JP5144357B2 - 複合光伝送基板および光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、電子機器内に搭載される回路基板上で複数の半導体デバイスを光信号で接続するための光伝送基板、複合光伝送基板および光モジュールに関する。

近年、半導体デバイスに入出力される電気信号を光信号に変換して伝送する回路基板上の光伝送技術が検討され、その伝送路として光導波路等の光配線が盛んに研究開発されている。

光配線を用いれば信号伝送の高速化が可能なだけでなく、信号間のクロストークノイズの低減や配線の微細化・高密度化がより一層可能になる。

一般に、半導体デバイスはセラミックスやプラスティック材料からなる基板の表面に実装され、基板内を通る配線から基板の裏面に形成された金属パッドを通して回路基板との電気信号の入出力が行われる。以後、本機能を有する基板を半導体パッケージと呼ぶ。

一方、回路基板は、回路基板に実装されて相互に信号の入出力を行うべく半導体パッケージの入出力信号に合わせた配線が形成されている。回路基板の表層には半導体パッケージの金属パッドに合わせた金属パッドが形成されており、両者をハンダボールで接続する実装構造が用いられる。あるいは別途製作したソケットを回路基板上に搭載して半導体パッケージと入出力端子を電気的に接続する実装構造が用いられている。

特許文献１記載の光通信用デバイスでは、半導体受光素子と半導体発光素子とが半導体パッケージに対向する方向で実装される。半導体パッケージには貫通する光伝送体が形成されており、半導体パッケージの表面と裏面とを光接続する。一方、回路配線基板には光導波路が形成されており、その端面は４５度に加工された光路変換ミラーとなっている。光導波路の表層にはソルダーレジスト層が形成されており、光路変換ミラーの周囲に光路用開口が設けられている。

半導体パッケージと回路配線基板とはハンダボールで相互に接続され電気的な導通が得られるようになっている。
特開２００３−２１５３７２号公報

しかし、特許文献１に記載の半導体パッケージと回路配線基板とは、ハンダボールにより互いを実装したものにすぎず、２つの基板同士を高精度に位置合わせしたものではなかった。

本発明の目的は、高精度に位置合わせを可能とする複合光伝送基板および光モジュールを提供することである。

本発明の第１の実施態様の複合光伝送基板は、主面を有する基板と、前記基板に設けられ、光を伝送させる光伝送路と、前記主面上に設けられ、先端から前記主面側まで外壁面に沿って設けられた溝を有する凸部とを具備する光伝送基板と、前記基板と対向して配置された第２の基板と、前記基板の前記主面と対向する、前記第２の基板の面上に、前記凸部と係合するとともに、前記溝の一部に係合する突起を内壁面に沿って有する凹部と、前記第２の基板の主面間に設けられ、前記光伝送路と光学的に結合する第２の光伝送路とを具備する第２の光伝送基板と、を有する。

また、本発明の複合光伝送基板は、前記複数の凸部が、フォトリソグラフィによって形成されていてもよい。

前記第２の基板の主面のうち前記基板の前記主面と対向する主面上に、前記基板の前記主面に向かって突出するように設けられた突出部をさらに具備し、
前記凹部および前記第２の光伝送路と光学的に結合する第３の光伝送路が前記突出部内に設けられることが好ましい。

前記光伝送基板と前記第２の光伝送基板との間に介在し、前記突出部の外側で前記光伝送基板と前記第２の光伝送基板とを固定接続する複数の実装部をさらに具備することが好ましい。

また、本発明の光モジュールは、前記複合光伝送基板と、前記光伝送路と光学的に結合し、前記第２の光伝送基板の主面のうち、前記光伝送基板とは反対側の主面上に実装された光半導体素子と、を具備する。

本発明の複合光配線基板に用いられる光伝送基板の第１の態様は、基板の主面上に設けられ、先端から前記主面側まで外壁面に沿って溝が設けられ、外部の光伝送基板の凹部と係合したときに前記溝が隙間を有する複数の凸部を具備する。この凸部を具備することにより、凹部と凸部とを係合させたときに、圧縮された空気の圧力を緩和することができるため、別の基板との高精度の位置合わせを可能とする。また、凹部と凸部とを係合させたときに生じる応力を溝で吸収することができる。

また、本発明の複合光伝送基板は、前記溝により圧力抜きが十分に行われたものであり、第１の光伝送基板と第２の光伝送基板との距離が小さいため、基板間の光学損失を低減させることができる。

また、前記凹部の内壁面には突起が存在し、その突起と前記溝との間に隙間を有するため、係合時の圧力を緩和することができ、第１の光伝送基板と第２の光伝送基板とを高精度で隙間なく位置合わせすることが可能となる。

また、本発明の複合光伝送基板は、前記溝により圧縮された空気の圧力緩和が十分に行われたものであり、第１の光伝送基板と第２の光伝送基板との距離が小さいため、基板間の光漏れを防ぎ、チャネル間のクロストークと損失を抑制することができる。

また、前記凸部の外壁面には突起が存在し、その突起と前記溝との間に隙間を有するため、凹部および凸部を精度よく係合でき、光伝送基板と第２の光伝送基板とを十分に近づけたうえで位置合わせすることが可能となる。

以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。

図１は、本発明の複合光伝送基板に用いられる第１の実施態様の光伝送基板の斜視図である。

（第１の実施態様の光伝送基板（第１の光伝送基板））
第１の実施態様の光伝送基板３０（以下、第１の光伝送基板とする）は、光配線としての光伝送路を備える。光伝送路は、基板３６の主面上に、主面と平行に延びるように設けられる光導波路３１と、この光導波路３１の光軸方向に対して傾斜した光路変換面を有する光路変換ミラー３５とを有する。光路変換ミラー３５は、例えば光軸方向に対して４５度に傾斜する光路変換面によって光導波路３１を進む光の光路方向を９０度変換し、基板３６の主面に垂直な法線方向へと光路を変更させる。

図１では、４本の光導波路３１と光路変換ミラー３５とが光学的に結合している。

光路変換ミラー３５は、略４５度の断面を持つダイシングブレードで光導波路３１を基板３６の主面に直交するようにカットされたのち、略４５度の斜面に、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルなどの金属を、薄く膜付け又は塗布されることにより設けられる。

光導波路３１は、下部クラッド３１Ａ、コア３１Ｂ、上部及び側面クラッド３１Ｃによって同軸構造に構成されている。コア３１Ｂの屈折率がクラッド３１Ａ、３１Ｃよりも数％以上高いため、コアに光信号を閉じ込めて低損失で伝搬することができる。

光導波路３１の具体的な寸法としては、例えば、下部クラッド３１Ａの厚みが１５〜２５μｍ、コア３１Ｂの断面サイズが３５〜１００μｍ角、上部クラッド３１Ｃの厚みが１５〜２５μｍである。

凸部３２の形状としては、円柱状、順テーパー状、逆テーパー状などが挙げられる。凸部３２の高さは、例えば１５０〜２００μｍである。また、凸部３２の断面形状が円形の場合、凸部３２の直径は例えば１００〜９００μｍである。

凸部３２の形成方法を以下に示す。

まず、感光性樹脂を厚さ２００〜３００μｍでスピンコートし、プリベークして仮硬化させる。そして、フォトマスクを用いて露光し、現像したのちポストベークすることにより凸部３２は形成される。感光性樹脂としては、いわゆる永久レジストが好ましい。ここで、永久レジストとは、フォトリソグラフィ加工終了後も除去されずに用いられるレジストをいう。永久レジストとしては、エポキシ樹脂などが挙げられる。

凸部３２は、その先端から基板３６の主面側まで外壁面に沿って溝１が設けられている。図１の場合、溝１は、凸部３２の先端から凸部３２と光導波路３１との界面まで設けられている。このように、先端から外壁面に沿って設けられた溝１を有するため、別の基板に設けられた凹部に挿入する際に、凸部３２の先端と凹部の底面との間に溜まる圧縮された空気の圧力を、凸部３２の先端の溝開口から凸部３２の根元の溝終端まで逃がし、凸部３２の先端と凹部の底面との間の空気を低減させることができる。さらに、凹部に凸部３２を挿入する際、凸部３２は凹部から応力を受けるが、溝４が形成されているため、溝４により応力を吸収することができる。

溝１は、圧縮された空気の圧力を緩和できる大きさであればよく、溝１の深さは、具体的には１５０〜２００μｍである。また、溝１の幅は、具体的には１０〜９００μｍである。

溝１は、フォトリソグラフィ、ダイシングなどにより形成することができる。

溝１の断面形状は、圧縮された空気の圧力を緩和できることが可能な形状であればよく、例えば、矩形状、三角形状、半円状などが挙げられる。

第１の光伝送基板３０は、例えば、以下のような方法により作製される。

基板３６の表面に塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークを繰り返して下部クラッド３１Ａを形成する。

下部クラッド３１Ａの上部に塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークを繰り返してコア３１Ｂを形成する。

コア３１Ｂの側面と上部に塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークを繰り返して上部及び側面クラッド３１Ｃを順に形成する。

さらに、略４５度の端面を持つダイシングブレードによって、光導波路３１を基板３６に直交して切断し、光路変換ミラー３５を作製する。光路変換ミラー３５の斜面上に、反射膜としてＡｕを２０００Å蒸着する。

感光性樹脂を厚さ２００〜３００μｍでスピンコートし、プリベークして仮硬化させる。

感光性樹脂を、フォトマスクを用いて露光し、現像したのちポストベークして凸部３２を形成する。

そして、凸部３２にフォトマスクパターンに凹形状をもたせることにより、溝１が形成される。

以上のようにして第１の光伝送基板３０を形成することができる。

図２は、第１の光伝送基板３０と、外部の光伝送基板である第２の光伝送基板１０とを並べて示した斜視図である。

図２において、凸部３２は、凹部１５の内面と接触するように凹部１５に挿入されて、光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とが光学的に結合するように光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０との位置を合わせることができる。このとき、位置合わせを困難にする凸部３２と凹部１５との間で圧縮された空気の圧力は溝１により緩和される。

ここで、第２の光伝送基板１０について以下に説明する。

（第２の光伝送基板）
第２の光伝送基板１０には、図３に示すように主面上に突出部２０が設けられていることが好ましい。

突出部２０は、第２の基板１６の主面のうち基板３６の主面と対向する主面上から突出するように設けられる。突出部２０は第２の基板１６と同じ材質で一体的に形成してもよい。また、第２の基板１６と別の部材（以下、突出部用部材と称する）からなるものを第２の基板１６に付加したものでもよい。なお、後者の場合、突出部用部材は、例えば、ポリエステル樹脂などの接着樹脂によって第２の基板１６と接着される。また突出部用部材は、厚さ０．３〜０．５ｍｍ、幅６ｍｍ、奥行き３ｍｍ程度の板状部材で構成される。なお、突出部用部材としては、エポキシ樹脂のような樹脂から構成される。

突出部２０は、フォトリソグラフィにより形成することもできる。第２の基板１６に対して、必要な厚みの感光性樹脂を塗布し、露光・現像によりパターニングを行う。これにより、突出部２０となる部分以外の余分な感光性樹脂は現像により除去される。

突出部２０の高さは、例えば、０．３〜０．５ｍｍである。

第２の基板１６から突出部２０まで連続して光伝送路１４が設けられる。光伝送路１４は、第２の基板１６および突出部２０の厚み方向に設けられる。

光伝送路１４は、具体的には、第２の基板１６の主面のうち突出部が設けられていない主面に一方の端部が露出し、また、突出部２０が有する面のうち第２の基板１６と接していない面に他方の端部が露出している。

なお、光伝送路１４は、第２の基板１６および突出部２０を厚み方向に貫通するように設けられた貫通孔に、クラッドとコアから成る透明樹脂を充填することにより形成される。光伝送路１４の直径は、具体的には、１００〜２００μｍであり、コアの直径は、具体的には３５〜１００μｍである。光伝送路１４は断面形状が円形に設けられる。なお、断面は第２の基板１６の主面に平行な断面をいう。

光伝送路１４は、第２の基板１６の厚み方向に光を伝送し、光伝送路１４の光接続方向は、第２の基板１６の主面に垂直な方向である。図２では、４本の光伝送路１４により、突出部２０との４つの光接続部分を有する。

突出部２０に設けられた光伝送路１４の外側近傍には、凸部３２に対応する位置に凹部１５が複数設けられる。

凹部１５の形成方法としては、精密ドリルまたはレーザーによって穿孔する方法などが挙げられる。

凸部３２と凹部１５の開口の断面形状は、それぞれ同形状であればよいが、円形状であることが好ましい。それらの断面形状が円形状であることにより、凸部３２と凹部１５との係合を容易におこなうことが可能となる。なお、断面は第２の基板１６の主面に平行な断面をいう。

なお、凹部１５の変形例を図４に示す。図４は、突起２を有する凹部１５および凸部３２の拡大図である。突起２は、凹部１５の内壁面に沿って設けられる。そして、突起２は溝１と接するように係合する。これにより、凹部１５および凸部３２が精度よく係合することができ、これにより、第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とを高い精度で位置合わせすることが可能となる。

突起２は、突出部２０を一体成形もしくはフォトリソグラフィーで形成する際に同時に形成される。

なお、図４に示すように、溝１と突起２とを係合させた場合、隙間３が形成されるようになっている。この隙間３は圧縮された空気の圧力を緩和するために形成されていることが好ましい。

隙間３は、例えば、幅が１０〜１００μｍで、深さが１５０〜２００μｍである。

図３に示す第２の光伝送基板１０は、例えば、以下のような方法により作製される。

基板１６の貫通孔と、基板１６と突出部用部材に設けられた貫通孔とが中心軸が並んだ一本の貫通孔となるように位置合わせを行い、接着固定する。

次に、貫通孔に透明材料、例えば、屈折率が１．５程度の透明エポキシ樹脂をクラッドとして均一に充填して加熱硬化させる。

次に、その中心部に精密ドリルまたはレーザを使ってコア部を形成するための貫通孔を開ける。そして、その貫通孔にクラッドよりも比屈折率が数％高い透明エポキシ樹脂等の材料をコアとして均一に充填し、加熱硬化させる。

以上により、第２の光伝送基板１０を形成することができる。

上述の方法では、光伝送路１４に２種類の樹脂を用いて同軸構造を作製したが、あらかじめ同軸構造となっている部品を挿入して光伝送路１４を形成することも可能である。例えば、市販されている光ファイバをあらかじめ必要な長さに加工し、加工した光ファイバ部材を貫通孔に挿入して接着剤で固定することで光伝送路１４を形成しても良い。

（複合光伝送基板）
図５は、図３に示す第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とを具備する複合光伝送基板を示す縦断面図である。また、図６は、図５に直交する方向から見た断面図である。図５の複合光伝送基板は、第１の光伝送基板３０の凸部３２を第２の光伝送基板１０の凹部１５へ挿入したうえで、第１の光伝送基板３０の金属層３３と第２の光伝送基板１０の金属層１１をはんだボール、はんだバンプなどの実装部４０により電気的に接続している。実装部４０は、突出部２０の外側を取り巻くように設けられ、第２の光伝送基板１０と第１の光伝送基板３０とを直接固定接合する。

第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とが向かいあう主面にはそれぞれ、導体回路、接続パッドなどの配線層が形成されている。配線層は、金属材料による金属層１１および３３とその周囲を覆うソルダーレジスト１２および３４によって形成されている。

はんだボールとともに用いるソルダーレジストには主に有機系溶剤によるフラックスを含んでおり、加熱によって拡散する。そのため、第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０のそれぞれ互いに向かい合う面上にフラックスが付着する傾向がある。一般的にフラックスは無色透明であるが、反応で白濁したり、経時変化で茶褐色に変色するため、光伝送路の露出面に付着することは光損失を生じさせる傾向があり、基板間の光接続の実現が困難な場合があった。

しかし、本実施態様では、第２の光伝送基板１０の突出部２０が、第１の光伝送基板３０との隙間を塞ぐように、第１の光伝送基板３０側に突出するように設けられるため、フラックスが、第１の光伝送路の露出面および第２の光伝送路の露出面を覆う可能性を低減させ、光の伝搬性能の低減を抑制することができる。この際、凸部３２に溝１が設けられているため、凸部３２を凹部１５へ十分に挿入することができ、第２の光伝送基板１０の突出部２０が第１の光伝送基板３０との隙間を塞ぐことを可能とする。

上記の第２の光伝送基板１０と第１の光伝送基板３０とを以下の手順で組み立てて複合光伝送基板を形成する。

まず、第１の光伝送基板３０に所望の直径を持つハンダボール４０を加熱して貼り付ける。その際、ソルダーパッドと同じピッチで穴の開いたマスクを用いてソルダーペーストをソルダーパッドに印刷し、その上にソルダーボールを配列してから、その溶融温度以上に加熱する。

次に、第１の光伝送基板３０に第２の光伝送基板１０を重ね、凹部１５を凸部３２に嵌め合わせる。その際には、両者の間隙に屈折率整合剤を微量だけ添加しておく。屈折率整合剤としては、光伝送路１４のコアに屈折率が近いシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが好ましい。

第１の光伝送基板３０および第２の光伝送基板１０の複合基板をリフロー炉などで加熱する。ハンダボールの融点以下では、第２の光伝送基板１０の突出部２０と第１の光伝送基板３０の光導波路３１上部には隙間があるが、周囲温度が上がってハンダボールの融点以上になると、ハンダボールが溶融して、第２の光伝送基板１０が自重で沈み込む。そのため、凹部１５と凸部３２の精密な嵌め合いによって第２の光伝送基板１０の突出部２０と第１の光伝送基板３０の光導波路３１上部の隙間が減少する。そして、周囲温度が下がるに伴ってハンダボールの硬化収縮が生じ、第２の光伝送基板１０と第１の光伝送基板３０を引っ張りつけることで、光導波路３１と突出部２０とが接する。溝１によって、第２の光伝送基板１０の突出部２０と第１の光伝送基板３０の光導波路３１上部の隙間が減少されたうえで、光伝送路１４から光路変換ミラー３５および光導波路３１までの光結合構造が完成する。

（第２の実施態様の光伝送基板（第３の光伝送基板））
図７は、本発明の複合光伝送基板に用いられる第２の実施態様の光伝送基板の斜視図である。

図７に示すように、第２の実施態様の光伝送基板（以下、第３の光伝送基板とする）は、第２の光伝送基板１０の凹部１５の内壁面に沿って設けられた溝４を有する以外は、前述した第２の光伝送基板１０と同様である。

凹部１５はその底面から開口間で内壁面に沿って溝４が設けられている。これにより、別の基板に設けられた凸部を挿入する際に、凸部の先端と凹部１５の底面との間にて圧縮された空気の圧力を、凹部１５の底面から開口まで形成された溝４により緩和させることができる。さらに、凹部１５に凸部を挿入する際、凹部１５は凸部から応力を受けるが、溝４が形成されているため、溝４により応力を吸収することができる。

溝４の深さおよび幅はそれぞれ、圧縮された空気の圧力を緩和することができる大きさであればよく、溝４の深さは、具体的には１５０〜２００μｍである。また、溝４の幅は、具体的には１０〜９００μｍである。

溝４は、突起２と同様の作製法により形成される。

溝４の断面形状は、空気を抜くことが可能な形状であればよく、例えば、矩形状、三角形状、半円状などが挙げられる。

（第４の光伝送基板（第２の実施態様における第２の光伝送基板）
第３の光伝送基板６０の凹部１５と係合する凸部を有する別の基板としての請求項６における第２の光伝送基板（以下、第４の光伝送基板）７０は、凸部３２に溝１を有することが必須ではないこと以外は、前述した第２の光伝送基板１０と同様である。

図８は、第３の光伝送基板６０と別の基板である第４の光伝送基板７０とを並べて示した斜視図である。

図８において、第３の光伝送基板は、前述した第２の光伝送基板と同様に突出部２０を有する。なお、第３の光伝送基板の突出部２０は、前述した第２の光伝送基板と同様のものを用い、得られる効果も同様である。

図８に示すように、凸部３２は、凹部１５の内面と接触するように凹部１５に挿入されて、第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とが光学的に結合するように第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０との位置を合わせることができる。このとき、位置合わせを阻害する凸部３２と凹部１５との間にて圧縮された空気の圧力を溝４により低減させることができる。

第４の光伝送基板の凸部３２の変形例を図９に示す。図９は、突起５を有する凸部３２および凹部１５の拡大図である。突起５は、凸部３２の外壁面に沿って設けられる。そして、突起５は溝４と接するように係合する。よって、凹部１５および凸部３２が精度よく係合することができ、これにより、第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とを高い精度で位置合わせすることが可能となる。

突起５は、溝１と同様の方法により作製される。

なお、図９に示すように、溝１と突起２とを係合させた場合、隙間３が形成されるようになっている。この隙間６は圧縮された空気の圧力を低減させるために形成されていることが好ましい。

隙間６は、例えば、幅が１０〜１００μｍで、深さが１５０〜２００μｍである。

第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とを具備する複合光伝送基板は、溝を凸部ではなく凹部に設けた以外は、前述の複合光伝送基板と同様であり、かつ、縦断面図としても図４および図５とほぼ同様であるため、図および説明を省略する。

（光モジュール）
図１０は、本実施態様である光モジュールの構成を示す断面図である。

本実施態様において、光モジュールは、上記の複合光伝送基板に、さらに半導体レーザアレイ５０を実装したものである。半導体レーザアレイ５０は、その発光点５１が光伝送路１４に対向するようにフェイスダウンで実装されている。本実施態様では半導体レーザアレイ５０は面発光型レーザ（ＶＣＳＥＬ）を実装している。半導体レーザアレイ５０の表面電極パッド５２に金バンプ５３を形成しておき、電極パッド１７に超音波圧着することで実装できる。

なお、半導体レーザアレイ５０と複合光伝送基板の間隙には通常、透明樹脂による屈折率整合が行われるが図示は省略している。本実施態様においては、半導体デバイスとして光を照射する光源である半導体レーザを用いた例を示しているが、半導体デバイスとして光信号を受信するフォトダイオードを用いる構成であってもよい。

第１の実施形態の光伝送基板（第１の光伝送基板３０）の斜視図である。 第１の光伝送基板と第２の光伝送基板とを示す斜視図である。 第１の光伝送基板と図２とは異なる態様の第２の光伝送基板とを示す斜視図である。 凸部３２および凹部１５の拡大図である。 複合光伝送基板の構成を示す断面図である。 図５に直交する方向から見た断面図である。 第２の実施態様の光伝送基板（第３の光伝送基板６０）の斜視図である。 第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とを示す斜視図である。 凸部３２および凹部１５の拡大図である。 光モジュールの構成を示す断面図である。

符号の説明

１ 凸部３２の溝
２ 凹部１５の突起
３ 溝１と突起２とを係合させたときに生じる隙間
４ 凹部１５の溝
５ 凸部３２の突起
６ 溝４と突起５とを係合させたときに生じる隙間
１０ 第２の光伝送基板
１１ 金属層
１２ ソルダーレジスト
１３ 貫通孔
１４ 光伝送路
１５ 凹部
１６ 第２の基板
１８ 光導波路
２０ 突出部
３０ 第１の実施態様の光伝送基板（第１の光伝送基板）
３１ 光導波路
３２ 凸部
３３ 金属層
３４ ソルダーレジスト
３５ 光路変換ミラー
３６ 第１の基板
４０ はんだボール
５０ 半導体レーザアレイ
５１ 発光点
５２ 表面電極パッド
５３ 金バンプ
６０ 第２の実施態様の光伝送基板（第３の光伝送基板）
７０ 第２の実施態様における第２の光伝送基板（第４の光伝送基板）

Claims (5)

1. 主面を有する基板と、前記基板に設けられ、光を伝送させる光伝送路と、前記主面上に設けられ、先端から前記主面側まで外壁面に沿って設けられた溝を有する凸部とを具備する光伝送基板と、
   前記基板と対向して配置された第２の基板と、前記基板の前記主面と対向する、前記第２の基板の面上に、前記凸部と係合するとともに、前記溝の一部に係合する突起を内壁面に沿って有する凹部と、前記第２の基板の主面間に設けられ、前記光伝送路と光学的に結合する第２の光伝送路とを具備する第２の光伝送基板と、
   を有する複合光伝送基板。
2. 前記凸部は、フォトリソグラフィによって形成されている請求項１記載の複合光伝送基板。
3. 前記第２の基板の主面のうち前記基板の前記主面と対向する主面上に、前記基板の前記主面に向かって突出するように設けられた突出部をさらに具備し、
   前記凹部および前記第２の光伝送路と光学的に結合する第３の光伝送路が前記突出部内に設けられる請求項１または２記載の複合光伝送基板。
4. 前記光伝送基板と前記第２の光伝送基板との間に介在し、前記突出部の外側で前記光伝送基板と前記第２の光伝送基板とを固定接続する複数の実装部をさらに具備する請求項３のいずれか記載の複合光伝送基板。
5. 請求項１乃至４のいずれか記載の複合光伝送基板と、
   前記光伝送路と光学的に結合し、前記第２の基板の主面のうち、前記光伝送基板とは反対側の主面上に実装された光半導体素子と、を具備する光モジュール。

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