JP2012039028A - Wiring board and coupling substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線基板および連結基板に関する。 The present invention relates to a wiring board and a connection board.
従来、半導体素子や圧電振動子等の電子部品を搭載するための配線基板は、例えば上面中央部に電子部品が搭載される搭載部を有する四角平板状のセラミックスからなる絶縁体に、この絶縁体の上面から下面にかけて導出される複数の配線導体を配設させた構成を有する。このような、絶縁体の搭載部に電子部品を固定し、この電子部品の各電極を配線導体に金属バンプやボンディングワイヤを介して電気的に接続した後、その上面に電子部品を覆うように封止用の樹脂や蓋体を固着して電子部品を気密に封止することで、電子装置の製品となる。ここで、絶縁体とは配線基板の一部を構成している絶縁基板をいう。 2. Description of the Related Art Conventionally, a wiring board for mounting electronic components such as a semiconductor element and a piezoelectric vibrator is made of, for example, an insulator made of a rectangular plate-like ceramic having a mounting portion on which an electronic component is mounted at the center of the upper surface. A plurality of wiring conductors led out from the upper surface to the lower surface are arranged. An electronic component is fixed to such an insulator mounting portion, and each electrode of the electronic component is electrically connected to the wiring conductor via a metal bump or a bonding wire, and then the electronic component is covered on the upper surface. An electronic device product is obtained by sealing a resin or lid for sealing and sealing an electronic component in an airtight manner. Here, the insulator means an insulating substrate constituting a part of the wiring substrate.
また、配線基板は、その取り扱いを容易にし製造効率を高くするために、多数個の小型の配線基板を一枚の広い面積の母基板から同時に得るようにした、いわゆる多数個取りの配線基板の製作が一般的である。以下では、多数個取りの配線基板を単に連結基板という。 In addition, the wiring board is a so-called multi-cavity wiring board in which a large number of small wiring boards are obtained simultaneously from a single large-area mother board in order to facilitate handling and increase manufacturing efficiency. Production is common. Hereinafter, the multi-piece wiring board is simply referred to as a connection board.
このような連結基板においては、母基板の特定位置に製造上のばらつきや不具合等が発生することがあり、品質管理上その位置を特定すること等を目的として、分割後にも各配線基板が母基板上のどの位置で製造されたかを識別できるように、1枚の母基板に配列された個々の配線基板の全てに異なるマークが付与されている。 In such a connection board, manufacturing variations and defects may occur at a specific position of the mother board. For the purpose of specifying the position for quality control, etc., each wiring board is also a mother board after division. Different marks are given to all of the individual wiring boards arranged on one mother board so that the position on the board can be identified.
このマークは、従来、配線基板の電子部品搭載面または裏面に形成され、外側から目視で確認できる。一方、配線基板の小型化に伴って、電子部品と接続される接続端子や外部の電気回路基板の配線導体に接続される電極パッド等となる配線導体が、配線基板の電子部品の搭載面および裏面の広い領域にわたって形成されている。このため、これらの面にマークを形成する領域が確保できない問題が生じている。 This mark is conventionally formed on the electronic component mounting surface or back surface of the wiring board and can be visually confirmed from the outside. On the other hand, with the miniaturization of the wiring board, the wiring conductors such as the connection terminals connected to the electronic parts and the electrode pads connected to the wiring conductors of the external electric circuit board are mounted on the mounting surface of the electronic parts on the wiring board and It is formed over a wide area on the back surface. For this reason, the problem which cannot secure the area | region which forms a mark in these surfaces has arisen.
そこで、特許文献1においては、絶縁体の内部に、平面視で配線導体と重なり合わないようにマークを形成することで、小型の配線基板であっても表面や裏面に形成される配線導体に、平面視において近接した位置にマークを形成できる。しかし、マークが内部に形成されるため識別をX線透過法等で行う手間を要する。
Therefore, in
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、連結基板から分割製造された各配線基板において、連結基板での形成箇所等を容易に判別できるようにマーキングされた配線基板およびこの配線基板を製造するための連結基板の提供を目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and in each wiring board divided and manufactured from the connection board, the wiring board marked so as to be able to easily discriminate the formation location on the connection board. And it aims at provision of the connection board | substrate for manufacturing this wiring board.
本発明の配線基板は、無機絶縁材料からなる絶縁体の少なくとも一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有し、表面および必要に応じて内部に前記電子部品と電気的に接続される配線導体が形成された配線基板であって、前記絶縁体の主面および主面と平行する内部面の少なくともどちらかの外周付近に、前記絶縁体の側面にその一部が露出するように形成されたマークを有することを特徴とする。 The wiring board of the present invention has a mounting portion on which an electronic component is mounted on at least one main surface of an insulator made of an inorganic insulating material, and is electrically connected to the electronic component on the surface and, if necessary, inside. A wiring board on which a part of the insulator is exposed on a side surface of the insulator in the vicinity of the outer periphery of at least one of the main surface of the insulator and an inner surface parallel to the main surface. It has a formed mark.
本発明の配線基板においては、前記マークは、前記配線導体が形成された面の少なくとも一つに、対極となる配線導体同士を接続しないように、該配線導体と同一材料で形成されることが好ましい。また、前記マークは、前記絶縁体の主面と平行する内部面の外周付近に、略同一形状(目視レベルで同一形状の意味、以下同様)で1個以上形成され、側面に露出したマークの位置および個数の少なくともどちらかにより識別されることが好ましく、前記側面に露出するマークが、幅50〜1000μmの範囲に、膜厚5〜50μmの範囲にあって、一側面に複数のマークを有する場合のマーク同士の間隔が隣り合うマーク端間の距離は少なくとも50μmが好ましい。 In the wiring board of the present invention, the mark may be formed of the same material as the wiring conductor so as not to connect the wiring conductors serving as counter electrodes to at least one of the surfaces on which the wiring conductor is formed. preferable. Further, one or more marks are formed in the vicinity of the outer periphery of the inner surface parallel to the main surface of the insulator in substantially the same shape (meaning the same shape at the visual level, the same shall apply hereinafter), and the mark exposed on the side surface Preferably, the mark exposed on the side surface is in the range of 50 to 1000 μm in width, in the range of 5 to 50 μm in thickness, and has a plurality of marks on one side. In this case, the distance between adjacent mark ends is preferably at least 50 μm.
本発明の配線基板は、前記絶縁体の主面が略矩形状(目視レベルで矩形状の意味、以下同様)であって、前記絶縁体の主面と平行する内部面の相対する2辺の内側に対向する二極の配線導体を有し、前記マークが前記2辺のいずれかに達するように形成された構成が好ましい。 In the wiring board according to the present invention, the main surface of the insulator has a substantially rectangular shape (meaning a rectangular shape on the visual level, the same applies hereinafter), and two opposing sides of the inner surface parallel to the main surface of the insulator. It is preferable to have a configuration in which two-sided wiring conductors facing inside are formed so that the mark reaches one of the two sides.
本発明の配線基板においては、電子部品として発光素子が搭載されることが好ましく、また前記絶縁体が、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる基板(LTCC基板)が好ましい。 In the wiring board of the present invention, it is preferable that a light emitting element is mounted as an electronic component, and the insulator is a substrate made of a sintered body of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler (LTCC substrate). Is preferred.
本発明はまた、配線基板の領域が母基板上に縦横に複数配列されている連結基板であって、前記配線基板の領域は、上記本発明の配線基板(ただし、該配線基板の1つは前記マークを有しない配線基板であってもよい)となる配線基板の領域で構成されることを特徴とする連結基板を提供する。 The present invention is also a connection board in which a plurality of wiring board regions are arranged vertically and horizontally on a mother board, and the wiring board region includes the wiring board of the present invention (provided that one of the wiring boards is There is provided a connecting board characterized in that the connecting board is configured by a wiring board region that may be a wiring board that does not have the mark.
本発明の連結基板においては、前記複数の配線基板の領域は、略同一形状の前記マークが形成可能な複数の所定位置を有し、前記複数の配線基板の領域ごとに前記所定位置におけるマークの有無の組合せが異なっていることで、連結基板における各配線基板の領域の位置が認識できる態様が好ましい。 In the connection board of the present invention, the plurality of wiring board regions have a plurality of predetermined positions at which the marks having substantially the same shape can be formed, and the mark at the predetermined position is provided for each of the plurality of wiring board regions. It is preferable that the combination of presence / absence is different so that the position of each wiring board region on the connection board can be recognized.
本発明の連結基板においては、前記配線基板の領域が有する隣接する配線基板の領域または母基板との境界線を跨いで、前記マークが該境界線を境界とする双方の領域に形成されていることが好ましい。 In the connection substrate of the present invention, the mark is formed in both regions having the boundary line as a boundary across the boundary line between the adjacent wiring substrate region or the mother substrate of the wiring substrate region. It is preferable.
本発明の連結基板においては、前記複数の配線基板の領域は、相対する2辺の内側に対向する二極の配線導体と、外部から目視可能な所定の位置に前記二極の位置を示す電極印を有し、前記マークは前記2辺のいずれかを境界線として隣接する配線基板の領域同士または配線基板の領域と母基板との双方に、該境界線を跨いで形成されている態様とすることが好ましい。 In the connection board according to the present invention, the plurality of wiring board regions include two-pole wiring conductors facing the inner sides of the two opposite sides, and electrodes indicating the positions of the two poles at a predetermined position visible from the outside. A mode in which the mark is formed across the boundary line between adjacent wiring board regions or both the wiring board region and the mother board with one of the two sides as a boundary line; It is preferable to do.
本発明によれば、連結基板から分割製造された各配線基板において、連結基板での形成箇所等を側面に存在する目視可能なマークにより容易に判別できる。また、本発明の連結基板を用いれば、分割製造された各配線基板において側面に目視で識別可能なマークを簡便な方法で確実に付与できる。 According to the present invention, in each wiring board that is divided and manufactured from a connection board, a formation location or the like on the connection board can be easily determined by a visually observable mark that exists on the side surface. Moreover, if the connection board | substrate of this invention is used, the mark which can be visually discriminate | determined on a side surface can be reliably provided with a simple method in each wiring board divided and manufactured.
以下に図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。なお本発明は、下記説明に限定して解釈されない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, this invention is limited to the following description and is not interpreted.
<配線基板>
本発明の配線基板は、無機絶縁材料からなる絶縁体の少なくとも一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有し、表面および必要に応じて内部に前記電子部品と電気的に接続される配線導体が形成された配線基板であって、前記絶縁体の主面および主面と平行する内部面の少なくともどちらかの外周付近に、前記絶縁体の側面にその一部が露出するように形成されたマークを有することを特徴とする。
<Wiring board>
The wiring board of the present invention has a mounting portion on which an electronic component is mounted on at least one main surface of an insulator made of an inorganic insulating material, and is electrically connected to the electronic component on the surface and, if necessary, inside. A wiring board on which a part of the insulator is exposed on a side surface of the insulator in the vicinity of the outer periphery of at least one of the main surface of the insulator and an inner surface parallel to the main surface. It has a formed mark.
ここで、本明細書において、配線基板が有する上記「配線導体」とは、搭載される電子部品の有する電極からこれを介して外部回路へと電気的に接続されるように設けられた電気配線に係る全ての導体、例えば、電子部品の電極と接続される素子接続端子、基板内に設けられる内層配線(基板内を貫通する貫通導体を含む)、外部回路に接続される外部接続端子等を総称する用語として用いる。 Here, in the present specification, the “wiring conductor” of the wiring board is an electric wiring provided so as to be electrically connected from the electrode of the electronic component to be mounted to an external circuit through the electrode. All conductors related to, for example, element connection terminals connected to electrodes of electronic components, inner layer wiring provided in the substrate (including through conductors penetrating through the substrate), external connection terminals connected to external circuits, etc. Used as a generic term.
本発明によれば、配線基板の側面にマークが露出することで例えば電子部品を搭載して製品とした後もマークを目視で容易に認識でき、連結基板から分割製造された配線基板である場合には、連結基板での形成箇所等を容易に識別できる。 According to the present invention, when the mark is exposed on the side surface of the wiring board, for example, after the electronic component is mounted to make a product, the mark can be easily recognized visually, and the wiring board is divided and manufactured from the connection board. It is possible to easily identify the formation location on the connection substrate.
また、上記絶縁体を構成する無機絶縁材料として、具体的には、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体(Low Temperature Co−fired Ceramics。以下、LTCCと示す。)等が挙げられる。これらのうちでも、本発明においては、製造の容易性、易加工性、経済性等の観点からLTCCが好ましい。 Further, the inorganic insulating material constituting the insulator specifically includes an aluminum oxide sintered body (alumina ceramic), an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, glass powder and a ceramic filler. Examples thereof include a sintered body of a glass ceramic composition (Low Temperature Co-fired Ceramics, hereinafter referred to as LTCC). Among these, in the present invention, LTCC is preferable from the viewpoint of ease of production, easy processability, economy, and the like.
本発明の配線基板が搭載する電子部品として、具体的には、各種半導体素子や圧電振動子等が特に制限なく挙げられるが、発光特性に影響を与えないようにマーク形成ができる点から、本発明においては、発光ダイオード等の発光素子が搭載されることが好ましい。 Specific examples of electronic components mounted on the wiring board of the present invention include various semiconductor elements and piezoelectric vibrators without any particular limitation. However, since the mark can be formed so as not to affect the light emission characteristics, In the invention, a light emitting element such as a light emitting diode is preferably mounted.
本発明の配線基板における実施形態の一例として、絶縁体がLTCCからなる基体と枠体で構成され、電子部品として発光素子を搭載する配線基板について以下に説明する。 As an example of an embodiment of the wiring board according to the present invention, a wiring board in which an insulator is constituted by a base body and a frame body made of LTCC and a light emitting element is mounted as an electronic component will be described below.
図1は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す平面図(a)、平面図(a)におけるX−X線断面図(b)、平面図(a)における左辺(L)側から見た側面図(c)、および平面図(a)における右辺(R)側から見た側面図(d)である。 FIG. 1 is a plan view (a) showing an example of an embodiment of a wiring board of the present invention, a cross-sectional view taken along line XX in the plan view (a), and a left side (L) side in the plan view (a). It is the side view (d) seen from the right side (R) side in the side view (c) and plan view (a).
配線基板1は、主な構成として略平板状の基体2を有している。基体2は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、一方の主面が発光素子の搭載される搭載面21となっている。本例において、搭載面21は略正方形(目視レベルで正方形の意味、以下同様)であり、この略中央部(目視レベルで中央部の意味、以下同様)が実際に発光素子の搭載される搭載部22となっている。また、他方の主面は、発光素子の搭載されない非搭載面23とされている。基体2は、発光素子の搭載時、その後の使用時における損傷等を抑制する観点から、例えば抗折強度が250MPa以上となることが好ましい。基体2の厚さ、大きさ等は特に制限されず、通常の発光素子用配線基板と同様とできる。また基体2を構成するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述の通りである。
The
配線基板1は、基体2の搭載面21中央の円形状部分を底面(以下、「キャビティ底面」という)とするキャビティを構成するように搭載面21の周縁部上に枠体3を有する。枠体3を構成する材料は、絶縁材料であれば特に限定されないが、基体2を構成する材料と同じものが好ましい。
The
搭載面21には、発光素子と電気的に接続される一対で二極の素子接続端子5が搭載面21の相対する2辺、左辺Lと右辺Rの略中央(目視レベルで中央の意味、以下同様)を結ぶ線上に搭載部22を挟むかたちに設けられている。また、非搭載面23には、外部回路と電気的に接続される一対の外部電極端子6が設けられている。さらに、基体2の内部に、これら素子接続端子5と外部電極端子6とを電気的に接続する貫通導体7が一対設けられている。
On the mounting
ここで、外部接続端子6および貫通導体7については、これらが発光素子→素子接続端子5→貫通導体7→外部接続端子6→外部回路と電気的に接続される限りは、その配設される位置や形状、大きさは図1に示されるものに限定されず、適宜調整できる。また、素子接続端子5についても、搭載面上の上記位置に配設され、上記電気的な接続が確保されていれば、形状、大きさについては適宜調製できる。
Here, the
これら素子接続端子5、外部接続端子6および貫通導体7、すなわち配線導体の構成材料は、通常、発光素子用の配線基板に用いられる配線導体と同様の構成材料であれば特に制限はない。これら配線導体の構成材料として、具体的には、銅、銀、金等を主成分とする金属材料が挙げられる。このような金属材料のなかでも、銀、銀と白金、または銀とパラジウムからなる金属材料が好ましい。
The constituent material of the
なお、素子接続端子5や外部接続端子6においては、これらの金属材料からなる、好ましくは厚さ5〜50μm、より好ましくは10〜20μmの導体層上に、この層を酸化や硫化から保護しかつ導電性を有する保護層が形成された構成が好ましい。保護層としては上記導体層を保護する機能を有する導電性材料で構成されていれば、特に制限されないが、金メッキ層が好ましく、ニッケルメッキの上に金メッキを施したニッケル/金メッキ層の構成がより好ましい。保護層の膜厚としては、ニッケルメッキ層が3〜20μm、金メッキ層が0.1〜1.0μmが好ましい。
The
基体2の搭載面21には、略長方形(目視レベルで長方形の意味、以下同様)のマークが左辺L側に1か所(マーク41)、右辺R側に2か所(マーク42、43)、設けられている。左辺L側のマーク41は、その短辺の一方が左辺Lに重なりかつ上辺側から略1/4に位置するように形成されている。また、右辺R側のマーク42とマーク43は、それぞれその短辺の一方が右辺Rに重なりかつ上辺側から略1/4および略2/4にそれぞれ位置するように形成されている。
On the mounting
マークを構成する構成材料としては、配線基板の製造工程を経ても側面でその有無、好ましくは形状が認識でき、かつ露出に耐えうる材料であれば特に制限されない。なお、マーク41〜43は上記一対の素子接続端子5が形成されるのと同じ基体2の搭載面21上に形成されることから、マーク41〜43と素子接続端子5を構成する材料を同じ材料とし、かつこれらをスクリーン印刷等で同時に形成することにより、製造上の時間とコストを低減でき好ましい。ただし、この場合、マークが配線基板側面で露出する部分を有することを考慮すれば、銀のマイグレーションの発生を抑制可能な、銀とパラジウムからなる金属材料が好ましい。
The constituent material constituting the mark is not particularly limited as long as it is a material that can recognize the presence or absence, preferably the shape on the side surface even after the wiring board manufacturing process, and can withstand exposure. Since the
マーク41〜43の大きさは側面に露出する部分が目視でその有無が確認できる大きさであって配線基板の製造に際して確実に側面に露出するように形成可能な大きさであれば特に制限されない。なお、マーク41〜43の形状についても、マークが側面に一定の幅と膜厚をもって確実に露出するような形状であれば、上記略長方形に限定されない。
The size of the
マーク41〜43の好ましい大きさとしては、マークが略長方形である場合、目視において認識ができること、製造上の容易性さらに一辺に形成できるマークの個数、経済性等を考慮すれば、略長方形の短辺(幅:図1中「W」で示される)が50〜1000μmの範囲にあることが好ましく、200〜400μmの範囲にあることがより好ましい。
また、略長方形の長辺(長さ:図1中「Y」で示される)は、製造上の容易性、経済性配線導体への影響等を考慮すれば、100〜2000μmの範囲にあることが好ましく、
400〜800μmの範囲にあることがより好ましい。なお、上記マーク41〜43の幅Wは、必要に応じて、その長さYを上回ってもよい。
The preferable size of the
In addition, the long side of the substantially rectangular shape (length: indicated by “Y” in FIG. 1) is in the range of 100 to 2000 μm in consideration of the ease of manufacturing, the influence on the economical wiring conductor, and the like. Is preferred,
More preferably, it is in the range of 400 to 800 μm. In addition, the width W of the
また、マーク41〜43の膜厚(図1(b)中「T」で示される)は、5〜50μmの範囲にあることが好ましく、10〜20μmの範囲にあることがより好ましい。なお、上記のように、マーク41〜43を素子接続端子5と同じ材料により同時に形成する場合には、膜厚は上記同様、好ましくは5〜50μm、より好ましくは10〜20μmとする。さらに、一側面に複数のマークを有する場合のマーク同士の間隔が隣り合うマーク端間の距離(図1中「S」で示される)としては、50μm以上であることが好ましく、200μm以上であることがより好ましい。
The film thickness of the
なお、マークの41〜43の形状が上記略長方形以外のいずれの場合であっても、目視において認識ができること、製造上の容易性等を勘案すれば、側面に露出する大きさ、すなわち、図1中「W」で示される幅と、図1(b)中「T」で示される膜厚は、上記同様とすることが好ましい。
In addition, even if the shape of the
一般に、配線基板において、配線導体に陽極と陰極の区別が必要な電子部品、例えば発光ダイオード等を搭載する場合には、配線基板の目視可能な位置に陽極と陰極の位置が判別できるような電極印を有する。本例の配線基板1においては、図1(a)の平面図で枠体3の左上に電極印8を有する。
In general, in the case where an electronic component such as a light-emitting diode that requires distinction between an anode and a cathode is mounted on a wiring conductor, an electrode that can distinguish the position of the anode and the cathode at a visible position on the wiring board. Has a mark. The
電極印8の位置により、配線基板上に搭載される発光ダイオードの搭載する方向が確定し、上記マークを施す際の側面の左右が区別される。
The mounting direction of the light emitting diode mounted on the wiring board is determined by the position of the
図1(a)に平面図を示す配線基板の左辺L側からみた側面図を図1(c)に、右辺R側からみた側面図を図1(d)に示す。左辺L側では、上辺側から略1/4(目視レベルで1/4の意味、以下同様)の位置にマーク41が露出している。また、右辺R側では、上辺側から略1/4の位置にマーク42が、また略2/4(目視レベルで2/4の意味、以下同様)の位置にマーク43が露出している。このように左右の側面に現れるマークの位置によって配線基板を識別している。
FIG. 1 (a) shows a side view seen from the left side L side of the wiring board, and FIG. 1 (d) shows a side view seen from the right side R side. On the left side L side, the
上述のように、母基板に複数の配線基板の領域が配置された連結基板から個々の配線基板に分割された後に、連結基板における個々の配線基板の位置を識別することを目的として、個々の配線基板で異なるマークが必要とされている。この場合、上記図1に示されるような配線基板を用い、左辺L側と右辺R側のそれぞれ3か所ずつの所定位置にマーク4が付けられるようにしておけば、その位置におけるマークの有無で、左辺L側が23の8通り、右辺R側が23の8通りで、8×8の64通りのマークの付け方が考えられ、64個の配線基板の識別ができる。
As described above, for each purpose of identifying the position of each wiring board in the connection board after being divided into the individual wiring boards from the connection board in which the areas of the plurality of wiring boards are arranged on the mother board. Different marks are required on the wiring board. In this case, if the wiring board as shown in FIG. 1 is used and the
なお、この64個には、左辺L側と右辺R側のいずれかにマークを全く有さない配線基板や両側にマークを全く有さない配線基板が含まれるが、左辺L側と右辺R側にマークが確実に形成されていることを確認するために、識別する配線基板の個数が許す範囲において、両側ともに少なくとも1か所にマークが現れる、左辺L側が(23−1)の7通り右辺R側が(23−1)の7通りで、49個の配線基板が識別できるマークの付け方をとることが好ましい。 The 64 include a wiring board having no mark on either the left side L side or the right side R side or a wiring board having no mark on both sides, but the left side L side and the right side R side. In order to confirm that the mark is securely formed, the mark appears at least at one place on both sides within the range allowed by the number of wiring boards to be identified, and the left side L side has seven ways (2 3 -1). It is preferable that the right side R side has seven ways of (2 3 -1) and marks are attached so that 49 wiring boards can be identified.
個々の配線基板のサイズによるが、例えば、上記例において左辺側、右辺側のマークを形成する位置の数を、識別可能な範囲で増やすことができれば、片側のマークの形成可能な位置の数をn個とした場合、最大で2n×2n個の、また片側にマークが1か所もない場合を除いたとしても、(2n−1)×(2n−1)個の配線基板の識別ができる。 Depending on the size of the individual wiring board, for example, if the number of positions on the left side and the right side in the above example can be increased within an identifiable range, the number of positions where the mark on one side can be formed is increased. Even if the number of n is 2 n × 2 n at the maximum and there is no mark on one side, (2 n −1) × (2 n −1) wiring boards Can be identified.
本発明の配線基板においては、例えば、配線導体パターンが陽極側の配線導体と陰極側の配線導体で絶縁体上の左右に分かれて左辺および右辺の少なくともどちらか近傍にまで達しているような場合には、マークを陽極側の配線導体に接続しかつ左辺側の側面に複数個形成し、また陰極側の配線導体に接続しかつ右辺側の側面に複数個形成することもできる。複数のマークをマーク間の距離を置かずに配設する場合であっても、それらを同極に繋がるように配設する限りにおいては、配線導体の短絡は容易に回避できる。 In the wiring board of the present invention, for example, when the wiring conductor pattern is divided into right and left on the insulator by the wiring conductor on the anode side and the wiring conductor on the cathode side and reaches at least one of the left side and the right side. Alternatively, a plurality of marks may be connected to the anode-side wiring conductor and formed on the left side surface, or a plurality of marks may be connected to the cathode side wiring conductor and formed on the right side surface. Even when a plurality of marks are arranged without leaving a distance between the marks, short-circuiting of the wiring conductor can be easily avoided as long as they are arranged so as to be connected to the same polarity.
また、マークと同じ面上で形成しようとする配線導体のパターンによるが、配線導体の短絡なしに上記左右2辺以外の辺を用いて、すなわち、マークを3辺、4辺において側面に露出するように形成できれば、識別可能な配線基板の個数はより増加する。 Further, although it depends on the pattern of the wiring conductor to be formed on the same surface as the mark, the side other than the two left and right sides is used without short-circuiting the wiring conductor, that is, the mark is exposed to the side surface at three sides and four sides. If it can form in this way, the number of the wiring boards which can be identified will increase more.
さらに、配線導体が形成される面と同じ面上にマークを形成すると、配線導体のパターンによって短絡や絶縁体間の層剥離のリスクがある場合には、マークを配線導体のない層に形成させてもよい。この場合は、マークの付与位置として4辺を自由に使用でき、必要に応じて識別可能な配線基板の個数をより増やすことができる。この場合、1つの配線基板に付与可能なマーク数が多くなり、識別すべき配線基板の個数が少ない場合は、マークの合計数のみで識別できる。また、電極印8などの印によって各辺を識別可能にしておけば、マークの付与された辺と、該辺におけるマーク数等の組合せで複数個の配線基板が識別できる。
Furthermore, if a mark is formed on the same surface as the wiring conductor, if there is a risk of short-circuiting or delamination between insulators due to the wiring conductor pattern, the mark is formed on a layer without the wiring conductor. May be. In this case, the four sides can be used freely as mark application positions, and the number of identifiable wiring boards can be increased as necessary. In this case, if the number of marks that can be applied to one wiring board increases and the number of wiring boards to be identified is small, the number of marks can be identified only by the total number of marks. Further, if each side can be identified by a mark such as the
また、図1に示される配線基板において、例えば、枠体3を有しない構成とすれば、上記マーク41〜43は、側面のみならず、上からの平面目視で十分に確認できる。本例に示すように搭載する電子部品が発光素子の場合、発光素子搭載面にこのようなマークが表示されることは、光学特性上好ましくないが、搭載する電子部品および用途によっては、上記枠体3のない構成として側面に加えて上からの平面における目視により、マークを識別する方法をとってもよい。この場合、必要に応じて、マークの形状を、側面形状は同一とし、平面形状は異なるものとすれば、側面における位置や個数と、平面形状との組合せによる複数の配線基板の識別ができる。
In the wiring board shown in FIG. 1, for example, if the
ここで、上記基体2および枠体3を構成するガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体としては、例えば、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により所定の形状のシート状に成形し、乾燥させ、必要に応じて脱脂を行い、800℃以上930℃以下で焼成して得られる焼結体が用いられる。
Here, as a sintered body of the glass ceramic composition containing the glass powder and the ceramic filler constituting the
上記ガラス粉末は、必ずしも限定されないものの、ガラス転移点(Tg)が550℃以上700℃以下のものが好ましい。ガラス転移点(Tg)が550℃未満の場合、脱脂が困難となるおそれがあり、700℃を超える場合、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。 The glass powder is not necessarily limited, but a glass transition point (Tg) of 550 ° C. or higher and 700 ° C. or lower is preferable. When the glass transition point (Tg) is less than 550 ° C., degreasing may be difficult. When the glass transition point (Tg) exceeds 700 ° C., the shrinkage start temperature becomes high and the dimensional accuracy may be lowered.
また、800℃以上930℃以下で焼成したときに結晶が析出することが好ましい。結晶が析出しない場合、十分な機械的強度を得ることができないおそれがある。さらに、DTA(示差熱分析)により測定される結晶化ピーク温度(Tc)が880℃以下のものが好ましい。結晶化ピーク温度(Tc)が880℃を超える場合、寸法精度が低下するおそれがある。 Moreover, it is preferable that a crystal | crystallization precipitates when it bakes at 800 degreeC or more and 930 degrees C or less. If crystals do not precipitate, sufficient mechanical strength may not be obtained. Furthermore, the thing whose crystallization peak temperature (Tc) measured by DTA (differential thermal analysis) is 880 degrees C or less is preferable. When the crystallization peak temperature (Tc) exceeds 880 ° C., the dimensional accuracy may be lowered.
このようなガラス粉末としては、例えばSiO2を57mol%以上65mol%以下、B2O3を13mol%以上18mol%以下、CaOを9mol%以上23mol%以下、Al2O3を3mol%以上8mol%以下、K2OおよびNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5mol%以上6mol%以下含有するものが好ましい。このようなものを用いることで、本体基板表面の平坦度を向上させることが容易となる。 As such glass powder, for example, SiO 2 is 57 mol% or more and 65 mol% or less, B 2 O 3 is 13 mol% or more and 18 mol% or less, CaO is 9 mol% or more and 23 mol% or less, and Al 2 O 3 is 3 mol% or more and 8 mol% or less. hereinafter, those containing less 0.5 mol% or more 6 mol% of at least one in total selected from K 2 O and Na 2 O are preferred. By using such a thing, it becomes easy to improve the flatness of the main body substrate surface.
ここで、SiO2は、ガラスのネットワークフォーマとなる。SiO2の含有量が57mol%未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、SiO2の含有量が65mol%を超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれある。SiO2の含有量は、好ましくは58mol%以上、より好ましくは59mol%以上、特に好ましくは60mol%以上である。また、SiO2の含有量は、好ましくは64mol%以下、より好ましくは63mol%以下である。 Here, SiO 2 becomes a glass network former. When the content of SiO 2 is less than 57 mol%, it is difficult to obtain a stable glass and the chemical durability may be lowered. On the other hand, when the content of SiO 2 exceeds 65 mol%, the glass melting temperature and the glass transition point (Tg) may be excessively high. The content of SiO 2 is preferably 58 mol% or more, more preferably 59 mol% or more, and particularly preferably 60 mol% or more. The content of SiO 2 is preferably 64 mol% or less, more preferably 63 mol% or less.
B2O3は、ガラスのネットワークフォーマとなる。B2O3の含有量が13mol%未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。一方、B2O3の含有量が18mol%を超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。B2O3の含有量は、好ましくは14mol%以上、より好ましくは15mol%以上である。また、B2O3の含有量は、好ましくは17mol%以下、より好ましくは16mol%以下である。 B 2 O 3 is a glass network former. If the content of B 2 O 3 is less than 13 mol%, there is a possibility that the glass melting temperature or the glass transition point (Tg) becomes too high. On the other hand, when the content of B 2 O 3 exceeds 18 mol%, it is difficult to obtain a stable glass and the chemical durability may be lowered. The content of B 2 O 3 is preferably 14 mol% or more, more preferably 15 mol% or more. Further, the content of B 2 O 3 is preferably 17 mol% or less, more preferably 16 mol% or less.
Al2O3は、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Al2O3の含有量が3mol%未満の場合、ガラスが不安定となるおそれがある。一方、Al2O3の含有量が8mol%を超える場合、ガラス溶融温度やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。Al2O3の含有量は、好ましくは4mol%以上、より好ましくは5mol%以上である。また、Al2O3の含有量は、好ましくは7mol%以下、より好ましくは6mol%以下である。 Al 2 O 3 is added to increase the stability, chemical durability, and strength of the glass. When the content of Al 2 O 3 is less than 3 mol%, the glass may become unstable. On the other hand, when the content of Al 2 O 3 exceeds 8 mol%, the glass melting temperature and the glass transition point (Tg) may be excessively high. The content of Al 2 O 3 is preferably 4 mol% or more, more preferably 5 mol% or more. The content of Al 2 O 3 is preferably 7 mol% or less, more preferably 6 mol% or less.
CaOは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めると共に、ガラス溶融温度やガラス転移点(Tg)を低下させるために添加される。CaOの含有量が9mol%未満の場合、ガラス溶融温度が過度に高くなるおそれがある。一方、CaOの含有量が23mol%を超える場合、ガラスが不安定となるおそれがある。CaOの含有量は、好ましくは12mol%以上、より好ましくは13mol%以上、特に好ましくは14mol%以上である。また、CaOの含有量は、好ましくは22mol%以下、より好ましくは21mol%以下、特に好ましくは20mol%以下である。 CaO is added to increase glass stability and crystal precipitation, and to lower the glass melting temperature and the glass transition point (Tg). When the content of CaO is less than 9 mol%, the glass melting temperature may be excessively high. On the other hand, when the content of CaO exceeds 23 mol%, the glass may become unstable. The content of CaO is preferably 12 mol% or more, more preferably 13 mol% or more, and particularly preferably 14 mol% or more. The CaO content is preferably 22 mol% or less, more preferably 21 mol% or less, and particularly preferably 20 mol% or less.
K2O、Na2Oは、ガラス転移点(Tg)を低下させるために添加される。K2OおよびNa2Oの合計した含有量が0.5mol%未満の場合、ガラス溶融温度やガラス転移点(Tg)が過度に高くなるおそれがある。一方、K2OおよびNa2Oの合計した含有量が6mol%を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。K2OおよびNa2Oの合計した含有量は、0.8mol%以上5mol%以下が好ましい。 K 2 O and Na 2 O are added to lower the glass transition point (Tg). When the total content of K 2 O and Na 2 O is less than 0.5 mol%, the glass melting temperature and the glass transition point (Tg) may be excessively high. On the other hand, when the total content of K 2 O and Na 2 O exceeds 6 mol%, chemical durability, particularly acid resistance may be lowered, and electrical insulation may be lowered. The total content of K 2 O and Na 2 O is preferably 0.8 mol% or more and 5 mol% or less.
なお、ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、ガラス転移点(Tg)等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10mol%以下が好ましい。 In addition, glass powder is not necessarily limited to what consists only of the said component, Other components can be contained in the range with which various characteristics, such as a glass transition point (Tg), are satisfy | filled. When other components are contained, the total content is preferably 10 mol% or less.
ガラス粉末は、上記したようなガラス組成から溶融法によってガラスを製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得る。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行う。 The glass powder is obtained by producing glass from the glass composition as described above by a melting method and pulverizing by a dry pulverization method or a wet pulverization method. In the case of the wet pulverization method, it is preferable to use water as a solvent. The pulverization is performed using a pulverizer such as a roll mill, a ball mill, or a jet mill.
ガラス粉末の50%粒径(D50)は0.5μm以上2μm以下が好ましい。ガラス粉末の50%粒径が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となると共に、均一に分散させることが困難となる。一方、ガラス粉末の50%粒径が2μmを超える場合、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行う。なお、本明細書において、粒径はレーザ回折散乱法による粒子径測定装置により得られる値をいう。 The 50% particle size (D 50 ) of the glass powder is preferably from 0.5 μm to 2 μm. When the 50% particle size of the glass powder is less than 0.5 μm, the glass powder is likely to aggregate, making it difficult to handle and uniformly dispersing. On the other hand, when the 50% particle size of the glass powder exceeds 2 μm, the glass softening temperature may increase or the sintering may be insufficient. The particle size is adjusted by, for example, classification as necessary after pulverization. In addition, in this specification, a particle size means the value obtained with the particle diameter measuring apparatus by a laser diffraction scattering method.
一方、セラミックスフィラーとしては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものを特に制限なく用いることができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いる。セラミックスフィラーの50%粒径(D50)は、例えば0.5μm以上4μm以下が好ましい。 On the other hand, as the ceramic filler, those conventionally used for the production of LTCC substrates can be used without particular limitation. For example, alumina powder, zirconia powder, or a mixture of alumina powder and zirconia powder is suitably used. The 50% particle size (D 50 ) of the ceramic filler is preferably 0.5 μm or more and 4 μm or less, for example.
このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が30質量%以上50質量%以下、セラミックスフィラーが50質量%以上70質量%以下となるように配合、混合することによりガラスセラミックス組成物を得る。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得る。 A glass ceramic composition is prepared by blending and mixing such glass powder and ceramic filler such that the glass powder is 30 mass% to 50 mass% and the ceramic filler is 50 mass% to 70 mass%, for example. obtain. Moreover, a slurry is obtained by adding a binder and, if necessary, a plasticizer, a dispersant, a solvent, and the like to the glass ceramic composition.
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノール等の有機溶剤を好適に用いる。 As the binder, for example, polyvinyl butyral or acrylic resin is preferably used. As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate, or the like is used. Moreover, organic solvents, such as toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol, are used suitably as a solvent.
図1には示されていないが、本例の配線基板1を発光素子搭載用として用いるにあたっては、熱抵抗を低減するために基体2の内部にサーマルビアを埋設したり、搭載面21に平行する放熱層を設けたりしてもよい。サーマルビアは、例えば搭載部22より小さい柱状のものであり、搭載部22の直下に複数設けられる。サーマルビアを設ける場合には、搭載面21に達しないように、非搭載面23から搭載面21の近傍にかけて設けることが好ましい。このような配置とすることで、搭載面21、特に搭載部22の平坦度を向上させることができ、熱抵抗を低減し、また発光素子を搭載したときの傾きも抑制できる。
Although not shown in FIG. 1, when the
また、やはり図1には示されていないが、搭載される発光素子からの光の光取り出し効率を上げるために、搭載面21のうちのキャビティ底面のできるだけ広い範囲に、例えば銀を主成分とする反射膜を、上記一対の素子接続端子5に電気的に接続しないように形成させ、その上に反射膜の端縁を含む全体を覆うオーバーコートガラス層を形成させてもよい。
Although not shown in FIG. 1, in order to increase the light extraction efficiency of light from the mounted light emitting element, silver, for example, is used as a main component in the widest possible area of the cavity bottom surface of the mounting
この場合、表面粗さRaが0.4μm以下のオーバーコートガラス層を設けることが好ましい。一般的なLTCC基板の表面粗さRaが1.0μm程度であることから、このようなオーバーコートガラス層を搭載部22に設けることで、より平坦度を向上できる。なお、表面粗さRaは算術平均粗さRaのことであり、算術平均粗さRaの値は、JIS:B0601(1994年)の3「定義された算術平均粗さの定義及び表示」によって表される。
In this case, it is preferable to provide an overcoat glass layer having a surface roughness Ra of 0.4 μm or less. Since the surface roughness Ra of a general LTCC substrate is about 1.0 μm, the flatness can be further improved by providing such an overcoat glass layer on the mounting
以上、本発明の配線基板の実施形態について、発光素子搭載用基板の一例とし、上記基体2および枠体3を構成するセラミックス焼結体として、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体(LTCC)を用いた場合について説明した。
As mentioned above, about embodiment of the wiring board of this invention, it is an example of the board | substrate for light emitting element mounting, As a ceramic sintered compact which comprises the said base |
ここで、上記基体2および枠体3を構成するセラミックス焼結体としては、上記の通り、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体等を用いてもよい。これらのアルミニウムを主要成分として含んでいるセラミックス焼結体を用いる場合も、LTCCと同様に、用いるセラミックス焼結体の原料組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により所定の形状のシート状に成形し、乾燥させ、必要に応じて脱脂を行い、用いるセラミックス焼結体に好適な焼成温度、例えば、酸化アルミニウム質焼結体においては、1400〜1700℃、窒化アルミニウム質焼結体においては1700〜1950℃、で焼成して得られる焼結体が用いられる。
Here, as the ceramic sintered body constituting the
なお、上記アルミニウムを主要成分として含んでいるセラミックス焼結体の原料として、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、ハロゲン化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、硫化アルミニウム、窒化アルミニウム等の化合物、曹長石(NaAlSi3O8)、明礬(KAl3(OH)6(SO4)2)、ベーマイト(AlO(OH))、コランダム(Al2O3)、カオリナイト(Al2Si2O5(OH)4)、ムライト(Al6Si2O13)、セリサイト(KAl2(AlSi3O10)(OH)2)等の該化合物を含有する鉱物若しくは該化合物を原料とした合成物等が挙げられる。 In addition, as a raw material of the ceramic sintered body containing the above aluminum as a main component, for example, a compound such as aluminum oxide, aluminum hydroxide, aluminum halide, aluminum sulfate, aluminum nitrate, aluminum sulfide, aluminum nitride, feldspar ( NaAlSi 3 O 8 ), alum (KAl 3 (OH) 6 (SO 4 ) 2 ), boehmite (AlO (OH)), corundum (Al 2 O 3 ), kaolinite (Al 2 Si 2 O 5 (OH) 4 ), Mullite (Al 6 Si 2 O 13 ), sericite (KAl 2 (AlSi 3 O 10 ) (OH) 2 ), and other minerals containing the compound, or a synthetic material using the compound as a raw material.
スラリーを調製するための、バインダーや任意成分である可塑剤、分散剤、溶剤等については、上記LTCCと同様とできる。その他、セラミックス焼結体の製造工程においても、上記焼成条件を除いて上記LTCCと同様とできる。 The binder, optional component plasticizer, dispersant, solvent and the like for preparing the slurry can be the same as those of the LTCC. In addition, also in the manufacturing process of a ceramic sintered compact, it can carry out similarly to the said LTCC except the said baking conditions.
以上、本発明の配線基板の実施形態について、発光素子搭載用基板の一例を挙げて説明したが、本発明の配線基板はこれに限定されない。本発明の趣旨に反しない限り、また必要に応じて、その構成を適宜変更できる。 As mentioned above, although the embodiment of the wiring board of the present invention has been described by taking an example of the light emitting element mounting board, the wiring board of the present invention is not limited to this. As long as it is not contrary to the gist of the present invention, the configuration can be changed as needed.
上記で得られた配線基板1は、例えば図2に示すように、配線基板1の搭載部22に発光ダイオード素子等の発光素子11を電極印8が示す所定の向きに搭載して、発光装置として用いられる。発光素子11は、搭載部22にシリコーンダイボンド剤等のダイボンド剤(図示せず)により固定され、その図示しない一対の電極(陽極、陰極)のそれぞれがボンディングワイヤ12を介して一対の素子接続端子5のそれぞれに電気的に接続されている。また、発光装置10は、発光素子11やボンディングワイヤ12を覆い、キャビティを充填するように封止層13が設けられる。
For example, as shown in FIG. 2, the
このような本発明の配線基板1においては、電子部品として発光素子を搭載し、各種部材を組合せて発光装置10とした後であっても、側面に露出したマーク41〜43を目視で容易に確認でき、例えば、この配線基板が連結基板から分割された場合、連結基板での形成箇所を容易に判別できる。
In such a
<連結基板>
本発明の配線基板は、例えば、以下に説明する本発明の連結基板を通常の方法により分割することで得られる。
<Connecting board>
The wiring board of the present invention can be obtained, for example, by dividing the connection board of the present invention described below by a normal method.
本発明の連結基板は、配線基板の領域が母基板上に縦横に複数配列されている連結基板であって、前記配線基板の領域は、上記本発明の配線基板(ただし、該配線基板の1つは前記マークを有しない配線基板であってもよい)となる配線基板の領域で構成されることを特徴とする。本発明の連結基板においては、上記本発明の配線基板が有するマークの特徴を利用して、各配線基板の領域が有するマークの形状、位置、数等の組合せを異なるものとすることで連結基板における各配線基板の領域の位置が識別可能となっている。本発明の連結基板においては、必要に応じて、マークを有さないことで識別可能な配線基板の領域を1つだけ有してもよい。 The connection board of the present invention is a connection board in which a plurality of wiring board regions are arranged vertically and horizontally on a mother board, and the wiring board region includes the wiring board of the present invention (however, one of the wiring boards). The wiring board may be a wiring board that does not have the mark). In the connection board of the present invention, by utilizing the feature of the mark of the wiring board of the present invention, the connection board can be obtained by changing the combination of the shape, position, number, etc. of the marks of each wiring board region. The position of the area of each wiring board can be identified. The connection board of the present invention may have only one area of the wiring board that can be identified by having no mark, if necessary.
本発明の連結基板においては、前記複数の配線基板の領域は、略同一形状の前記マークが形成可能な複数の所定位置を有し、前記複数の配線基板の領域ごとに前記所定位置におけるマークの有無の組合せが異なっていることで、連結基板における各配線基板の領域の位置が認識できることが好ましい。 In the connection board of the present invention, the plurality of wiring board regions have a plurality of predetermined positions at which the marks having substantially the same shape can be formed, and the mark at the predetermined position is provided for each of the plurality of wiring board regions. It is preferable that the position of each wiring board region in the connection board can be recognized by the combination of presence / absence being different.
本発明の連結基板における実施形態の一例として、上記図1に示す絶縁体としてLTCC基板を用い、電子部品として発光素子を搭載する配線基板1を製造するための連結基板について以下に説明する。
As an example of the embodiment of the connection board of the present invention, a connection board for manufacturing a
図3は本発明の連結基板の実施形態の一例を示す平面図である。また、図4は、図3に示す連結基板から製造された個々の配線基板を示す平面図である。 FIG. 3 is a plan view showing an example of the embodiment of the connection board of the present invention. FIG. 4 is a plan view showing individual wiring boards manufactured from the connection board shown in FIG.
図3に示すように、連結基板50においては、母基板51の中央部に縦に3列(a列、b列、c列)、横に3行(A行、B行、C行)、合計9個の配線基板1となるような配線基板の領域52が互いに隣接して配列されている。9個の配線基板の領域52の外側を囲むようにして母基板余剰部53が存在している。9個の隣接し合う配線基板の領域52の境界線および母基板余剰部53と配線基板の領域52の境界線には、分割溝54が連結基板50の上(表)側からと下(裏)側からの2方向から設けられており、最終的に分割溝54に応力を負荷する等して分割され、9個の配線基板となる。また、この分割における欠け等の不具合発生を防止するために、各配線基板の領域52の4隅を切り欠くように、連結基板50の上(表)側から下(裏)側まで貫通する分割孔55が合計16個形成されている。
As shown in FIG. 3, in the
図4は、このようにして、図3に示す連結基板50から製造された9個の配線基板を個々に示す平面図である。なお、図4において、9個の各配線基板については、図3に示す連結基板の各配線基板の領域が位置していた行と列を組合せて、Aa〜Ccの略号を付して区別している。以下、図3に示す配線基板の領域についても同様に、例えば、A行a列に位置する配線基板の領域を、配線基板の領域Aaのように示す。
FIG. 4 is a plan view individually showing nine wiring boards manufactured from the
なお、上記図1に示す配線基板1は、図3に示す連結基板のA行b列に位置していた配線基板の領域から得られた図4においてAbで示される配線基板である。
The
連結基板50が有する9個の配線基板の領域Aa〜Ccのうち、配線基板の領域Abから得られる配線基板1の構成は上に説明した通りであるが、残りの8個の配線基板の領域についても、以下に説明する配線基板の領域の複数の所定位置におけるマークの有無の組合せが配線基板の領域Abと異なる以外は同様の構成である。
Of the nine wiring board areas Aa to Cc of the connecting
連結基板50においては、マーク4を形成するための複数の所定位置として、上記配線基板1において説明した左辺L側に3か所、右辺R側に3か所の組合せを用いている。
In the
図3において9個の配線基板の領域は、縦横3個ずつが互いに隣接し合って配列されているため、a列を構成する配線基板の領域の右辺と、b列を構成する配線基板の領域の左辺は共有されて境界線54とされ分割溝が形成されている。同様にb列を構成する配線基板の領域の右辺と、c列を構成する配線基板の領域の左辺は共有されて境界線54とされ分割溝が形成されている。
In FIG. 3, the nine wiring board regions are arranged adjacent to each other in three vertical and horizontal directions, so the right side of the wiring board region constituting the a row and the wiring board region constituting the b row. The left side is shared by the
ここで、上記a列を構成する配線基板の領域52とb列を構成する配線基板の領域52との間の境界線54、およびに上記b列を構成する配線基板の領域52とc列を構成する配線基板の領域52との間の境界線54おいては、左右の配線基板の領域52でこれを共用するようにマーク4はこれを跨いで形成されている。また、a列を構成する配線基板の領域52の左辺、c列を構成する配線基板の領域52の右辺は母基板余剰部53との間に境界線54を有しており、マーク4は、これら配線基板の領域52と母基板余剰部53との境界線(分割溝)54を跨いで形成されている。
Here, the
このように、マーク4を各配線基板の領域52における上記境界線54を跨いで形成させることにより、連結基板50を分割する際に、分割位置に多少のズレが生じた場合でも、各配線基板においてマークを側面から確実に露出させて、目視による識別ができる。
In this way, by forming the
なお、配線基板の領域の左辺L側と右辺R側に各3か所マーク4を形成させる所定位置を、左辺および右辺の平面図における上から1/4の位置、2/4の位置、3/4の位置としてそれぞれ、1、2、3で示し、左辺側をL、右辺側をRで示すと、連結基板50における、各配線基板の領域Aa〜Ccが有するマークの位置は表1に示す通りとなる。
It should be noted that the predetermined positions where the three
ここで、a列を構成する配線基板の領域52の左辺に到達するように左辺付近に形成されるマーク4は、該配線基板の領域52と母基板余剰部53との境界線54を跨いで母基板余剰部53にも形成されるが、母基板余剰部53上に形成されるマークの大きさは、幅(W)と膜厚(T)は上記配線基板の領域52に形成されるマークと同様であり、境界線54から母基板余剰部53上のマークの端部までの距離については200〜1000μmとすることが好ましく、300〜400μmがより好ましい。また、c列を構成する配線基板の領域52の右辺に到達するように右辺付近に形成されるマークについても上記同様のサイズで、該配線基板の領域52と母基板余剰部53との境界線54を跨いで母基板余剰部53上にも形成される。
Here, the
上記配線基板の領域52から境界線54を跨いで母基板余剰部53上に形成されるマークにおける母基板余剰部53上での形状は、上記幅、膜厚、距離等が確保されれば特に制限されない。なお、各配線基板の領域52上におけるマークの形状、大きさ等は、境界線54を跨いで形成されるものであっても、上記配線基板1で説明した通りである。
The shape of the mark formed on the mother
このように、配線基板の領域が隣接して配置されている連結基板は、配線基板の領域が共有する辺を跨いでマークを形成することにより、連結基板50においては、a列を構成する配線基板の領域52の右辺R側と、b列を構成する配線基板の領域52の左辺L側の所定位置におけるマークの有無は同じ組合せとなり、かつ、b列を構成する配線基板の領域52の右辺R側と、c列を構成する配線基板の領域52の左辺L側の所定位置におけるマークの有無は同じ組合せとなる。
In this way, the connection board in which the areas of the wiring board are arranged adjacent to each other forms a mark across the side shared by the area of the wiring board, so that in the
したがって、上記個々に識別できる組合せとして説明した、23×23の64通りの組み合わせに制限が加わることになる。連結基板50においては、9個の配線基板の領域の識別であるので、特に問題はないが、連結基板が有する配線基板の個数によっては、これを考慮して、マークを形成させる所定位置の数を調整する。
Therefore, a limitation is imposed on the 64 combinations of 2 3 × 2 3 described as combinations that can be individually identified. In the
本発明の連結基板は、例えば、以下の(A1)工程〜(D1)工程を含む製造方法により製造できる。以下に、図3に示す連結基板50を例にして、図5、図6を参照しながら製造方法を説明するが、製造に用いる部材については、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。図5は、図3に示す連結基板を構成する配線導体とマークが形成された本体用基板を示す平面図である。図6は図3に示す連結基板を構成する枠体が形成された枠体用基板を示す平面図である。
The connection board of the present invention can be manufactured, for example, by a manufacturing method including the following steps (A1) to (D1). In the following, the manufacturing method will be described with reference to FIGS. 5 and 6 by taking the connecting
図3に示す連結基板50は、基本的には、図5に示す本体用基板502上に図6に示す枠体用基板503が積層された構成を有する。
3 basically has a structure in which a
本体用基板502は、中央部に縦3列、横3行に配列された9個の配線基板の領域522、およびこれらの配線基板の領域522の外側を囲むようにして本体用基板余剰部532を有する。各配線基板の領域522には、上記配線導体(各一対ずつの素子接続端子5(搭載面)、外部接続端子6(非搭載面)、および貫通導体7(内部))が形成されている。また、各配線基板の領域522の搭載面21における所定の位置に配線基板の領域522同士の境界線542または、配線基板の領域522と本体用基板余剰部532の境界線542を跨いでマーク4が形成されている。さらに、各配線基板の領域522の4隅を切り欠くように、本体用基板502の搭載面側から非搭載面側まで貫通する分割孔552が合計16個形成されている。
The main board 502 has nine
また、枠体用基板503は、上記同様に配列され境界線543で区切られた9個の配線基板の領域523を有し、9個の配線基板の領域523の外側を囲むようにして枠体用基板余剰部533が存在している。各配線基板の領域523には、中央の円形状部分をキャビティ底面とするキャビティと枠体が形成されるように成形され、各配線基板の領域523の枠体上に電極印8を有する。さらに、各配線基板の領域523の4隅を切り欠くように、枠体用基板503の上(表)側から下(裏)側まで貫通する分割孔553が合計16個形成されている。
The
(A1)グリーンシート製造工程
まず、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物を用いて上記本体用基板502を構成する略平板状(目視レベルで平板状の意味、以下同様)の本体用基板グリーンシート502、および枠体用基板503を構成する枠体用基板グリーンシート503を製造する。ガラスセラミックス組成物の詳細については上述の通りである。
(A1) Green sheet manufacturing process First, for a main body of a substantially flat plate shape (meaning flat plate on the visual level, the same applies hereinafter) that constitutes the main body substrate 502 using a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler. The substrate green sheet 502 and the frame substrate
これら各グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等により、焼成後の形状および膜厚が所定の形状、膜厚のシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。 Each of these green sheets is prepared by adding a binder to a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler, and if necessary, adding a plasticizer, a dispersant, a solvent, etc., to prepare a slurry. It can be manufactured by forming into a sheet shape having a predetermined shape and film thickness after baking and drying.
上記所定の形状、膜厚に成形した枠体用基板グリーンシート503について、9個の配線基板の領域523の中央部を円形にくり抜き、各配線基板の領域523の枠体となる部分の左上にスクリーン印刷法等により電極印8を形成する。なお、図示されていないが、積層のための位置合わせの印を枠体用基板グリーンシート503に形成する。
With respect to the frame substrate
(B1)配線導体ペースト層およびマークペースト層形成工程
上記(A1)工程で得られた本体用基板グリーンシート502には、9個の配線基板の領域522のそれぞれについて、所定の位置に所定の配線導体ペースト層およびマークペースト層を形成する。
(B1) Wiring conductor paste layer and mark paste layer forming step In the main body substrate green sheet 502 obtained in the step (A1), predetermined wiring is provided at predetermined positions in each of the nine
まず、本体用基板グリーンシート502の配線基板の領域522のそれぞれについて、所定の2箇所に所定の大きさで搭載面21から非搭載面23に貫通する貫通導体用ペースト層7、および非搭載面23の所定の2箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層7と電気的に接続する外部接続端子用導体ペースト層6を形成する。また、本体用基板グリーンシート502の配線基板の領域522のそれぞれについて、搭載面21の所定の2箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層7と電気的に接続する素子接続端子ペースト層5および上記表1に示すマーク形成位置に所定の大きさでマークペースト層4を同時に形成する。なお、マークペースト層4は、いずれも配線基板の領域522同士の境界線542または、配線基板の領域522と本体用基板余剰部532の境界線542を跨ぐ形に形成される。これにより導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート502が得られる。なお、図示されていないが、積層のための位置合わせの印を本体用基板グリーンシート502に形成する。
First, for each of the
マークペースト層4、素子接続端子ペースト層5、外部接続端子用導体ペースト層6、および貫通導体用ペースト層7の形成方法としては、スクリーン印刷法により導体ペーストを塗布、充填する方法が挙げられる。形成される、マークペースト層4、素子接続端子ペースト層5および外部接続端子用導体ペースト層6の膜厚は、最終的に得られる素子接続端子、マークおよび外部接続端子の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
Examples of a method of forming the
配線導体ペーストおよびマークペーストとしては、同様の材料が使用可能であり、例えば銅、銀、金等を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いる。なお、上記金属粉末としては、銀からなる金属粉末、銀と白金またはパラジウムからなる金属粉末が好ましく、マークの側面露出部における銀のマイグレーションの抑制の観点から銀とパラジウムからなる金属粉末がより好ましい。 The same material can be used as the wiring conductor paste and the mark paste. For example, a paste obtained by adding a vehicle such as ethyl cellulose to a metal powder mainly composed of copper, silver, gold or the like, and a solvent as necessary. Use the shape. As the metal powder, a metal powder made of silver, a metal powder made of silver and platinum or palladium is preferable, and a metal powder made of silver and palladium is more preferable from the viewpoint of suppressing silver migration at the side exposed portion of the mark. .
(C1)積層ならびに分割溝および分割孔形成工程
上記(B1)工程で得られた、導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート502の搭載面21上に、上記(A1)工程で得られた枠体用基板グリーンシート503を電極印8のついた面を上にして、位置合わせ用の印により位置合わせをしつつ積層し、加熱および加圧して一体化して、グリーンシート成形体を形成する。次いで、グリーンシート成形体の表裏両面に、セラミックグリーンシート積層体切断機等を用いて、縦3列、横3行に配列された配線基板の領域の境界線上に縦4本、横4本の分割溝54を形成する。さらに、分割溝54の16か所の交点において交点を中心とする円形の貫通孔を分割孔55として孔開け機等を用いて形成し、未焼結連結基板50を得る。
なお、必要に応じて、本体用基板グリーンシート502と枠体用基板グリーンシート503を積層する前に、各グリーンシートについてそれぞれ分割孔55を形成してもよい。
(C1) Lamination and Divided Groove and Divided Hole Forming Step On the mounting
If necessary, before the main body substrate green sheet 502 and the frame substrate
(D1)焼成工程
上記(C1)工程後、得られた未焼結連結基板50について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるため焼成(焼成温度:800〜930℃)する。
(D1) Firing Step After the step (C1), the obtained
脱脂は、例えば500℃以上600℃以下の温度で1時間以上10時間以下保持する条件が好ましい。脱脂温度が500℃未満もしくは脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去できないおそれがある。一方、脱脂温度は600℃程度、脱脂時間は10時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去でき、これを超えると生産性が低下する。 Degreasing is preferably performed, for example, under the condition of holding at a temperature of 500 ° C. to 600 ° C. for 1 hour to 10 hours. When the degreasing temperature is less than 500 ° C. or the degreasing time is less than 1 hour, the binder or the like may not be sufficiently removed. On the other hand, if the degreasing temperature is about 600 ° C. and the degreasing time is about 10 hours, the binder and the like can be sufficiently removed.
また、焼成は、絶縁体本体の緻密な構造の獲得と生産性を考慮して、800℃〜930℃の温度範囲で適宜時間を調整する。具体的には、850℃以上900℃以下の温度で20分以上60分以下保持することが好ましく、特に860℃以上880℃以下の温度で20分以上60分以下保持することが好ましい。焼成温度が800℃未満では、絶縁体本体が緻密な構造のものとして得られないおそれがある。一方、焼成温度は930℃を超えると絶縁体本体が変形するなど生産性等が低下するおそれがある。また、上記配線導体ペーストやマークペーストとして、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合、焼成温度が880℃を超えると、過度に軟化するために所定の形状を維持できなくなるおそれがある。 In addition, in the firing, the time is appropriately adjusted in a temperature range of 800 ° C. to 930 ° C. in consideration of obtaining a dense structure of the insulator body and productivity. Specifically, it is preferably held at a temperature of 850 ° C. or higher and 900 ° C. or lower for 20 minutes or longer and 60 minutes or shorter, particularly preferably at a temperature of 860 ° C. or higher and 880 ° C. or lower for 20 minutes or longer and 60 minutes or shorter. If the firing temperature is less than 800 ° C., the insulator body may not be obtained as a dense structure. On the other hand, when the firing temperature exceeds 930 ° C., productivity and the like may be lowered due to deformation of the insulator body. In addition, when a metal paste containing a metal powder containing silver as a main component is used as the wiring conductor paste or mark paste, when the firing temperature exceeds 880 ° C., the predetermined shape can be maintained due to excessive softening. There is a risk of disappearing.
このようにして、未焼結連結基板50が焼成され連結基板50が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子5および外部接続端子6の全体を被覆するように、金メッキ等の通常、配線基板において導体保護用に用いられる導電性保護膜を配設することもできる。
In this way, the
以上、本発明の連結基板の製造方法について説明したが、本体用基板グリーンシート502、および枠体用基板グリーンシート503は必ずしも単一のグリーンシートからなる必要はなく、複数枚のグリーンシートを積層したものであってもよい。また、各部の形成順序等についても、連結基板の製造が可能な限度において適宜変更できる。
As described above, the manufacturing method of the connection board of the present invention has been described. However, the main body substrate green sheet 502 and the frame body substrate
以上、絶縁体としてLTCC基板を用いた本発明の連結基板およびその製造方法について説明したが、アルミナ基板を用いた場合においては、部材の構成材料以外の構成については、上記LTCC基板を用いた場合の構成と同様にできる。以下に、簡単に工程を説明する。 As mentioned above, although the connection board | substrate of this invention which used the LTCC board | substrate as an insulator, and its manufacturing method were demonstrated, the case where the said LTCC board | substrate was used about structures other than the constituent material of a member in the case of using an alumina board | substrate. This can be done in the same manner as The process will be briefly described below.
(A2)グリーンシート製造工程
ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物(LTCC)に換えて、アルミナを主成分としたセラミックス材料を用いて、上記(A1)グリーンシート製造工程と同様の工程を経る。なお、アルミナを主成分としたセラミックス材料としては、上記通常のアルミナセラミックス材料が特に制限なく使用できる。
(A2) Green sheet manufacturing process The same process as the above (A1) green sheet manufacturing process, using a ceramic material mainly composed of alumina instead of the glass ceramic composition (LTCC) containing glass powder and ceramic filler. Go through. In addition, as a ceramic material which has an alumina as a main component, the said normal alumina ceramic material can be especially used without a restriction | limiting.
(B2)配線導体ペースト層およびマークペースト層形成工程
アルミナ基板は以下の通り焼成温度が、1400〜1700℃と上記LTCC基板と比べて高温であることから、アルミナ基体の焼成時に、配線導体やマーク等の金属層を同時に形成させる場合には、導体となる金属としてタングステンやモリブデン等の高融点金属を用いる。すなわち、タングステンやモリブデン等の高融点金属を主成分とした、高耐熱の配線導体ペーストおよびマークペーストとして、上記(B1)配線導体ペースト層およびマークペースト層形成工程と同様の工程を経る。
(B2) Wiring conductor paste layer and mark paste layer forming step The firing temperature of the alumina substrate is 1400 to 1700 ° C., which is higher than that of the LTCC substrate as described below. When a metal layer such as a metal layer is formed at the same time, a refractory metal such as tungsten or molybdenum is used as a metal serving as a conductor. That is, the same process as the (B1) wiring conductor paste layer and mark paste layer forming process is performed as a high heat-resistant wiring conductor paste and mark paste mainly composed of a refractory metal such as tungsten or molybdenum.
(C2)積層ならびに分割溝および分割孔形成工程
上記(C1)積層および分割溝・分割孔形成工程と同様の工程を経る。
(C2) Lamination and Divided Groove and Divided Hole Forming Step The same process as the (C1) laminated and divided groove / divided hole forming step is performed.
(D2)焼成工程
上記(C2)工程後、得られた未焼結の連結基板50について、必要に応じてバインダー等を除去するための脱脂を行い、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるため焼成(焼成温度:1400〜1700℃)する。脱脂は、例えば、200℃以上500℃以下の温度で約1時間以上10時間以下保持する条件が好ましい。焼成は、例えば、1400℃以上1700℃以下の温度で数時間保持する条件が好ましい。ただし、加熱時、特に焼成時に導体を酸化させないために、還元雰囲気(水素)中もしくは、不活性ガス雰囲気中もしくは、真空中となる、非酸化性雰囲気を保った加熱をしなければならない。
(D2) Firing step After the step (C2), the obtained
このようにして、未焼結の連結基板50が焼成され連結基板50が得られるが、焼成後、必要に応じて素子接続端子5および外部接続端子6の全体を被覆するように、金メッキ等の通常、配線基板において導体保護用に用いられる導電性保護膜を配設することもできる。
In this way, the
ここで、絶縁体としてアルミナ基板を用いて連結基板を製造する際に、タングステンやモリブデン等の高融点金属ではなく、熱伝導性や反射性のよい銀、銅等の低融点の金属を用いる場合には、グリーンシートを焼成によりアルミナ基板として形成した後、基板上の所望の位置に、スクリーン印刷法、スパッタ蒸着法やインクジェット塗布法等の方法を組み合わせることによって配線導体やマーク等の金属層として形成できる。これらは、各部材毎に好ましい金属が選択され、焼成時に形成されるか、または焼成後に形成されるかが適宜選択される。また、部材によっては、高融点金属を第1層、低融点金属を第2層として積層したものを金属層とすることもできる。 Here, when manufacturing a connection substrate using an alumina substrate as an insulator, not a high melting point metal such as tungsten or molybdenum, but a low melting point metal such as silver or copper having good thermal conductivity or reflectivity is used. After forming a green sheet as an alumina substrate by firing, a metal layer such as a wiring conductor or mark is formed by combining a screen printing method, a sputter deposition method, an ink jet coating method, or the like at a desired position on the substrate. Can be formed. For these members, a preferable metal is selected for each member, and it is appropriately selected whether it is formed during firing or after firing. Depending on the member, a metal layer may be formed by laminating a high melting point metal as the first layer and a low melting point metal as the second layer.
以下に、本発明の実施例を説明する。なお本発明はこれら実施例に限定されない。
[実施例1]
Examples of the present invention will be described below. The present invention is not limited to these examples.
[Example 1]
以下に説明する方法で、基体および枠体を構成する材料としてLTCCを用い、図3に示すのと同様の構造の連結基板を製造した。なお、上記同様、焼成の前後で部材に用いる符号は同じものを用いた。 In the method described below, a connection substrate having the same structure as shown in FIG. 3 was manufactured using LTCC as a material constituting the base and the frame. In addition, the same code | symbol used for a member before and behind baking was used similarly to the above.
まず、連結基板50を製造するための本体用基板グリーンシート502、枠体用基板グリーンシート503を製造した。これらグリーンシートは、SiO2が60.4mol%、B2O3が15.6mol%、Al2O3が6mol%、CaOが15mol%、K2Oが1mol%、Na2Oが2mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕してガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
First, a main body substrate green sheet 502 and a frame substrate
このガラス粉末が40質量%、アルミナフィラー(昭和電工社製、商品名:AL−45H)が60質量%となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤(トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの)15g、可塑剤(フタル酸ジ−2−エチルヘキシル)2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラール(デンカ社製、商品名:PVK#3000K)5g、さらに分散剤(ビックケミー社製、商品名:BYK180)を配合し、混合してスラリーを調製した。 A glass ceramic composition was produced by blending and mixing the glass powder at 40% by mass and alumina filler (made by Showa Denko KK, trade name: AL-45H) at 60% by mass. 50 g of this glass ceramic composition, 15 g of an organic solvent (toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol mixed at a mass ratio of 4: 2: 2: 1), plasticizer (di-2-ethylhexyl phthalate) 2.5 g of polyvinyl butyral (trade name: PVK # 3000K, manufactured by Denka) as a binder and 5 g of a dispersant (trade name: BYK180, manufactured by Big Chemie) were further blended and mixed to prepare a slurry.
このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させたグリーンシートを積層して、略平板状であって焼成後の大きさが15mm×15mm、厚さが0.5mmとなる本体用基板グリーンシート502を製造した。同様にして略平板状であって焼成後の大きさが15mm×15mm、厚さが0.5mmとなる枠体用基板グリーンシート503を製造した。
The slurry is applied on a PET film by a doctor blade method, and dried green sheets are laminated, and is a substantially flat plate having a size after baking of 15 mm × 15 mm and a thickness of 0.5 mm. A substrate green sheet 502 was manufactured. Similarly, a frame substrate
枠体用基板グリーンシート503には、9個の配線基板の領域523(各領域とも4×4mm)の中央部を、グリーンシート用パンチングマシーンを用いて直径3mmの円形にくり抜き、各配線基板の領域523の枠体となる部分の左上にスクリーン印刷法により電極印8を形成し、さらに積層用の位置合わせの印を形成した。また、配線基板の領域523同士の境界線543および配線基板の領域523と枠体用基板余剰部533の境界線543の16か所の交点において交点を中心とする直径800μmの円形の貫通孔を、孔開け機を用いて形成し分割孔553とした。
In the frame substrate
一方、導電性粉末(大研化学工業社製、商品名:S550)、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で配合し、固形分が85質量%となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練し、さらに三本ロールにて3回分散し金属ペーストを製造した。 On the other hand, conductive powder (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S550) and ethyl cellulose as a vehicle are blended at a mass ratio of 85:15, and α-terpineol as a solvent so that the solid content is 85 mass%. Then, the mixture was kneaded for 1 hour in a porcelain mortar and further dispersed three times with a three roll to produce a metal paste.
本体用基板グリーンシート502の配線基板の領域522(各領域とも4×4mm)のそれぞれについて、未焼成貫通導体7に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体ペースト層7を形成し、非搭載面23の所定の2箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層7と電気的に接続する外部接続端子用導体ペースト層6を形成した。また、本体用基板グリーンシート502の配線基板の領域522のそれぞれについて、搭載面21の所定の2箇所に所定の大きさで貫通導体用ペースト層7と電気的に接続する素子接続端子ペースト層5および上記表1に示すマーク形成位置に、以下の形状、大きさでマークペースト層4を、焼成後の膜厚が10μmとなるように同時に形成した。これに、積層用の位置合わせの印を形成し、さらに、孔開け機を用いて、配線基板の領域522同士の境界線542および配線基板の領域522と本体用基板余剰部532の境界線542の16か所の交点において交点を中心とする直径800μmの円形に貫通孔(分割孔552)を形成して、導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート502を得た。
A through hole having a diameter of 0.3 mm is formed in a portion corresponding to the unfired through
ここで、マークペースト層の形状は略長方形とし、個々のマークの大きさは焼成後の大きさとして幅200μm、長さ700μmとした。なお、隣接する配線基板の領域522の境界線542を跨いで形成されるマークの大きさは、上記マークの2個が連結した大きさである。また、配線基板の領域522と本体用基板余剰部532の境界線542を跨いで形成されたマークの本体用基板余剰部532上の大きさは、幅200μm、長さ400μmとした。
Here, the shape of the mark paste layer was substantially rectangular, and the size of each mark was 200 μm in width and 700 μm in length as the size after firing. It should be noted that the size of the mark formed across the
上記枠体用基板グリーンシート503と導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート502を、位置合わせ用の印により位置合わせしつつ積層し、加熱および加圧して一体化して、グリーンシート成形体を形成した。次いで、グリーンシート成形体の表裏両面に、セラミックグリーンシート積層体切断機(UHT社製G−cut6)を用いて深さ200μmの分割溝54を縦、横に4本ずつ、分割溝54で仕切られる配線基板の領域52が、各領域とも4×4mmとなるように形成し、未焼結連結基板50を得た。
The frame substrate
上記で得られた未焼結連結基板50を、550℃で5時間保持して脱脂し、さらに870℃で30分間保持の条件で焼成し連結基板50を製造した。
The
得られた連結基板50を分割して、上記図4で示されるのと同様な9個の配線基板Aa〜Ccを得た。得られた9個の配線基板について、側面に現れたマークを目視で確認したところ、表1に示す通りにマークが全て確認された。
The obtained connecting
[実施例2]
以下に説明する方法で、基体および枠体を構成する材料として酸化アルミニウム質焼結体を用い、図3に示すのと同様の構造の連結基板を製造した。なお、上記同様、焼成の前後で部材に用いる符号は同じものを用いた。
[Example 2]
In the method described below, a connection substrate having the same structure as shown in FIG. 3 was manufactured using an aluminum oxide sintered body as a material constituting the base and the frame. In addition, the same code | symbol used for a member before and behind baking was used similarly to the above.
まず、連結基板50を製造するための本体用基板グリーンシート502、枠体用基板グリーンシート503を製造した。これらグリーンシートは、以下の方法により製造した。
アルミナ、カルシア、マグネシア、シリカよりなるアルミナ96質量%のセラミックス粉末を100質量部、メタノール25質量部、トルエン25質量部、ポリビニルブチラール(積水化学工業社製:エスレックBM−S)10質量部、ジブチルフタレート8質量部をボールミルに添加し、30時間混合してセラミックススラリーを得た。
First, a main body substrate green sheet 502 and a frame substrate
100 parts by mass of ceramic powder of 96% by mass of alumina made of alumina, calcia, magnesia, silica, 25 parts by mass of methanol, 25 parts by mass of toluene, 10 parts by mass of polyvinyl butyral (Sekisui Chemical Co., Ltd .: ESREC BM-S),
このセラミックススラリーをPETフィルム上にコンマコーターにより塗布し、熱風乾燥機中、80℃で30分間乾燥させたグリーンシートを積層して、実施例1と同様の大きさの本体用基板グリーンシート502および枠体用基板グリーンシート503を製造した。
The ceramic slurry was coated on a PET film with a comma coater, and a green sheet dried at 80 ° C. for 30 minutes in a hot air dryer was laminated, and the main body substrate green sheet 502 having the same size as in Example 1 and A frame substrate
枠体用基板グリーンシート503には、実施例1と同様にして、キャビティ用の孔、電極印8、積層用の位置合わせの印、分割孔553を形成した。
導電性粉末として、導電性粉末(大研化学工業社製、商品名:S550)に換えて高融点のタングステンを使用した以外は、実施例1と同様にして金属ペーストを製造し、本体用基板グリーンシート502に実施例1と同様にして配線導体ペースト層(5、6、7)とマーク用ペースト層4を形成し、さらに、積層用の位置合わせの印、分割孔552を形成して、導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート502を得た。
In the same manner as in Example 1, the frame substrate
A metal paste was produced in the same manner as in Example 1 except that tungsten having a high melting point was used instead of conductive powder (trade name: S550, manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd.) as the conductive powder. A wiring conductor paste layer (5, 6, 7) and a
上記実施例1と同様にして枠体用基板グリーンシート503と導体ペースト層付きの本体用基板グリーンシート502を積層した後、分割溝54を形成し、未焼結連結基板50を得た。この未焼結連結基板50を、400℃で8時間保持して脱脂を行い、さらに1600℃で3時間保持して焼成を行って連結基板50を製造した。ただし、焼成中は雰囲気を窒素による不活性ガスの雰囲気に保った。
After laminating the frame substrate
得られた連結基板50を分割して、上記図4で示されるのと同様な9個の配線基板Aa〜Ccを得た。得られた9個の配線基板について、側面に現れたマークを目視で確認したところ、表1に示す通りにマークが全て確認された。
The obtained connecting
本発明によれば、連結基板から分割製造された各配線基板において、連結基板での形成箇所等を側面に存在する目視可能なマークにより容易に判別でき、このような配線基板に電子部品が搭載された各種装置の品質管理に有用である。 According to the present invention, in each wiring board divided and manufactured from the connection board, the formation location etc. on the connection board can be easily discriminated by a visually observable mark on the side surface, and an electronic component is mounted on such a wiring board. It is useful for quality control of various devices.
1…配線基板、2…基体、3…枠体、4…マーク、5…素子接続端子、6…外部接続端子、7…貫通導体、8…電極印
11…発光素子、12…ボンディングワイヤ、13…封止層
21…搭載面、22…搭載部、23…非搭載面
50…連結基板、51…母基板、52…配線基板の領域、53…母基板余剰部、54…分割溝、55…分割孔、502…本体用基板、503…枠体用基板
DESCRIPTION OF
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010180084A JP2012039028A (en) | 2010-08-11 | 2010-08-11 | Wiring board and coupling substrate |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012231105A (en) * | 2011-04-15 | 2012-11-22 | Kyocera Corp | Molded body and multi-piece wiring board |
KR20230100204A (en) * | 2021-12-28 | 2023-07-05 | 박정희 | Winding Equipment for Connection Type Stator Core |
-
2010
- 2010-08-11 JP JP2010180084A patent/JP2012039028A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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