JP2011238907A - Ceramic substrate and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、セラミックス基板及びその製造方法に関し、特に焼成時の変形が少なく、寸法精度に優れたセラミックス基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a ceramic substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a ceramic substrate with little deformation during firing and excellent dimensional accuracy, and a method for manufacturing the same.
従来、半導体回路素子等の半導体素子や圧電素子、固体撮像素子(いわゆるCCD)等の電子部品を搭載するため、配線等を構成する導体層を内蔵したセラミックス基板が用いられている。近年、導体の細線化、部品の小型化に伴って、セラミックス基板の寸法精度の一層の向上が求められている。 Conventionally, in order to mount a semiconductor element such as a semiconductor circuit element or an electronic component such as a piezoelectric element or a solid-state imaging element (so-called CCD), a ceramic substrate having a built-in conductor layer constituting a wiring or the like has been used. In recent years, further improvement in the dimensional accuracy of ceramic substrates has been demanded as conductors have become thinner and parts have become smaller.
セラミックス基板は、一般に、ガラスセラミックス低温焼結材料に有機バインダ、可塑剤等を添加してグリーンシートを作製し、このセラミックスシートの表面に導電ペーストを印刷したものを、所定の枚数重ね合わせて熱圧着により一体化した後、焼成することにより作製される。しかしながら、グリーンシートと導体パターンとの熱収縮量の差異に起因して、グリーンシート全体に対する導体パターンの形成位置や基板の開口面積などの影響で、グリーンシート積層体が焼成時に変形するという問題がある。 In general, a ceramic substrate is made by adding a green binder by adding an organic binder, a plasticizer, etc. to a glass ceramic low-temperature sintered material, and printing a conductive paste on the surface of the ceramic sheet. It is produced by firing after integration by pressure bonding. However, due to the difference in thermal shrinkage between the green sheet and the conductor pattern, there is a problem that the green sheet laminate is deformed during firing due to the effect of the conductor pattern formation position on the entire green sheet and the opening area of the substrate. is there.
セラミックス基板の製作に際しては、例えば、図1に示すように、複数の配線基板領域5が縦横に配列形成された製品部分となる領域(以下、連結配線基板と示す。)3を、広い面積のグリーンシート積層体2に複数個配置して、一体的に形成することが行われている。
図1において、連結配線基板3と、それ以外の余白部分となる領域4との間では、導体パターンの設置密度の差異が大きいため、連結配線基板3よりも、余白部分領域4がより多く収縮し、連結配線基板3全体が太鼓状に変形することがある(図3参照。)。
連結配線基板3が変形すると、セラミックス基板の寸法精度が低下し、基板上に素子等を搭載する工程で、搭載位置のずれ等を生じる場合がある。
When manufacturing a ceramic substrate, for example, as shown in FIG. 1, a region (hereinafter, referred to as a connected wiring substrate) 3 that is a product portion in which a plurality of
In FIG. 1, there is a large difference in the installation density of the conductor pattern between the
When the connecting
このような問題を解決するために、セラミックス基板を構成するグリーンシート上の周辺部に、基板の歪みを防止するための導体層を一定幅に形成し、このグリーンシートを含む複数枚のグリーンシートを積層した後焼成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)
しかしながらこの方法では、基板の収縮抑制効果を十分に得るために、基板全体に対する導体層の面積率を相当大きくする必要があり、設計上の制約が増し、更に原料コストが高くなりすぎるという問題があった。
In order to solve such a problem, a conductor layer for preventing distortion of the substrate is formed with a certain width around the green sheet constituting the ceramic substrate, and a plurality of green sheets including the green sheet are formed. Has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
However, in this method, in order to sufficiently obtain the effect of suppressing the shrinkage of the substrate, it is necessary to considerably increase the area ratio of the conductor layer with respect to the entire substrate, which increases design restrictions and further increases the raw material cost. there were.
一方、グリーンシート積層体の中間層を構成するグリーンシート表面に、収縮率補正用ペーストを塗布して焼成することにより、焼成時の積層体の収縮抑制効果を高める方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
しかしながら、積層体の内層に収縮率補正用ペーストを塗布すると、基板の内層における配線の設置面積が狭くなるため、設計上の制約が増大したり、内層に形成されたペースト体が配線回路を侵食したりするという問題があった。さらに、基板内の複数層に収縮率補正用ペーストを塗布すると、基板全体に対する収縮率補正ペーストの使用量が増大し、原料コストが高くなるという問題もあった。
On the other hand, a method has been proposed in which the shrinkage correction paste is applied to the surface of the green sheet constituting the intermediate layer of the green sheet laminate and baked to increase the effect of suppressing the shrinkage of the laminate during firing (for example, , See Patent Document 2).
However, if the shrinkage correction paste is applied to the inner layer of the laminate, the wiring installation area in the inner layer of the substrate is reduced, which increases design restrictions and the paste formed in the inner layer erodes the wiring circuit. There was a problem of doing. Furthermore, when the shrinkage rate correction paste is applied to a plurality of layers in the substrate, there is a problem that the amount of the shrinkage rate correction paste used for the entire substrate increases and the raw material cost increases.
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ガラスセラミックス組成物の成形体の焼結時の変形が少なく、基板の寸法精度が高められ、また原料コストが低く、設計上の自由度が確保されたセラミックス基板の提供を目的とする。また、本発明は、上記セラミックス基板を製造するセラミックス基板の製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in order to solve the above-described problems. The glass ceramic composition is less deformed when sintered, and the dimensional accuracy of the substrate is increased, the raw material cost is low, and the design is free. The purpose is to provide a ceramic substrate with a sufficient degree of accuracy. Moreover, this invention aims at provision of the manufacturing method of the ceramic substrate which manufactures the said ceramic substrate.
すなわち、本発明のセラミックス基板は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の成形体を焼結してなる基板本体と、この基板本体の表面または内層に形成され、前記ガラスセラミックス組成物の焼結温度より低い焼結温度を有する金属(合金を含む。以下同じ。) ペーストを焼結してなる焼成層と、を有することを特徴とする。 That is, the ceramic substrate of the present invention is formed on a substrate body formed by sintering a molded body of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler, and on the surface or inner layer of the substrate body. And a fired layer formed by sintering a paste (including an alloy, the same shall apply hereinafter) having a sintering temperature lower than the sintering temperature.
前記セラミックス基板は、前記ガラスセラミックス組成物の成形体と前記金属ペーストとを一体として焼結してなることが好ましい。また、前記ガラスセラミックス組成物の焼結温度と、前記金属ペーストの焼結温度との温度差は、150℃以上300℃以下であることが好ましい。また、前記金属ペースト焼成層は、前記基板本体の厚さに対して1%以上10%以下の厚みを有することが好ましい。また、前記金属ペーストの金属としては、銀、銀パラジウム合金又は銀白金合金から選択される金属又は合金であることが好ましい。また、前記金属ペースト焼成層は、前記基板本体の一方の主面上、または両主面上に露出させて設けられていることが好ましい。 The ceramic substrate is preferably formed by integrally sintering the glass ceramic composition compact and the metal paste. Moreover, it is preferable that the temperature difference of the sintering temperature of the said glass ceramic composition and the sintering temperature of the said metal paste is 150 degreeC or more and 300 degrees C or less. The metal paste fired layer preferably has a thickness of 1% to 10% with respect to the thickness of the substrate body. The metal of the metal paste is preferably a metal or alloy selected from silver, silver palladium alloy or silver platinum alloy. The metal paste fired layer is preferably provided so as to be exposed on one main surface or both main surfaces of the substrate body.
また、本発明のセラミックス基板の製造方法は、少なくとも1枚のグリーンシート表面に、このグリーンシートの焼結温度よりも低い焼結温度を有する金属ペーストを塗布して金属ペースト焼成層を形成する工程と、前記グリーンシートを積層する工程と、前記積層したグリーンシートを焼成する工程と、を有することを特徴とする。 Also, the method for producing a ceramic substrate of the present invention includes a step of applying a metal paste having a sintering temperature lower than the sintering temperature of the green sheet to form a metal paste fired layer on the surface of at least one green sheet. And a step of laminating the green sheets and a step of firing the laminated green sheets.
本発明によれば、ガラスセラミックス組成物よりも低い温度で焼結する金属ペーストの焼成層を形成することによって、焼結に伴ってガラスセラミックス組成物の成形体が収縮するのを抑制でき、寸法精度が高められたセラミックス基板とできる。また、本発明によれば、基板全体に対する金属ペースト焼成層の面積率を低減でき、設計上の自由度が高く、原料コストの低いセラミックス基板とできる。 According to the present invention, by forming a fired layer of a metal paste that is sintered at a temperature lower than that of the glass ceramic composition, it is possible to suppress shrinkage of the formed body of the glass ceramic composition along with the sintering. A ceramic substrate with improved accuracy can be obtained. Further, according to the present invention, the area ratio of the metal paste fired layer with respect to the entire substrate can be reduced, and a ceramic substrate with a high degree of design freedom and a low raw material cost can be obtained.
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のセラミック基板は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の成形体を焼結してなる基板本体と、この基板本体の表面または内層に形成され、前記ガラスセラミックス組成物の焼結温度より低い焼結温度を有する金属(合金を含む。以下同じ。)ペーストを焼結してなる焼成層と、を有する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The ceramic substrate of the present invention is formed on a substrate body formed by sintering a molded body of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler, and on the surface or inner layer of the substrate body. A sintered layer obtained by sintering a metal (including an alloy; the same shall apply hereinafter) paste having a sintering temperature lower than the sintering temperature.
本発明によれば、基板本体を構成するガラスセラミックス組成物の成形体(以下、単に成形体と示す。)の表面に、このガラスセラミックス組成物より低温で焼結する金属ペーストを塗布して金属又は合金の焼結層を形成することで、焼結に伴う成形体の収縮、変形を、従来よりも高い精度で抑制し、寸法精度を向上できる。
また、成形体の収縮、変形を従来より高い精度で抑制することで、基板本体に対する金属ペースト焼成層の面積率を低減でき、従来に比べて、金属ペーストの使用量を低減できる。
According to the present invention, a metal paste that is sintered at a temperature lower than that of the glass ceramic composition is applied to the surface of a glass ceramic composition formed body (hereinafter simply referred to as a formed body) constituting the substrate body. Alternatively, by forming a sintered layer of an alloy, shrinkage and deformation of the molded body accompanying sintering can be suppressed with higher accuracy than before, and dimensional accuracy can be improved.
Moreover, the area ratio of the metal paste fired layer with respect to the substrate body can be reduced by suppressing shrinkage and deformation of the molded body with higher accuracy than before, and the amount of metal paste used can be reduced as compared with the conventional case.
図1は、本発明のセラミックス基板1の一例を示す平面図である。
図1において、セラミックス基板1は、これを主として構成する基板本体2を有している。基板本体2は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の成形体2A(図4参照。)を焼結させたものであり、基板本体2内には、製品領域としての連結配線基板3が、縦3個、横2個、合計6個、一定間隔を設けて配置されている。
基板本体2のうち、連結配線基板3を除く領域は余白領域4とされており、各連結配線基板3と一体として形成されている。
FIG. 1 is a plan view showing an example of a ceramic substrate 1 of the present invention.
In FIG. 1, a ceramic substrate 1 has a substrate body 2 that mainly constitutes the substrate. The substrate body 2 is obtained by sintering a molded
In the substrate body 2, a region excluding the
連結配線基板3内には、配線基板領域5が縦横に形成されており(図2参照。)、各配線基板領域5の間には、図示しないが、これを区分する分割溝が縦横に形成されている。この分割溝に沿って基板を分割することにより、複数の配線基板5が形成される。
各配線基板5には、キャビティ(不図示)が設けられており、このキャビティ内に発光素子等のチップが搭載されて、発光装置等の電子部品が構成される。
In the
Each
基板本体2の一方の主面上(図示面)には、この主面上に露出するように、幅狭で帯状に形成された金属ペースト焼成層6が設けられている。
金属ペースト焼成層6は、焼結時の成形体2Aの収縮を抑制するためのものであり、基板本体2の一辺と平行に、この基板本体2の一方の側縁部から対向側の側縁部にかけて、各連結配線基板3間の余白領域4内に1ずつ設けられている。
本発明における金属ペースト焼成層6は、上述したように、基板本体2を構成するガラスセラミックス組成物の焼結温度より低い焼結温度を有する金属ペーストからなるものである。このようなものとすることで、ガラスセラミックス組成物の成形体2Aが焼結を開始するときに、金属ペースト焼成層6が形成されるため、焼結に伴って、成形体2Aが収縮、変形するのを早期に抑制できる。
On one main surface (illustrated surface) of the substrate main body 2, a metal paste fired
The metal paste fired
The metal paste fired
なお、図1において、金属ペースト焼成層6は、成形体2Aの焼結時に、連結配線基板3が膨張する方向と平行となるように設けられている。すなわち、図1に示す金属ペースト焼成層6は、焼成時に、連結配線基板3が図中矢印方向(左右方向)に膨張する(図1、図3参照。)成形体2Aに対して設けたものである。連結配線基板3が膨張する方向と平行に金属ペースト焼成層6を設けることで、焼成時における連結配線基板3の変形を効果的に抑制できるため好ましい。
なお、焼成時に連結配線基板3が膨張する方向は、成形体2Aにおける配線パターンの設置位置や、成形体2Aと熱源との位置関係などによって種々異なるものであり、図1は、その一例を示すものである。
In FIG. 1, the metal paste fired
The direction in which the
基板本体2を構成するガラスセラミックス組成物の焼結温度と、金属ペーストの焼結温度との温度差は、150℃以上300℃以下であることが好ましい。
ガラスセラミックス組成物の焼結温度と金属ペーストの焼結温度との温度差が150℃未満であると、ガラスセラミックス組成物の成形体2Aが焼結する際の、金属ペースト焼成層6の強度(焼結度)が低すぎて、成形体2Aの収縮を十分に抑制できないおそれがある。
一方、ガラスセラミックス組成物の焼結温度と金属ペーストの焼結温度との温度差が300℃を超えると、成形体2Aが焼結する際の金属ペースト焼成層6の強度(焼結度)が高すぎて、焼成中に、金属ペースト焼成層6周辺の成形体2Aが変形するおそれがあり、成形体2Aの焼結状態を制御するのが困難となるおそれがある。
The temperature difference between the sintering temperature of the glass ceramic composition constituting the substrate body 2 and the sintering temperature of the metal paste is preferably 150 ° C. or higher and 300 ° C. or lower.
When the temperature difference between the sintering temperature of the glass ceramic composition and the sintering temperature of the metal paste is less than 150 ° C., the strength of the fired
On the other hand, when the temperature difference between the sintering temperature of the glass ceramic composition and the sintering temperature of the metal paste exceeds 300 ° C., the strength (sintering degree) of the metal paste fired
金属ペースト焼成層6を構成する金属ペーストは、例えば銀、銀パラジウム合金又は銀白金合金等の金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤、焼結助剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。金属ペーストに用いる金属粉末としては、成形体2Aの収縮を効率的に抑制する観点から、特に銀粉末を好ましく用いることができる。
The metal paste constituting the metal paste fired
金属ペーストに用いる金属粉末の50%平均粒径(D50)は、0.5μm以上2.5μm以下であることが好ましい。金属粉末の粒径が0.5μm未満であると、焼結が過度に進行し、基板本体が変形等するおそれがある。一方、金属粉末の粒径が2.5μmを超えると、金属ペーストが焼結し難くなり、金属ペースト層6a(金属ペースト層6の焼成前の状態を6aと示す。図4参照。)の焼結温度が高くなりすぎて、寸法精度を向上させる効果を十分に得られなくなるおそれがある。
なお、本明細書において、50%平均粒径は、レーザ回折・散乱法による粒子径測定装置により測定した値をいう。
The 50% average particle diameter (D 50 ) of the metal powder used for the metal paste is preferably 0.5 μm or more and 2.5 μm or less. If the particle size of the metal powder is less than 0.5 μm, the sintering proceeds excessively and the substrate body may be deformed. On the other hand, when the particle size of the metal powder exceeds 2.5 μm, the metal paste becomes difficult to sinter, and the
In the present specification, the 50% average particle diameter means a value measured by a particle diameter measuring apparatus using a laser diffraction / scattering method.
また、金属ペーストに添加剤を添加する場合には、その添加量は、金属ペースト全体に対して5質量%以下であることが好ましい。
添加材の添加量が、金属ペースト全体に対して5質量%を超えると、金属ペーストの焼結温度が高くなりすぎたり、または低くなりすぎたりして、寸法精度を向上させる効果を十分に得られなくなるおそれがある。
なお、金属ペーストに添加する添加剤としては、焼結の進行を促進するためのガラスフリットや、焼結の進行を遅らせるための金属酸化物などが用いられる。なお、ガラスフリット、金属酸化物については、特に種類を限定することなく用いることができる。
Moreover, when adding an additive to a metal paste, it is preferable that the addition amount is 5 mass% or less with respect to the whole metal paste.
If the amount of the additive added exceeds 5% by mass with respect to the entire metal paste, the sintering temperature of the metal paste becomes too high or too low, and the effect of improving the dimensional accuracy is sufficiently obtained. There is a risk of being lost.
As the additive added to the metal paste, glass frit for promoting the progress of sintering, metal oxide for delaying the progress of sintering, and the like are used. Note that glass frit and metal oxide can be used without any particular limitation.
金属ペースト焼成層6の厚さは、基板本体2の厚さに対して、1%以上10%以下であることが好ましい。金属ペースト焼成層6の厚さが、基板本体2の厚さに対して1%未満の場合、成形体2Aの変形を抑制する効果を十分に得られないおそれがある。一方、金属ペースト焼成層6の厚さが、基板本体2の厚さに対して10%を超えると、基板本体2の厚さ方向の変形が発生し、基板の平坦度を低下させるおそれがある。
金属ペースト焼成層6の厚さは、好ましくは、基板本体2に対して2%以上4%以下である。
The thickness of the metal paste fired
The thickness of the metal paste fired
金属ペースト焼成層6の面積率は、一枚のセラミックスシート全体の面積に対して、0.8%以上1.8%以下であることが好ましい。
金属ペースト焼成層6の面積率が0.8%未満であると、成形体2Aの焼結に伴う収縮を、十分に抑制できないおそれがある。
一方、金属ペースト焼成層6の面積率が1.8%を超えると、連結配線基板3の領域が狭くなり過ぎて、生産効率が低下するおそれがある。
The area ratio of the metal paste fired
If the area ratio of the metal paste fired
On the other hand, if the area ratio of the metal paste fired
金属ペースト焼成層6は、基板本体2の一方の主面上(図示面)だけでなく、他方の主面上にも設けることが好ましい。
ただし、基板本体2の両主面上に金属ペースト焼成層6を設ける場合、一方の主面上に金属ペースト焼成層6を設ける位置と、他方の主面上に金属ペースト焼成層6を設ける位置との関係で、成形体2A全体が焼成中に変形するおそれがある。
したがって、基板本体2の両主面上に金属ペースト焼成層6を設ける場合には、各面の金属ペースト焼成層6の設置位置を対応させるように、例えば、基板本体2の端部から略同一距離上に設けるようにすることが好ましい。
The metal paste fired
However, when the metal paste fired
Therefore, when the metal paste fired
また、金属ペースト焼成層6は、焼結時の成形体2Aの収縮を効率的に抑制する観点からは、図1に示すように、基板本体2の主面上に露出させて設けることが好ましい。
基板本体2の主面上に露出させて設けた金属ペースト焼成層6は、基板本体2の中間層に形成した金属ペースト焼成層6より20%程度小さい設置面積で、同程度の収縮抑制効果を得ることができる。
ただし、金属ペースト焼成層6は、必ずしも基板本体2の主面上に露出させて設けるものである必要はなく、基板本体2の中間層、すなわち、基板本体2の内部に金属ペースト焼成層6を設けるようにしてもよい。また、基板本体2の主面上と、基板本体2の内部の双方に設けるようにしてもよい。
Further, the metal paste fired
The metal paste fired
However, the metal paste fired
また、金属ペースト焼成層6は、基板本体2上に単独で設けられるものに限られず、例えば、金属ペースト焼成層6の上に、さらに、ガラス粉末に可塑剤等を添加したガラスペースト体の焼結体を設けることも可能である。
Further, the metal paste fired
なお、上述したセラミックス基板では、複数個の連結配線基板3と、余白領域4とを一体として大判の基板本体2を形成し、この余白領域4に金属ペースト焼成層6を設ける構成としたが、必ずしもこのような構成である必要はなく、例えば、連結配線基板3を各別に分離して形成し、連結配線基板3内の領域に、金属ペースト焼成層6を設けるようにしてもよい。
In the ceramic substrate described above, the large-sized substrate body 2 is formed by integrating the plurality of
基板本体2は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の成形体を焼結してなるものであり、平板状の部材であれば、その種類等は特に限定されないが、アルミナセラミックス、低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co−fired Ceramic。以下、LTCCと示す。)、窒化アルミニウム等は、熱伝導性、放熱性、強度、および製造コスト等の点で優れており、好ましく用いられる。 The substrate body 2 is formed by sintering a molded body of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler, and the type of the substrate body 2 is not particularly limited as long as it is a flat plate member. Low temperature co-fired ceramics (hereinafter referred to as LTCC), aluminum nitride, and the like are excellent in terms of thermal conductivity, heat dissipation, strength, manufacturing cost, and the like, and are preferably used.
以上、本発明のセラミックス基板1について一例を挙げて説明したが、本発明の趣旨に反しない限度において、また必要に応じて、その構成を適宜変更できる。 As described above, the ceramic substrate 1 of the present invention has been described with an example. However, the configuration can be appropriately changed as long as it is not contrary to the spirit of the present invention.
基板本体2としてLTCCを採用した場合、本発明のセラミックス基板1は以下のようにして製造できる。なお、以下の説明では、その製造に用いる部材について、一部を除き、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。 When LTCC is adopted as the substrate body 2, the ceramic substrate 1 of the present invention can be manufactured as follows. In the following description, the members used for the manufacture will be described with the same reference numerals as those of the finished product except for some parts.
まず、グリーンシートを形成する。グリーンシートは、基板本体用ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物にバインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調整し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。 First, a green sheet is formed. The green sheet is prepared by adding a binder, and if necessary, a plasticizer, a solvent, etc. to a glass ceramic composition containing a glass powder for a substrate body and a ceramic filler, and preparing a slurry by using a doctor blade method or the like. It can be manufactured by molding and drying.
基板本体用ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないものの、ガラス転移点(Tg)が550℃以上700℃以下のものが好ましい。ガラス転移点(Tg)が550℃未満の場合、後述する脱脂が困難となるおそれがある。一方、ガラス転移点(Tg)が700℃を超える場合、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。 Although the glass powder for substrate main bodies is not necessarily limited, a glass transition point (Tg) of 550 ° C. or higher and 700 ° C. or lower is preferable. When the glass transition point (Tg) is less than 550 ° C., degreasing described later may be difficult. On the other hand, when the glass transition point (Tg) exceeds 700 ° C., the shrinkage start temperature becomes high and the dimensional accuracy may be lowered.
このような基板本体用ガラス粉末としては、例えばSiO2を57mol%以上65mol%以下、B2O3を13mol%以上18mol%以下、CaOを9mol%以上23mol%以下、Al2O3を3mol%以上8mol%以下、K2OとNa2Oから選ばれる少なくとも一方を合計で0.5mol%以上6mol%以下含有するものが好ましい。 As such a glass powder for a substrate body, for example, SiO 2 is 57 mol% to 65 mol%, B 2 O 3 is 13 mol% to 18 mol%, CaO is 9 mol% to 23 mol%, and Al 2 O 3 is 3 mol%. It is preferably 8 mol% or less and at least one selected from K 2 O and Na 2 O in total containing 0.5 mol% or more and 6 mol% or less.
基板本体用ガラス粉末は、上記したようなガラス組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得ることができる。
湿式粉砕法の場合には、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機が用いられる。
The glass powder for a substrate body can be obtained by producing glass having the above glass composition by a melting method and pulverizing it by a dry pulverization method or a wet pulverization method.
In the case of the wet pulverization method, it is preferable to use water as a solvent. For the pulverization, for example, a pulverizer such as a roll mill, a ball mill, or a jet mill is used.
なお、基板本体用ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、ガラス転移点等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有することもできる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10mol%以下であることが好ましい。 In addition, the glass powder for substrate bodies is not necessarily limited to what consists only of the said component, It can also contain another component in the range with which various characteristics, such as a glass transition point, are satisfy | filled. When other components are contained, the total content is preferably 10 mol% or less.
基板本体用ガラス粉末の50%粒径(D50)は0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。基板本体用ガラス粉末の50%粒径が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となると共に、均一に分散させることが困難となる。一方、ガラス粉末の50%粒径が2μmを超える場合、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級してもよい。
なお、50%粒径はレーザ回折・散乱法による粒子径測定装置により測定した値をいう。
The 50% particle size (D 50 ) of the glass powder for substrate main body is preferably 0.5 μm or more and 2 μm or less. When the 50% particle size of the glass powder for substrate main body is less than 0.5 μm, the glass powder is likely to aggregate, making it difficult to handle and uniformly dispersing. On the other hand, when the 50% particle size of the glass powder exceeds 2 μm, the glass softening temperature may increase or the sintering may be insufficient. The adjustment of the particle size may be classified as necessary after pulverization, for example.
The 50% particle size is a value measured by a particle size measuring apparatus using a laser diffraction / scattering method.
セラミックスフィラーとしては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものを特に制限なく用いることができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いることができる。セラミックスフィラーの50%粒径(D50)は、例えば0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。 As the ceramic filler, those conventionally used for the production of LTCC substrates can be used without particular limitation. For example, alumina powder, zirconia powder, or a mixture of alumina powder and zirconia powder can be suitably used. The 50% particle size (D 50 ) of the ceramic filler is preferably, for example, from 0.5 μm to 4 μm.
このような基板本体用ガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えば基板本体用ガラス粉末が30質量%以上50質量%以下、セラミックスフィラーが50質量%以上70質量%以下となるように配合、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。 Mixing and mixing such glass powder for substrate main body and ceramic filler such that glass powder for substrate main body is 30 mass% to 50 mass% and ceramic filler is 50 mass% to 70 mass%, for example. Thus, a glass ceramic composition can be obtained. Moreover, a slurry can be obtained by adding a plasticizer, a solvent, etc. to this glass ceramic composition as needed.
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレベリング剤を使用することも可能である。 As the binder, for example, polyvinyl butyral, acrylic resin and the like can be suitably used. As the plasticizer, for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate and the like can be used. As the solvent, aromatic or alcoholic organic solvents such as toluene, xylene and butanol can be used. Furthermore, it is possible to use a dispersant or a leveling agent.
このスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで、グリーンシートを製造できる。
このようにして製造されたグリーンシートを、打ち抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して所定の寸法角に切断し、同時に所定位置に層間接続用のビアホールを打ち抜き形成できる。
A green sheet can be produced by forming this slurry into a sheet by a doctor blade method or the like and drying it.
The green sheet thus manufactured can be cut into a predetermined dimensional angle using a punching die or a punching machine, and at the same time, via holes for interlayer connection can be punched and formed at predetermined positions.
グリーンシートの連結配線基板3領域の表面に、導体パターン用の導電金属ペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成の導体パターンを形成する。また、前記した層間接続用のビアホール内に導体金属ペーストを充填することによって、未焼成の層間接続部を形成する。
導体パターン、及び層間接続部に用いる導電金属ペーストとしては、例えば銅、銀、金等を主成分とする金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものが用いられる。
An unfired conductor pattern is formed by printing a conductive metal paste for a conductor pattern on the surface of the
As the conductive metal paste used for the conductor pattern and the interlayer connection portion, for example, a metal powder mainly composed of copper, silver, gold or the like is added with a vehicle such as ethyl cellulose, and a solvent or the like is added to form a paste. Things are used.
次いで、基板本体2の最上層及び最下層用グリーンシートの表面に、図4に示す位置に金属ペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成の金属ペースト層6aを形成する。なお、両グリーンシートにおける未焼成の金属ペースト層6aの形成位置は、略同位置(目視レベルで同位置と認識される程度を意味する。)となるように形成する。
金属ペーストとしては、例えば銀、銀パラジウム合金又は銀白金合金等の金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤、焼結助剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。
なお、この際、未焼成の金属ペースト層6aの上に、例えば、ガラス粉末に可塑剤等を添加してペースト体としたものを、スクリーン印刷等で塗布してガラスペースト層を形成することも可能である。
Next, an unfired
As the metal paste, for example, a metal powder such as silver, a silver palladium alloy, or a silver platinum alloy may be used by adding a vehicle such as ethyl cellulose, and if necessary, adding a solvent, a sintering aid, and the like to a paste. it can.
At this time, for example, a glass paste layer may be formed by applying a paste obtained by adding a plasticizer or the like to glass powder on the unfired
未焼成の導体パターン、及び未焼成の金属ペースト層6aが形成されたグリーンシートを位置合わせしつつ複数枚重ね合わせて加熱および加圧して一体化することにより、図4に示す成形体2Aを形成する。次いで、この成形体2Aを例えば500℃以上600℃以下の温度で1時間以上10時間以下保持することにより、グリーンシートに含まれる樹脂等のバインダーを分解・除去する脱脂を行う。その後、例えば850℃以上900℃以下の温度で20分以上60分以下保持することにより、グリーンシートを構成するガラスセラミックス組成物を焼成する。この焼成により、ガラスセラミックス基板内部および表面(表裏面)に形成された、導体金属ペースト及び金属ペーストも同時に焼成され、金属ペースト焼成層6を有するセラミックス基板1とできる。
The green sheet on which the unfired conductor pattern and the unfired
脱脂温度が500℃未満もしくは脱脂時間が1時間未満の場合、バインダー等を十分に除去することができないおそれがある。一方、脱脂温度を600℃程度、脱脂時間を10時間程度とすれば、十分にバインダー等を除去することができ、これを超えるとかえって生産性等が低下するおそれがある。 When the degreasing temperature is less than 500 ° C. or the degreasing time is less than 1 hour, the binder or the like may not be sufficiently removed. On the other hand, if the degreasing temperature is about 600 ° C. and the degreasing time is about 10 hours, the binder and the like can be sufficiently removed, and if it exceeds this, the productivity may be lowered.
焼成は、焼成温度が850℃未満、焼成時間が20分未満の場合、緻密なものが得られないおそれがある。一方、焼成温度を900℃程度、焼成時間を60分程度とすれば、十分に緻密なものが得られ、これを超えるとかえって生産性等が低下するおそれがある。
焼成は、特に860℃以上880℃以下の温度で行うことが好ましい。金属ペースト焼成層6の形成に、銀を主成分とする金属粉末を含有する金属ペーストを用いた場合には、焼成温度が880℃を超えると、金属ペーストが過度に軟化して所定の形状を維持できなくなるおそれがある。
In the case of firing, if the firing temperature is less than 850 ° C. and the firing time is less than 20 minutes, a dense product may not be obtained. On the other hand, if the firing temperature is about 900 ° C. and the firing time is about 60 minutes, a sufficiently dense product can be obtained, and if this is exceeded, productivity and the like may be reduced.
The firing is particularly preferably performed at a temperature of 860 ° C. or higher and 880 ° C. or lower. When a metal paste containing a metal powder containing silver as a main component is used for forming the metal paste fired
以上、本発明のセラミックス基板1の製造方法について一例を挙げて説明したが、各形成順序等について、セラミックス基板1の製造が可能な限度において適宜変更できる。 As mentioned above, although the manufacturing method of the ceramic substrate 1 of the present invention has been described with an example, each forming order and the like can be appropriately changed as long as the ceramic substrate 1 can be manufactured.
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
<グリーンシート>
まず、基板本体用グリーンシートを製造した。
すなわち、SiO2を60.4mol%、B2O3を15.6mol%、Al2O3を6mol%、CaOを15mol%、K2Oを1mol%、Na2Oを2mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより40時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
<Green sheet>
First, a green sheet for a substrate body was manufactured.
That is, the SiO 2 60.4mol%, B 2 O 3 to 15.6mol%, Al 2 O 3 to 6 mol%, CaO and 15 mol%, 1 mol% of K 2 O, the Na 2 O such that 2 mol% The raw materials were blended and mixed. The raw material mixture was put in a platinum crucible and melted at 1600 ° C. for 60 minutes, and then the molten glass was poured out and cooled. This glass was pulverized for 40 hours by an alumina ball mill to produce a glass powder for a substrate body. Note that ethyl alcohol was used as a solvent for grinding.
このガラス粉末が35質量%、アルミナフィラー(昭和電工社製、商品名:AL−45H)が40質量%、ジルコニアフィラー(第一稀元素化学工業社製、商品名:HSY−3F−J)が25質量%となるように配合し、混合することにより基板本体用ガラスセラミックス組成物を製造した。このガラス基板本体用セラミックス組成物50gに、有機溶剤(トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの)15g、可塑剤(フタル酸ジ−2−エチルヘキシル)2.5g、バインダーとしてのポリビニルブチラール(デンカ社製、商品名:PVK#3000K)5g、さらに分散剤(ビックケミー社製、商品名:BYK180)0.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。 35% by mass of this glass powder, 40% by mass of alumina filler (manufactured by Showa Denko KK, trade name: AL-45H), and zirconia filler (manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Industries, trade name: HSY-3F-J) A glass ceramic composition for a substrate body was produced by blending and mixing so as to be 25% by mass. 50 g of this ceramic composition for a glass substrate body, 15 g of an organic solvent (a mixture of toluene, xylene, 2-propanol and 2-butanol in a mass ratio of 4: 2: 2: 1), a plasticizer (di-2 phthalate) -Ethylhexyl) 2.5 g, polyvinyl butyral (trade name: PVK # 3000K) 5 g as a binder, and 0.5 g of a dispersant (Bick Chemie, trade name: BYK180) 0.5 g are mixed and mixed to form a slurry. Was prepared.
このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、本体用グリーンシートを製造した。
このようにして製造されたグリーンシートを、打ち抜き型を使用して、縦174mm、横170mmの寸法角に切断し、同時に所定位置に層間接続用のビアホールを打ち抜き形成した。
This slurry was applied onto a PET film by a doctor blade method and dried to produce a green sheet for a main body.
The green sheet thus manufactured was cut into 174 mm vertical and 170 mm horizontal squares using a punching die, and at the same time, via holes for interlayer connection were punched and formed at predetermined positions.
銀粉末(大研化学工業社製、商品名:S400−2)、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で配合し、固形分が82質量%となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って金属ペーストAを製造した。
また、銀粉末(DOWAエレクトロニクス社製、商品名:AG−SAG113)、ビヒクルとしてのエチルセルロースと添加剤として酸化ロジウムを質量比86.9:13:0.1の割合で配合し、溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って金属ペーストBを製造した。
Silver powder (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S400-2), ethyl cellulose as a vehicle is blended at a mass ratio of 85:15, and α-terpineol as a solvent is added so that the solid content is 82 mass%. After the dispersion, the mixture was kneaded for 1 hour in a porcelain mortar, and further dispersed three times with three rolls to produce a metal paste A.
Further, silver powder (manufactured by DOWA Electronics, trade name: AG-SAG113), ethyl cellulose as a vehicle and rhodium oxide as an additive are blended in a mass ratio of 86.9: 13: 0.1, and α as a solvent After being dispersed in terpineol, kneading was carried out for 1 hour in a porcelain mortar, and further, dispersion was carried out three times with three rolls to produce metal paste B.
一方、導電性粉末(大研化学工業社製、商品名:S550)、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比85:15の割合で配合し、固形分が85質量%となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って貫通導体用金属ペーストを製造した。 On the other hand, conductive powder (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S550) and ethyl cellulose as a vehicle are blended at a mass ratio of 85:15, and α-terpineol as a solvent so that the solid content is 85 mass%. Then, kneading was carried out in a porcelain mortar for 1 hour, and further three times of dispersion with a three roll to produce a metal paste for through conductors.
次に、オーバーコート層に用いるガラスセラミックス組成物を製造した。すなわち、SiO2が81.6mol%、B2O3が16.6mol%、K2Oが1.8mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより20時間粉砕して基板本体用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕の溶媒にはエチルアルコールを用いた。次に、上記のオーバーコート層用ガラス粉末に、50%粒径(D50)が2μmであるアルミナフィラー(昭和電工社製、商品名:AL−45H)を、30質量%となるように配合し、混合することによりオーバーコート層用ガラスセラミックス組成物を製造した。 Next, a glass ceramic composition used for the overcoat layer was produced. That is, raw materials were blended and mixed so that SiO 2 was 81.6 mol%, B 2 O 3 was 16.6 mol%, and K 2 O was 1.8 mol%, and this raw material mixture was placed in a platinum crucible at 1600 ° C. Then, the molten glass was poured out and cooled. This glass was pulverized with an alumina ball mill for 20 hours to produce a glass powder for a substrate body. Note that ethyl alcohol was used as a solvent for grinding. Next, an alumina filler (made by Showa Denko KK, trade name: AL-45H) having a 50% particle size (D 50 ) of 2 μm is blended with the glass powder for overcoat layer so as to be 30% by mass. And the glass ceramic composition for overcoat layers was manufactured by mixing.
上記のガラスセラミックス組成物と樹脂成分とを、ガラスセラミックス組成物を60質量%、樹脂成分を40質量%の割合で配合し、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って、オーバーコート層用ガラスペーストを作製した。
なお、樹脂成分は、エチルセルロースとαテレピネオールとを質量比85:15の割合で調合し分散したものを使用した。
The above glass ceramic composition and the resin component are blended in a proportion of 60% by mass of the glass ceramic composition and 40% by mass of the resin component, kneaded in a porcelain mortar for 1 hour, and further 3 in three rolls. The glass paste for overcoat layer was produced by performing dispersion once.
As the resin component, ethyl cellulose and α-terpineol were prepared and dispersed at a mass ratio of 85:15.
本体用グリーンシートの連結配線基板3領域の未焼成貫通導体に相当する部分に孔空け機を用いて直径0.3mmの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により導電金属ペーストを充填して未焼成貫通導体ペースト層を形成すると共に、未焼成接続端子導体ペースト層、未焼成外部電極端子導体ペースト層を形成した。
このグリーンシートを、焼成後の厚さが1.0mmとなるように重ね合わせ、熱圧着により一体化して、導体ペースト層付き本体用グリーンシート2A、即ち成形体2Aを得た。
A through hole having a diameter of 0.3 mm is formed in a portion corresponding to the unfired through conductor in the
The green sheets were overlapped so that the thickness after firing was 1.0 mm and integrated by thermocompression bonding to obtain a
なお、導体ペースト層付き本体用グリーンシート2Aにおいて、それぞれ縦44mm、横66mmの矩形領域を6個形成して連結配線基板3とした。また、各連結配線基板3の間、及び本体用グリーンシート2Aの端部から各連結配線基板3までの間の領域(幅14mm)を、余白領域4とした。
In addition, in the
(実施例1)
導体ペースト層付き本体用グリーンシート2の表裏両面の余白領域4(図4参照。)内に、乾燥、焼成後の金属ペースト焼成層6の幅が1mmとなるように、金属ペーストAをスクリーン印刷法によって塗布し、未焼成の金属ペースト層6a−1を形成して、未焼成セラミックス基板1Aを製造した。
Example 1
The metal paste A is screen-printed so that the width of the dried and fired metal paste fired
(実施例2〜4)
実施例1の未焼成セラミックス基板1の製造において、未焼成金属ペースト層6aの設置位置、金属ペースト焼成層6の幅、及び金属ペーストの種類を表1に示すように変更して、未焼成金属ペースト層6a−2〜6a−3を有する未焼成セラミックス基板1Aを製造した(実施例2〜3)。
また、実施例1の未焼成セラミックス基板1の製造において、未焼成金属ペースト層6aの設置位置、金属ペースト焼成層6の幅、及び金属ペーストの種類を表1に示すように変更して未焼成金属ペースト層6a−4を形成し、更にその上にオーバーコート層用ガラスペーストを塗布して未焼成セラミックス基板1Aを製造した(実施例4)。
(Examples 2 to 4)
In the production of the unfired ceramic substrate 1 of Example 1, the installation position of the unfired
Further, in the production of the unfired ceramic substrate 1 of Example 1, the installation position of the unfired
(比較例1)
導体ペースト層付き本体用グリーンシート2Aのいずれの面にも未焼成金属ペースト層6aを形成しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、未焼成セラミックス基板1Aを製造した(比較例1)。
(Comparative Example 1)
An unfired
(参考例1)
導体ペースト層付き本体用グリーンシート2Aの表裏両面に、乾燥、焼成後の金属ペースト焼成層6の幅が2mmとなるように金属ペーストBを印刷して未焼成金属ペースト層6a−5を形成したこと以外は、実施例1と同様にして未焼成セラミックス基板1Aを製造した(参考例1)。
(Reference Example 1)
An unfired
上記で得られた未焼成セラミックス基板1Aを、550℃で5時間保持して脱脂を行い、さらに870℃で30分間保持して焼成を行ってセラミックス基板1を製造した。この際、実施例1〜4、比較例1、及び参考例1で用いた各金属ペーストの焼結温度は、それぞれ表1に示す温度であった。
The non-fired
次に、各実施例1〜4、比較例1、及び参考例1のセラミックス基板1について、各配線基板領域における変形量を測定した。具体的には、焼成後の連結配線基板3について、中央領域の幅(図1中B位置の幅)と、端部領域の幅(図1中A位置又はC位置の幅)とを測定し、その差を変形量(μm)とした。結果を表1にまとめて示す。
Next, the deformation amount in each wiring board region was measured for each of the ceramic substrates 1 of Examples 1 to 4, Comparative Example 1, and Reference Example 1. Specifically, for the
表1から明らかなように、基板本体2より低温で焼結する金属ペーストを用いて金属ペースト焼成層6を形成した実施例1〜4のセラミックス基板1は、焼成後の各連結配線基板3において、中央領域(図1中B位置)の幅と端部領域(図1中A位置又はC位置)の幅の差が0.1%未満に抑えられており、中央領域(図1中B位置)の膨らみが殆どなく、端部領域(図1中A位置又はC位置)の収縮が抑えられていることが認められた。
As is apparent from Table 1, the ceramic substrates 1 of Examples 1 to 4 in which the metal paste fired
(実施例5)
上記した実施例1〜4は、本体用グリーンシート2Aの一方の側縁部から対向側の側縁部にかけて、各連結配線基板3間の余白領域4内に、各1本ずつ未焼成金属ペースト層6a−1〜6a−4を設けて未焼成セラミックス基板1Aを成形した。
これに対し、実施例5では、図5に示すように、導体ペースト層付き本体用グリーンシート2Aの表裏両面の余白領域4内に、各連結配線基板3を囲むように、金属ペーストAをスクリーン印刷法によって塗布し、それ以外の条件は実施例1と同様にして、未焼成金属ペースト層6a−6を有する未焼成セラミックス基板1Aを製造した(実施例5)。
このようにして得られた未焼成セラミックス基板1Aを、550℃で5時間保持して脱脂を行い、さらに870℃で30分間保持して焼成を行ってセラミックス基板1を製造した。この際、実施例5で用いた金属ペーストAの焼結温度は、650℃であった。
(Example 5)
In the first to fourth embodiments described above, one unfired metal paste is provided in each
On the other hand, in Example 5, as shown in FIG. 5, the metal paste A is screened so as to surround each
The unfired
実施例5で得られたセラミックス基板1の各配線基板領域における変形量を、実施例1〜4と同様にして測定した。
実施例5のセラミックス基板1の変形量は、実施例1のセラミックス基板1の変形量と同等であり、中央領域(図1中B位置)の幅と端部領域(図1中A位置又はC位置)の幅の差が0.1%未満に抑えられており、中央領域(図1中B位置)の膨らみが殆どなく、端部領域(図1中A位置又はC位置)の収縮が抑えられていることが認められた。
The amount of deformation in each wiring board region of the ceramic substrate 1 obtained in Example 5 was measured in the same manner as in Examples 1 to 4.
The amount of deformation of the ceramic substrate 1 of Example 5 is equivalent to the amount of deformation of the ceramic substrate 1 of Example 1, and the width of the central region (position B in FIG. 1) and the end region (position A or C in FIG. 1). Position) width difference is suppressed to less than 0.1%, there is almost no swelling of the central region (position B in FIG. 1), and shrinkage of the end region (position A or position C in FIG. 1) is suppressed. It was recognized that
1…セラミックス基板、1A…未焼成セラミックス基板、2…基板本体、2A…ガラスセラミックス組成物の成形体、3…連結配線基板(製品領域)、4…余白領域、5…配線基板領域、6…金属ペースト焼成層、6a…金属ペースト層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic substrate, 1A ... Unbaked ceramic substrate, 2 ... Substrate body, 2A ... Molded body of glass ceramic composition, 3 ... Connection wiring board (product area), 4 ... Blank area, 5 ... Wiring board area, 6 ... Metal paste fired layer, 6a ... Metal paste layer
Claims (7)
この基板本体の表面または内層に形成され、前記ガラスセラミックス組成物の焼結温度より低い焼結温度を有する金属(合金を含む。以下同じ。) ペーストを焼結してなる焼成層と、を有する
ことを特徴とするセラミックス基板。 A substrate body formed by sintering a molded body of a glass ceramic composition containing a glass powder and a ceramic filler;
A fired layer formed on the surface or inner layer of the substrate body and having a sintering temperature lower than the sintering temperature of the glass ceramic composition (including an alloy; the same shall apply hereinafter) paste. A ceramic substrate characterized by that.
前記グリーンシートを積層する工程と、
前記積層したグリーンシートを焼成する工程と、を有する
ことを特徴とするセラミックス基板の製造方法。 Applying a metal paste having a sintering temperature lower than the sintering temperature of the green sheet on at least one green sheet surface to form a metal paste fired layer;
Laminating the green sheets;
Firing the laminated green sheets. A method for producing a ceramic substrate, comprising:
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