JP2013182276A

JP2013182276A - プラガブル光トランシーバ

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Publication number: JP2013182276A
Application number: JP2013040434A
Authority: JP
Inventors: Wei Hung; 偉洪; Gillen Gamebore Francis; ギレンガンボアフランシス; Tim Hoi Siu; 天▲凱▼ 蕭; Tak Kit Tong; ▲徳▼杰唐
Original assignee: SAE Magnetics HK Ltd
Current assignee: SAE Magnetics HK Ltd
Priority date: 2012-03-02
Filing date: 2013-03-01
Publication date: 2013-09-12
Anticipated expiration: 2033-03-01
Also published as: US8807846B2; CN103293607A; CN103293607B; JP6174338B2; US20130230278A1

Abstract

【課題】簡易構造で、組み立ての容易なプラガブル光トランシーバを提供する。
【解決手段】プラガブル光トランシーバは、上側ハウジング11と、下側ハウジング12と、上側ハウジング11及び下側ハウジング12によって囲まれた光−電気アセンブリ10と、を備える。光−電気アセンブリ10は、基板と基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、基板上に配置されたインタフェース集積回路と、基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、光結合システムと、を備える。光結合システムは、外側ブラガブル光インタフェースと、基板上に固定して搭載された光結合素子と、外側プラガブル光インタフェース及び光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備える。
【選択図】図２

Description

本願発明は、電気的及び光学的な通信技術にかかり、特に、簡易構造であり、組み立ての容易なプラガブル光トランシーバに関する。

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１２年３月２日の米国仮特許出願Ｎｏ．６１／６０５，７７５の優先権主張の利益を享受するものであり、当該出願に記載された内容は、本明細書に含まれるものとする。

プラガブル光トランシーバは、データセンタ内において個別の筺体に配置されたルータ、ベースバンドネットワーク装置及びコンピュータプロセッサを接続し、データセンタ、携帯基地局及び高性能コンピュータアプリケーション内において、高速な相互接続を実現するために不可欠な構成要素である。データセンタ内における典型的な伝送距離は、約３００ｍである。

この種のアプリケーションでは、相互接続で伝送される高速データ（１０Ｇｂ／ｓ以上）は、一般に、トランシーバ内で８５０ｎｍの波長を発し、マルチモード光ファイバで伝送する垂直共振器面発光レーザ（VCSEL）に基づくトランスミッタにより、光信号に変換される。そして、リンクの反対側で、信号は、他のトランシーバのレシーバ部分により電気信号に戻されるよう変換される。

モバイルデータの使用、クラウドコンピューティング及び大規模データアプリケーションの指数関数的な増加により、ネットワーク設備および高機能コンピュータ機器の需要が増加しており、このことは、さらに高速な光相互接続の需要を押し上げる。したがって、上述したような光相互接続を実現する低コストの光トランシーバの必要性が増加している。

データセンタで使用される光トランシーバは、電源関係の仕様を共通化するマルチソースアグリーメント（ＭＳＡ）の規格に従う。スモールフォームファクタプラガブル（ＳＦＰ）は、その規格の１つである。従来のＳＦＰ／ＳＦＰ＋規格のトランシーバでは、レーザおよびフォトダイオード（ＰＤ）は、トランスミッタ及びレシーバオプティカルサブアセンブリ（ＯＳＡ）を形成する金属パッケージの中に別々にパッケージにされる。外部ファイバとの光信号の接続に必要なＯＳＡにおける光学部品は、手動によりＯＳＡ内にレーザ及びフォトダイオードと共に位置決めされる。これらの組立部品は、その後、レーザドライバ集積回路（ＩＣ）、レシーバＩＣ及びマイクロコントローラを搭載したプリント基板（ＰＢＣ）上にハンダ接合される。この組み立て品は、その後、最終的な製品となるよう、ＳＦＰに準拠するハウジング内に取り付けられる。

上述したトランシーバのデザインは、多くの構成要素と複雑な組立工程を要求しているため、トランシーバのコストを押し上げている。

本発明の一形態であるプラガブル光トランシーバは、
上側ハウジングと、下側ハウジングと、前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、を備える。
前記光−電気アセンブリは、基板と、少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、光結合システムと、を備える。
前記光結合システムは、外側ブラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備える。
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第１の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第２の光信号を結合するよう構成される。
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第１の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第２の光信号を結合するよう構成される。
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第１の光信号を結合し、受信ファイバから前記第２の光信号を結合するよう構成される。

前記導光構造は、複数の反射面を備えていてもよい。前記外側プラガブル光インタフェースは、送信ポート及び受信ポートを備えていてもよい。前記反射面は、前記第１の光信号を前記送信ポートに結合させ、前記受信ポートから前記第２の光信号を結合させるよう構成されていてもよい。

前記送信オプトエレクトロニクス部品は、VCSELであってもよい。前記受信オプトエレクトロニクス部品は、フォトダイオードであってもよい。前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品とは、１ｍｍ未満の間隔で前記基板に搭載されていてもよい。

前記インタフェース集積回路は、送信ドライバ回路と受信回路とを備えていてもよい。前記送信ドライバ回路は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と電気的に接続され、１ｍｍ未満の間隔で前記送信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置されていてもよい。前記レシーバ回路は、前記受信オプトエレクトロニクス部品に電気的に接続され、１ｍｍ未満の間隔で前記受信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置されていてもよい。前記送信ドライバ回路と前記レシーバ回路とは、一つのチップに集積されていてもよい。

前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、前記基板上に配置された前記VCSELと前記フォトダイオードとの間隔より大きく形成されていてもよい。前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、ＳＦＰ／ＳＦＰ+ ＭＡＳ規格に準拠するよう形成されていてもよい。

前記光結合素子は、前記基板上に接合され、前記送信オプトエレクトロニクス部品と、前記受信オプトエレクトロニクス部品と、前記インタフェース集積回路と、を収容する空洞部を有していてもよい。

前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とを光学的に接続する一対のジャンパーファイバを備えてもよい。前記一対のジャンパーファイバは、送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを備えてもよい。前記ジャンパーファイバは、前記送信オプトエレクトロニクス部品からの光信号を直接結合するために約９０度曲げられていてもよい。

前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと光学的に接続されるフレキシブル導波路基板を備えてもよい。
前記導光構造は、さらに、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品との間隔を合わせるために前記ジャンパーファイバの位置を機械的に固定するジャンパープラグを備えてもよい。前記ジャンパーファイバは、前記ジャンパープラグの端面で終端してもよい。

前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、金属製であってもよい。
また、プラガブル光トランシーバは、さらに、上側金属シールドと、下側金属シールドと、を備えていてもよい。前記上側金属シールドと前記下側金属シールドとは、前記光結合素子と前記基板とを囲うよう構成されていてもよい。前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、非伝導性の成形可能材料で形成されていてもよい。

前記光結合システムは、一つのモールド成形された光素子により構成されていてもよい。
前記光結合素子は、さらに、前記基板に固定されるラッチ要素を備えていてもよい。
前記ジャンパープラグは、前記光結合素子と分離可能なよう嵌め合わされてもよい。
前記ラッチ要素は、前記ジャンパープラグが前記光結合素子から外れることを防ぐように構成されていてもよい。

本発明の他の形態であるスモールフォームファクタプラガブル光トランシーバは、
上側ハウジングと、下側ハウジングと、前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、を備える。
前記光−電気アセンブリは、基板と、少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、外側ブラガブル光インタフェース、前記基板上に固定して搭載された光結合素子、及び、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造を備えた光結合システムと、を備える。
前記光結合システムは、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記外側プラガブル光インタフェースに第１の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースで受信した第２の光信号を前記受信オプトエレクトロニクス部品に導くよう構成される。
前記光結合素子は、前記基板上に接合され、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品と前記インタフェース集積回路とを収容する空洞部を有する。
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、金属製である。

前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とを光学的に接続する一対のジャンパーファイバを備えていてもよい。前記一対のジャンパーファイバは、送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを備えていてもよい。

本発明の他の形態であるプラガブル光トランシーバは、上側ハウジングと、下側ハウジングと、前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、を備える。
前記光−電気アセンブリは、基板と、少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、外側ブラガブル光インタフェース、前記基板上に固定して搭載された光結合素子、及び、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とに光学的に接続される導光構造を備えた光結合システムと、を備える。
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第１の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第２の光信号を結合するよう構成される。
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第１の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第２の光信号を結合するよう構成される。
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第１の光信号を結合し、受信ファイバから前記第２の光信号を結合するよう構成される。
前記インタフェース集積回路は、送信ドライバ回路と受信回路とを備えている。
前記送信ドライバ回路は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と電気的に接続され、１ｍｍ未満の間隔で前記送信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される。
前記レシーバ回路は、前記受信オプトエレクトロニクス部品に電気的に接続され、１ｍｍ未満の間隔で前記受信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される。
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと光学的に接続されるフレキシブル導波路基板を備える。

本願発明の一実施形態におけるスモールフォームファクタプラガブル（ＳＦＰ）モジュールの正面および背面の斜視図である。図１に開示したＳＦＰモジュールの分解図である。図１に開示したＳＦＰモジュールの光−電気（ＯＥ）アセンブリの分解図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールの個別にドライバとレシーバＩＣが配置された基板を示す。図３に開示したモールド成形された光素子で形成された光結合システムの光路を示す。図３に開示したＯＥアセンブリに形成されたモールド成形の光素子（光結合システム）の上面図、下面図、断面図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリの斜視図である。図７に開示したＯＥアセンブリの上面図である。図８に開示した外側プラガブル光インタフェースと導光構造を除いた、図７に示すＯＥアセンブリの分解図である。図８に開示した外側プラガブル光インタフェースと導光構造の分解図である。ＳＦＰモジュールに組み立てられた後の図８に示す外側プラガブル光インタフェース及び導光構造の底面斜視図である。図７に開示したＳＦＰモジュールの光結合素子における光路を示す断面図である。図７に開示したＳＦＰモジュールの外側プラガブルインタフェースにおける光路を示す断面図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリの斜視図である。図１４に開示したＯＥアセンブリの上面図である。図１４に開示したＯＥアセンブリのジャンパー導波路を備えたフロント光ポートの分解図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリの斜視図である。図１７に開示したＯＥアセンブリにおけるフロントレンズブロックを備えたプラガブルジャンパーアセンブリの分解図である。図１７に開示したＯＥアセンブに組み立てられるプラガブルジャンパーアセンブリ及びリアレンズブロックの分解図である。図１７に開示したＯＥアセンブリに組み立てられるプラガブルジャンパーアセンブリ及びリアレンズブロックの他の分解図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリの斜視図である。図２１で開示したＯＥアセンブリにおける光結合を示す断面図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールの分解図である。図２３に開示したＳＦＰモジュールにおける金属シールドを備えたＯＥアセンブリの分解図である。図２３に開示したＳＦＰモジュールにおける下側金属シールドに配置されたＯＥアセンブリの上面図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールの個々に分離したフロントレンズブロックの上面図と仮面図である。本願発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールにラッチされていない位置にあるＯＥアセンブリの斜視図である。ラッチされた位置にある図２７Ａに開示したＯＥアセンブリの斜視図である。図２７Ａに開示したＯＥアセンブリにおけるジャンパーアセンブリの斜視図を示す。図２７Ａに開示したＯＥアセンブリにおけるＰＣＢ上に組み付けられるリアレンズブロック及びラッチ要素の分解図である。図２７Ａに開示したＯＥアセンブリにおけるＰＣＢ上に組み付けられた後のリアレンズブロック及びラッチ要素の斜視図を示す。図２７Ａに開示した実施形態における下側トランシーバハウジングに配置されたＯＥアセンブリの斜視図である。図２７Ａに開示した実施形態における下側トランシーバハウジングに配置されたＯＥアセンブリの上面図である。図２７Ａに開示した実施形態における下側トランシーバハウジングに配置されたＯＥアセンブリの断面図である。図２７Ａに開示した実施形態における外側プラガブルインタフェースを示す断面図である。

以下では、本特許出願におけるプラガブル光トランシーバの最良の実施形態及び実施例の詳細を説明する。本願のプラガブル光トランシーバの一例を詳細に説明するが、当業者にとって明らかな内容であり、プラガブル光トランシーバを理解する上で特に重要でない構成については、本願発明の明瞭化のため、その記載を省略する。

さらに、本願で説明するプラガブル光トランシーバは、以下で説明する詳細な実施例の構成に限定されるものではなく、本願の保護範囲から逸脱しない技術で、当業者によって様々な変更や改良をすることができる。例えば、各実施形態で示される異なる要素及び／又は機構は、本願の開示の範囲内において、相互に組み合わせられたり、置き換えることが可能である。

図１は、本願の実施形態におけるスモールフォームファクタプラガブル（ＳＦＰ）モジュールの正面及び背面斜視図を示す。本実施形態におけるＳＦＰモジュールは、タイプ１デザインとも呼ばれる。図１では、正面側に位置するプラガブル光インタフェース１（さらに、図３に示す）、および、後方側に位置するプラガブル電気インタフェース２が示される。

図２は、図１で示したＳＦＰモジュールの分解図である。図２を参照すると、ＳＦＰモジュールは、上側金属ハウジング１１と、下側金属ハウジング１２と、光−電気（ＯＥ）アセンブリ１０と、を含んでいる。

図３は、図２に開示したＳＦＰモジュールにおける光−電気アセンブリの分解図である。図３を参照すると、光源１３３、ＰＤ１３４、及び、ドライバとレシーバが一体化されたＩＣ１３５が、ＯＥアセンブリ１０を形成するために、基板１３１上に互いに近接して接合される。光源とＰＤの間の距離は、基本的に１ｍｍ未満である。光源（又はＰＤ）からＩＣ１３５までの間の距離は、基本的に１ｍｍ未満である。

ＩＣ１３５は、基板１３１の他端に配置されたプラガブル電気インタフェース２と、上述したＯＥアセンブリ１０と、に電気的に接続させる。基板１３１、光源１３３、ＰＤ１３４、ドライバおよびレシーバが一体化されたＩＣ１３５、及び、プラガブル電気インタフェース２に加えて、ＯＥアセンブリ１０はさらに、光結合システムを含む。この光結合システムについての詳細は後述する。光結合システムは、基板１３１上に固定して搭載され、一つのモールド成形された光素子１３２として形成される。

他のアクティブ及びパッシブな電気部品は必要とされてもよく、基板１３１の他の領域に配置することができる。他の実施形態では、図４に示すように、ドライバとレシーバとが分離されたＩＣ群１３５１が、基板１３１１上に搭載されてもよい。

本実施形態では、後述する実施形態と同様に、光結合システムは、光源から発せられる第１の光信号をプラガブル光インタフェースへ接続し、プラガブル光インタフェースで受光された第２の光信号をフォトダイオード（ＰＤ）へ導くように構成される。

さらに、本実施形態における光源１３３は、VCSEL（垂直共振器面発光レーザ）でもよく、他のタイプの送信オプトエレクトロニクス部品であってもよい。本実施形態におけるＰＤ１３４は、他のタイプの受信オプトエレクトロニクス部品であってもよい。ドライバ及びレシーバが一体化されたＩＣ１３５は、他のタイプのインタフェース集積回路であってもよい。

図５は、図３における光素子１３２内に形成された光結合システムの光路を示す。図５を参照すると、光デバイス１４０によって発せられた光は、まず、光を平行にする第一レンズ面１４１を通過する。光線は、その後、第一及び第二の反射面１４２，１４３によって導光され、プラガブル光インタフェース１の送信ポートを通過してファイバ接続用の外部エリアに到達する前に、第二レンズ面１４４によって再びフォーカスされる。

反射面１４２，１４３は、全反射またはミラーコーティングにより実現される。図６は、モールド成形された光素子１３２（光結合システム）の上面図、下面図及び断面図を示す。プラガブル光インタフェース１の受信ポートから受けた光は、基本的には上述した光路とは逆となる、つまり、複数の反射面によって通過された後にＰＤ１３４に到達する、ことがわかる。

本実施形態では、光結合システムは、外側プラガブル光インタフェース（図１及び図３における符号１）と、基板（１３１）上に固定して搭載された光結合素子（図６の符号１４１）と、外側プラガブル光インタフェースおよび光結合素子を光学的に接続する導光構造（符号１４２，１４３及び１４４）と、を含む。

光結合素子は、送信オプトエレクトロニクス部品から導光構造に第１の光信号を結合し、導光構造から受信オプトエレクトロニクス部品に第２の光信号を結合するように構成される。導光構造は、外側プラガブル光インタフェースに第１の光信号を結合し、外側プラガブル光インタフェースから第２の光信号を結合するように構成される。外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに第１の光信号を結合し、受信光ファイバから第２の光信号を結合するように構成される。

図７は、本願の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリを示す斜視図である。本実施形態におけるＳＦＰモジュールは、タイプ２デザインと呼ばれる。図８は、図７に開示したＯＥアセンブリの上面図である。

図７及び図８を参照すると、ＯＥアセンブリは、フロントレンズブロック２０１と、リアレンズブロック２０３と、を含む。フロントレンズブロック２０１は、外部ファイバ用のプラガブル光ポート（つまり、外側プラガブル光インタフェース）としての役割を果たす。リアレンズブロック２０３は、基板２０４上に接合され、図９に示すように、レーザ２０６、ＰＤ２０７、ＩＣ２０８に対応する空洞部を有している。図９は、図８における外側プラガブル光インタフェース２０１と導光構造２０５とを除いた、図７におけるＯＥアセンブリを示す分解図である。これらの部品は、基板２０４上の導電トレースを伝送する電気信号の伝送距離を最小化するために、基板２０４の後端の近くに配置される。

図８を参照すると、フロントレンズブロック２０１は、導光構造２０５を通ってリアレンズブロック２０３に光学的に接続される。導光構造２０５は、一対のジャンパーファイバ、または、あらゆる形状の光導波路（他の実施形態で詳細は後述する）を含み、本実施形態におけるＯＥアセンブリの光結合システムの一部として構成されている。一対のジャンパーファイバの組は、送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを含む。支持構造２０２は、フロントレンズブロック２０１とリアレンズブロック２０３の間に配置され、導光構造２０５を機械的に支持するように構成される。

図１０は、図８で開示した外側プラガブル光インタフェース２０１と導光構造２０５の分解図である。図１０を参照すると、導光構造２０５は、支持構造２０２上の保護溝２１１内に配置される。支持構造２０２からのびる一対のスナップ構造２１０は、基板２０４上に導光構造２０５を固定する。レンズブロック２０３の結合構造２０９は、光結合を最大化するために、レンズブロック２０３のレンズに対する導光構造２０５の一端の光学的な位置合わせを容易にする。接着剤は、安定した光結合を保証するために、レンズブロック２０３上の導光構造２０５の一端を固定するために使用される。

図１１は、ＳＦＰモジュールに組み立てられた後の図８に開示した外側プラガブル光インタフェース２０１および導光構造２０５の底面斜視図である。図１２は、図７に開示したＳＦＰモジュールにおける光結合素子（図８の符号２０３）の光路を示す断面図である。図１３は、図７に開示したＳＦＰモジュールにおける外側プラガブルインタフェースの光路を示す断面図である。

図１２では、レーザ２０６から始まり、レンズブロック２０３を通過して導光構造２０５に至るまでの光路２１２を示す。導光構造２０５の他端は、接着剤でフロントレンズブロック２０１の裏側に固定される。図１３は、導光構造２０５の端部から始まり、フロントレンズブロック２０１を通過して外部ファイバコア２１４に至るまでの光路２１３を示す。

本実施形態における光結合システムは、外側プラガブル光インタフェース（図８の符号２０１）と、基板上に固定して搭載された光結合素子（図８の符号２０３）と、外側プラガブル光インタフェース及び光結合素子を光学的に接続する導光構造（図８の符号２０５）と、を含む。光結合素子は、送信オプトエレクトロニクス部品から導光構造へ第１の光信号を結合し、導光構造から受信オプトエレクトロニクス部品へ第２の光信号を結合するよう構成される。導光構造は、外部プラガブル光インタフェースへ第１の光信号を結合すると共に、外部プラガブル光インタフェースから第２の光信号を結合するように構成される。外部プラガブル光インタフェースは、外部の送信光ファイバに第１の光信号を結合すると共に、受信ファイバから第２の光信号を結合するよう構成される。

図１４は、本発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリを示す斜視図である。本実施形態におけるＳＦＰモジュールは、タイプ３デザインと呼ばれる。図１５は、図１４に開示したＯＥアセンブリの上面図である。図１６は、図１４に開示したＯＥアセンブリのジャンパー導波路を備えたフロント光ポートを示す分解組立図である。

図１４乃至１６を参照すると、タイプ３デザインはタイプ２デザインに類似する。主な違いは、フロントレンズブロック３０１（本実施形態では、プラガブル光インタフェース）とリアレンズ３０２とを光学的に接続する導光構造２０５が、本実施形態における光結合システムの一部に相当する、フレキシブル導波路基板（光導波路シート）３０４の一部に置き換えられていることである。送受信光経路の各々のためのフロントレンズブロック３０１とリアレンズブロック３０２との間で光信号を導くように構成される複数の導波路３０５が、導波路基板３０４に埋め込まれる。タイプ２デザインに類似しており、支持構造３０３は、導光構造３０４を機械的に支持するフロントレンズブロック３０１とリアレンズブロック３０２との間に配置される。

本実施形態における光結合システムは、外側プラガブル光インタフェース（図１５の符号３０１）と、基板上に固定して搭載された光結合素子（図１５の符号３０２）と、外側プラガブル光インタフェース及び光結合素子を光学的に接続する導光構造（図１５の符号３０４，３０５）と、を含む。光結合素子は、送信オプトエレクトロニクス部品から導光構造に第１の光信号を結合し、導光構造から受信オプトエレクトロニクス部品へ第２の光信号を結合するように構成される。導光構造は、外側プラガブル光インタフェースへ第１の光信号を結合し、外側プラガブル光インタフェースから第２の光信号を結合するよう構成される。外側プラガブル光インタフェースは、外部の送信光ファイバに第１の光信号を結合し、受信ファイバから第２の光信号を結合するよう構成される。

図１７は、本願の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリを示す斜視図である。図１８は、図１７に開示したＯＥアセンブリにおけるフロントレンズブロック４０１を備えたプラガブルジャンパーアセンブリ４１を示す分解図である。図１９は、図１７に開示したＯＥアセンブリで組み立てられるプラガブルジャンパーアセンブリ４１およびリアレンズブロック４０５を示す分解図である。図２０は、図１７に開示したＯＥアセンブリで組み立てられるプラガブルジャンパーアセンブリ４１及びリアレンズブロック４０５を示す別の方向から見た図である。

本実施形態におけるＳＦＰモジュールは、タイプ４デザインと呼ばれる。図１７乃至図２０を参照すると、このタイプのデザインは、プラガブルジャンパーアセンブリ４１を備える。プラガブルジャンパーアセンブリ４１は、フロントレンズブロック４０１（本実施形態では、外側プラガブル光インタフェース）と、ジャンパーファイバ４０４と、ファイバ支持構造４０３と、本実施形態の送信オプトエレクトロニクス部品および受信オプトエレクトロニクス部品の高さを合わせるためにジャンパーファイバ４０４の位置を機械的に固定するために構成されたリアジャンパープラグ４０６と、を含む。

符号４０３，４０４及び４０６のアセンブリは、本実施形態における導光構造を形成する。送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを含むジャンパーファイバ４０４は、リアジャンパープラグ４０６の端面にあるファイバ終端穴４０７１で終端する。リアジャンパープラグ４０６は、光信号を結合するために、リアレンズブロック４０５と嵌め合わされる。

ジャンパープラグ４０６上の位置調整構造４０７は、ファイバ終端穴４０７１に関して正確に位置決めされており、良好な位置決めを保証するために、リアレンズブロック４０５上の対応する突出位置決め構造４０８と結合するよう構成されている。一旦、ジャンパープラグ４０６がリアレンズブロック４０５に嵌め合うと、ジャンパーファイバ４０４の端面は、リアレンズブロック４０５上のレンズ素子４０８１に正確に位置決めされる。

ファイバ支持構造４０３上のラッチ構造４０３１は、ジャンパープラグ４０６がリアレンズブロック４０５から外れることを防ぐ。タイプ３デザインに類似しているため、ジャンパーファイバ４０４は、フレキシブル光導波路に置き換えることができる。

本実施形態における光結合システムは、外側プラガブル光インタフェース（図１８の符号４０１）と、基板に固定して搭載された光結合素子（図２０の符号４０５）と、外側プラガブル光インタフェースおよび光結合素子を光学的に接続する導光構造（図１８の符号４０３，４０４，４０６）と、を含む。

光結合素子は、送信オプトエレクトロニクス部品から導光構造に第１の光信号を結合し、導光構造から受信オプトエレクトロニクス部品へ第２の光信号を結合するよう構成される。導光構造は、外側プラガブル光インタフェースへ第１の光信号を結合し、外部プラガブル光インタフェースから第２の光信号を結合するよう構成される。外側プラガブル光インタフェースは、外部の送信光ファイバに第１の光信号を結合し、受信ファイバから第２の光信号を結合するように構成される。

図２１は、本発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのＯＥアセンブリを示す斜視図である。図２２は、図２１に開示したＯＥアセンブリの光結合を示す断面図である。本実施形態におけるＳＦＰモジュールは、タイプ５デザインと呼ばれる。

図２１，２２を参照すると、このタイプ５デザインは、リアレンズブロック５０１（本実施形態における光結合素子として）が、図２２で示される異なる光学デザインであることを特徴としている点を除いて、タイプ２デザインに類似している。導光構造５０２（基本的に、本実施形態におけるジャンパーファイバ）は、光源５０３から直接光信号を結合するために、約９０度曲げられている。

上述した実施形態では、タイプ１−５デザインは、製品のＥＭＩ規格を保証するためにＯＥアセンブリを囲む金属ハウジングを使用する必要がある。以下の代替デザインでは、上側と下側のハウジングとして、より低コストである非伝導性のモールド成形可能な材料を使用したＳＦＰ／ＳＦＰ＋トランシーバを示す。

図２３は、本発明の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールを示す分解図である。図２４は、図２３に開示したＳＦＰモジュールの金属シールドを備えたＯＥアセンブリを示す分解図である。図２５は、図２３に開示したＳＦＰモジュールのより下側に金属シールドを配置したＯＥアセンブリの上面図である。本実施形態におけるＳＦＰモジュールは、タイプ６デザインと呼ばれる。

図２３−２５を参照すると、トランシーバモジュールは、上側プラスチックハウジング６０１と、下側プラスチックハウジング６０２と、回路基板６１２およびリアレンズブロック６１１（本実施形態における光結合素子として）を備えており上側金属シールド６０４と下側金属シールド６０７とによって囲まれた中央ＯＥアセンブリ６０３と、を含む。サーマルパッド６０６は、基板の放熱を促進するよう、下側金属シールド６０７に熱的に接触させる。

タイプ２デザインに類似しているので、光信号は、基板上の光学部品間で、構造６０９によって機械的に支持されている導光構造６０１（本実施形態における光結合システムの一部として）を通過して、フロントレンズブロック６０８（本実施形態では、外側プラガブル光インタフェース）へ送信される。ＥＭＩ保護が金属シールド６０４及び６０７によってサポートされるため、外側ハウジングを、モジュールのＥＭＩ性能を下げることなく、非伝導性の成形可能材料で形成することができる。

上述したタイプ２−６デザインについては、フロントレンズブロックは１つの単一成形品である。代わりに、図２６に示すように、フロントレンズブロックは、それぞれ１つの光ポートを含む複数の個別の部品で構成することができる。

図２７Ａは、本願の他の実施形態におけるＳＦＰモジュールのラッチされていない位置のＯＥアセンブリを示す斜視図である。図２７Ｂは、ラッチされた位置における図２７Ａで開示したＯＥアセンブリを示す斜視図である。図２８は、図２７ＡにおけるＯＥアセンブリのジャンパーアセンブリを示す斜視図を示す。図２９は、図２７Ａで開示したＯＥアセンブリのＰＣＢ上で組み立てられるリアレンズブロック及びラッチ要素を示す分解組立図である。図３０は、図２７Ａに開示したＯＥアセンブリのＰＣＢ上で組み立てられた後のリアレンズブロック及びラッチ要素を示す斜視図である。本実施形態におけるＳＦＰモジュールは、タイプ７デザインと呼ばれる。

このタイプは、リアジャンパープラグ７０４が、離脱を防ぐためにラッチ要素７０６によってリアレンズブロック７０７に保持される、ということを除いて、タイプ４デザインに類似している。ラッチ要素７０６は、基板に固定される。

図２７Ａ−３０を参照すると、ＯＥエンジンデザインのこのタイプは、取り外し可能なファイバジャンパーアセンブリ７１を含む。ジャンパーアセンブリ７１は、フロント光ポート７１ａと、ジャンパーファイバ７０３と、リアジャンパープラグ７０４と、を含む。符号７０３及び７０４のアセンブリは、本実施形態における導光構造を形成している。ジャンパープラグ７０４は、正確に位置合わせさせる機構７０４ａと、ジャンパーファイバが終端するファイバガイドホール７０４ｂと、を含む。

上述した実施形態に類似して、リアレンズブロック７０７は、レーザ／ＰＤチップ７０９を覆い、トランシーバＩＣ７０８はＰＣＢ７０２上に組み立てられる。本実施形態では、ジャンパープラグ７０４は、光結合素子、より具体的にはレンズブロック７０７に取り外し可能なよう取り付けられる。一旦、ジャンパープラグ７０４がレンズブロック７０７に取り付けられると、一対のラッチアーム７０６ａを備えるラッチ要素７０６は、２つの部品がお互いに離れることを防ぐように構成されている。ラッチ要素７０６は、金属板を用いて形成される。

このようにすることで、ラッチ要素は、ＥＭＩシールドと、モジュールの環境上の堅牢性を向上させる熱拡散の追加機能を提供することができる。嵌め合わさった位置において、ジャンパープラグ７０４の位置合わせ構造７０４ａは、ファイバガイドホール７０４ｂでファイバの終結を保証するリアレンズブロック７０７のレンズ要素７０７ｂと共に配置された対応する位置合わせ構造７０７ａと結合する。その結果、光路は、図１２に示すものと同様に、レーザ／ＰＤチップ７０９と光ファイバ７０３の間で形成される。なお、本実施形態における光結合素子は、ラッチ要素７０６とレンズブロック７０７とを含む。

ファイバジャンパーアセンブリ７１のフロント光ポート７１ａ（本実施形態の外側ブラガブル光インタフェース）は、中心にそれぞれ位置決め通路７０１ｃ（図３２を参照）を有する一対のアライメントスリーブ７０１で構成される。光ファイバ７０３は、中心にプレシジョンアライメントホール７０１ｂ（図３３を参照）を通過させ、アライメントフェルール７０１ａの端面７０１ｄ（図３２を参照）で終端される。フェルールは、アライメントスリーブ７０１へ挿入され、位置決め通路７０１ｃ内に位置するフェルール端面７０１ｄと共に固定される。

図３１Ａは、図２７Ａで開示した本実施形態における下側トランシーバハウジングに配置されたＯＥアセンブリを示す斜視図である。図３１Ｂは、図２７Ａに開示した本実施形態における下側トランシーバハウジングに配置されたＯＥアセンブリを示す上面図である。図３２は、図２７Ａに開示した本実施形態における下側トランシーバハウジングに配置されたＯＥアセンブリを示す断面図である。図３１Ａ−３２では、下側トランシーバハウジング７１０内に配置された、組み立てられたＯＥアセンブリ７２を示す。図をわかりやすくするために、上側トランシーバハウジングは図示していない。２つの光ポート７０１の間隔は、下側トランシーバハウジングの機械的構造とSFP/SFP+MSA規格に応じて維持される。

図３３は、図２７Ａに開示した本実施形態における外側プラガブルインタフェースを示す断面図である。図３３は、対応する外部プラグがトランシーバに連結される際におけるジャンパーファイバと外部ファイバケーブルとの間の光路の連結を示す。この場合、アライメントスリーブ７０１のアライメント通路７０１ｃに挿入された外側フェルール７１１ａは、端面７０１ｄで止められる。この位置では、外部ファイバ７１１ｂのファイバ端面は、アライメントフェルール７０１ａ内のジャンパーファイバ７０３と近接し、正確に位置決めされる。このように、光信号は、さらなる光を必要とせず、最小損失で、ジャンパーファイバと外部ファイバとの間で直接突き合わされて結合される。

上述した実施形態におけるＳＦＰ／ＳＦＰ＋モジュールでは、レーザ、フォトダイオード（ＰＤ）、及び、ドライバとレシーバに相当するＩＣは、ＰＣＢ上で直接組み付けられる。レーザのドライバとレシーバＩＣは、対応する光部品に近い位置に配置される。光部品は、お互いに正確に位置合わせされる。プラガブル光インタフェースの間隔は、光部品の間隔とは異なる。光結合システムは、送信ポートへ光信号を送信するよう導き、受信ファイバからＰＤで光信号を受信するよう導くために使用される。

上述した実施形態では、プラガブル光トランシーバは、一端にプラガブル光インタフェース、他端にプラガブル電気インタフェースを有するハウジングを含む。プラガブル光インタフェースは、少なくとも１つの送信ポート及び１つの受信ポートを有する。プラガブル電気インタフェースは、ハウジング内部に配置された回路基板を延長して形成される。

少なくとも１つの光の光源と、少なくとも１つのフォトダイオード（ＰＤ）とは、基板上に直接搭載される。光源とＰＤは、互いに近接して配置されている（望ましくは、１ｍｍ未満の距離）。構成要素の間隔は、高精度な結合技術を用いて、正確に維持される。送信ドライバ回路は、光源に近接し（望ましくは、１ｍｍ未満の距離）、光源と電気的に接続される。レシーバ集積回路は、ＰＤに近接し（望ましくは、１ｍｍ未満の距離）、ＰＤと電気的に接続される。ドライバ回路とレシーバ回路は、１つのシングルチップに統合することができる。空洞部を有して形成された光素子は基板上に接合される。空洞部は、基板上の光源、ＰＤ及びＩＣを囲む。

光結合システムは、光源から送信ポートに送信された光信号を結合し、受信ポートからＰＤへ受信された光信号を導くよう成形された光素子と共に構成される。上述したように構成された光結合システムは、上述した光素子の一部と見なすことができる。送信ポートおよび受信ポートの間隔は、光システムの光部品の間隔とは異なる。つまり、光部品の間隔より、送信ポートおよび受信ポートの間隔の方が大きくなる。送信ポートおよび受信ポートの間隔は、ＳＦＰ／ＳＦＰ＋
ＭＳＡ規格に従う。トランシーバの物理的なサイズは、ＳＦＰ／ＳＦＰ＋
ＭＳＡ規格に従う。

上述した実施形態におけるプラガブル光トランシーバでは、オプトエレクトロニクス部品（レーザとフォトダイオード）および光結合部品は、ＰＣＢボード上に直接配置される。レーザとフォトダイオードは、レーザドライバ及びレシーバＩＣと同様に互いに近接して配置される。この配置により、オプトエレクトロニクス部品とＩＣの間で送信される電気信号の完全性を、容易に維持している。さらに、光結合部品及びオプトエレクトロニクス部品の位置合わせプロセスは、従来の高価で複雑な位置合わせプロセスを排除して、単純な１ステップで行うことができる。

上述した実施形態におけるプラガブル光トランシーバは、従来のスモールフォームファクタプラガブル（ＳＦＰ）トランシーバと比較して、より簡易なトランシーバ構造と、より少ない必要構成と、より低いアセンブリ複雑さと、より低い全体コストと、の利点を有する。

本願発明を多くの実施形態を参照して説明したが、本願発明は、現在の発明の範囲から逸脱せずに、様々な他の変更や改良を行うことができる。

Claims

上側ハウジングと、
下側ハウジングと、
前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、
を備えたプラガブル光トランシーバであって、
前記光−電気アセンブリは、
基板と、
少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、
少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、
前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、
前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、
外側ブラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備えた光結合システムと、を備え、
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第１の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第２の光信号を結合するよう構成され、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第１の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第２の光信号を結合するよう構成され、
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第１の光信号を結合し、受信ファイバから前記第２の光信号を結合するよう構成される、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、複数の反射面を備え、
前記外側プラガブル光インタフェースは、送信ポート及び受信ポートを備えており、
前記反射面は、前記第１の光信号を前記送信ポートに結合させ、前記受信ポートから前記第２の光信号を結合させるよう構成される、
プラガブル光トランシーバ。
請求項２に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記送信オプトエレクトロニクス部品は、VCSELであり、
前記受信オプトエレクトロニクス部品は、フォトダイオードであり、
前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品とは、１ｍｍ未満の間隔で前記基板に搭載されている、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記インタフェース集積回路は、送信ドライバ回路と受信回路とを備えており、
前記送信ドライバ回路は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と電気的に接続されると共に、１ｍｍ未満の間隔で前記送信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される、
プラガブル光トランシーバ。
請求項４に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記レシーバ回路は、前記受信オプトエレクトロニクス部品に電気的に接続されると共に、１ｍｍ未満の間隔で前記受信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置される、
プラガブル光トランシーバ。
請求項４に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記送信ドライバ回路と前記レシーバ回路とは、一つのチップに集積されている、
プラガブル光トランシーバ。
請求項３に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、前記基板上に配置された前記VCSELと前記フォトダイオードとの間隔より大きい、
プラガブル光トランシーバ。
請求項７に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記送信ポートと前記受信ポートとの間隔は、ＳＦＰ／ＳＦＰ+ ＭＡＳ規格に準拠する、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記光結合素子は、前記基板上に接合されており、前記送信オプトエレクトロニクス部品と、前記受信オプトエレクトロニクス部品と、前記インタフェース集積回路と、を収容する空洞部を有している、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とを光学的に接続する一対のジャンパーファイバを備え、
前記一対のジャンパーファイバは、送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを備える、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１０に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記ジャンパーファイバは、前記送信オプトエレクトロニクス部品からの光信号を直接結合するために約９０度曲げられている、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと光学的に接続されるフレキシブル導波路基板を備えた、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１０に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品との間隔を合わせるために前記ジャンパーファイバの位置を機械的に固定するジャンパープラグを備え、
前記ジャンパーファイバは、前記ジャンパープラグの端面で終端している、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、金属製である、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
上側金属シールドと、下側金属シールドと、を備え、
前記上側金属シールドと前記下側金属シールドとは、前記光結合素子と前記基板とを囲い、
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、非伝導性の成形可能材料で形成されている、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記光結合システムは、一つのモールド成形された光素子により構成される、
プラガブル光トランシーバ。
請求項１３に記載のプラガブル光トランシーバであって、
前記光結合素子は、前記基板に固定されるラッチ要素を備え、
前記ジャンパープラグは、前記光結合素子と分離可能なよう嵌め合わされ、
前記ラッチ要素は、前記ジャンパープラグが前記光結合素子から外れることを防ぐように構成される、
プラガブル光トランシーバ。
上側ハウジングと、
下側ハウジングと、
前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、
を備えたスモールフォームファクタプラガブル光トランシーバであって、
前記光−電気アセンブリは、
基板と、
少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、
少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、
前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、
前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、
外側ブラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備えた光結合システムと、を備え、
前記光結合システムは、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記外側プラガブル光インタフェースに第１の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースで受信した第２の光信号を前記受信オプトエレクトロニクス部品に導くよう構成され、
前記光結合素子は、前記基板上に接合され、前記送信オプトエレクトロニクス部品と前記受信オプトエレクトロニクス部品と前記インタフェース集積回路とを収容する空洞部を有し、
前記上側ハウジングと前記下側ハウジングとは、金属製である、
スモールフォームファクタプラガブル光トランシーバ
請求項１８に記載のスモールフォームファクタプラガブル光トランシーバであって、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと前記光結合素子とを光学的に接続する一対のジャンパーファイバを備え、
前記一対のジャンパーファイバは、送信ジャンパーファイバと受信ジャンパーファイバとを備える、
スモールフォームファクタプラガブル光トランシーバ。
上側ハウジングと、
下側ハウジングと、
前記上側ハウジング及び前記下側ハウジングによって囲まれた光−電気アセンブリと、
を備えたプラガブル光トランシーバであって、
前記光−電気アセンブリは、
基板と、
少なくとも前記基板上に配置された送信オプトエレクトロニクス部品と、
少なくとも前記基板上に配置された受信オプトエレクトロニクス部品と、
前記基板上に配置されたインタフェース集積回路と、
前記基板上に配置され、前記インタフェース集積回路と電気的に接続されるプラガブル電気インタフェースと、
外側ブラガブル光インタフェースと、前記基板上に固定して搭載された光結合素子と、前記外側プラガブル光インタフェース及び前記光結合素子に光学的に接続される導光構造と、を備えた光結合システムと、を備え、
前記光結合素子は、前記送信オプトエレクトロニクス部品から前記導光構造に第１の光信号を結合し、前記導光構造から前記受信オプトエレクトロニクス部品に第２の光信号を結合するよう構成され、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースに前記第１の光信号を結合し、前記外側プラガブル光インタフェースから前記第２の光信号を結合するよう構成され、
前記外側プラガブル光インタフェースは、外部送信光ファイバに前記第１の光信号を結合し、受信ファイバから前記第２の光信号を結合するよう構成され、
前記インタフェース集積回路は、送信ドライバ回路と受信回路とを備えており、
前記送信ドライバ回路は、前記送信オプトエレクトロニクス部品と電気的に接続されると共に、１ｍｍ未満の間隔で前記送信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置され、
前記レシーバ回路は、前記受信オプトエレクトロニクス部品に電気的に接続されると共に、１ｍｍ未満の間隔で前記受信オプトエレクトロニクス部品に近接して配置され、
前記導光構造は、前記外側プラガブル光インタフェースと光学的に接続されるフレキシブル導波路基板を備えた、
プラガブル光トランシーバ。