位子，其中該配位子係至少一選自由含氮的單牙C4 至C12 環狀分子、含氧的單牙C4 至C12 環狀分子、含氮的C4 至C12 雙牙配位子、含氧的C4 至C12 雙牙配位子及包含氮和氧的C4 至C12 雙牙配位子所組成的群組者；及一具有100℃或更高的沸點的烴溶劑，其中該第2族金屬咪唑根錯合物的濃度介於0.1至1M。
  2. 如申請專利範圍第1項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物的濃度介於0.1至0.5M。
  3. 如申請專利範圍第1項之組合物，其中該組合物包含二不同的第2族金屬咪唑根錯合物。
  4. 如申請專利範圍第1項之組合物，其中該烴溶劑包含環辛烷。
  5. 如申請專利範圍第1項之組合物，其中該烴溶劑包含均三甲苯(mesitylene)。
  6. 如申請專利範圍第1項之組合物，其中該組合物係用於含第2族薄膜的ALD或CVD沉積的DLI輸送。
  7. 如申請專利範圍第6項之組合物，其中該組合物係與經由ALD或CVD沉積STO和BST薄膜的揮發性鈦來源聯合使用。
  8. 如申請專利範圍第1項之組合物，其中該配位子包含選自由含氮的單牙C4 至C12 環狀分子及含氧的單牙C4 至C12 環狀分子所組成的群組者。
  9. 如申請專利範圍第8項之組合物，其中該配位子係選自由四氫呋喃、3-甲基四氫呋喃、2,5-二氫呋喃、2,3-二氫呋喃、吡啶、N-甲基咪唑及吡咯所組成的群組者。
  10. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物至少一選自雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5- 三第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  11. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物係至少一選自雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二 甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  12. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物係至少一選自雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  13. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物係至少一選自雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四 氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  14. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物係至少一選自雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基))咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基))咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5- 二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  15. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物係至少一選自雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根))(四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃鈣)、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  16. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑 根錯合物係至少一選自雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  17. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物係至少一選自雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃) 鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)-咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)-咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  18. 如申請專利範圍第9項之組合物，其中該第2族金屬咪唑根錯合物係至少一選自雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(3-甲基四氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鍶、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,5-二氫呋喃)鋇、雙(2-(1,1-二甲基丙 基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鈣、雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鍶及雙(2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根)(2,3-二氫呋喃)鋇者。
  19. 一種用於將第2族金屬氧化物膜形成於基材上之方法，其中該膜包含一厚度，該方法包含：a.引進含第2族金屬的組合物，該組合物包含：一第2族金屬咪唑根錯合物，其包含：咪唑根，該咪唑根包含：至少一選自由下列所組成的群組者：2,4,5-三第三丁基咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二第三丁基咪唑根；2-(1,1-二甲基丁基)-4,5-二(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-第三丁基-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丁基)咪唑根；2,4,5-三(1,1-二甲基丙基)咪唑根；2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二(1,1-二甲基丁基)咪唑根；及2-(1,1-二甲基丙基)-4,5-二第三丁基咪唑根；選自鋇、鍶、鎂、鐳及鈣的第2族金屬；及將該第2族金屬配位於該錯合物中的咪唑根的配位子，其中該配位子係至少一選自由含氮的單牙C4 至C12 環狀分子、含氧的單牙C4 至C12 環狀分子、含氮的C4 至C12 雙牙配位子、含氧的C4 至C12 雙牙配位子及同時包含氮和氧的C4 至C12 雙牙配位子所組成的群組者；及 一具有100℃或更高的沸點的烴溶劑，其中該第2族金屬咪唑根錯合物的濃度介於0.1至1M；b.使該含第2族金屬的組合物化學吸附於該基材上；c.使用洗淨氣體洗掉未反應的含第2族金屬的組合物；d.提供氧來源給該受熱基材上之含第2族金屬的組合物以與該吸附之含第2族金屬的組合物反應；及e.任意地洗掉任何未反應的氧來源。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中重複進行步驟a.至d.及任意步驟e.直到建立該膜的厚度為止。
  21. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該方法係原子層沉積製程。
TW102111543A 2012-03-30 2013-03-29 用於直接液體注射的第２族咪唑根配方 TWI468395B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261618019P 2012-03-30 2012-03-30
US13/848,808 US20130260025A1 (en) 2012-03-30 2013-03-22 Group 2 Imidazolate Formulations for Direct Liquid Injection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201341368A TW201341368A (zh) 2013-10-16
TWI468395B true TWI468395B (zh) 2015-01-11

Family

ID=48049813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102111543A TWI468395B (zh) 2012-03-30 2013-03-29 用於直接液體注射的第２族咪唑根配方

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20130260025A1 (zh)
EP (1) EP2644284B1 (zh)
JP (1) JP2013214747A (zh)
KR (2) KR20130113374A (zh)
CN (1) CN103361630A (zh)
TW (1) TWI468395B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101933727B1 (ko) * 2013-08-26 2018-12-31 연세대학교 산학협력단 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐 원소로 도핑할 수 있는 할로겐 도핑 소스, 상기 할로겐 도핑 소스의 제조 방법, 상기 할로겐 원소 소스를 이용하여 원자층 증착법으로 산화물 박막의 일부를 할로겐으로 도핑하는 방법, 및 상기 방법을 이용하여 형성된 할로겐 원소가 도핑된 산화물 박막
JP6265813B2 (ja) 2013-10-15 2018-01-24 本田技研工業株式会社 排気浄化フィルタ
KR102618630B1 (ko) * 2019-10-10 2023-12-26 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 조성물, 박막 증착용 조성물을 이용한 박막의 제조 방법, 박막 증착용 조성물로부터 제조된 박막, 및 박막을 포함하는 반도체 소자
CN114621259A (zh) * 2020-12-10 2022-06-14 中国科学院大连化学物理研究所 一种金属有机氢化物络合物材料及其制备方法与应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2256121A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-01 Air Products and Chemicals, Inc. Volatile group 2 metal precursors
US20110212629A1 (en) * 2009-09-08 2011-09-01 Air Products And Chemicals, Inc. Liquid composition containing aminoether for deposition of metal-containing films
EP2371821A1 (en) * 2010-02-05 2011-10-05 Air Products and Chemicals, Inc. Volatile imidazoles and group 2 imidazole based metal precursors

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009290016A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、シリコンの前駆体液および電子機器の製造方法
US8952188B2 (en) * 2009-10-23 2015-02-10 Air Products And Chemicals, Inc. Group 4 metal precursors for metal-containing films
US20110256314A1 (en) * 2009-10-23 2011-10-20 Air Products And Chemicals, Inc. Methods for deposition of group 4 metal containing films

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2256121A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-01 Air Products and Chemicals, Inc. Volatile group 2 metal precursors
US20110212629A1 (en) * 2009-09-08 2011-09-01 Air Products And Chemicals, Inc. Liquid composition containing aminoether for deposition of metal-containing films
EP2371821A1 (en) * 2010-02-05 2011-10-05 Air Products and Chemicals, Inc. Volatile imidazoles and group 2 imidazole based metal precursors

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150116430A (ko) 2015-10-15
JP2013214747A (ja) 2013-10-17
CN103361630A (zh) 2013-10-23
TW201341368A (zh) 2013-10-16
EP2644284A1 (en) 2013-10-02
US20130260025A1 (en) 2013-10-03
KR20130113374A (ko) 2013-10-15
EP2644284B1 (en) 2015-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10914001B2 (en) Volatile dihydropyrazinly and dihydropyrazine metal complexes
US8357784B2 (en) Beta-diketiminate ligand sources and metal-containing compounds thereof, and systems and methods including same
TWI481617B (zh) 揮發性第２族金屬前驅物
US7572731B2 (en) Unsymmetrical ligand sources, reduced symmetry metal-containing compounds, and systems and methods including same
KR101349888B1 (ko) 금속 함유 막을 증착시키기 위한 금속 에놀레이트 전구체
TWI468395B (zh) 用於直接液體注射的第２族咪唑根配方
US11377454B2 (en) Aluminum precursor and process for the generation of metal-containing films
CN114539295B (zh) 稀土前驱体、制备其的方法和使用其形成薄膜的方法
US20220145461A1 (en) Rare earth precursor, method of preparing the same, and method of forming thin film using the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees