JP2013201244A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】特性インピーダンスの調整を行なった場合に信号の損失を抑制すること。
【解決手段】導電性を有し、且つ選択的に開口が配設されてなるコア層１２と、前記開口１８内に配設された信号配線１６と、前記コア層１２の主面に配設された絶縁層１０と、を具備し、前記信号配線１６は、前記コア層１２の厚さ方向に沿う距離Ｔ１が、前記信号配線１６の前記コア層１２の面方向の距離Ｌ１よりも大である配線基板。
【選択図】図２

Description

本発明は配線基板に関し、例えばコア層の開口に設けられた信号配線を有する配線基板に関する。

携帯電話端末等の高周波信号を用いる電子機器が多く用いられている。このような電子機器にはマイクロ波信号等の高周波信号が伝搬する伝送線路を有する配線基板が用いられる。なお、かかる配線基板は、配線基板、インターポーザーなどとも称され、使用形態或いは用途に応じて適宜選択されている。特許文献１には、誘電体基板に溝を設け、溝の表面に金属膜を形成し、溝内に誘電体を形成し、誘電体上に信号配線を形成した配線基板が記載されている。この場合、信号配線と金属膜とで伝送線路を形成する。特許文献２には、信号線の回りを樹脂層で囲み、樹脂層の外側を環状のシールド電極で覆った配線基板が記載されている。この場合、信号線とシールド電極とで伝送線路を形成する。

特開平８−１２５４１２号公報 特開２００６−７３５８９号公報

特許文献１および２のように、複雑な構造の伝送線路を用いると製造が複雑となってしまう。一方、絶縁層と導電層とを積層した多層基板において、グランド層と信号配線を同じ導電層により形成することにより、簡単に伝送線路を形成できる。しかしながら、所望の特性インピーダンスを得るためには、信号配線の幅を調整して設計することになる。例えば、信号配線の幅が狭くなると信号の損失が大きくなってしまう。このように、伝送線路の特性インピーダンスの調整を行なうと信号の損失が大きくなることがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、特性インピーダンスの調整を行なった場合に信号の損失を抑制することを目的とする。

本発明は、導電性を有し、且つ選択的に開口が配設されてなるコア層と、前記開口内に配設された信号配線と、前記コア層の主面に配設された絶縁層と、を具備し、前記信号配線は、前記コア層の厚さ方向に沿う距離が、前記信号配線の前記コア層の面方向の距離よりも大であることを特徴とする配線基板である。本発明によれば、特性インピーダンスの調整を行なった場合に信号の損失を抑制することができる。

上記構成において、前記コア層は基準電位が与えられる構成とすることができる。

上記構成において、前記信号配線の前記断面の前記コア層の厚さ方向の厚さは、前記コア層の厚さ以下である構成とすることができる。

上記構成において、前記コア層は、複数の前記開口を有し、前記信号配線は、その少なくとも一部が前記複数の開口内にそれぞれ設けられる構成とすることができる。

上記構成において、前記信号配線の少なくとも一部は、インダクタを形成する構成とすることができる。

上記構成において、前記信号配線は、前記開口内において、２つの前記電子部品間を電気的に接続する構成とすることができる。

上記構成において、前記信号配線は、前記開口内において、２つの前記電子部品間を電気的に接続する構成とすることができる。

上記構成において、前記信号配線の中央領域において、前記信号配線と電気的に接続する配線を具備する構成とすることができる。

上記構成において、前記信号配線は、３つ以上の端を有し、前記３つ以上の端は前記開口内において、それぞれ複数の前記電子部品と電気的に接続される構成とすることができる。

本発明によれば、特性インピーダンスの調整を行なった場合に信号の損失を抑制することができる。

図１は、比較例に係る配線基板を示す断面図である。 図２（ａ）は、本発明の実施例１に係る配線基板の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図３（ａ）はシミュレーションに用いた基板構造の斜視図、図３（ｂ）は斜視断面図、図３（ｃ）はコア層の斜視図である。 図４（ａ）は、サンプルＳ１からＳ６の信号配線のインピーダンスＳ１１のスミスチャート、図４（ｂ）は、周波数に対する伝送線路の損失を示す図である。 図５（ａ）は、実施例２に係る配線基板の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図６（ａ）は、実施例３に係る配線基板の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の断面模式図である。 図７（ａ）は、実施例４に係る配線基板の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例４に係る配線基板の製造方法を示す図である。 図８（ｅ）から図８（ｆ）は、実施例４に係る配線基板の製造方法を示す図である。 図９（ａ）から図９（ｂ）は、実施例４に係る配線基板の製造方法を示す図である。 図９（ｃ）から図９（ｆ）は、実施例４に係る配線基板の製造方法を示す図である。 図９（ｇ）から図９（ｉ）は、実施例４に係る配線基板の製造方法を示す図である。 図１０は、実施例４の変形例に係る配線基板の平面図である。 図１１（ａ）は、実施例５に係る配線基板の平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１２（ａ）は、実施例６に係る配線基板の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例６の製造方法を示す側面図および平面図である。 図１４（ａ）は、実施例７に係る配線基板の平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１４（ｃ）は等価回路図である。 図１５（ａ）は、実施例８に係る配線基板の平面図、図１５（ｂ）は等価回路図である。 図１６（ａ）から図１６（ｃ）は、実施例８に係る配線基板の製造方法を示す平面図である。

まず、比較例について説明する。図１は、比較例に係る基板を示す断面図である。図１に於いて、配線基板１００ｘは、複数の導電層１４ｘ、導電層１４ｙおよび導電層１４ｚと、複数の絶縁層１０ｘおよび絶縁層１０ｙを備えている。導電層１４ｘ、導電層１４ｙおよび導電層１４ｚと絶縁層１０ｘおよび絶縁層１０ｙは交互に積層されて、所謂多層配線構造をなしている。かかる多層配線構造に於いて中間に位置する導電層１４ｙには、信号配線１６ｘが選択的に配設されている。信号配線１６ｘの両側に位置する導電層１４ｙと、信号配線１６ｘの上下に、それぞれ絶縁層１０ｘおよび絶縁層１０ｙを介して位置する導電層１４ｚおよび導電層１４ｘは、基準電位（グランド）に接続される。この様な構成をもって、信号配線１６ｘと他の導電層１４ｘから１４ｚにより伝送線路２０ｘが形成される。

かかる配線基板構成に於いて、配線基板１００ｘに複数形成される伝送線路毎にその特性インピーダンスを所望の値とする為に、伝送線路毎に絶縁層１０ｘならびに絶縁層１０ｙの材質を変えること、または、絶縁層１０ｘおよび絶縁層１０ｙの膜厚を変えることは現実的ではない。よって、絶縁層１０ｘおよび絶縁層１０ｙの誘電率および膜厚を変化させないとすると、信号配線１６ｘの幅Ｌ０１、信号配線１６ｘと両側の導電層１４ｙとの間の距離Ｌ０２、および信号配線１６ｘの上下の領域Ｒ０１およびＲ０２における導電層１４ｘおよび導電層１４ｚの有無を調整することにより、伝送線路２０ｘの特性インピーダンスが所望の値になるように設計することとなる。

かかる配線基板構造にあっては、導電層１４ｙの膜厚Ｔ０１が小さなため、距離Ｌ０２の微小な違いで伝送線路２０ｘの特性インピーダンスは大きく変動してしまう。一方、領域Ｒ０１および領域Ｒ０２における導電層１４ｘおよび導電層１４ｚの有無だけでは、特性インピーダンスの微小な変更は難しい。このように、距離Ｌ０２の調整、或いは領域Ｒ０１および領域Ｒ０２における導電層１４ｘおよび導電層１４ｚの有無による特性インピーダンスの調整は難しい。そこで、信号配線１６ｘの幅Ｌ０１を変更することにより、伝送線路２０ｘの特性インピーダンスが所望の値となるように設計する。

しかしながら、信号配線１６ｘの幅Ｌ０１および厚さＴ０１の設定値によって、信号の損失が増減する。例えば、所望の特性インピーダンスを得るため、幅Ｌ０１を狭くすると、伝送線路２０ｘにおける信号の損失が増加してしまう。この様な伝送線路に於ける損失の増加を招来しない配線基板構成を、本発明の実施例をもって説明する。

図２（ａ）は、本発明の実施例１に係る配線基板１００の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図２（ａ）は、後述する如く、多層配線構造を有する配線基板１００のコア層１２と絶縁層１０ｃとの界面に於ける、コア層１２の表面（上面）を示しており、信号配線１６、ビア配線１９、配線１７ならびに電子部品３０の位置関係を示している。

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示される如く、配線基板１００にあっては、比較的厚い導電層からなるコア層１２の一方の主面（下面）には絶縁層１０ａおよび絶縁層１０ｂが積層配置され、また、コア層１２の他方の主面（上面）には絶縁層１０ｃおよび絶縁層１０ｄが積層配置されている。そして、コア層１２には、かかるコア層１２を貫通する開口１８ならびに開口２２が選択的に設けられており、一方の開口１８内には信号配線１６が配設され、かかる信号配線１６とコア層１２との間には絶縁物が充填され絶縁層１０ｅを形成する。かかるコア層１２が基準電位（グランド）が与えられることにより、信号配線１６とコア層１２は伝送線路２０を構成する。また他方の開口２２内には、電子部品３０が配置され、かかる電子部品３０とコア層１２との間にも絶縁物１０ｆが充填されている。かかる電子部品３０は、チップ抵抗、チップコンデンサ或いはチップインダクタなどの所謂チップ部品であって、その両端に配設された電極端子３２を介して配線層（図示せず）に接続される。

コア層１２の他方の主面上に配置された絶縁層１０ｃには、前記信号配線１６の端部に対応する位置に、ビア配線１９が形成され、また絶縁層１０ｃの表面（絶縁縁１０ｄとの界面）には導電層１４をもって配線１７が形成されている。かかる配線構造により、配線１７ａおよびビア配線１９ａを介して信号配線１６に入力された信号は、ビア配線１９ｂを介して配線１７ｂへ流れる。もちろん逆方向の信号の流れもあり得る。一方、前記コア層１２に設けられた開口２２内に電子部品３０が収容、配置されることにより、配線基板１００の主面上に配設される電子部品の数を減じることができ、もってかかる配線基板１００を適用する電子機器の小型化を図ることができる。開口２２内に配設された電子部品３０の電極端子３２も、絶縁層１０ｃを貫通して設けられるビア配線（図示せず）を通して、絶縁層１０ｃと絶縁層１０ｄとの間に配設される配線層（図示せず）に接続される。尚、上記コア層１２は銅（Ｃｕ）を主体とする金属をもって形成され、信号配線１６、導電層１４ならびにビア配線１９は、同様に銅を主体とする金属、或いはアルミニウム（Ａｌ）を主体とする金属などにより形成される。一方、前記絶縁物１０としては、ガラスエポキシ樹脂などが適用される。

実施例１の如く、コア層１２が電子部品３０などを収容することができる厚さを有することから、開口１８内に配置される信号配線１６は、コア層１２の厚さ方向に沿う距離（厚さ）Ｔ１を、コア層１２の面方向の距離に相当する幅Ｌ１（コア１２の主面に平行する方向の厚さ）に比べ大きな値とすることができる。即ち、信号配線１６の断面積を、コア層１２の厚さ方向に沿う値をもって増加させることができる。従って信号配線１６を流れる信号の損失の増加を防止することができる。更に、かかる信号配線１６の側面に位置するコア層１２との間の距離Ｌ２が変更されても、伝送線路２０としての特性インピーダンスの変動は小さい。特性インピーダンスの変動が小さいため特性インピーダンスの微調整ができ、所望の特性インピーダンスの値を容易に得ることができる。

前述の如く、伝送線路２０に於ける信号の損失を抑制するためには、信号配線１６の厚さＴ１は大きいことが好ましい。かかる信号配線１６は、コア層１２の厚さ方向に沿う距離（厚さ）Ｔ１を、その幅Ｌ１（コア１２の主面に平行する方向の厚さ）に比べ大きな値とすることができるが、その厚さＴ１はコア層１２の厚さＴ２以下の値とされる。

次に、信号配線１６の厚さＴ１および幅Ｌ１を変えて、伝送線路２０の損失についてシミュレーションした。図３（ａ）はシミュレーションに用いた配線基板の斜視図、図３（ｂ）は配線基板のＸ−Ｘ部に於ける斜視断面図、図３（ｃ）はコア層の斜視図である。である。図３（ａ）から図３（ｃ）に示すように、コア層１２の一方の主面には、絶縁層１０ｐが配設され、他方の主面には絶縁層１０ｑが配設されている。かかるコア層１２には、コア層１２を上下に貫通する開口１８が形成されている。かかる開口１８内には信号配線１６が配置され、信号配線１６とコア層１２との間には絶縁物が充填され絶縁層１０ｅが形成されている。

かかる構造に於いて、コア層１２の膜厚Ｔ２は３００μｍ、絶縁層１０ｐおよび絶縁層１０ｑの膜厚Ｔ３は、それぞれ５０μｍである。また、開口１８の長さＬ４は１７００μｍであり、開口１８の幅をＬ５とする。信号配線１６の長さＬ３は、１５００μｍであり、またその幅をＬ１、厚さをＴ１とする。絶縁層１０ａ、絶縁層１０ｄおよび１０ｅの誘電率は３．５、誘電正接は０．０２２とする。

かかる配線基板構造に於いて、信号配線１６の幅Ｌ１を２０μｍおよび８０μｍとした。また、それぞれの幅Ｌ１について、それぞれ厚さＴ１を１００μｍ、２００μｍおよび３００μｍとした。表１に示す如く、これらのサンプルをＳ１乃至Ｓ６とした。このとき、特性インピーダンスが５０Ωとなるように、開口１８の幅Ｌ５を定めた。

図４（ａ）は、サンプルＳ１乃至サンプルＳ６の信号配線のインピーダンスＳ１１のスミスチャート、図４（ｂ）は、周波数に対する伝送線路の損失を示す図である。信号配線１６のインピーダンスは、図３（ｃ）においてビア配線が接続する箇所７０と７２との間のインピーダンスをシミュレーションした。図４（ａ）に示すように、サンプルＳ１乃至サンプルＳ２の特性インピーダンスは、周波数が５０ＭＨｚから６ＧＨｚの範囲において、ほとんど５０Ωである。このように、特性インピーダンスが５０Ωとなる開口１８の幅Ｌ５の値を表１に示している。なお、Ｌ５＝２×Ｌ２＋Ｌ１である。一方、図４（ｂ）は、周波数が５０ＭＨｚ乃至６ＧＨｚの範囲の損失値を示す図であり、信号の周波数が２ＧＨｚの損失を前記表１に示している。図４（ｂ）および表１に示すように、損失は、サンプルＳ１、サンプルＳ２およびサンプルＳ３内の比較、並びにサンプルＳ４、サンプルＳ５およびサンプルＳ６内の比較では、厚さＴ１が小さいほど大きい。また、損失は、サンプルＳ１とサンプルＳ４との比較、サンプルＳ２とサンプルＳ５との比較、および、サンプルＳ３とサンプルＳ６との比較では、幅Ｌ１が小さいほど大きい。以上のように、信号配線１６の幅Ｌ１および厚さＴ１は、その値が大きいことが好ましい。

図５（ａ）は、本発明の実施例２に係る配線基板２００の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、コア層１２に複数の開口１８が形成されている。開口１８内にそれぞれ信号配線１６の少なくも一部が配置されている。信号配線１６とコア層１２との間には絶縁層１０ｅが充填されている。信号配線１６のそれぞれの両端には、ビア配線１９を介し、配線１７が電気的に接続されている。尚、コア層１２に設けられる他の開口ならびにかかる開口内に収容される電子部品の図示は省略している。その他の構成は、前記実施例１に示される構造と同様の構成を有することから説明を省略する。かかる信号配線１６の厚さおよび幅は、信号配線１６毎に異なっても、また同一であっても良い。一つの配線基板に複数の信号配線が配設される構造に於いても、実施例２のように、近接し及び／或いは平行する複数の信号配線１６間にコア層１２が存在する構成とすることにより、かかる複数の信号配線１６は電気的に相互に遮蔽され、かかる信号配線１６間の干渉は防止・抑制される。

図６（ａ）は、本発明の実施例３に係る配線基板３００の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の断面模式図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、コア層１２に形成された複数の開口１８内にそれぞれ信号配線が配置されている。かかる信号配線の少なくとも一部はインダクタ１６ａを形成している。インダクタ１６ａとコア層１２との間には絶縁層１０ｅが充填されている。インダクタ１６ａのそれぞれの両端には、ビア配線１９を介し、配線１７が電気的に接続されている。尚、コア層１２に設けられる他の開口ならびにかかる開口内に収容される電子部品の図示は省略している。その他の構成は、前記実施例１に示される構造と同様の構成を有することから説明を省略する。一つの配線基板に複数のインダクタが配設される構造に於いても、実施例３のように、近接し及び／或いは平行する複数のインダクタ１６ａ間にコア層１２が存在する構成とすることにより、かかる複数のインダクタ１６ａは電磁気的に相互に遮蔽され、かかるインダクタ１６ａ相互間の干渉は防止・抑制される。

図７（ａ）は、本発明の実施例４に係る配線基板４００の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、開口１８内には信号配線１６により相互接続された電子部品３０ａおよび３０ｂが収容・配置されている。かかる信号配線１６は、電子部品３０ａおよび電子部品３０ｂそれぞれの一方の電極端子３２に接続されている。電子部品３０ａおよび３０ｂに於ける他方の電極端子３２には、それぞれビア配線１９を介して配線１７が接続されている。その他の構成は、前記実施例１に示される構造と同様の構成を有することから説明を省略する。電子部品３０ａならびに３０ｂは、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ等のチップ部品であり、電極端子３２は所謂ハンダ被覆が施されている。かかる接続構成に於いて、例えば電子部品３０ａをチップコンデンサとし、電子部品３０ｂをチップインダクタとして、これらを信号配線１６により接続することにより、コンデンサとインダクタとが直接に接続された共振回路を形成することができる。

図８（ａ）乃至図９（ｉ）は、前記本発明の実施例４に係るコア層１２に設けられた開口内に複数の電子部品が収容・配置された配線基板４００の製造方法を示す図である。図８（ａ）乃至図８（ｆ）は、二つの電子部品間を信号配線となる導体により接続する工程を示す図であり、図９（ａ）乃至図９（ｉ）は、かかる信号配線なる導体により相互に接続されてなる電子部品をコア層１２に設けられた開口１８内に収容・配置する工程を示す図である。

図８（ａ）に示すように、ステージ部材５０ａに設けられた凹部５２内に、被処理電子部品３０ａを配置する。ここでは、ステージ部材５０ａに於ける３つの凹部５２内に、電子部品３０ａがそれぞれその一方の電極端子３２を表出して、収容・配置されている。一方、信号配線となる領域３６を有する櫛型の金属片３４を準備する。かかる金属片３４に於ける信号配線となる領域の間隔は、前記ステージ部材５０ａに受容される電子部品相互の間隔に対応している。前記ステージ部材５０ａは、半田が接合され難い材料から形成されることが好ましく、例えば酸化アルミニウム等の絶縁体を用いることができる。一方、櫛型を呈する金属片３４は、例えば銅（Ｃｕ）をもって形成される。

そして、図８（ｂ）に示すように、前述の如くステージ部材５０ａの凹部５２に収容された電子部品３０ａを加熱して、電極端子３２に於けるハンダを溶融状態とし、かかる状態に於いて、前記櫛型の金属片３４の信号配線となる領域の先端部を電極端子３２に押圧（矢印４０）する。しかる後、半田を固化させて、櫛型の金属片３４の信号配線となる領域を電極端子３２に接続する。次いで、図８（ｃ）に示すように、櫛型の金属片３４をその信号配線となる領域の他端部近傍に於いて切断する。切断処理は、所謂ダイシング処理を適用することができる。かかる切断処理より、ステージ部材５０ａの凹部５２に収容された電子部品３０ａのそれぞれに、所定の幅と厚さを有する金属板からなる信号配線１６が配設される。本製造工程にあっては、次いで、図８（ｄ）に示すように、ステージ部材５０ａの凹部５２ａに収容された電子部品３０ａに配設された信号配線１６に対応して、ステージ部材５０ｂの凹部５２ｂに収容された電子部品３０ｂを配置する。

そして、図８（ｅ）に示すように、前述の如くステージ部材５０ｂの凹部５２ｂに収容された電子部品３０ｂを加熱して、電極端子３２に於けるハンダを溶融状態とし、かかる状態に於いて、前記信号配線１６の先端部を電子部品３０ｂの電極端子３２に押圧（矢印４２）する。このとき、前記ステージ部材５０ａに収容された電子部品３０ａが半田の融点以上に加熱されることは防止する。しかる後、半田を固化させて、信号配線１６を電子部品３０ｂの電極端子３２に接続する。かかる接続処理により、図８（ｆ）に示すように、一本の信号配線１６の両端に、それぞれ電子部品３０ａおよび３０ｂが接続された構造が得られる。この様な工程をもって形成された電子部品の接続構造体は、以下の様な工程をもって、コア層１２に設けられた開口１８内に収容・配置される。

即ち、図９（ａ），図９（ｂ）に示される如く、開口１８が形成されたコア層１２の前記他方の主面側には、予め粘着テープ５４が被着され、かかる開口１８内に収容・配置された電子部品の接続構造体は、電子部品３０ａ，電子部品３０ｂならびに信号配線１６が粘着テープ５４により固定される。尚、図９（ｂ）は、図９（ａ）に於けるＡ−Ａ断面を示している。図示される如く、電子部品の接続構造体は、コア層１２の開口１８の内側面からは離間して配置されている。ここで、粘着テープ５４としては耐熱性を有する部材、例えばポリイミド樹脂系テープを適用することができる。

しかる後、コア層１２に於ける開口１８内に封止用樹脂を導入し絶縁層１０ｅを形成する、更に硬化させて、図９（ｃ）に示される如く、電子部品の接続構造体を樹脂封止する。絶縁層１０ｅの封止用樹脂としては、熱硬化型樹脂或いは熱可塑性樹脂を適用することができる。次いで、図９（ｄ）に示される如く、前記粘着テープ５４を剥離除去した後、図９（ｅ）に示される如く、前記コア層１２の両主面に、絶縁層１０ｂならびに絶縁層１０ｃを形成する。かかる絶縁層１０ｂおよび１０ｃとしては、ガラスエポキシ樹脂が適用される。次いで、前記電子部品３０ａおよび３０ｂの電極端子に対応させて、絶縁層１０ｃに選択的にビア孔を形成し、更にかかるビア孔内に金属を配置して、図９（ｆ）に示される如く、ビア配線１９を形成する。ビア孔の選択的形成には、例えばレーザー光を適用することができる。

しかる後、図９（ｇ）に示される如く、前記絶縁層１０ｃの表面に、導電層１４を選択的に形成する。導電層１４として、前記ビア配線１９と接続される配線１７が含まれる。かかる導電層１４は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料の被着ならびにその選択的除去などにより形成される。次いで、図９（ｈ）に示される如く、前記絶縁層１０ｂの表面に絶縁層１０ａを、また絶縁層１０ｃの表面に絶縁層１０ｄを形成する。かかる絶縁層１０ａおよび１０ｄとしても、ガラスエポキシ樹脂を適用することができる。かかる図９（ｈ）に示される構成を上下反転せしめた状態を、図９（ｉ）に示す。かかる構成は、前記図７（ｂ）に示される構成に対応している。

実施例４に於ける配線基板構成によれば、コア層１２の開口１８内に配置された二つの電子部品３０ａおよび電子部品３０ｂは、同じくコア層１２の開口１８内に配設された信号配線１６により、同一平面上で且つ直線状に接続されることから、かかる信号配線１６に於ける信号の損失を招くことなく接続される。

図１０は、実施例４の変形例に係る配線基板４００ａの平面図である。本変形例に於いては、電子部品３０ａと電子部品３０ｂを接続する信号配線１６は、その中間において平面上で湾曲している。この様に、信号配線１６は、信号の損失が抑制できる範囲で湾曲させることができる。即ち、電子部品３０ａおよび３０ｂ間を接続する信号配線１６に急な屈曲を存在させないことにより、信号の損失を抑制することができる。

図１１（ａ）は、本発明の実施例５に係る配線基板５００の平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、コア層１２の開口１８内には、信号配線１６とかかる信号配線１６の一端が接続された電子部品３０が収容・配置されている。電子部品３０に於ける他方の電極端子３２ならびに信号配線１６の他端には、それぞれビア配線１９を介して配線１７が接続されている。その他の構成は、前記実施例１に示される構造と同様の構成を有することから説明を省略する。この様に、信号配線１６の一端に電子部品３０を接続し、他端を配線１７に接続する構成とすることもできる。

実施例５に於ける配線基板構成によれば、コア層１２の開口１８内に配置された電子部品３０から導出される信号配線１６は、同一平面上で且つ直線状に延在することから、かかる信号配線１６に於ける信号の損失を生じない。

図１２（ａ）は、本発明の実施例６に係る配線基板６００の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、コア層１２の開口１８内には、電子部品３０と、かかる電子部品３０に於ける二つの電極端子３２のそれぞれに接続された二つの信号配線１６が収容・配置されている。二つの信号配線１６のそれぞれの他端には、ビア配線１９を介して配線１７が接続されている。その他の構成は、前記実施例１に示される構造と同様の構成を有することから説明を省略する。この様に、電子部品３０の電極端子３２から導出される複数の信号配線１６の他端をそれぞれ配線１７に接続する構成とすることもできる。

実施例６に於ける配線基板構成によれば、コア層１２の開口１８内に配置された電子部品３０から導出される二つの信号配線１６は、何れも同一平面上で且つ直線状に延在することから、かかる信号配線１６に於ける信号の損失を生じない。

実施例６に於ける配線基板の構成に電子部品の接続構造体の製造工程を図１３（ａ）乃至図１３（ｃ）に示す。図１３（ａ）は側面図、図１３（ｂ）および図１３（ｃ）は平面図である。図１３（ａ）乃至図１３（ｂ）は、一つの電子部品の両端にある電極端子にそれぞれ信号配線となる導体を接続する工程を示している。図１３（ａ）に示すように、支持基板５８上に所定の間隔をもって複数の被処理電子部品３０を配置する。ここでは、電子部品３０がそれぞれその一方の電極端子３２を表出して、配置された状態が図示されている。そしてかかる電子部品３０の寸法、位置に対応する凹部５７を備えるステージ部材５６を、かかる凹部５７が電子部品３０を収容する様に、電子部品３０の上方より矢印４４のように挿入する。支持基板５８ならびにステージ部材５６には、酸化アルミニウム等の絶縁体を用いることができる。次いで、図１３（ｂ）に示すように、電子部品３０に於ける電極端子３２に対向させて、信号配線となる領域３６を有する櫛型の金属片３４を配置する。かかる金属片３４に於ける信号配線となる領域の間隔は、ステージ部材５６に受容される電子部品相互の間隔に対応している。櫛型を呈する金属片３４は、前述の如く例えば銅（Ｃｕ）をもって形成される。かかる状態に於いて、電子部品３０の電極端子３２を半田が溶融する温度以上となるように加熱しつつ。矢印４６のように金属片３４の信号配線となる領域３６の一端を電極端子３２に押圧する。しかる後、半田を固化させて、櫛型の金属片３４の信号配線となる領域３６を電極端子３２に接続する。そして、図１３（ｃ）に示すように、櫛型の金属片３４をその信号配線となる領域３６の他端部近傍に於いて切断する。切断処理は、所謂ダイシング処理を適用することができる。かかる切断処理より、ステージ部材５６に収容された電子部品３０のそれぞれに、金属片からなる信号配線１６が配設される。

実施例４乃至実施例６に示される如く、本発明によれば、信号配線１６は、開口１８内に配置された電子部品３０に対し、コア層１２内（開口１８内）に於いて同一平面上で且つ直線状に接続される。従って、信号配線１６には角部が形成されず、かかる信号配線１６内を伝搬する信号の損失を抑制することができる。尚、電子部品３０に於ける電極端子３２が、かかる電子部品３０の端部に配置されていることから、信号配線１６に対する平面上ならびに直線状の接続が容易とされている。

図１４（ａ）は、実施例７に係る配線基板７００の平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図、図１４（ｃ）は等価回路図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、コア層１２の開口１８内には、電子部品３０ａおよび電子部品３０ｂが収納・配置され、電子部品３０ａおよび３０ｂのそれぞれ一方の電極端子３２は、信号配線１６により接続されている。そして、電子部品３０ａの他方の電極端子３２は、ビア配線１９を介して配線１７ａに接続されており、かかる配線１７ａはビア配線１９を介して前記コア層１２に接続されている。一方、電子部品３０ｂに於ける他方の電極端子はビア配線１９を介して配線１７ｃに接続されている。そして、前記信号配線１６の中央領域に於いては、かかる信号配線１６はビア配線１９を介し配線１７ｂに電気的に接続されている。

この様な電子部品の接続構造体に於いては、電子部品３０ａをインダクタ、電子部品３０ｂをキャパシタから構成することにより、図１４（ｃ）に示す如く、インダクタＬ１ならびにキャパシタＣ１を含むハイパスフィルタを形成することができる。このとき、信号配線１６に接続された配線１７ａは、フィルタ回路の入力端或いは出力端とされる。一方、電子部品３０ａをキャパシタ、子部品３０ｂをインダクタとすれば、ローパスフィルタを形成することができる。

この様に、コア層１２上に絶縁層を介して配設される配線１７ｂを、信号配線１６の中央領域において、かかる信号配線１６に対し電気的に接続させることもできる。これにより、図１４（ｃ）に示すところのフィルタ回路が形成される。また、電子部品３０として、開口１８内に収容可能な形状、寸法であれば、キャパシタ、インダクタ或いは抵抗の他種々の電子部品を適用することができ、もって様々な電子回路を実現することができる。

図１５（ａ）は、本発明の実施例８に係る配線基板８００の平面図、図１５（ｂ）は等価回路図である。図１５（ａ）に示すように、コア層１２に形成された開口１８内には３個の電子部品３０ａ乃至３０ｃが収容・配置されている。それぞれの電子部品３０ａ乃至電子部品３０ｃに於ける電極端子３２の一方は、平面形状がＴ字状を有する信号配線１６の各端部にそれぞれ接続されている。また、かかる電子部品３０ａ乃至電子部品３０ｃそれぞれの他方の電極端子は、ビア配線１９を介して配線１７ａ乃至配線１７ｃに接続されている。即ち、電子部品３０ｃの他方の電極端子３２はビア配線１９を介して配線１７ｃに接続され、更にビア配線１９を介してコア層１２へ接続されている。

かかる電子部品の接続構造体に於いて、電子部品３０ａ及び電子部品３０ｂをそれぞれキャパシタとし、また電子部品３０ｃをインダクタとすると、図１５（ｂ）に示される如く、Ｔ型ハイパスフィルタを構成することができる。一方、電子部品３０ａ及び電子部品３０ｂをインダクタ、電子部品３０ｃをキャパシタとすることにより、Ｔ型ローパスフィルタとすることもできる。

図１６（ａ）から図１６（ｃ）は、実施例８に係る配線基板の製造方法を示す平面図である。図１６（ａ）に示すように、ステージ部材６０に設けられた凹部６２内に、被処理電子部品３０を配置する。ここでは、ステージ部材６０に於ける３つの凹部６２内に、電子部品３０がそれぞれその一方の電極端子３２を表出して、収容・配置されている。一方、信号配線となる領域が３個相互に接続されて平面形状がＴ字状とされた金属片３８を準備する。かかる金属片３８に於ける信号配線となる領域の間隔は、前記ステージ部材６０に受容される電子部品３０Ａの相互の間隔に対応している。前記ステージ部材６０は、例えば酸化アルミニウム等の絶縁体からなり、Ｔ字形を呈する金属片３４は、例えば銅（Ｃｕ）をもって形成される。そして、前述の如くステージ部材６０に収容された電子部品３０を加熱して、電極端子３２に於けるハンダを溶融状態とし、かかる状態に於いて、前記Ｔ字状の金属片３４の一部であって信号配線となる領域の先端部を、電極端子３２に押圧する。しかる後、半田を固化させて、Ｔ字状金属片３４の一つの信号配線となる領域を電子部品３０の電極端子３２に接続する。

次いで、図１６（ｂ）に示すように、Ｔ字状金属片３４を、その信号配線となる領域の他端部近傍に於いて切断する。かかる切断処理より、Ｔ字状金属片３４の信号配線１６の一つに電子部品３０が接続された構成が得られる。本製造工程にあっては、次いで、図１６（ｃ）に示すように、前記Ｔ字状金属片３４の他の二つの信号配線１６に対応させて、ステージ部材６４に収容された電子部品３０を配置する。そして、ステージ部材６０に収容された電子部品３０を加熱して、電極端子３２に於けるハンダを溶融状態とし、かかる状態に於いて、前記信号配線１６の先端部を電子部品３０の電極端子３２に押圧する。しかる後、ハンダを固化させて、信号配線１６を電子部品３０の電極端子３２に接続する。かかる接続処理により、平面形状がＴ字状を有する信号配線１６の３個の端部に、それぞれ電子部品３０が接続された構造が得られる。この様な工程をもって形成された電子部品の接続構造体は、前記図１５（ａ）に示され如く、コア層１２に設けられた開口１８内に収容・配置される。

実施例８によれば、コア層１２に設けられた開口１８内に配置され、平面形状がＴ字状を有する信号配線１６に接続された３個の電子部品３０の他方の電極端子は、それぞれビア配線を介して導出されることから、電子部品３０ａならびに電子部品３０ｂをキャパシタとして、電子部品３０ｃをインダクタとすることにより、図１５（ｂ）に示した回路を実現することができる。勿論、電子部品３０ａ乃至電子部品３０ｃは、目的とする電子回路構成に対応させて、キャパシタ、インダクタ或いは抵抗のいずれか、またその他の電子部品とすることもできる。これにより、様々な電子回路を実現できる。さらに、信号配線１６は、３つ以上の端を有し、３つ以上の端は開口１８内において、それぞれ複数の電子部品と電気的に接続されてもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ａ〜１０ｆ 絶縁層
１２ コア層
１４ 導電層
１６ 信号配線
１７ 配線
１８ 開口
１９ ビア配線
３０ 電子部品
３２ 半田部分
３２ 電極端子
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００ 配線基板

Claims (9)

1. 導電性を有し、且つ選択的に開口が配設されてなるコア層と、
   前記開口内に配設された信号配線と、
   前記コア層の主面に配設された絶縁層と、
   を具備し、
   前記信号配線は、前記コア層の厚さ方向に沿う距離が、前記信号配線の前記コア層の面方向の距離よりも大であることを特徴とする配線基板。
2. 前記コア層は基準電位が与えられることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 前記信号配線の前記断面の前記コア層の厚さ方向の厚さは、前記コア層の厚さ以下であることを特徴とする１または２記載の配線基板。
4. 前記コア層は、複数の前記開口を有し、
   前記信号配線は、その少なくとも一部が前記複数の開口内にそれぞれ設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の配線基板。
5. 前記信号配線の少なくとも一部は、インダクタを形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の配線基板。
6. 前記信号配線は、前記開口内において前記電子部品と電気的に接続していることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の配線基板。
7. 前記信号配線は、前記開口内において、２つの前記電子部品間を電気的に接続することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の配線基板。
8. 前記信号配線の中央領域において、前記信号配線と電気的に接続する配線を具備することを特徴とする請求項７記載の配線基板。
9. 前記信号配線は、３つ以上の端を有し、前記３つ以上の端は前記開口内において、それぞれ複数の前記電子部品と電気的に接続されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の基板。

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