JP2013190814A - 複合光伝送基板および光モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複合光伝送基板は、第1の光伝送路31を有する第1の光伝送基板36と、第2の光伝送路14を有する第2の光伝送基板16と、第1の光伝送基板36と第2の光伝送基板16との間に配置される光結合構造体20であって、第1の光伝送路31と第2の光伝送路14を光学的に結合する第3の光伝送路21を有する光結合構造体20と、を備える。第1の光伝送基板31は、第1の光伝送基板31が光結合構造体20と対向した領域に設けられる第1の係合部を更に有し、光結合構造体20は、第1の光伝送基板36と対向した領域に設けられ、第1の係合部に係合される第2の係合部15を更に有している。
【選択図】図1
Description
図1〜図3における本発明の第1の実施態様にかかる複合光伝送基板は、例えば、電子機器内に搭載される回路基板上で複数の半導体デバイスを光信号で接続する場合に用いられる。その場合、半導体素子、光電及び電光変換デバイスと周辺回路と接続されて使用されるが、図1〜図3においては説明を簡略化するため、それらを図示していない。
まず、感光性樹脂を厚さ150〜300μmでスピンコートし、プリベークして仮硬化させる。そして、フォトマスクを用いて露光し、現像したのちポストベークすることにより突起32は形成される。感光性樹脂としては、いわゆる永久レジストが好ましい。ここで、永久レジストとは、フォトリソグラフィ加工終了後も除去されずに用いられるレジストをいう。永久レジストとしては、エポキシ樹脂などが挙げられる。
第1の基板36の表面に塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークを繰り返して下部クラッド31Aを形成する。
以上のようにして回路基板30を形成することができる。
第2の基板16の貫通孔と、光結合構造体用部材に設けられた貫通孔とが連通して貫通孔13を構成するように第2の基板16と光結合構造体用部材とを位置合わせし、第2の基板16と光結合構造体用部材とを接着固定する。位置合わせには、例えば、光結合構造体用部材の貫通孔13と精密に適合するワイヤを用いる。アレイ状に並んだ貫通孔13の両端にワイヤを通し、接着剤41を塗布して第2の基板16上に光結合構造体用部材を硬化させた後、ワイヤを抜き取ることで、正確な貫通孔の位置合わせを行うことができる。
以上により、半導体パッケージ10を形成することができる。
図7において、光モジュールは、図1における複合光伝送基板の半導体パッケージ10に、さらに光半導体素子として半導体レーザアレイ51を実装したものである。半導体レーザアレイ51は、その発光点52が半導体パッケージ10に形成された第2の光伝送路14に対向するようにフェイスダウンで実装されている。図7では半導体レーザアレイ51は面発光型レーザ(VCSEL)を実装している。半導体レーザアレイ51の表面電極パッド53に金バンプ54を形成しておき、半導体パッケージ10の表面に形成した電極パッド17に超音波圧着することで実装できる。
(a)遮光性を有する板状部材を、厚み方向に貫通する大小2種類の貫通孔を設ける。大径の貫通孔は、突起115および突起32と係合する位置決め用の貫通孔122である。小径の貫通孔は、以下の工程で第3の光伝送路121を形成するための貫通孔である。
以上の手順によって、光結合構造体120が作製される。
なお、第4の実施態様にかかる複合光伝送基板は、第1の係合部が凹部142であり、第3の係合部が凹部141であり、第2の係合部が突起144であり、第4の係合部が突起143である点が第3の実施態様にかかる複合光伝送基板と異なり、それ以外は同様の構成である。
本発明の他の形態にかかる光モジュールは、前記複合光伝送基板と、前記第2の光伝送路と光学的に結合し、前記第2の光伝送基板を介して前記光結合構造体と対向するように前記第2の光伝送基板に実装された光半導体素子と、を具備する。
Claims (1)
- 第1の光伝送路を有する第1の光伝送基板と、
第2の光伝送路を有する第2の光伝送基板と、
前記第1の光伝送基板と前記第2の光伝送基板との間に配置される光結合構造体であって、前記第1の光伝送路と前記第2の光伝送路を光学的に結合する第3の光伝送路を有する光結合構造体と、を備え、
前記第1の光伝送基板は、該第1の光伝送基板が前記光結合構造体と対向した領域に設けられる第1の係合部を更に有し、
前記光結合構造体は、前記第1の光伝送基板と対向した領域に設けられ、前記第1の係合部に係合される第2の係合部を更に有している複合光伝送基板。
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