JP2013203638A - フェライト薄膜の形成方法及び該方法により得られたフェライト薄膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フェライト薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布して塗布膜を形成する工程及び上記塗布膜を仮焼きする工程を仮焼き後の上記基板上の膜厚さが所望の厚さになるように1回又は複数回行い、上記基板上に形成した仮焼き膜を焼成することによりフェライト薄膜を形成する方法において、上記基板上に形成した仮焼き膜を焼成する条件が大気、酸素ガス又は不活性ガス雰囲気下、昇温速度1〜50℃/分、保持温度500〜800℃、保持時間30〜120分であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
先ず、NiZnフェライト薄膜形成用組成物として、金属(Ni、Zn、Fe)の硝酸塩(硝酸ニッケル六水和物、硝酸亜鉛六水和物、硝酸鉄九水和物)、アセトニトリル、プロピレングリコール、ブタノールからなる金属酸化物濃度が5質量%のゾルゲル液を用意した。なお、ゾルゲル液中に含まれる各金属(Ni、Zn、Fe)は、形成する薄膜の組成が(Ni0.36Zn0.64O)(Fe2O3)となるような配合割合とした。また、Si/SiO2基板を用意した。次いで、このゾルゲル液をSi/SiO2基板上に滴下し、3000rpmで15秒間スピンコートを行い塗布膜を形成した。そしてこの塗布膜付き基板を次の表1に示す条件で加熱したホットプレート上に載せて仮焼きを行うことにより、前駆体を熱分解した。この操作を5〜15回繰り返し、所望の膜厚を有するアモルファス状の仮焼き膜付き基板を得た。次に、得られたアモルファス状の仮焼き膜付き基板をマッフル炉内に入れ、炉内を大気雰囲気とし、次の表1に示す昇温速度で室温から保持温度まで昇温し、保持温度で表1に示す時間だけ保持する焼成を行った。なお、図6に、実施例1−2及び実施例1−11における焼成時の温度とプロセス時間との関係を示す。得られた膜をXRD測定したところ、単相の(Ni0.36Zn0.64O)(Fe2O3)膜であることが確認された。
先ず、CuZnフェライト薄膜形成用組成物として、硝酸銅三水和物、酢酸亜鉛二水和物、硝酸鉄九水和物、アセトニトリル、プロピレングリコール、ブタノールからなる金属酸化物濃度が5質量%のゾルゲル液を用意した。なお、ゾルゲル液中に含まれる各金属(Cu、Zn、Fe)は、形成する薄膜の組成が(Cu0.40Zn0.60O)(Fe2O3)となるような配合割合とした。また、Si/SiO2基板を用意した。次いで、このゾルゲル液をSi/SiO2基板上に滴下し、3000rpmで15秒間スピンコートを行い塗布膜を形成した。そしてこの塗布膜付き基板を次の表1に示す条件で加熱したホットプレート上に載せて仮焼きを行うことにより、前駆体を熱分解した。この操作を5〜10回繰り返し、所望の膜厚を有するアモルファス状の仮焼き膜付き基板を得た。次に、得られたアモルファス状の仮焼き膜付き基板をマッフル炉内に入れ、炉内を酸素雰囲気とし、次の表1に示す昇温速度で室温から保持温度まで昇温し、保持温度で表1に示す時間だけ保持する焼成を行った。得られた膜をXRD測定したところ、単相の(Cu0.40Zn0.60O)(Fe2O3)膜であることが確認された。
先ず、NiCuZnフェライト薄膜形成用組成物として、酢酸ニッケル四水和物、硝酸銅三水和物、酢酸亜鉛二水和物、硝酸鉄九水和物、アセトニトリル、プロピレングリコール、ブタノールからなる金属酸化物濃度が5質量%のゾルゲル液を用意した。なお、ゾルゲル液中に含まれる各金属(Ni、Cu、Zn、Fe)は、形成する薄膜の組成が(Ni0.40Cu0.20Zn0.40O)(Fe2O3)となるような配合割合とした。また、Si/SiO2基板を用意した。次いで、このゾルゲル液をSi/SiO2基板上に滴下し、3000rpmで15秒間スピンコートを行い塗布膜を形成した。そしてこの塗布膜付き基板を次の表1に示す条件で加熱したホットプレート上に載せて仮焼きを行うことにより、前駆体を熱分解した。この操作を5〜15回繰り返し、所望の膜厚を有するアモルファス状の仮焼き膜付き基板を得た。次に、得られたアモルファス状の仮焼き膜付き基板をマッフル炉内に入れ、炉内を窒素雰囲気とし、次の表1に示す昇温速度で室温から保持温度まで昇温し、保持温度で表1に示す時間だけ保持する焼成を行った。得られた膜をXRD測定したところ、単相の(Ni0.40Cu0.20Zn0.40O)(Fe2O3)膜であることが確認された。
アモルファス状の仮焼き膜付き基板の焼成時の昇温速度を次の表1に示す高い昇温速度に変動させた以外は、実施例1−1〜1−16と同様にして単相の(Ni0.36Zn0.64O)(Fe2O3)膜付き基板を得た。
アモルファス状の仮焼き膜付き基板の焼成時の昇温速度を次の表2に示す高い昇温速度に変動させた以外は、実施例2−1〜2−16と同様にして単相の(Cu0.40Zn0.60O)(Fe2O3)膜付き基板を得た。なお、図6に、比較例2−2における焼成時の温度とプロセス時間との関係を示す。
アモルファス状の仮焼き膜付き基板の焼成時の昇温速度を次の表3に示す高い昇温速度に変動させた以外は、実施例3−1〜3−16と同様にして単相の(Ni0.40Cu0.20Zn0.40O)(Fe2O3)膜付き基板を得た。
実施例並びに比較例で得られたフェライト薄膜について、次に示す方法により、膜厚、クラックの有無及び初透磁率を求めた。それらの結果を次の表1〜表3に示す。また、実施例1−2、実施例2−2及び実施例3−2で得られたフェライト薄膜の初透磁率を図1に示す。また、実施例1−11及び比較例1−1で得られたフェライト薄膜の表層及び断面をSEM(Scanning Electron Microscope;日立製作所社製:モデルS−4300SE)により観察したときの写真図を図2〜図5に示す。
但し、上記式(1)中、μ0は真空の透磁率、μ’は薄膜フェライトの複素透磁率における実部(初透磁率)、Sは薄膜フェライトの断面積、Nはコイルの巻き数、lはコイルの長さである。
Claims (4)
- フェライト薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布して塗布膜を形成する工程及び前記塗布膜を仮焼きする工程を仮焼き後の前記基板上の膜厚さが所望の厚さになるように1回又は複数回行い、前記基板上に形成した仮焼き膜を焼成することによりフェライト薄膜を形成する方法において、
前記基板上に形成した仮焼き膜を焼成する条件が大気、酸素ガス又は不活性ガス雰囲気下、昇温速度1〜50℃/分、保持温度500〜800℃、保持時間30〜120分であることを特徴とするフェライト薄膜の形成方法。 - 前記フェライト薄膜の元素構成がNiZnFeO、CuZnFeO又はNiCuZnFeOである請求項1記載のフェライト薄膜の形成方法。
- 前記基板上に形成した塗布膜を仮焼きする条件が大気又は酸素ガス雰囲気下、温度100〜450℃、保持時間が1〜30分である請求項1又は2記載のフェライト薄膜形成方法。
- 請求項1ないし3いずれか1項に記載の形成方法により得られたフェライト薄膜。
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