JP2013187482A - Mos型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型シリコン半導体基板100の一方の主面側の表層に設けられる第2導電型ベース領域2と、該領域の表層に設けられる第1導電型半導体領域5と、該半導体領域5と前記ベース領域2と前記半導体基板100とにゲート絶縁膜3aを介して接するゲート電極4aを有するMOSゲート構造を備え、前記一方の主面と他方の主面間に主電流を流すMOS型半導体装置において、前記第1導電型半導体領域5がシリコンに炭素がドーピングされた領域であるMOS型半導体装置とする。
【選択図】 図1
Description
2 pベース領域
3a ゲート酸化膜
3b 層間絶縁膜
3c マスク酸化膜
3d 活性領域
3e マスク酸化膜
4a ポリシリコンゲート電極
4b ポリシリコンゲートランナー
5 ソース領域
6a ソース電極
6b Alゲート電極パッド
7 トレンチ
8 イオン注入
100 高濃度シリコン基板
Claims (8)
- 第1導電型シリコン半導体基板の一方の主面側の表層に設けられる第2導電型ベース領域と、該領域の表層に設けられる第1導電型半導体領域と、該半導体領域と前記半導体基板との間の前記ベース領域表面にゲート絶縁膜を介して接するゲート電極を有するMOSゲート構造を備えるMOS型半導体装置において、前記第1導電型半導体領域はシリコンに炭素がドーピングされた領域であることを特徴とするMOS型半導体装置。
- 前記ゲート絶縁膜がシリコン窒化膜を有することを特徴とする請求項1記載のMOS型半導体装置。
- 前記第1導電型半導体領域において置換されている炭素原子のシリコン原子に対する比率が0.1%〜5%であることを特徴とする請求項1または2記載のMOS型半導体装置。
- 前記ゲート電極が前記第1導電型シリコン半導体基板の一方の主面に沿って平行に設けられるプレーナゲート構造を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のMOS型半導体装置。
- 前記ゲート電極が前記第1導電型シリコン半導体基板の一方の主面に垂直に設けられるトレンチ内に充填されるトレンチゲート構造を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のMOS型半導体装置。
- 請求項1に記載のMOS型半導体装置の製造方法において、前記第1導電型半導体領域を設ける工程が第1導電型のイオン注入工程と炭素のイオン注入工程とを有することを特徴とするMOS型半導体装置の製造方法。
- 前記MOSゲート構造がプレーナゲート構造であることを特徴とする請求項6記載のMOS型半導体装置の製造方法。
- 前記MOSゲート構造がトレンチゲート構造であることを特徴とする請求項6記載のMOS型半導体装置の製造方法。
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