JP2013182907A - Ceramic coupling substrate - Google Patents

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Toshihisa Okada
利久 岡田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ceramic coupling substrate in which occurrence of problems due to a deformation suppression part is minimized when the substrate is divided.SOLUTION: A ceramic coupling substrate 1 includes a square aggregation part 3 where multiple unit substrates 2 are coupled, a frame 4 provided on the outer periphery of the aggregation part 3, and deformation suppression parts 8 provided along at least one side of the outer periphery of the aggregation part 3, and having slits 81 on the extension of scheduled cut line between the unit substrates 2.

Description

本発明は、単位基板が複数連結されたセラミックス連結基板に係り、特に焼成時の単位基板の変形を抑制するための変形抑制部が形成されたセラミックス連結基板に関する。   The present invention relates to a ceramic connection substrate in which a plurality of unit substrates are connected, and more particularly to a ceramic connection substrate in which a deformation suppressing portion for suppressing deformation of a unit substrate during firing is formed.

従来、半導体素子等の電子部品を搭載する基板として、セラミックス焼結体等からなるセラミックス基板が使用されている。近年、電子装置における小型化の要求に伴い、セラミックス基板の小型化が進んでいる。小型セラミックス基板の製造方法としては、多数の小型セラミックス基板が連結された連結基板から同時に製造する、いわゆる多数個取りの製造方法が一般的である。   Conventionally, a ceramic substrate made of a ceramic sintered body or the like is used as a substrate on which electronic components such as semiconductor elements are mounted. In recent years, ceramic substrates have been downsized along with demands for downsizing electronic devices. As a manufacturing method of a small ceramic substrate, a so-called multi-cavity manufacturing method in which a large number of small ceramic substrates are simultaneously manufactured from a connected substrate is generally used.

連結基板は、例えば、最小単位となる多数の小型セラミックス基板が縦横に連結して配置された四角状の集合部を有するとともに、この集合部の外周部を囲むように枠部が設けられる。集合部には、例えば、隣接する小型セラミックス基板どうしが分割される分割予定線上に分割を容易に行うための分割溝が設けられる。集合部に分割溝が設けられる場合、その延長線上となる枠部にも分割溝が設けられる。なお、連結基板としては、ダイシングにより分割を行うものでもよく、この場合には必ずしも分割溝は設けられない。   For example, the connection substrate has a rectangular aggregate portion in which a large number of small ceramic substrates as minimum units are connected vertically and horizontally, and a frame portion is provided so as to surround the outer peripheral portion of the aggregate portion. For example, the gathering portion is provided with a dividing groove for easily performing division on a planned dividing line where adjacent small ceramic substrates are divided. When the dividing groove is provided in the collecting portion, the dividing groove is also provided in the frame portion on the extension line. The connecting substrate may be divided by dicing. In this case, the dividing groove is not necessarily provided.

連結基板における小型セラミックス基板を分割溝等によって分割することで、多数の小型セラミックス基板を効率的に得ることができる。また、連結基板における小型セラミックス基板の素子搭載面に半導体素子を実装後、分割溝等において分割することで、多数の半導体装置を効率的に製造できる。ここで、半導体素子としては、例えばLED素子等の発光素子が挙げられる。   A large number of small ceramic substrates can be efficiently obtained by dividing the small ceramic substrates in the connection substrate by dividing grooves or the like. In addition, a large number of semiconductor devices can be efficiently manufactured by mounting the semiconductor element on the element mounting surface of the small ceramic substrate in the connection substrate and then dividing the semiconductor element by dividing grooves. Here, as a semiconductor element, light emitting elements, such as an LED element, are mentioned, for example.

しかし、セラミックス材料からなる連結基板の製造においては、焼成時に各部の収縮率等の違いによって変形が発生する。例えば、集合部の外周部に枠部を有する連結基板を単独で製造した場合、集合部の外周部における各辺の中央部が枠部側に膨らむように変形する。また、多数の連結基板が縦横に連結して配列された基板シートから多数の連結基板を同時に製造する場合、集合部の外周部における各辺のうち他の集合部と隣接する辺については、他の集合部の変形力によって変形が打ち消されるのに対し、他の集合部と隣接しない辺については、変形を打ち消すような変形力が加わらないために、該辺の中央部が枠部側に膨らむように変形する。このような変形の大きい辺としては、基板シートの外周部に近い部分に配置される連結基板の集合部の辺であって、基板シートの外周部に近い辺が挙げられる。   However, in the production of a connection substrate made of a ceramic material, deformation occurs due to differences in the shrinkage rate of each part during firing. For example, when a connecting board having a frame portion on the outer peripheral portion of the collective portion is manufactured independently, the central portion of each side in the outer peripheral portion of the collective portion is deformed so as to swell toward the frame portion side. In addition, when a large number of connected substrates are manufactured simultaneously from a substrate sheet in which a large number of connected substrates are connected vertically and horizontally, among the sides on the outer periphery of the assembled portion, the sides adjacent to the other aggregated portions While the deformation is canceled by the deformation force of the collective part, the central part of the side swells toward the frame part side because no deformation force is applied to the side that is not adjacent to the other collective part. It deforms as follows. Examples of the side with such a large deformation include a side of the collective portion of the connection board disposed in a portion close to the outer peripheral portion of the substrate sheet and a side close to the outer peripheral portion of the substrate sheet.

このような変形が発生すると、小型セラミックス基板を適切に分割できず、また半導体素子等の電子部品を搭載する際の実装位置の精度が低下する。また、電子機器に実装する際に不具合が生じたり、強度が不足して損傷したりするおそれがある。このような連結基板の焼成時における変形を抑制する方法として、例えば、変形が発生する部分の近傍に変形を抑制するための導体層等からなる変形抑制部を設けることが知られている(例えば、特許文献1〜3参照。)   When such deformation occurs, the small ceramic substrate cannot be properly divided, and the accuracy of the mounting position when electronic parts such as semiconductor elements are mounted is lowered. In addition, there is a risk of malfunction when mounted on an electronic device or damage due to insufficient strength. As a method for suppressing the deformation at the time of firing of such a connection substrate, for example, it is known to provide a deformation suppressing portion made of a conductor layer or the like for suppressing the deformation in the vicinity of the portion where the deformation occurs (for example, , See Patent Documents 1 to 3.)

特開昭57−43500号公報JP 57-43500 A 特開2001−308526号公報JP 2001-308526 A 特開2011−3655号公報JP 2011-3655 A

しかし、集合部の外周部に沿って単に変形抑制部を設けた場合、個々の小型セラミックス基板に分割する際に不具合が生じる。例えば、分割溝を有するものの場合、焼成前にセラミックグリーンシート切断機等の切断刃を押し付けて変形抑制部が形成された部分も含めて分割溝を形成するが、変形抑制部が設けられていると、焼成時に変形抑制部の金属がセラミックス内に溶け込むことによりセラミックスの融点を下げるため分割溝が融着し、その後の分割が容易でなくなる。また、ダイシングにより分割するものの場合、焼成後に変形抑制部が形成された部分も含めて分割を行うが、一般に、変形抑制部に設けた金属はセラミックス基板に比べてダイシングブレードのチップポケットに切削くずが入り込みやすいため、切削くずの除去ができずに目詰りが起こりやすい。これにより切削力の低下が起こるため、基板のチッピング発生などの不具合が発生するという問題がある。いずれの場合においても、生産性が低下し、連結基板から多数の小型セラミックス基板を同時に製造してコストを低減するという効果を十分に得ることができない。   However, when the deformation suppressing portion is simply provided along the outer peripheral portion of the collecting portion, a problem occurs when dividing into individual small ceramic substrates. For example, in the case of having a split groove, the split groove is formed including the portion where the deformation suppressing portion is formed by pressing a cutting blade of a ceramic green sheet cutting machine or the like before firing, but the deformation suppressing portion is provided. When the metal in the deformation suppressing portion is melted into the ceramic during firing, the dividing groove is fused to lower the melting point of the ceramic, making subsequent division difficult. In addition, in the case of dividing by dicing, the division is performed including the portion where the deformation suppressing portion is formed after firing. Generally, the metal provided in the deformation suppressing portion is less scraped in the chip pocket of the dicing blade than the ceramic substrate. Since it is easy to enter, clogging is likely to occur because the cutting waste cannot be removed. As a result, the cutting force is reduced, which causes a problem such as chipping of the substrate. In either case, the productivity is lowered, and it is not possible to sufficiently obtain the effect of simultaneously manufacturing a large number of small ceramic substrates from the connection substrate and reducing the cost.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、変形抑制部を有する連結基板において、分割時における不具合の発生を抑制でき、単位基板の生産性に優れるものの提供を目的とする。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a connection board having a deformation suppressing portion, which can suppress the occurrence of problems during division and has excellent unit board productivity. .

本発明のセラミックス連結基板は、単位基板が複数連結された四角状の集合部と、該集合部の外周に設けられた枠部と、該集合部の外周における少なくとも一辺に沿って設けられ、前記単位基板間の分割予定線の延長線上にスリットを有する変形抑制部とを有することを特徴とする。   The ceramic connecting substrate of the present invention is provided along a rectangular aggregate portion in which a plurality of unit substrates are connected, a frame portion provided on the outer periphery of the aggregate portion, and at least one side in the outer periphery of the aggregate portion, It has a deformation | transformation suppression part which has a slit on the extension line of the division | segmentation planned line between unit substrates, It is characterized by the above-mentioned.

本発明のセラミックス連結基板によれば、変形抑制部のうち分割予定線の延長線上となる部分にスリットを設けることで、単位基板への分割時における不具合の発生を抑制でき、単位基板の生産性を向上できる。   According to the ceramic connecting substrate of the present invention, by providing a slit in a portion of the deformation suppressing portion that is an extension of the planned dividing line, it is possible to suppress the occurrence of problems when dividing into unit substrates, and the productivity of the unit substrate Can be improved.

連結基板の第1の実施形態を示す平面図。The top view which shows 1st Embodiment of a connection board | substrate. 図1に示す連結基板のX−X線断面図。XX sectional drawing of the connection board | substrate shown in FIG. 図1に示す連結基板の第1の変形例を示す平面図。The top view which shows the 1st modification of the connection board | substrate shown in FIG. 図1に示す連結基板の第2の変形例を示す平面図。The top view which shows the 2nd modification of the connection board | substrate shown in FIG. 連結基板の第2の実施形態を示す平面図。The top view which shows 2nd Embodiment of a connection board | substrate. 図5に示す連結基板のX−X線断面図。XX sectional drawing of the connection board | substrate shown in FIG. 連結基板の製造方法の一例を示す平面図。The top view which shows an example of the manufacturing method of a connection board | substrate. 連結基板の製造方法の変形例を示す平面図。The top view which shows the modification of the manufacturing method of a connection board | substrate. 連結基板の製造方法の他の変形例を示す平面図。The top view which shows the other modification of the manufacturing method of a connection board | substrate. スリットの長さLと連結基板の変形量との関係を示す図。Diagram showing the relationship between the deformation amount of the length L 1 and the connection substrate the slit.

以下、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、連結基板の第1の実施形態を示す平面図であり、素子搭載面側から見た平面図である。また、図2は、図1に示す連結基板のX−X線断面を拡大した図である。なお、図1、2に示す連結基板は、LED素子等の発光素子が搭載される複数の発光素子用基板を同時に製造するための連結基板である。
Embodiments of the present invention will be described below.
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment of a connection board, and is a plan view seen from the element mounting surface side. Moreover, FIG. 2 is the figure which expanded the XX sectional view of the connection board | substrate shown in FIG. The connection substrate shown in FIGS. 1 and 2 is a connection substrate for simultaneously manufacturing a plurality of light emitting element substrates on which light emitting elements such as LED elements are mounted.

連結基板1は、単位基板2が複数連結されて構成される四角状の集合部3を有するとともに、この集合部3の外周を囲む枠部4を有する。ここで、単位基板2が上記発光素子用基板に相当する。集合部3は、例えば、縦に10列、横に10行、合計100個の単位基板2が連結して配列される。通常、隣接する2つの単位基板2の中間位置が分割予定線となる。枠部4の外側端部には、分割予定線の延長線上に分割の基準となる複数の切り欠き状の基準部5が設けられる。この対向する一対の基準部5を基準として、例えば、素子搭載面1aおよび非搭載面1bに分割溝6が設けられる。連結基板1の大きさは、必ずしも限定されないが、連結基板1の大きさは、好ましくは30mm角以上、より好ましくは40mm角以上であり、一般に150角mm以下である。また、連結基板1は、例えば、単位基板2が9個以上連結された集合部3を有するものが好ましく、単位基板2が100個以上連結された集合部3を有するものがより好ましい。集合部3における単位基板2の個数は、一般に、2500個以下である。   The connection substrate 1 has a rectangular aggregate portion 3 configured by connecting a plurality of unit substrates 2 and has a frame portion 4 surrounding the outer periphery of the aggregate portion 3. Here, the unit substrate 2 corresponds to the light emitting element substrate. The collective unit 3 is, for example, arranged by connecting a total of 100 unit substrates 2 in 10 columns vertically and 10 rows horizontally. Usually, an intermediate position between two adjacent unit substrates 2 is a planned dividing line. A plurality of notch-shaped reference portions 5 serving as a reference for division are provided on an extension line of the planned division line at the outer end portion of the frame portion 4. For example, the division grooves 6 are provided in the element mounting surface 1a and the non-mounting surface 1b with the pair of opposing reference portions 5 as a reference. The size of the connection substrate 1 is not necessarily limited, but the size of the connection substrate 1 is preferably 30 mm square or more, more preferably 40 mm square or more, and generally 150 square mm or less. In addition, the connecting substrate 1 preferably has, for example, an assembly portion 3 in which nine or more unit substrates 2 are connected, and more preferably has an assembly portion 3 in which 100 or more unit substrates 2 are connected. The number of unit substrates 2 in the gathering unit 3 is generally 2500 or less.

素子搭載面1a側に設けられた分割溝6と非搭載面1b側に設けられた分割溝6とは、対向するように設けられ、これらの分割溝6に応力を負荷することによって隣接する単位基板2どうしを分割して単独の単位基板2が得られる。また、分割時の欠け等の不具合の発生を防止するために、単位基板2の4隅には分割孔7が設けられる場合が多い。分割の容易さと連結基板1の強度との観点から、分割溝6の幅は5〜50μmが好ましく、深さは連結基板1の両主面に設けられた分割溝6の深さの合計が連結基板1の厚さの40%〜85%が好ましい。例えば、連結基板1の厚みが1mmの場合、両主面からの深さの合計が400〜850μmの分割溝6を設けることが好ましい。なお、両主面におけるそれぞれの分割溝6の深さの配分は、連結基板1の内層導体がどこにあるかや、分割面によって任意に変えることができる。   The division grooves 6 provided on the element mounting surface 1a side and the division grooves 6 provided on the non-mounting surface 1b side are provided so as to face each other, and adjacent units are formed by applying stress to these division grooves 6. A single unit substrate 2 is obtained by dividing the substrates 2. Further, in order to prevent the occurrence of problems such as chipping during the division, the division holes 7 are often provided at the four corners of the unit substrate 2. From the viewpoint of easy division and the strength of the connecting substrate 1, the width of the dividing groove 6 is preferably 5 to 50 μm, and the depth is the sum of the depths of the dividing grooves 6 provided on both main surfaces of the connecting substrate 1. 40% to 85% of the thickness of the substrate 1 is preferable. For example, when the thickness of the connecting substrate 1 is 1 mm, it is preferable to provide the dividing grooves 6 having a total depth from both main surfaces of 400 to 850 μm. The distribution of the depths of the respective dividing grooves 6 on both main surfaces can be arbitrarily changed depending on where the inner layer conductor of the connecting substrate 1 is located and the dividing surfaces.

単位基板2の素子搭載面1a側には、中央部を底面とするキャビティを構成するように周縁部に枠体21が設けられる。キャビティの底面は、中央部が発光素子の搭載される搭載部とされる。また、この搭載部を挟むように、発光素子と電気的に接続される一対で二極の素子接続端子22が設けられる。   On the element mounting surface 1a side of the unit substrate 2, a frame body 21 is provided at the peripheral edge so as to form a cavity having a central portion as a bottom surface. The bottom surface of the cavity has a central portion as a mounting portion on which the light emitting element is mounted. In addition, a pair of bipolar element connection terminals 22 that are electrically connected to the light emitting elements are provided so as to sandwich the mounting portion.

単位基板2の非搭載面1b側には、外部回路と電気的に接続される一対の外部接続端子23が設けられる。これらの外部接続端子23は、例えば、外部回路を有する実装基板との接合強度を確保するために、周辺側端部が分割溝6に近接し、電極面積が十分に大きくなるように形成される。   On the non-mounting surface 1b side of the unit substrate 2, a pair of external connection terminals 23 that are electrically connected to an external circuit are provided. These external connection terminals 23 are formed so that, for example, the peripheral side end is close to the dividing groove 6 and the electrode area is sufficiently large in order to ensure the bonding strength with the mounting substrate having the external circuit. .

単位基板2の内部には、素子接続端子22と外部接続端子23とを電気的に接続する貫通導体24が設けられる。なお、素子接続端子22、外部接続端子23、および貫通導体24については、発光素子と外部回路とを電気的に接続できる限り、その位置、形状、大きさは特に限定されず、適宜調整できる。   Inside the unit substrate 2, a through conductor 24 that electrically connects the element connection terminal 22 and the external connection terminal 23 is provided. Note that the position, shape, and size of the element connection terminal 22, the external connection terminal 23, and the through conductor 24 are not particularly limited as long as the light emitting element and the external circuit can be electrically connected, and can be adjusted as appropriate.

図示しないが、単位基板2の内部には、熱抵抗を低減するために、厚さ方向に延びるサーマルビアや、素子搭載面1aに平行する放熱層を埋設できる。サーマルビアは、例えば、素子搭載部の直下に1つまたは複数設けられる。また、図示しないが、光の取り出し効率を向上させるために、例えば、キャビティの底面に銀を主成分とする反射膜を設けてもよい。反射膜は、一対の素子接続端子22に電気的に接続しないように設けることが好ましく、その上には端縁を含む反射膜の全体を覆うオーバーコートガラス層を設けることが好ましい。   Although not shown, a thermal via extending in the thickness direction and a heat dissipation layer parallel to the element mounting surface 1a can be embedded in the unit substrate 2 in order to reduce thermal resistance. For example, one or a plurality of thermal vias are provided immediately below the element mounting portion. Although not shown, in order to improve the light extraction efficiency, for example, a reflective film mainly composed of silver may be provided on the bottom surface of the cavity. The reflective film is preferably provided so as not to be electrically connected to the pair of element connection terminals 22, and an overcoat glass layer covering the entire reflective film including the edge is preferably provided thereon.

変形抑制部8は、例えば、集合部3の外周全体を囲むように枠部4に設けられる。また、変形抑制部8は、例えば、素子搭載面1a、非搭載面1b、および内部に設けられる。素子搭載面1a、非搭載面1b、および内部の各変形抑制部8には、分割予定線の延長線上にスリット81が設けられる。ここで、スリット81は、変形抑制部8における不連続部分を意味する。分割溝6を有するものについては、通常、分割予定線およびその延長線に中心部が重なるように分割溝6が形成される。   The deformation suppression unit 8 is provided in the frame unit 4 so as to surround the entire outer periphery of the assembly unit 3, for example. Moreover, the deformation | transformation suppression part 8 is provided in the element mounting surface 1a, the non-mounting surface 1b, and an inside, for example. The element mounting surface 1a, the non-mounting surface 1b, and the internal deformation suppressing portions 8 are each provided with a slit 81 on an extension line of the planned dividing line. Here, the slit 81 means a discontinuous portion in the deformation suppressing unit 8. For those having the dividing groove 6, the dividing groove 6 is usually formed so that the center portion overlaps the planned dividing line and its extension line.

変形抑制部8にスリット81を設けることで、例えば、分割溝6を有する連結基板1については、その製造時、特に焼成前の分割溝6の形成時、セラミックグリーンシート切断機等の切断刃を押し付けて十分な幅や深さの分割溝6を形成できる。これにより、その後の焼成時における分割溝6の融着を抑制でき、個々の単位基板2への分割性を向上できる。   By providing the slit 81 in the deformation suppressing portion 8, for example, for the connection substrate 1 having the dividing groove 6, a cutting blade such as a ceramic green sheet cutting machine is used at the time of manufacturing, particularly when the dividing groove 6 before firing is formed. The dividing groove 6 having a sufficient width and depth can be formed by pressing. Thereby, melt | fusion of the division | segmentation groove | channel 6 at the time of subsequent baking can be suppressed, and the division | segmentation property to each unit substrate 2 can be improved.

スリット81は、基本的には分割予定線の延長線上となる全ての箇所に設けることが好ましいが、上記箇所全体における個数の割合で10%以下の箇所にはスリット81が設けられていなくてもよい。この程度の箇所にスリット81が形成されていなくても、上記したような分割性等を維持できる。このようなスリット81を設けない箇所は、上記箇所全体における個数の割合で5%以下が好ましく、3%以下がより好ましく、1%以下がさらに好ましい。   Although it is preferable to provide the slits 81 basically at all locations on the extension line of the planned dividing line, even if the slits 81 are not provided at locations where the ratio of the number of the entire locations is 10% or less. Good. Even if the slit 81 is not formed at such a position, the above-described splitting property and the like can be maintained. Such a portion where the slit 81 is not provided is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, and even more preferably 1% or less in terms of the number of the whole portion.

なお、変形抑制部8は、集合部3の変形を効果的に抑制する観点から、集合部3の外周全体を囲むように設けることが好ましいが、必ずしも集合部3の外周全体を囲むように設ける必要はなく、少なくとも集合部3の外周の一辺に沿って設けられていればよい。例えば、連結基板1が複数連結された基板シートから連結基板1を製造する場合、基板シートにおける連結基板1の位置、特に変形の大きくなる部分に応じて、図3に示すように集合部3の外周の一辺に沿って設けてもよいし、図4に示すように集合部3の外周の隣接する2辺に沿って設けてもよい。なお、いずれの場合にも、基本的に変形抑制部8には全ての分割予定線の延長線上にスリット81が設けられる。   In addition, although it is preferable to provide the deformation | transformation suppression part 8 from the viewpoint of suppressing the deformation | transformation of the gathering part 3 so that it may surround the whole outer periphery of the gathering part 3, it is not necessarily provided so that the whole outer periphery of the gathering part 3 may be enclosed. There is no need, and it is only necessary to be provided along at least one side of the outer periphery of the collecting portion 3. For example, when the connection substrate 1 is manufactured from a substrate sheet in which a plurality of connection substrates 1 are connected, depending on the position of the connection substrate 1 in the substrate sheet, in particular, a portion where deformation becomes large, as shown in FIG. It may be provided along one side of the outer periphery, or may be provided along two adjacent sides of the outer periphery of the collective portion 3 as shown in FIG. In any case, basically, the deformation suppressing unit 8 is provided with slits 81 on the extended lines of all the division lines.

また、変形抑制部8は、集合部3の変形を効果的に抑制する観点から、素子搭載面1a、非搭載面1b、および内部に設けることが好ましいが、必ずしもこれらの部分の全てに設ける必要はなく、少なくともこれらの部分から選ばれる少なくとも一部に設けられていればよい。例えば、素子搭載面1aと非搭載面1bとに設ける場合、一般に対称に設けることが好ましく、設計上の制約は受けやすくなるが、焼成時の連結基板1の反りを効果的に抑制できる。また、素子搭載面1aまたは非搭載面1bの一方に設ける場合、両面に設ける場合と比べて焼成時の連結基板1に反りが発生しやすくなるが、設計上の制約が少なく、スリット81を長くすることで反りも十分に低減できる。なお、素子搭載面1a、非搭載面1b、および内部のいずれの変形抑制部8にも、分割予定線の延長線上にスリット81を設ける。   Moreover, although the deformation | transformation suppression part 8 is preferable to provide in the element mounting surface 1a, the non-mounting surface 1b, and the inside from a viewpoint of suppressing the deformation | transformation of the gathering part 3 effectively, it is necessary to provide in all these parts. There is no need to be provided in at least a part selected from these parts. For example, when providing on the element mounting surface 1a and the non-mounting surface 1b, it is generally preferable to provide it symmetrically, and it becomes easy to receive design restrictions, but the warpage of the connecting substrate 1 during firing can be effectively suppressed. Further, when provided on one of the element mounting surface 1a and the non-mounting surface 1b, the connecting substrate 1 is more likely to warp during firing than when provided on both surfaces, but there are less design restrictions and the slit 81 is longer. By doing so, the warpage can be sufficiently reduced. Note that the element mounting surface 1a, the non-mounting surface 1b, and the internal deformation suppressing portion 8 are each provided with a slit 81 on the extension line of the planned dividing line.

スリット81の集合部3の外周部に沿った方向における長さLは、必ずしも限定されないが、分割溝6を有するものの場合、50〜2000μmが好ましい。なお、以下では、スリット81の集合部3の外周部に沿った方向における長さLを単にスリット81の長さLと記す。 The length L 1 in the direction along the outer peripheral portion of the collecting portion 3 of the slit 81, but not necessarily limited to, the case of those with a split groove 6, 50 to 2000 m is preferable. In the following description, simply referred to as the length L 1 of the slit 81 a length L 1 in the direction along the outer peripheral portion of the collecting portion 3 of the slit 81.

分割溝6の幅は、一般に分割の容易さと連結基板1の強度維持との観点から、5〜50μmが好ましい。スリット81の長さLを50μm以上とすることで、分割溝6の形成時、分割溝6が形成される部分に変形抑制部8、特にスリット81以外の部分が重なることを抑制でき、セラミックグリーンシート切断機等の切断刃を押し付けて十分な幅の分割溝6を形成できる。これにより、その後の焼成時における分割溝6の融着を抑制でき、個々の単位基板2への分割性を向上できる。さらに、長さLを50μm以上とすることで、スクリーン印刷によるスリット81の形成も容易となる。スリット81の長さLは、大きいほど分割溝6の融着を抑制しやすく、また焼成時の連結基板1の反りも抑制しやすいが、変形抑制部8の本来の機能を十分に得る観点から、2000μm以下が好ましい。スリット81の長さLは、100μm以上がより好ましい。なお、各スリット81の長さLは、必ずしも互いに同一である必要はなく、上記範囲内であれば互いに異なっていてもよい。 In general, the width of the dividing groove 6 is preferably 5 to 50 μm from the viewpoint of easy division and maintenance of the strength of the connecting substrate 1. The length L 1 of the slit 81 by the above 50 [mu] m, the formation of the division groove 6, the dividing groove 6 portion deformation suppressing portion 8 is formed, it can particularly prevent the overlapping portions other than the slit 81, the ceramic A dividing groove 6 having a sufficient width can be formed by pressing a cutting blade such as a green sheet cutting machine. Thereby, melt | fusion of the division | segmentation groove | channel 6 at the time of subsequent baking can be suppressed, and the division | segmentation property to each unit substrate 2 can be improved. Further, by setting the length L 1 or more 50 [mu] m, it is easy to form the slit 81 by screen printing. The longer the length L 1 of the slit 81 is, the easier it is to suppress the fusion of the dividing grooves 6 and also to suppress the warping of the connecting substrate 1 during firing, but the viewpoint of sufficiently obtaining the original function of the deformation suppressing portion 8. Therefore, 2000 μm or less is preferable. The length L 1 of the slit 81, more preferably at least 100 [mu] m. The length L 1 of each slit 81 is not necessarily identical to each other, may be different from each other in the range above.

図2に示す変形抑制部8の幅Lは、1mm以上が好ましく、また10mm以下が好ましい。変形抑制部8の幅Lを1mm以上とすることで、変形抑制部8による変形抑制効果を効果的に得ることができる。また、変形抑制部8の幅を10mm以下とすることで、変形抑制部8による変形抑制効果を効果的に得つつ、製造コストの上昇等を抑制できる。変形抑制部8の幅Lは、より好ましくは1.5mm以上、さらに好ましくは2mm以上、またより好ましくは7.5mm以下、さらに好ましくは5mm以下である。変形抑制部8の幅Lについても、必ずしも全ての部分で同一である必要はなく、上記範囲内であれば各部で異なっていてもよい。 Width L 2 of the deformation suppression portion 8 shown in FIG. 2 is preferably at least 1 mm, also less preferred 10 mm. The width L 2 of the deformation suppression portion 8 by the above 1 mm, it is possible to obtain the deformation suppressing effect of the deformation suppressing portion 8 effectively. In addition, by setting the width of the deformation suppressing portion 8 to 10 mm or less, an increase in manufacturing cost or the like can be suppressed while effectively obtaining the deformation suppressing effect by the deformation suppressing portion 8. Width L 2 of the deformation suppression portion 8, more preferably 1.5mm or more, more preferably 2mm or more, more preferably 7.5mm or less, more preferably 5mm or less. The width L 2 of the deformation suppression portion 8 also need not be identical necessarily all parts may be different in each unit should fall within the above range.

また、集合部3の外周と変形抑制部8の内周との間隔Lは、0.05mm以上が好ましく、また15mm以下が好ましい。間隔Lを0.05mm以上とすることで、分割溝6の形成時、分割溝6が形成される部分に変形抑制部8が重なることを抑制でき、セラミックグリーンシート切断機等の切断刃を押し付けて十分な幅の分割溝6を形成できる。これにより、その後の焼成時における分割溝6の融着を抑制でき、個々の単位基板2への分割性を向上できる。また、間隔Lを15mm以下とすることで、集合部3に近い位置に変形抑制部8を設け、変形抑制部8による変形抑制効果を効果的に得ることができる。間隔Lは、より好ましくは0.1mm以上、さらに好ましくは0.15mm以上、またより好ましくは10mm以下、さらに好ましくは7.5mm以下である。間隔Lについても、必ずしも全ての部分で同一である必要はなく、上記範囲内であれば各部で異なっていてもよい。 The distance L 3 between the inner periphery of the outer peripheral and the deformation suppressing portion 8 of the collecting portion 3 is preferably at least 0.05 mm, also less preferred 15 mm. By the distance L 3 and above 0.05 mm, the formation of the dividing groove 6, the portion dividing grooves 6 are formed can prevent the deformation suppressing portion 8 overlaps the cutting blade such as a ceramic green sheet cutting machine The dividing groove 6 having a sufficient width can be formed by pressing. Thereby, melt | fusion of the division | segmentation groove | channel 6 at the time of subsequent baking can be suppressed, and the division | segmentation property to each unit substrate 2 can be improved. Further, by setting the distance L 3 and 15mm or less, it can be a deformation suppressing portion 8 provided at a position closer to the collecting portion 3, to obtain a deformation suppressing effect of the deformation suppressing portion 8 effectively. Spacing L 3 is more preferably 0.1mm or more, more preferably 0.15mm or more, more preferably 10mm or less, more preferably 7.5mm or less. For the interval L 3, they need not be identical necessarily all parts may be different in each unit should fall within the above range.

なお、変形抑制部8の厚みは、5μm以上が好ましく、また30μm以下が好ましい。変形抑制部8の厚みを5μm以上とすることで、変形抑制効果を効果的に得ることができる。また、30μm以下とすることで、変形抑制部8による焼成時の連結基板1の反りを抑制でき、またスクリーン印刷の回数を少なくして製造コストや材料コストを抑制できる。変形抑制部8の厚みは、より好ましくは7μm以上、またより好ましくは25μm以下である。   In addition, the thickness of the deformation suppressing portion 8 is preferably 5 μm or more, and preferably 30 μm or less. By setting the thickness of the deformation suppressing portion 8 to 5 μm or more, a deformation suppressing effect can be effectively obtained. Moreover, by setting it as 30 micrometers or less, the curvature of the connection board | substrate 1 at the time of baking by the deformation | transformation suppression part 8 can be suppressed, and the frequency | count of screen printing can be decreased and manufacturing cost and material cost can be suppressed. The thickness of the deformation suppressing portion 8 is more preferably 7 μm or more, and more preferably 25 μm or less.

図5は、連結基板1の第2の実施形態を示す平面図である。また、図6は、図5に示す連結基板のX−X線断面の拡大図である。この連結基板1は、ダイシングによって分割されるものであり、分割溝6が設けられないことを除いて第1の実施形態の連結基板1と基本的に同様の構成を有する。   FIG. 5 is a plan view showing a second embodiment of the connection board 1. FIG. 6 is an enlarged view of a cross section taken along line XX of the connection substrate shown in FIG. This connection board | substrate 1 is divided | segmented by dicing, and has the structure fundamentally the same as the connection board | substrate 1 of 1st Embodiment except the division groove | channel 6 not being provided.

このような連結基板1については、一般に、枠部4に設けられた対向する一対の基準部5を基準としてダイシングが行われる。ダイシングにより分割を行う場合、分割予定線の延長線上に変形抑制部8が連続して形成されていると、この変形抑制部8が他の部分に比べて硬いために、ダイシングブレードの損傷が激しく、その分だけ寿命が短くなる。変形抑制部8における分割予定線の延長線上にスリット81を設けることで、スリット81を除いた変形抑制部8にダイシングブレードが接触することを抑制できる。これにより、ダイシングブレードの損傷を抑制でき、製造コストの上昇を抑制できる。   In general, the connection substrate 1 is diced on the basis of a pair of opposing reference portions 5 provided in the frame portion 4. When the division is performed by dicing, if the deformation suppressing portion 8 is continuously formed on the extension line of the planned dividing line, the deformation suppressing portion 8 is harder than the other portions, so that the dicing blade is severely damaged. , Life is shortened accordingly. By providing the slit 81 on the extension line of the planned dividing line in the deformation suppressing unit 8, it is possible to suppress the dicing blade from coming into contact with the deformation suppressing unit 8 excluding the slit 81. Thereby, damage to the dicing blade can be suppressed, and an increase in manufacturing cost can be suppressed.

この連結基板1におけるスリット81についても、基本的には分割予定線の延長線上となる全ての箇所に設けることが好ましいが、上記箇所全体における個数の割合で10%以下の箇所にはスリット81が設けられていなくてもよい。この程度の箇所にスリット81が形成されていなくても、上記したようなダイシングブレードの損傷等を抑制できる。このようなスリット81を設けない箇所は、上記箇所全体における個数の割合で5%以下が好ましく、3%以下がより好ましく、1%以下がさらに好ましい。   Basically, it is preferable to provide the slits 81 in the connection substrate 1 at all the locations on the extension line of the planned division line. However, the slits 81 are provided at the locations of 10% or less of the total number of the locations. It may not be provided. Even if the slit 81 is not formed at such a position, the above-described damage to the dicing blade can be suppressed. Such a portion where the slit 81 is not provided is preferably 5% or less, more preferably 3% or less, and even more preferably 1% or less in terms of the number of the whole portion.

この連結基板1におけるスリット81の長さLについても、必ずしも限定されないが、特に100μm以上が好ましく、また2000μm以下が好ましい。一般にダイシングブレードの厚さは100μm程度であることから、スリット81の長さLを100μm以上とすることで、スリット81を除いた変形抑制部8へのダイシングブレードの接触をほぼ抑制でき、ダイシングブレードの寿命を延ばすことができる。スリット81の長さLは、大きいほどダイシングブレードの接触を抑制しやすく、また焼成時の連結基板1の反りも抑制しやすいが、変形抑制部8の本来の機能を十分に得る観点から、2000μm以下が好ましい。スリット81の長さLは、ダイシングブレードの厚さの違いやダイシング時のズレ等を考慮し、より好ましくは130μm以上、さらに好ましくは150μm以上である。 The length L 1 of the slit 81 in the connection substrate 1 is also not necessarily limited, particularly preferably at least 100 [mu] m, also 2000μm or less. In general, since the thickness of the dicing blade is about 100 μm, the length L 1 of the slit 81 is set to 100 μm or more, so that the contact of the dicing blade to the deformation suppressing portion 8 excluding the slit 81 can be substantially suppressed. The life of the blade can be extended. From the viewpoint of sufficiently obtaining the original function of the deformation suppressing portion 8, the length L 1 of the slit 81 is likely to suppress the contact of the dicing blade as the length L 1 increases, and also to suppress the warpage of the connecting substrate 1 during firing. 2000 micrometers or less are preferable. The length L 1 of the slit 81, consider the dicing blade thickness differences and during dicing the deviation or the like, more preferably more than 130 .mu.m, more preferably 150μm or more.

変形抑制部8の幅Lは、分割溝6を有するものと同様が好ましく、1mm以上が好ましく、また10mm以下が好ましい。変形抑制部8の幅Lを1mm以上とすることで、変形抑制部8による変形抑制効果を効果的に得ることができる。また、変形抑制部8の幅を10mm以下とすることで、変形抑制部8による変形抑制効果を効果的に得つつ、製造コストの上昇等を抑制できる。変形抑制部8の幅Lは、より好ましくは1.5mm以上、さらに好ましくは2mm以上、またより好ましくは7.5mm以下、さらに好ましくは5mm以下である。 The width L 2 of the deformation suppressing portion 8 is preferably the same as that having the dividing groove 6, preferably 1 mm or more, and more preferably 10 mm or less. The width L 2 of the deformation suppression portion 8 by the above 1 mm, it is possible to obtain the deformation suppressing effect of the deformation suppressing portion 8 effectively. In addition, by setting the width of the deformation suppressing portion 8 to 10 mm or less, an increase in manufacturing cost or the like can be suppressed while effectively obtaining the deformation suppressing effect by the deformation suppressing portion 8. Width L 2 of the deformation suppression portion 8, more preferably 1.5mm or more, more preferably 2mm or more, more preferably 7.5mm or less, more preferably 5mm or less.

また、集合部3の外周と変形抑制部8の内周との間隔Lは、0.05mmが好ましくは、また15mm以下が好ましい。間隔Lを0.05mm以上とすることで、変形抑制部8へのダイシングブレードの接触を低減でき、ダイシングブレードの寿命を延ばすことができる。また、間隔Lを15mm以下とすることで、集合部3に近い位置に変形抑制部8を設け、変形抑制部8による変形抑制効果を効果的に得ることができる。間隔Lは、より好ましくは0.1mm以上、さらに好ましくは0.15mm以上、またより好ましくは10mm以下、さらに好ましくは7.5mm以下である。 The distance L 3 between the inner periphery of the outer peripheral and the deformation suppressing portion 8 of the collecting portion 3, 0.05 mm is preferably also less preferred 15 mm. By the distance L 3 and above 0.05 mm, can reduce the contact of the dicing blade into the deformation suppressing portion 8, it is possible to extend the life of the dicing blade. Further, by setting the distance L 3 and 15mm or less, it can be a deformation suppressing portion 8 provided at a position closer to the collecting portion 3, to obtain a deformation suppressing effect of the deformation suppressing portion 8 effectively. Spacing L 3 is more preferably 0.1mm or more, more preferably 0.15mm or more, more preferably 10mm or less, more preferably 7.5mm or less.

また、変形抑制部8の厚みは5μm以上が好ましく、30μm以下が好ましい。変形抑制部8の厚みを5μm以上とすることで、変形抑制効果を効果的に得ることができる。また、30μm以下とすることで、変形抑制部8による焼成時の連結基板1の反りを抑制でき、またスクリーン印刷の回数を少なくして製造コストや材料コストを抑制できる。変形抑制部8の厚みは、より好ましくは7μm以上、またより好ましくは25μm以下である。   Further, the thickness of the deformation suppressing portion 8 is preferably 5 μm or more, and preferably 30 μm or less. By setting the thickness of the deformation suppressing portion 8 to 5 μm or more, a deformation suppressing effect can be effectively obtained. Moreover, by setting it as 30 micrometers or less, the curvature of the connection board | substrate 1 at the time of baking by the deformation | transformation suppression part 8 can be suppressed, and the frequency | count of screen printing can be decreased and manufacturing cost and material cost can be suppressed. The thickness of the deformation suppressing portion 8 is more preferably 7 μm or more, and more preferably 25 μm or less.

各実施形態の連結基板1は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ムライト等のセラミックス、またはガラスセラミックスから主としてなる。これらのなかでも、耐久性に優れ、比較的低温で焼成できるガラスセラミックスが好ましい。ガラスセラミックスは、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体から構成される。ガラスセラミックス組成物の原料組成、焼結条件等については後述するとおりである。   The connection substrate 1 of each embodiment is mainly made of ceramics such as aluminum oxide, aluminum nitride, mullite, or glass ceramics, for example. Among these, glass ceramics that are excellent in durability and can be fired at a relatively low temperature are preferable. Glass ceramics are comprised from the sintered compact of the glass ceramic composition containing glass powder and ceramic powder. The raw material composition, sintering conditions, etc. of the glass ceramic composition are as described later.

素子接続端子22、外部接続端子23、貫通導体24等の導体層、および変形抑制部8の構成材料としては、銅、銀、金等を主成分とする金属材料が挙げられ、銀、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属材料が好ましい。導体層や変形抑制部8は、このような金属材料からなる金属粉末を含むペーストの焼成により形成される。ペーストとしては、金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じてその他の添加剤、溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。金属粉末の粒径(50%粒径(D50))は、0.5〜10μmが好ましい。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折・散乱法による粒子径測定装置により得られる値をいう。 Examples of the constituent material of the element connection terminals 22, the external connection terminals 23, the through conductors 24, and the like, and the deformation suppressing portion 8 include metal materials mainly composed of copper, silver, gold, and the like. A metal material made of platinum or silver and palladium is preferable. The conductor layer and the deformation suppressing portion 8 are formed by baking a paste containing a metal powder made of such a metal material. As the paste, a paste obtained by adding a vehicle such as ethyl cellulose to the metal powder and, if necessary, other additives, a solvent and the like can be used. The particle size (50% particle size (D 50 )) of the metal powder is preferably 0.5 to 10 μm. In the present specification, the particle diameter means a value obtained by a particle diameter measuring apparatus using a laser diffraction / scattering method.

溶剤を除いた固形分全体に対する金属粉末の含有量は、80〜90質量%が好ましい。さらに、添加剤としては、パラジウム、三酸化二ロジウムが挙げられる。パラジウム、三酸化二ロジウムは、いずれも銀の焼結阻害剤として作用する。三酸化二ロジウムは、少量で大きく焼成収縮を遅延させる効果があるが、添加量が多くなると基板との密着強度を低下させたり、印刷性を阻害したりするので、添加量を抑える必要がある。   As for content of the metal powder with respect to the whole solid content except a solvent, 80-90 mass% is preferable. Furthermore, examples of the additive include palladium and dirhodium trioxide. Both palladium and dirhodium trioxide act as silver sintering inhibitors. Dirhodium trioxide has the effect of delaying the firing shrinkage in a small amount, but if the amount added is increased, the adhesion strength with the substrate is reduced or the printability is inhibited, so the amount added must be suppressed. .

次に、連結基板1の製造方法について記載する。なお、以下の説明では、製造に用いる部材について、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。   Next, the manufacturing method of the connection board | substrate 1 is described. In the following description, members used for manufacturing will be described with the same reference numerals as those of the finished product.

(A)グリーンシート製造工程
まず、略平板状の基板用グリーンシートおよび枠体用グリーンシートを製造する。なお、略平板状とは、目視レベルで平板状を意味する。各グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて製造する。
(A) Green sheet manufacturing process First, a substantially flat substrate green sheet and frame green sheet are manufactured. In addition, substantially flat form means flat form on a visual level. Each green sheet is prepared by adding a binder and, if necessary, a plasticizer, a solvent, etc. to a glass ceramic composition containing glass powder and ceramic powder, and forming a slurry by a doctor blade method or the like. , Dried to produce.

ガラス粉末は、必ずしも限定されないものの、Tgで表記されるガラス転移点が550〜700℃のものが好ましい。ガラス転移点が550℃未満の場合、後述する脱脂が困難となるおそれがある。一方、ガラス転移点が700℃を超える場合、収縮開始温度が高くなり過ぎて、寸法精度が低下するおそれがある。   The glass powder is not necessarily limited, but preferably has a glass transition point represented by Tg of 550 to 700 ° C. When the glass transition point is lower than 550 ° C., degreasing described later may be difficult. On the other hand, when the glass transition point exceeds 700 ° C., the shrinkage start temperature becomes too high, and the dimensional accuracy may be lowered.

ガラス粉末としては、例えばSiOを57〜65mol%、Bを13〜18mol%、CaOを9〜23mol%、Alを3〜8mol%、KOとNaOから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5〜6mol%含有するものが好ましい。このような組成のものを用いることで、基板表面の平坦度を向上させることが容易となる。 As the glass powder, for example, SiO 2 is 57 to 65 mol%, B 2 O 3 is 13 to 18 mol%, CaO is 9 to 23 mol%, Al 2 O 3 is 3 to 8 mol%, and K 2 O and Na 2 O are selected. What contains 0.5 to 6 mol% in total of at least one of these is preferable. By using a material having such a composition, it becomes easy to improve the flatness of the substrate surface.

ここで、SiOは、ガラスのネットワークフォーマとなる。SiOの含有量が57mol%未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、SiOの含有量が65mol%を超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点が過度に高くなるおそれある。SiOの含有量は、好ましくは58mol%以上、より好ましくは59mol%以上、特に好ましくは60mol%以上である。また、SiOの含有量は、好ましくは64mol%以下、より好ましくは63mol%以下である。 Here, SiO 2 becomes a glass network former. When the content of SiO 2 is less than 57 mol%, it is difficult to obtain a stable glass and the chemical durability may be lowered. On the other hand, when the content of SiO 2 exceeds 65 mol%, the glass melting temperature and the glass transition point may be excessively high. The content of SiO 2 is preferably 58 mol% or more, more preferably 59 mol% or more, and particularly preferably 60 mol% or more. The content of SiO 2 is preferably 64 mol% or less, more preferably 63 mol% or less.

は、ガラスのネットワークフォーマとなる。Bの含有量が13mol%未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点が過度に高くなるおそれがある。一方、Bの含有量が18mol%を超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。Bの含有量は、好ましくは14mol%以上、より好ましくは15mol%以上である。また、Bの含有量は、好ましくは17mol%以下、より好ましくは16mol%以下である。 B 2 O 3 is a glass network former. If the content of B 2 O 3 is less than 13 mol%, there is a possibility that the glass melting point or the glass transition point becomes excessively high. On the other hand, when the content of B 2 O 3 exceeds 18 mol%, it is difficult to obtain a stable glass and the chemical durability may be lowered. The content of B 2 O 3 is preferably 14 mol% or more, more preferably 15 mol% or more. Further, the content of B 2 O 3 is preferably 17 mol% or less, more preferably 16 mol% or less.

Alは、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Alの含有量が3mol%未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Alの含有量が8mol%を超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点が過度に高くなるおそれがある。Alの含有量は、好ましくは4mol%以上、より好ましくは5mol%以上である。また、Alの含有量は、好ましくは7mol%以下、より好ましくは6mol%以下である。 Al 2 O 3 is added to increase the stability, chemical durability, and strength of the glass. When the content of Al 2 O 3 is less than 3 mol%, the glass may become unstable. On the other hand, when the content of Al 2 O 3 exceeds 8 mol%, the glass melting temperature and the glass transition point may be excessively high. The content of Al 2 O 3 is preferably 4 mol% or more, more preferably 5 mol% or more. The content of Al 2 O 3 is preferably 7 mol% or less, more preferably 6 mol% or less.

CaOは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めると共に、ガラス溶融温度やガラス転移点を低下させるために添加される。CaOの含有量が9mol%未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、CaOの含有量が23mol%を超える場合、ガラスが不安定となるおそれがある。CaOの含有量は、好ましくは12mol%以上、より好ましくは13mol%以上、特に好ましくは14mol%以上である。また、CaOの含有量は、好ましくは22mol%以下、より好ましくは21mol%以下、特に好ましくは20mol%以下である。   CaO is added to increase glass stability and crystal precipitation, and to lower the glass melting temperature and glass transition point. When the content of CaO is less than 9 mol%, the glass melting temperature may be excessively high. On the other hand, when the content of CaO exceeds 23 mol%, the glass may become unstable. The content of CaO is preferably 12 mol% or more, more preferably 13 mol% or more, and particularly preferably 14 mol% or more. The CaO content is preferably 22 mol% or less, more preferably 21 mol% or less, and particularly preferably 20 mol% or less.

O、NaOは、ガラス転移点を低下させるために添加される。KOおよびNaOの合計した含有量が0.5mol%未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点が過度に高くなるおそれがある。一方、KOおよびNaOの合計した含有量が6mol%を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。KOおよびNaOの合計した含有量は、0.8mol%以上5mol%以下が好ましい。 K 2 O and Na 2 O are added to lower the glass transition point. When the total content of K 2 O and Na 2 O is less than 0.5 mol%, the glass melting temperature and the glass transition point may be excessively high. On the other hand, when the total content of K 2 O and Na 2 O exceeds 6 mol%, chemical durability, particularly acid resistance may be lowered, and electrical insulation may be lowered. The total content of K 2 O and Na 2 O is preferably 0.8 mol% or more and 5 mol% or less.

ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、ガラス転移点等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10mol%以下が好ましい。   Glass powder is not necessarily limited to what consists only of the said component, Other components can be contained in the range with which various characteristics, such as a glass transition point, are satisfy | filled. When other components are contained, the total content is preferably 10 mol% or less.

ガラス粉末は、上記したようなガラス組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得ることができる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行う。   The glass powder can be obtained by producing a glass having the above glass composition by a melting method and pulverizing it by a dry pulverization method or a wet pulverization method. In the case of the wet pulverization method, it is preferable to use water as a solvent. The pulverization is performed using a pulverizer such as a roll mill, a ball mill, or a jet mill.

ガラス粉末の50%粒径(D50)は、0.5〜2μmが好ましい。ガラス粉末の50%粒径が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難になるばかりでなく、均一に分散させることが困難になる。一方、ガラス粉末の50%粒径が2μmを超える場合、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行う。 The 50% particle size (D 50 ) of the glass powder is preferably 0.5 to 2 μm. When the 50% particle size of the glass powder is less than 0.5 μm, the glass powder is likely to aggregate and not only becomes difficult to handle, but also difficult to disperse uniformly. On the other hand, when the 50% particle size of the glass powder exceeds 2 μm, the glass softening temperature may increase or the sintering may be insufficient. The particle size is adjusted by, for example, classification as necessary after pulverization.

セラミックス粉末としては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものを特に制限なく使用でき、例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いる。セラミックス粉末の50%粒径(D50)は、0.5〜4μmが好ましい。 As the ceramic powder, those conventionally used for the production of LTCC substrates can be used without particular limitation. For example, alumina powder, zirconia powder, or a mixture of alumina powder and zirconia powder is suitably used. The 50% particle size (D 50 ) of the ceramic powder is preferably 0.5 to 4 μm.

このようなセラミックス粉末とガラス粉末とを、例えばガラス粉末が30〜50質量%、セラミックス粉末が50〜70質量%となるように配合、混合することによりガラスセラミックス組成物を得る。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得る。   A glass ceramic composition is obtained by blending and mixing such ceramic powder and glass powder such that the glass powder is 30 to 50% by mass and the ceramic powder is 50 to 70% by mass, for example. Moreover, a slurry is obtained by adding a binder and, if necessary, a plasticizer, a dispersant, a solvent, and the like to the glass ceramic composition.

バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等が好適に使用できる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等が使用できる。また、溶剤としては、例えばトルエン、キシレン等の芳香族系の有機溶剤、ブタノール等のアルコール系の有機溶剤が使用できる。さらに、分散剤やレベリング剤を使用することもできる。   As the binder, for example, polyvinyl butyral, acrylic resin and the like can be suitably used. As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate and the like can be used. As the solvent, for example, aromatic organic solvents such as toluene and xylene, and alcohol organic solvents such as butanol can be used. Furthermore, a dispersing agent and a leveling agent can also be used.

このスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて、シート素材を製造する。このシート素材の各単位基板2となる部分には、打ち抜き型またはパンチングマシーンを使用して層間接続用のビアホール等を形成し、基板用グリーンシートを製造する。また、他のシート素材の各単位基板2となる部分の中央部を楕円形等の所定形状にくり抜き、枠体用グリーンシートを製造する。   This slurry is formed into a sheet by a doctor blade method or the like and dried to produce a sheet material. A via hole or the like for interlayer connection is formed in a portion of the sheet material to be each unit substrate 2 by using a punching die or a punching machine to manufacture a substrate green sheet. Further, the center part of the part of each other sheet material that becomes the unit substrate 2 is cut out into a predetermined shape such as an ellipse, thereby producing a frame green sheet.

(B)ペースト層形成工程
(A)工程で得られた基板用グリーンシートの各単位基板2となる部分に導体層や変形抑制部8となるペースト層を形成する。例えば、基板用グリーンシートの素子搭載面1a側にペーストを塗布し、素子接続端子22となるペースト層を形成する。また、非搭載面1b側にペーストを塗布し、外部接続端子23となるペースト層を形成する。さらに、層間接続用のビアホールにペーストを充填し、貫通導体24となるペースト層を形成する。
(B) Paste layer formation process The paste layer used as the conductor layer and the deformation | transformation suppression part 8 is formed in the part used as each unit board | substrate 2 of the green sheet | seat for substrates obtained at the (A) process. For example, a paste is applied to the element mounting surface 1 a side of the substrate green sheet to form a paste layer to be the element connection terminals 22. In addition, a paste is applied to the non-mounting surface 1b side to form a paste layer to be the external connection terminal 23. Further, a paste is filled in the via hole for interlayer connection to form the through conductor 24.

ペースト層は、スクリーン印刷法によるペーストの塗布、充填により形成できる。素子接続端子22、外部接続端子23となるペースト層の膜厚は、最終的に得ようとする素子接続端子22、外部接続端子23の膜厚が所望の膜厚となるように調整する。   The paste layer can be formed by applying and filling a paste by a screen printing method. The film thicknesses of the paste layers to be the element connection terminals 22 and the external connection terminals 23 are adjusted so that the film thicknesses of the element connection terminals 22 and the external connection terminals 23 to be finally obtained become the desired film thicknesses.

この際、必要に応じて、素子搭載面1a側、非搭載面1b側における枠部4の所定の位置にペーストを塗布し、変形抑制部8となるペースト層を形成する。変形抑制部8となるペースト層についても、スクリーン印刷法によるペーストの塗布により形成できる。このとき、ペーストを塗布しない部分を設けることで、スリット81を形成できる。スリット81の長さLは、ペーストを塗布しない部分の長さの調整により調整できる。ペーストの塗布厚については、必ずしも制限されないが、焼成後の変形抑制部8の厚さが5〜30μmとなるものが好ましい。 At this time, if necessary, a paste is applied to a predetermined position of the frame portion 4 on the element mounting surface 1a side and the non-mounting surface 1b side to form a paste layer that becomes the deformation suppressing portion 8. The paste layer that becomes the deformation suppressing unit 8 can also be formed by applying paste by a screen printing method. At this time, the slit 81 can be formed by providing a portion where the paste is not applied. The length L 1 of the slit 81 can be adjusted by adjusting the length of the portion not coated with the paste. The application thickness of the paste is not necessarily limited, but it is preferable that the thickness of the deformation suppressing portion 8 after firing is 5 to 30 μm.

ペーストとしては、銅、銀、金等を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤、添加剤等を添加してペースト状としたものを用いる。金属粉末としては、銀からなる金属粉末、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属粉末が好ましい。   As the paste, a paste made by adding a vehicle such as ethyl cellulose to a metal powder mainly composed of copper, silver, gold, or the like, and a solvent, an additive or the like as necessary is used. As the metal powder, a metal powder composed of silver, a metal powder composed of silver and platinum, or silver and palladium is preferable.

(C)積層工程
(B)工程で得られたペースト層を有する基板用グリーンシートの素子搭載面1a側に(A)工程で得られた枠体用グリーンシートを積層し、加熱、加圧して一体化し、積層体を形成する。なお、枠体用グリーンシートには、必要に応じて、予め枠部4となる部分の所定の位置に変形抑制部8となるペースト層を形成しておく。また、積層体には、分割予定線の延長線上に分割の基準となる切り欠き状の基準部5を設ける。
(C) Lamination process The green sheet for frames obtained in the (A) process is laminated on the element mounting surface 1a side of the green sheet for substrates having the paste layer obtained in the (B) process, and heated and pressurized. Integrate to form a laminate. In addition, a paste layer that becomes the deformation suppressing portion 8 is formed in advance on a predetermined position of the portion that becomes the frame portion 4 on the green body sheet as necessary. Further, the laminated body is provided with a notch-shaped reference portion 5 serving as a reference for division on an extension line of the planned division line.

次いで、必要に応じて、積層体の素子搭載面1aおよび非搭載面1bにおける分割予定線およびその延長線と重なるように、グリーンシート積層体切断機等を用いて分割溝6を形成する。この際、基準部5を基準として分割溝6を形成することで、分割予定線およびその延長線と重なるような分割溝6を形成できる。さらに、孔開け機等を用いて、分割孔7を形成する。これにより未焼成の連結基板1が得られる。なお、ダイシングにより分割される連結基板1を製造する場合、分割溝6を形成する必要はなく、基準部5のみを形成する。   Next, if necessary, the division grooves 6 are formed by using a green sheet laminated body cutting machine or the like so as to overlap the planned division lines and the extension lines on the element mounting surface 1a and the non-mounting surface 1b of the multilayer body. At this time, by forming the dividing groove 6 using the reference portion 5 as a reference, it is possible to form the dividing groove 6 that overlaps the planned dividing line and its extension line. Further, the divided holes 7 are formed using a punching machine or the like. Thereby, the unfired connection board 1 is obtained. In addition, when manufacturing the connection board | substrate 1 divided | segmented by dicing, it is not necessary to form the division groove | channel 6, and only the reference | standard part 5 is formed.

(D)焼成工程
(C)工程後、得られた未焼成の連結基板1について、必要に応じて積層体に含まれる樹脂等のバインダー等を分解・除去するための脱脂を行った後、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるために、例えば、800〜930℃の温度で焼成して連結基板1を得る。
(D) Firing step (C) After the step, the obtained unfired connecting substrate 1 is subjected to degreasing for decomposing and removing a binder such as a resin contained in the laminate as necessary, and then glass. In order to sinter the ceramic composition or the like, for example, the connection substrate 1 is obtained by firing at a temperature of 800 to 930 ° C.

脱脂は、例えば、400〜600℃以下の温度で1〜10時間保持する条件が好ましい。脱脂温度が400℃未満もしくは脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は600℃程度、脱脂時間は10時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去でき、これを超えると生産性が低下する。   For example, the degreasing is preferably performed at a temperature of 400 to 600 ° C. or lower for 1 to 10 hours. When the degreasing temperature is less than 400 ° C. or the degreasing time is less than 1 hour, the binder or the like may not be sufficiently removed. On the other hand, if the degreasing temperature is about 600 ° C. and the degreasing time is about 10 hours, the binder and the like can be sufficiently removed.

焼成は、基板の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、800〜930℃の温度範囲で適宜時間を調整する。具体的には、850〜900℃の温度で20〜90分の保持が好ましく、特に860〜880℃以下の温度で20〜90分の保持が好ましい。焼成温度が800℃未満では、緻密な構造の基板が得られないおそれがある。一方、焼成温度が930℃を超えると基板が変形して生産性等が低下するおそれがある。また、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合、焼成温度が880℃を超えると、金属ペーストが過度に軟化して所定の形状を維持できなくなるおそれがある。   In the firing, the time is appropriately adjusted in a temperature range of 800 to 930 ° C. in consideration of obtaining a dense structure of the substrate and productivity. Specifically, holding for 20 to 90 minutes at a temperature of 850 to 900 ° C. is preferable, and holding for 20 to 90 minutes at a temperature of 860 to 880 ° C. or less is particularly preferable. If the firing temperature is less than 800 ° C., a substrate having a dense structure may not be obtained. On the other hand, if the firing temperature exceeds 930 ° C., the substrate may be deformed and productivity may be reduced. Moreover, when the metal paste containing the metal powder which has silver as a main component is used and a calcination temperature exceeds 880 degreeC, there exists a possibility that a metal paste may soften too much and it may become impossible to maintain a predetermined shape.

焼成後、必要に応じて、素子接続端子22および外部接続端子23の全体を被覆するように金メッキ等の導電性保護膜を形成できる。また、このような連結基板1の状態で、単位基板2の搭載部にLED素子等の発光素子を搭載してもよい。このようにして得られた連結基板1は、分割溝6を有する場合には、分割溝6を利用して分割することで、また分割溝6を有しない場合には、ダイシングより分割することで、複数の単位基板2を効率的に得ることができる。   After firing, if necessary, a conductive protective film such as gold plating can be formed so as to cover the entire element connection terminal 22 and external connection terminal 23. Moreover, a light emitting element such as an LED element may be mounted on the mounting portion of the unit substrate 2 in the state of the connection substrate 1. The connection board 1 obtained in this way can be divided by using the dividing groove 6 when the dividing substrate 6 is provided, and can be divided by dicing when the dividing substrate 6 is not provided. A plurality of unit substrates 2 can be obtained efficiently.

以上、連結基板1の製造方法について説明したが、基板用グリーンシートおよび枠体用グリーンシートは、必ずしも1枚のグリーンシートからなる必要はなく、複数枚のグリーンシートの積層体からなるものでもよい。また、各部の形成順序等についても、形成可能な限度において適宜変更できる。   Although the manufacturing method of the connection substrate 1 has been described above, the green sheet for the substrate and the green sheet for the frame body do not necessarily need to be made of one green sheet, and may be made of a laminate of a plurality of green sheets. . Further, the order of formation of the respective parts can be changed as appropriate within the limit that can be formed.

また、連結基板1は、必ずしも1つの連結基板1を単独で製造する必要はなく、連結基板1を効率的に製造する観点から、連結基板1が複数連結された基板シートから製造してもよい。図7〜9に基板シートの実施形態を示す。ここで、変形抑制部8におけるスリット81は図示を省略した。基板シート10は、例えば、縦に3列、横に3行、合計9個の連結基板1が連結して配列される。   Moreover, the connection board | substrate 1 does not necessarily need to manufacture the one connection board | substrate 1 independently, and may manufacture from the viewpoint of manufacturing the connection board | substrate 1 efficiently from the board | substrate sheet | seat with which the connection board | substrate 1 was connected two or more. . 7 to 9 show an embodiment of a substrate sheet. Here, the slit 81 in the deformation suppressing unit 8 is not shown. For example, the substrate sheet 10 is arranged by connecting a total of nine connecting substrates 1 in three columns vertically and three rows horizontally.

この場合、図7に示すように、連結基板1における集合部3の変形を効果的に抑制する観点から、集合部3の外周全体を囲むように変形抑制部8を形成することが好ましい。なお、連結基板1における集合部3の変形は、他の連結基板1における集合部3が隣接しない辺、すなわち基板シート10の外周に沿った辺で大きくなる。このため、図8、9に示すように、集合部3の各辺のうち変形の発生しやすい基板シート10の外周に沿った辺のみに変形抑制部8を形成してもよい。この場合、図8に示すように、集合部3の部分のみに変形抑制部8を形成してもよいし、図9に示すように、複数の集合部3の全体を囲むように連続して変形抑制部8を形成してもよい。このようなものによれば、それぞれ図3、4に示されるような連結基板1が得られる。   In this case, as shown in FIG. 7, it is preferable to form the deformation suppressing portion 8 so as to surround the entire outer periphery of the collecting portion 3 from the viewpoint of effectively suppressing the deformation of the collecting portion 3 in the connection substrate 1. In addition, the deformation | transformation of the gathering part 3 in the connection board | substrate 1 becomes large at the edge | side where the gathering part 3 in the other connection board | substrate 1 is not adjacent, ie, the edge along the outer periphery of the board | substrate sheet | seat 10. For this reason, as shown in FIGS. 8 and 9, the deformation suppressing portion 8 may be formed only on the side along the outer periphery of the substrate sheet 10, which is likely to be deformed, among the sides of the assembly portion 3. In this case, as shown in FIG. 8, the deformation suppressing part 8 may be formed only in the part of the collective part 3, or as shown in FIG. The deformation suppression unit 8 may be formed. According to such a thing, the connection board | substrate 1 as each shown by FIG. 3, 4 is obtained.

以下、本発明の実施例を説明する。
なお、本発明はこれらの実施例に限定されない。
Examples of the present invention will be described below.
The present invention is not limited to these examples.

まず、分割溝6を有する連結基板1の例について説明する。
ここで、例1〜7が本発明の実施例であり、例8が本発明の比較例である。
First, an example of the connecting substrate 1 having the dividing grooves 6 will be described.
Here, Examples 1 to 7 are examples of the present invention, and Example 8 is a comparative example of the present invention.

[例1]
(グリーンシートの作製)
SiOを60.4mol%、Bを15.6mol%、Alを6mol%、CaOを15mol%、KOを1mol%、NaOを2mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕してガラス粉末を製造した。なお、粉砕の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
[Example 1]
(Production of green sheets)
The raw materials were adjusted so that SiO 2 was 60.4 mol%, B 2 O 3 was 15.6 mol%, Al 2 O 3 was 6 mol%, CaO was 15 mol%, K 2 O was 1 mol%, and Na 2 O was 2 mol%. After mixing and mixing, this raw material mixture was put in a platinum crucible and melted at 1600 ° C. for 60 minutes, and then the molten glass was poured out and cooled. This glass was pulverized with an alumina ball mill for 40 hours to produce a glass powder. Note that ethyl alcohol was used as a solvent for grinding.

このガラス粉末が35質量%、アルミナフィラー(昭和電工社製、商品名:AL−45H)が40質量%、ジルコニアフィラー(第一稀元素化学工業社製、商品名:HSY−3F−J)が25質量%となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を調製した。   35% by mass of this glass powder, 40% by mass of alumina filler (manufactured by Showa Denko KK, trade name: AL-45H), and zirconia filler (manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Industries, trade name: HSY-3F-J) A glass ceramic composition was prepared by blending and mixing at 25% by mass.

このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤(トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの)15g、可塑剤(フタル酸ジ−2−エチルヘキシル)2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラール(デンカ社製、商品名:PVK#3000K)5g、さらに分散剤(ビックケミー社製、商品名:BYK180)を配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させて基板用グリーンシート、枠体用グリーンシートとした。   50 g of this glass ceramic composition, 15 g of an organic solvent (toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol mixed at a mass ratio of 4: 2: 2: 1), plasticizer (di-2-ethylhexyl phthalate) 2.5 g of polyvinyl butyral (trade name: PVK # 3000K, manufactured by Denka) as a binder and 5 g of a dispersant (trade name: BYK180, manufactured by Big Chemie) were further blended and mixed to prepare a slurry. This slurry was applied onto a PET film by a doctor blade method and dried to obtain a green sheet for a substrate and a green sheet for a frame.

一方、導電性粉末(大研化学工業社製、商品名:S550)、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で混合し固形分が85質量%となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行ってペーストを製造した。   On the other hand, conductive powder (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S550) and ethyl cellulose as a vehicle are mixed at a mass ratio of 85:15 to α-terpineol as a solvent so that the solid content is 85% by mass. After the dispersion, the paste was kneaded in a porcelain mortar for 1 hour, and further dispersed three times with a three roll to produce a paste.

そして、基板用グリーンシートにおける集合部3の各単位基板2となる部分であって、素子接続端子22、外部接続端子23、貫通導体24となる部分に、スクリーン印刷法によりペーストを塗布、または充填し、ペースト層を形成した。   Then, paste is applied or filled by screen printing to the portions of the aggregated portion 3 of the substrate green sheet that are to be the unit substrates 2 and that are to be the element connection terminals 22, the external connection terminals 23, and the through conductors 24. And a paste layer was formed.

一方、枠体用グリーンシートにおける集合部3の各単位基板2となる部分には、開口部であるキャビティを形成した。また、素子搭載面1a側の枠部4となる部分であって、変形抑制部8となる部分に、スクリーン印刷法によりペーストを塗布し、変形抑制部8となるペースト層を形成した。   On the other hand, cavities that are openings were formed in portions of the aggregate 3 in the frame green sheet that would become the unit substrates 2. Further, a paste was applied to a portion to be the frame portion 4 on the element mounting surface 1a side and a portion to be the deformation suppressing portion 8 by a screen printing method, and a paste layer to be the deformation suppressing portion 8 was formed.

そして、基板用グリーンシートと枠体用グリーンシートとを各単位基板2となる部分が一致するように重ね合わせて積層体とした。この積層体の素子搭載面1a側および非搭載面1b側における分割予定線およびその延長線と重なるようにグリーンシート積層体切断機(UHT社製G−cut6)により分割溝6を形成した。この積層体に対して、550℃で5時間保持する脱脂を行った後、870℃で30分間保持する焼成を行って連結基板1を製造した。   Then, the green sheet for the substrate and the green sheet for the frame body were overlaid so that the portions to be the unit substrates 2 were coincident to form a laminate. Split grooves 6 were formed by a green sheet laminate cutting machine (G-cut 6 manufactured by UHT) so as to overlap the planned split lines and the extension lines on the element mounting surface 1a side and non-mounting surface 1b side of this laminate. After performing degreasing to hold | maintain at 550 degreeC with respect to this laminated body for 5 hours, the baking hold | maintained at 870 degreeC for 30 minutes was performed, and the connection board | substrate 1 was manufactured.

ここで、連結基板1は、縦60mm×横60mm×厚さ1mmであり、図1に示すような1つの集合部3を有し、この集合部3の外周全体を囲むように枠部4を有するものとした。集合部3は、大きさ5mm×5mmの単位基板2が100個(10行10列)連結して配置されたものとした。なお、単位基板2は、全体の厚さが1mmで、キャビティの深さが0.5mmとした。また、枠部4は、幅5mmとし、分割溝6は、幅25μm、上下深さの合計は600μmとした。   Here, the connecting substrate 1 has a length of 60 mm × width of 60 mm × thickness of 1 mm, and has one aggregate portion 3 as shown in FIG. 1, and the frame portion 4 is enclosed so as to surround the entire outer periphery of the aggregate portion 3. It was supposed to have. Assume that the collective portion 3 is arranged by connecting 100 unit substrates 2 (10 rows and 10 columns) having a size of 5 mm × 5 mm. The unit substrate 2 has an overall thickness of 1 mm and a cavity depth of 0.5 mm. Moreover, the frame part 4 was made into width 5mm, the division | segmentation groove | channel 6 was made into 25 micrometers in width, and the sum total of the vertical depth was 600 micrometers.

また、変形抑制部8は、集合部3の外周全体を囲むように素子搭載面1aに設け、分割予定線の延長線上に各スリット81の長さ方向の中心部が位置するように形成した。各スリット81の長さLは50μm、変形抑制部8の幅Lは4.6mm、集合部3の外周と変形抑制部8の内周との間隔Lは0.3mm、変形抑制部8の厚さは20μmとした。 Moreover, the deformation | transformation suppression part 8 was provided in the element mounting surface 1a so that the outer periphery of the gathering part 3 might be surrounded, and it formed so that the center part of the length direction of each slit 81 might be located on the extension line of a division | segmentation planned line. The length L 1 of each slit 81 is 50 μm, the width L 2 of the deformation suppressing portion 8 is 4.6 mm, the distance L 3 between the outer periphery of the gathering portion 3 and the inner periphery of the deformation suppressing portion 8 is 0.3 mm, and the deformation suppressing portion. The thickness of 8 was 20 μm.

[例2〜7]
スリット81の長さLを表1に示すように変更した以外は例1と同様にして連結基板1を製造した。
[Examples 2 to 7]
The length L 1 of the slit 81 was changed as shown in Table 1 were prepared coupling the substrate 1 in the same manner as in Example 1.

[例8]
スリット81を形成しない以外は例1と同様にして連結基板1を製造した。
[Example 8]
A connecting substrate 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the slit 81 was not formed.

次に、例1〜8の連結基板1の分割性を評価した。結果を表1に示す。なお、評価は、連結基板1を自動分割機により分割溝6の位置で全て単位基板2に分割した際、未分割の分割溝6が発生したか否かを調べることにより行った。表中の「○」は1つの連結基板1を全て単位基板2に分割する際に未分割の分割溝6が発生しなかったもの、「×」は未分割の分割溝6が発生したものを示す。   Next, the splitting property of the connection substrate 1 of Examples 1 to 8 was evaluated. The results are shown in Table 1. The evaluation was performed by examining whether or not the undivided dividing grooves 6 were generated when the connecting substrate 1 was all divided into unit substrates 2 at the position of the dividing grooves 6 by an automatic dividing machine. In the table, “◯” indicates that the undivided dividing groove 6 was not generated when dividing all the connecting substrates 1 into the unit substrates 2, and “×” indicates that the undivided dividing groove 6 was generated. Show.

なお、一般に、未分割の分割溝6が発生した場合、そのままの状態では次工程に流せないことから追加の分割作業が必要となり、余計な作業時間が必要となる。また、定型ではないことから自動分割機で分割できない場合があり、この場合は、手で折ったり、分割治具を使って分割したりすることになるが、品質が低下したり、不安定になるなどの弊害があり、また生産コストが余計にかかる。   In general, when an undivided dividing groove 6 is generated, it cannot be flowed to the next process as it is, so that additional dividing work is required, and extra work time is required. In addition, because it is not a fixed form, it may not be possible to divide with an automatic divider. In this case, it may be folded by hand or divided using a dividing jig, but the quality will be degraded or unstable. The production costs are excessive.

また、図10に、例1〜8の連結基板1におけるスリット81の長さLと連結基板1の変形量(μm)との関係を示す。連結基板1の変形量は、焼成後の連結基板1の4辺の中点が、当該連結基板1のそれぞれ4隅の角部を結んだ直線に対して、当該直線の垂直方向にどれだけ外側に変形しているのかを測定した。なお、連結基板1の変形量は、上記した4辺の中点の変形量の平均値とした。また、図10には、連結基板1に一切の変形抑制部8を設けない場合の連結基板1の変形量を、スリット81の長さLが5000μmのものとして合わせて示した。 Further, in FIG. 10, showing the relationship between the deformation amount of the length L 1 and the connection substrate 1 of the slit 81 ([mu] m) in the connection substrate 1 of Examples 1-8. The amount of deformation of the connection board 1 is such that the midpoints of the four sides of the connection board 1 after firing are outside of the straight lines connecting the corners of the four corners of the connection board 1 in the direction perpendicular to the straight lines. It was measured whether it was deformed. In addition, the deformation amount of the connection board | substrate 1 was made into the average value of the deformation amount of the midpoint of four sides mentioned above. Further, in FIG. 10, the amount of deformation of the connecting board 1 when the connection substrate 1 is not provided for any deformation suppressing portion 8, the length L 1 of the slit 81 is shown in conjunction as a 5000 .mu.m.

Figure 2013182907
Figure 2013182907

表1から明らかなように、スリット81の長さLを50μmとすることで、分割性を良好にできる。また、図10から明らかなように、スリット81の長さLを2000μm以下とすることで、連結基板1の変形を抑制する効果も確保できる。 As is evident from Table 1, the length L 1 of the slit 81 by a 50 [mu] m, it can be better divided properties. Further, as apparent from FIG. 10, the effect of suppressing deformation of the connecting substrate 1 can be ensured by setting the length L 1 of the slit 81 to 2000 μm or less.

次に、分割溝6を有しないダイシングにより分割される連結基板1の例について説明する。ここで、例10〜13が本発明の実施例であり、例14が本発明の比較例である。   Next, an example of the connecting substrate 1 that is divided by dicing without the dividing groove 6 will be described. Here, Examples 10 to 13 are examples of the present invention, and Example 14 is a comparative example of the present invention.

[例10〜13]
分割溝6を形成せず、かつスリット81の長さLを表2に示すように変更した以外は例1と同様にして連結基板1を製造した。
[Examples 10 to 13]
Without forming the dividing grooves 6, and except that the length L 1 of the slit 81 was changed as shown in Table 2 were prepared coupling the substrate 1 in the same manner as in Example 1.

[例14]
スリット81を形成しない以外は例10〜13と同様にして連結基板1を製造した。
[Example 14]
The connection substrate 1 was manufactured in the same manner as in Examples 10 to 13 except that the slit 81 was not formed.

例10〜13の連結基板1の分割性を評価した。結果を表2に示す。なお、評価は、連結基板1を厚さ100μmのダイシングブレードにより全て単位基板2に分割したときのダイシングブレードの損傷具合を観察することにより行った。表中、「○」はリファレンスとして行った変形抑制部8が設けられていない同じ厚みのセラミックス基板を切断する際と同じ条件において連結基板1を切断した際に、連結基板1または単位基板2に破損や焼け、ダイシングブレードに破損等の不具合が発生しなかったことを示している。「×」は切断中に上記の不具合が発生したものを示す。   The splitting property of the connection substrate 1 of Examples 10 to 13 was evaluated. The results are shown in Table 2. The evaluation was performed by observing the degree of damage of the dicing blade when the connecting substrate 1 was all divided into unit substrates 2 with a dicing blade having a thickness of 100 μm. In the table, “◯” indicates the connection substrate 1 or the unit substrate 2 when the connection substrate 1 is cut under the same conditions as when a ceramic substrate having the same thickness without the deformation suppressing portion 8 provided as a reference is cut. This indicates that there were no problems such as breakage, burning, or damage to the dicing blade. “X” indicates that the above-mentioned problem occurred during cutting.

Figure 2013182907
Figure 2013182907

1…連結基板、2…単位基板、3…集合部、4…枠部、5…基準部、6…分割溝、7…分割孔、8…変形抑制部、10…基板シート、21…枠体、22…素子接続端子、23…外部接続端子、24…貫通導体、L…スリットの長さ、L…変形抑制部の幅、L…集合部の外周と変形抑制部の内周との間隔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Connection board | substrate, 2 ... Unit board | substrate, 3 ... Collecting part, 4 ... Frame part, 5 ... Reference | standard part, 6 ... Dividing groove, 7 ... Dividing hole, 8 ... Deformation suppression part, 10 ... Substrate sheet | seat, 21 ... Frame 22 ... element connection terminal, 23 ... external connection terminal, 24 ... through conductor, L 1 ... length of slit, L 2 ... width of deformation suppressing part, L 3 ... outer periphery of assembly part and inner periphery of deformation suppressing part Interval

Claims (7)

単位基板が複数連結された四角状の集合部と、
前記集合部の外周に設けられた枠部と、
前記集合部の外周における少なくとも一辺に沿って設けられ、前記単位基板間の分割予定線の延長線上にスリットを有する変形抑制部と
を有することを特徴とするセラミックス連結基板。
A rectangular assembly in which a plurality of unit substrates are connected;
A frame portion provided on the outer periphery of the assembly portion;
A ceramic connecting substrate, comprising: a deformation suppressing portion that is provided along at least one side of the outer periphery of the collective portion and has a slit on an extension line of the division line between the unit substrates.
前記スリットは、前記集合部の外周に沿った方向の長さが50〜2000μmである請求項1記載のセラミックス連結基板。   The ceramic connecting substrate according to claim 1, wherein the slit has a length in a direction along the outer periphery of the aggregate portion of 50 to 2000 μm. 前記スリットは、前記集合部の外周部に沿った方向の長さが100〜2000μmである請求項1記載のセラミックス連結基板。   The ceramic connecting substrate according to claim 1, wherein the slit has a length in a direction along the outer peripheral portion of the aggregate portion of 100 to 2000 μm. 前記集合部は、前記単位基板を100以上有する請求項1乃至3のいずれか1項記載のセラミックス連結基板。   4. The ceramic connection substrate according to claim 1, wherein the aggregate portion includes 100 or more unit substrates. 5. 前記変形抑制部は、厚みが5〜30μmである請求項1乃至4のいずれか1項記載のセラミックス連結基板。   The ceramic connection substrate according to claim 1, wherein the deformation suppressing portion has a thickness of 5 to 30 μm. 前記単位基板は、発光素子用基板である請求項1乃至5のいずれか1項記載のセラミックス連結基板。   The ceramic connection substrate according to claim 1, wherein the unit substrate is a light emitting element substrate. 前記単位基板は、ガラスセラミックス基板である請求項1乃至6のいずれか1項記載のセラミックス連結基板。   The ceramic connection substrate according to claim 1, wherein the unit substrate is a glass ceramic substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015060976A (en) * 2013-09-19 2015-03-30 京セラ株式会社 Multi-piece wiring board
WO2021177059A1 (en) * 2020-03-06 2021-09-10 日本電気硝子株式会社 Connected substrate and method for manufacturing element substrate using same

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