JP2015210362A - 光トランシーバ - Google Patents

Abstract

【課題】ＭＴコネクタを設置すると共にＥＭＩノイズを低減させる光トランシーバを提供する。【解決手段】ＣＦＰ規格に準拠するプラガブル光トランシーバ１は、光レセプタクル６０の後側に、光レセプタクル６０の内部に設置された他のＭＴフェルール５０を前方に押圧すると共に光トランシーバ１の内部を保護する機構部を備える。光デバイスと組み立てられる一のＭＴフェルール５０と他のＭＴフェルール５０とを結合する内部ファイバＦは機構部を通過する。機構部としては、弾性機能を有する金属プレート７０、及び／又は他のＭＴフェルール５０を保持するホルダに組み付けられるコイルスプリング、を用いることができる。【選択図】図２

Description

本発明は、光トランシーバに関し、特に外部のＭＰＯ（Multiple fiber Push-On）コネクタに係合されるＭＴフェルールを備えた光トランシーバに関する。

ＭＰＯコネクタは、光通信の分野においてよく知られている。特許文献１には、ＭＰＯコネクタの内部構造が開示されている。ＭＰＯコネクタは、一方側の光ファイバを他方側の光ファイバに接続する。すなわち、ＭＰＯコネクタは、纏められた複数の光ファイバを光学的に結合させる。

一方、ＭＳＡ（Multi-Source Agreements）は、ＣＦＰ（Centum（100）gigabit Form-factor Pluggable）と呼ばれるプラガブル光トランシーバの詳細を規定している。特許文献１におけるＣＦＰトランシーバは、ＬＣコネクタやＳＣコネクタといった種類の光レセプタクルを備えている。

特開平１０−１２３３６６号公報

近年、光通信システムの通信速度の増大に伴い、その通信速度は２５Ｇｂｐｓを超えることもあり、ＥＭＩ（Electro-Magnetic Interference）がより重要な問題となっている。すなわち、通信速度の増大に伴って信号の周波数は増加し信号の波長が短くなるので、より周波数が高いＥＭＩノイズが光トランシーバのハウジングに形成された小さな隙間や空間から漏れやすくなる。更に、光トランシーバは、基幹回線及び加入者回線の分野から、多くのチャネルのデータが同時にまとめて送信されるデータセンタの分野にまで適用される。従って、近年の光トランシーバは、ＭＴコネクタ等、多くの通信用の光ファイバを保持する光コネクタを設置することが求められている。

本発明は、ＭＴコネクタを設置すると共にＥＭＩノイズを低減させる光トランシーバを提供する。

本発明の一側面は、光アセンブリと、光レセプタクルと、内部ファイバと、ハウジングと、機構部とを含む光トランシーバに関する。機構部は、外部の光コネクタと光レセプタクルとの光結合を確保するだけでなく、光トランシーバの内部を確実に保護する。光アセンブリは、光デバイスを含む。光レセプタクルは、ＭＰＯコネクタを受容することによってＭＰＯコネクタに通された外部ファイバと結合する。内部ファイバは、一のＭＴフェルールによって光アセンブリと接続し、更に他のＭＴフェルールによって光レセプタクルと接続する。すなわち、内部ファイバは、その両端にＭＴフェルールを備え、光アセンブリと光レセプタクルとを光学的に接続する。ハウジングは、光アセンブリ、光レセプタクル、内部ファイバ及び機構部を設置する。本発明は、ＥＭＩに対する耐性を低減させずに機構部が他のＭＴフェルールを光レセプタクルに向かって押圧することを特徴とする。

機構部は、例えば金属で構成され、光レセプタクルの後方に設置されてＵ字状の面を有するプレートであってもよい。このプレートをハウジングに設けられた凹部に挿入すると、プレートが他のＭＴフェルールを光レセプタクルに向かって押圧し、プレートの一端はハウジングに接触する。

別の形態として、機構部は、ホルダとスプリングとの組み合わせであってもよく、更にホルダとスプリングを内部に設置するハウジングに設けられた窪みを含んでいてもよい。例えば金属によって構成されるホルダは、他のＭＴフェルールの後側の部分を保持する。一方、スプリングは、ホルダを介して光レセプタクルに向かって他のＭＴフェルールを押圧するためにホルダと窪みの後壁との間に設置される。スプリングは、コイルスプリングであってもよい。他のＭＴフェルールの後方から伸びる内部ファイバは、ホルダを貫通し、コイルスプリングの内部と上記窪みを構成する壁部に形成された切り込みとを通過する。

このようにして、外部コネクタがＭＴフェルールを有するＭＰＯコネクタである場合にも機構部が外部コネクタとの光結合における信頼性を高めると共にＥＭＩに対する耐性を高めることができる。

本発明は、ＭＴコネクタを設置すると共にＥＭＩノイズを低減させる光トランシーバを提供することができる。

上記及びその他の目的、側面及び利点は、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明した以下の説明により、更に良好に理解されるであろう。

図１は、本発明の第１実施形態に係る光トランシーバの外観を示す。 図２は、図１の光トランシーバの内部を示す斜視図である。 図３は、光アセンブリが搭載されるサブ基板を示す斜視図である。 図４は、図３のサブ基板から光アセンブリを外した状態を示す斜視図である。 図５は、回路基板の平面図である。 図６は、図５の回路基板が電子回路とサブ基板とを搭載した状態における光トランシーバの内部を示す斜視図である。 図７は、内部にＭＴフェルールが設置される光レセプタクルの斜視図である。 図８は、ＭＴフェルールを備えた光レセプタクルを含むアセンブリを示し、アセンブリがハウジングの下筐体の所定位置に設置される図である。 図９は、ハウジングの下筐体、光レセプタクル及びＭＴフェルールの分解図である。 図１０は、光トランシーバの前側から見た光レセプタクルとＭＴフェルールのアセンブリを示す図である。 図１１は、ハウジングに設けられた凹部の中に設置されたプレートを示す斜視図である。 図１２は、図１１に示されるプレートの斜視図である。 図１３は、本発明の第２実施形態に係るＭＴフェルールを前方に押圧する機構部を有する光トランシーバの内部を示す平面図である。 図１４は、前方にＭＴフェルールを押圧するためにＭＴフェルールの後方に設けられる機構部を拡大させた図である。

次に、本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。図面の説明において、同一の又は対応する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

（第１実施形態）
図１に示されるように、本実施形態の光トランシーバ１は、光トランシーバに関するＭＳＡ（Multi-Source Agreements）仕様の一種であるＣＦＰに準拠した光トランシーバである。光トランシーバ１は、主にデータセンターに設置される。光トランシーバ１は、最長で数１００ｍの長さを有する複数の光ファイバを介して複数の光信号の送受信を行う。光トランシーバ１は、光源として、１μｍよりも短い波長を有する光信号をそれぞれ出力する複数の垂直共振器型面発光レーザダイオード（後にＶＣＳＥＬと称する）を実装する。光トランシーバ１は、ハウジング２と、二つのねじ３と、フロントカバー４とを備えている。ハウジング２は、上筐体５と下筐体６とを含んでいる。

図２は、光トランシーバ１の内部の斜視図である。図２に示されるように、光トランシーバ１は、上筐体５と下筐体６との間に、３個のサブ基板１１と回路基板１２とを備えている。サブ基板１１は、それぞれフレキシブルプリント基板（後にＦＰＣと称する）１３によって回路基板１２に電気的に接続されている。各サブ基板１１は光デバイスを搭載しており、回路基板１２は光デバイスを駆動させ光トランシーバ１の全体を制御するための電気回路を搭載する。回路基板１２は、ホストシステムと通信を行うと共にホストシステムから電力供給を受けるための電気プラグ１２Ａを後部に備えている。以下では、説明の便宜上、「前」、「後」、「上」及び「下」と方向を定めて説明を行う。フロントカバー４が設けられる側を前とし、その反対側である電気プラグ１２Ａが設けられる側を後とする。更に、上筐体５が設けられる側を上とし、その反対側である下筐体６が設けられる側を下とする。これらの方向は、単なる説明の便宜上のものであって、本発明の範囲を限定するものではない。

各サブ基板１１は、いわゆるＦＲ−４（Flame Retardant Type4）によって構成されていてもよい。図３に示されるように、サブ基板１１は、電極２０と、配線２１と、２個のガイドピン２３を含む光アセンブリ２２と、Ｔｘポート２４と、Ｒｘポート２５とを備えている。図４では、アレイＶＣＳＥＬ２８及びアレイＰＤ２９（以下、光デバイス２８，２９と称することもある）と、ドライバ２６及びプリアンプ２７といった電気デバイスとを示すため光アセンブリ２２を外している。具体的に、アレイＶＣＳＥＬ２８は、ドライバ２６によってそれぞれ駆動される４個の能動素子を組み込んでいる。一方、アレイＰＤ２９も４個の能動素子を組み込んでいる。

配線２１は、サブ基板１１の表面に形成されている。配線２１の一部は、その上部にアレイＶＣＳＥＬ２８を搭載している。アレイＶＣＳＥＬ２８に組み込まれている各要素は、ドライバ２６によって独立して駆動する。一方、プリアンプ２７は、アレイＰＤ２９の各ＰＤによって生成された光電流のそれぞれを独立して増幅させる。ドライバ２６、プリアンプ２７、アレイＶＣＳＥＬ２８及びアレイＰＤ２９といったデバイスは、ボンディングワイヤによって配線２１に互いに電気的に接続されている。なお、ボンディングワイヤに代えて、リボンワイヤを用いることができる。また、本実施形態では、フリップチップボンディング等、ボンディングワイヤやリボンを用いない方法を採用してもよい。

サブ基板１１は、配線２１と同一の材料によって配線２１と共に形成されるアライメントマークを備えていてもよい。このアライメントマークは、サブ基板１１上に配置するアレイＶＣＳＥＬ２８とアレイＰＤ２９の取り付けを容易にする。粘着性及び導電性を有する樹脂がサブ基板１１の表面に光デバイス２８，２９を固定してもよい。サブ基板１１の表面に光デバイス２８，２９を搭載し配線２１への電気的接続を行った後は、図３に示されるように、例えばウルテム（登録商標）等、光デバイス２８，２９に対する光を透過する透明樹脂で構成された光アセンブリ２２が光デバイス２８，２９を覆ってサブ基板１１上に取り付けられる。

光アセンブリ２２は、アレイＶＣＳＥＬ２８の能動素子及びアレイＰＤ２９の能動素子のそれぞれに対応する複数のレンズをその表面に備える。アレイＶＣＳＥＬ２８の各素子で生じた光は、コリメートレンズである第１のレンズを通って光アセンブリ２２に入射される。光アセンブリ２２に入射された光は、サブ基板１１の表面に対して４５°の角度をなす表面でＴｘポート２４に向かって内部で反射される。その反射面とＴｘポート２４との間には、内部ファイバＦの端面への集光を行うための集光レンズである第２のレンズが設けられている。

ガイドピン２３は、ＭＴフェルール１５をガイドする。具体的には、光アセンブリ２２の前側の凹部内に設けられたレンズと共に配置されてＭＴフェルール１５内で内部ファイバＦが固定されるように光アセンブリ２２の前側表面のそれぞれに設けられたガイドピン２３がＭＴフェルール１５に設けられたボアに挿入される。また、サブ基板１１の表面に取り付けられ光デバイス２８，２９を有する光アセンブリ２２の配置は、光デバイス２８，２９の両隣に設けられた穴１１Ａに入り込み光アセンブリ２２の底面に設けられた嵌合ピンによって行われる。また、光アセンブリ２２と光デバイス２８，２９との光学的配置は、一時的に用いるＭＴフェルールに固定された光ファイバを経由して当てられる光が最適となるように、ガイドピン２３を有し実際に光デバイス２８，２９と動作する上記ＭＴフェルールを嵌合させることによって実行されてもよい。サブ基板１１における光アセンブリ２２と光デバイス２８，２９との光学的配置の後、光アセンブリ２２は、例えばエポキシ樹脂によってサブ基板１１に固定される。

図５は、回路基板１２の平面図である。回路基板１２は、ファイバ配置領域３１と、回路領域３２と、プラグ領域３３といった３つの部分を含んでいる。回路基板１２は、更に、ファイバを束ねるクリップをとめるための穴３４と、サブ基板１１が設置される開口３５とを備えている。開口３５は、ファイバ配置領域３１と回路領域３２との間に設けられている。

ファイバ配置領域３１の内部には、内部ファイバＦが設置される。また、回路領域３２は、回路基板１２の上面及び下面に回路要素を搭載する。開口３５と対面している前端における回路領域には、ＦＰＣ１３で回路基板１２とサブ基板１１とを接続するための複数の電気パッド３２Ａが設けられる。回路基板１２の後端におけるプラグ領域３３の上面及び下面には、電気プラグ１２Ａが設けられる。なお、図５は、その電気プラグ１２Ａを除いた状態を示している。

内部ファイバＦは、１５ｍｍより大きい曲率を確保するようにファイバ配置領域３１に配置される。穴３４に設置されるクリップは、例えば内部ファイバＦを結わえることによってファイバ配置領域３１内における内部ファイバＦを上述した配置とする。

図６は、上筐体５を取り外して光トランシーバ１の内部を示す斜視図である。上筐体５及び下筐体６の間に形成される領域４０は、レセプタクル部４１と、放熱部４２と、嵌合部４３といった３つの部分に分けられる。レセプタクル部４１は、その底部に、ウルテム（登録商標）等の樹脂によって構成された外部のＭＰＯ（Multiple-fiber Push-ON）コネクタを受容する光レセプタクル６０を備える。

図７〜図９は、光レセプタクル６０と光レセプタクル６０の周辺における下筐体６の構造の詳細を説明する図である。光レセプタクル６０は、その後部において、内部ファイバＦの他端で固定されたＭＴフェルール５０を受容する長方形状の開口６１を備える。一方、光レセプタクル６０の前部は、図示しない外部のＭＰＯコネクタを受容する他の開口６２を備える。開口６２の形状は、ＭＰＯコネクタの外形に倣った形状となっている。光レセプタクル６０に結合されるＭＴフェルール５０は、複数の内部ファイバＦを保持している。具体的には、図２及び図６に示されるように、本実施形態の光トランシーバ１は、サブ基板１１にそれぞれ搭載された３つの光サブアセンブリを備える。この３つの光アセンブリのうち２つの光サブアセンブリは、４本の光信号を送信すると共に４本の光信号を受信する。一方、残りの１つの光サブアセンブリは、２本の光信号を送信し２本の光信号を受信する。各光信号は、内部ファイバＦによって伝送される。すなわち、光トランシーバ１は、光信号を送信するための１０本の内部ファイバＦと、光信号を受信するための１０本の内部ファイバＦとを備える。ＭＴフェルール５０は、これらの２０本の内部ファイバＦとファイバ配置領域３１に配置された内部ファイバＦとを接続し、１５ｍｍより大きい曲率が得られるように光レセプタクル６０の両側に空間を形成している。

光レセプタクル６０の後部を示す図７を参照すると、光レセプタクル６０は、その両側に、光レセプタクル６０の光軸に対して垂直に延びるフランジ６３を備える。フランジ６３は、その上部に２個の突起６３ａを備え、その下部に２個の突起６３ａを備えている。すなわち、光レセプタクル６０は、その各方向に合計４個の突起６３ａを有する。これらの突起６３ａは、下筐体６に形成されたガイド４１Ａの内部に設置される。このようにして下筐体６に対する光レセプタクル６０の位置決めがなされる。

フランジ６３は、更に、上側の突起６３ａと下側の突起６３ａとの間で後方且つ外方に延びるタブ６４を備えている。タブ６４は、光レセプタクル６０が空間４１Ｂの内部における空間４１Ｂを囲む側壁４１ａに当接することによって反発力を生じさせる。従って、光レセプタクル６０は、外部のＭＰＯコネクタが光レセプタクル６０の内部に設置されても空間４１Ｂの内部で安定して設置される。

ＭＴフェルール５０は、光レセプタクル６０と結合したときに、後側の面において、光軸に沿って確実に光レセプタクル６０の位置決めを行うために、空間４１Ｂの後端に設けられた段部４１Ｃに当接する。すなわち、段部４１Ｃは、ＭＴフェルール５０の前側の表面である光学基準面を十分な精度で確実に決定する機能を有する。

図９及び図１０に示されるように、ＭＴフェルール５０は、その本体を貫通し外部のＭＰＯコネクタと接続すると共に光学的に結合するガイドピン５１を備えている。すなわち、外部のＭＰＯコネクタは、ガイドピン５１を受容する穴を備えている。ガイドピン５１をＭＰＯコネクタの上記穴に挿入すると、ＭＴフェルール５０に保持されてＭＴフェルール５０の表面で露出している内部ファイバＦが、ＭＰＯコネクタに固定された外部ファイバと光学的に結合する。内部ファイバＦが露出しているＭＴフェルール５０の前側の表面は光学基準面となっている。ＭＴフェルール５０の本体から後方に突出するガイドピン５１は、空間４１ＢにおけるＭＴフェルール５０の位置決めを行う。上述したように、ＭＴフェルール５０は、ガイドピン５１をＭＰＯコネクタの穴に挿入することによって外部のＭＰＯコネクタと光学的に結合する。具体的には、ＭＰＯコネクタは、ガイドピンを受容するための穴を有するいわゆる雌型のＭＴフェルールを備えている。そのＭＰＯコネクタにＭＴフェルール５０を挿入すると、ガイドピン５１はＭＰＯコネクタの他のＭＴフェルールの上記穴に結合し、ＭＴフェルール５０の前側の表面に露出する光ファイバは、ＭＰＯコネクタの他のＭＴフェルールの表面で露出した状態で固定されている外部ファイバと光学的に結合する。上述したように、本実施形態では、ＭＴフェルール５０は複数のファイバを保持しており、２０本のファイバがＭＴフェルール５０の表面で露出した状態で保持されている。ＭＰＯコネクタの他のＭＴフェルールも２０本の外部ファイバを保持している。ＭＴフェルール５０におけるこれらの２０本の光ファイバを安定してＭＰＯコネクタの外部ファイバに結合するために、ＭＴフェルール５０の前側の表面と外部のＭＴフェルールの表面との全ての表面で均一に面当接されることが必要である。従って、これらのＭＴフェルールは、弾性的に当接されることが好ましい。

本実施形態の光トランシーバ１は、ＭＴフェルール５０に対する弾性力を生じさせると共に光トランシーバ１の内部を電気的に保護するためのプレート７０を備えている。図１１及び図１２は、プレート７０の詳細と下筐体６に設けられるプレート７０周辺の構造を説明するための図である。図１１に示されるように、プレート７０は、光レセプタクル６０のための空間４１Ｂの後部に形成された凹部４１Ｄの中に設置される。すなわち、ハウジング２は、段部４１Ｃを挟んで配置される２つの凹部４１Ｄを備えている。プレート７０は、段部４１Ｃを跨ぐように凹部４１Ｄに設置される。凹部４１Ｄに設置されるプレート７０は、ＭＴフェルール５０の後面と凹部４１Ｄの後方側の壁部との間に配置される。よって、光デバイスと電気デバイスとが収容された光トランシーバ１の内側は、その外側とは電気的に遮断された状態となり得る。

図１２を参照すると、プレート７０は、平坦部７１と、平坦部７１の下端から延びる２本の脚部７２とを含んでいる。これらの２本の脚部７２と平坦部７１とは、脚部７２の間に切り込み７０Ａを形成する。更に、切り込み７０Ａの上端には、内部ファイバＦを通すための切り込み７１Ａと、切り込み７１Ａの両側に形成されてガイドピン５１を通すための切り込み７１Ｂとを備える。切り込み７１Ｂは、切り込み７０Ａの上端から上方に延び上方に向かうに従って幅が小さくなる第１の部分７１ａと、第１の部分７１ａから連続する円形状の第２の部分７１ｂとを有する。脚部７２の根元と折り曲げ部７２Ａ〜７２Ｃとは、Ｕ字状の横断面を形成する。円形状の第２の部分７１ｂの径は、ガイドピン５１の径よりも僅かに小さくなっている。

脚部７２は、３回折り曲げられている。具体的には、脚部７２は、その外側の端部で後方に折り曲げられて形成された第１の折り曲げ部７２Ａと、第１の折り曲げ部７２Ａから内側に折り曲げられて形成された第２の折り曲げ部７２Ｂと、第２の折り曲げ部７２Ｂから更に内側に折り曲げられて形成された第３の折り曲げ部７２Ｃとを有する。第３の折り曲げ部７２Ｃは、平坦部７１に対して平行に延在している。第２の折り曲げ部７２Ｂの幅は、第３の折り曲げ部７２Ｃに向かって徐々に減少し、第３の折り曲げ部７２Ｃは長方形状となっている。

従って、プレート７０は、平坦部７１が段部４１Ｃを跨ぐように凹部４１Ｄに設置されるときに、第３の折り曲げ部７２Ｃが凹部４１Ｄの後壁に当接し、平坦部７１はＭＴフェルール５０の後側の表面を前方に押圧する。また、プレート７０は、半田や溶接等を行わずに、金属の切断及び曲げのみによって形成されているのでコストの点で有利である。

このように、本発明の一実施形態の光トランシーバ１について詳細に説明した。光トランシーバ１は、空間Ｓと光デバイス及び電気デバイスが搭載される箇所の内側を保護するために光レセプタクル６０の後端に設置されるプレート７０を備えるという特徴を有する。よって、ＥＭＩ（Electro-Magnetic Interference）が効果的に抑制される。更に、プレート７０は、凹部４１Ｄに設置されたときに、光レセプタクル６０に設置されたＭＴフェルール５０に対する反発力を生じさせる。よって、ＭＴフェルール５０の前側の表面をＭＰＯコネクタに固定された外部のＭＴフェルールの表面に効果的に当接させる。従って、内部ファイバＦを安定して均一に外部ファイバに結合させることができる。

プレート７０は、内部ファイバＦを通すための切り込み７１Ａを備え、切り込み７１Ａの両側にＭＴフェルール５０から伸びるガイドピン５１を通すための他の切り込み７１Ｂを備える。これらの切り込み７１Ａ，７１Ｂは、凹部４１Ｄの後部に設けられた段部４１Ｃに結合される開口を形成する。更に、これらの切り込み７１Ａ，７１Ｂは、ＥＭＩに対する保護性能を高めることができるように、より狭い領域となっている。

（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係る光トランシーバ１０１について、図１３及び図１４を参照しつつ説明する。

図１３は、第２実施形態の光トランシーバ１０１の内部を示す平面図である。光トランシーバ１０１は、第１実施形態の下筐体６と異なる下筐体１０６を備えている。下筐体１０６は、第１実施形態のプレート７０に代えて光レセプタクル６０の内部のＭＴフェルール５０を押圧するための機構部１７０を有するレセプタクル部１４１を含んでいる。光トランシーバ１０１の他の構成は、第１実施形態の光トランシーバ１と同一である。

図１３及び図１４に示されるように、本実施形態のレセプタクル部１４１は、第１実施形態の段部４１Ｃを有しておらず、この段部４１Ｃに代えて、機構部１７０を受容するための凹部１４１Ｄを有する。機構部１７０は、ＭＴフェルール５０を保持する直方体状のホルダ１７１と、ＭＴフェルール５０に向かってホルダ１７１を押圧するスプリング１７２とを備える。ＭＴフェルール５０の本体の後部を保護するホルダ１７１は、内部ファイバＦを通すための第１の開口１７１Ａと、ガイドピン５１を通すために第１の開口１７１Ａの両側に設けられた第２の開口１７１Ｂとを備える。

スプリング１７２は、平衡状態から僅かにずれた状態で凹部１４１Ｄに設置される。すなわち、スプリング１７２は、僅かに縮められた状態で設置される。ＭＴフェルール５０から引き出された内部ファイバＦは、ホルダ１７１の第１の開口１７１Ａと、スプリング１７２と、凹部１４１Ｄの後壁に設けられた切り込み１４１Ｅとを通過して、光トランシーバ１０１の内部スペースに導入される。スプリング１７２の弾性定数は通常板バネである脚部７２の弾性定数より大きいので、スプリング１７２は、ＭＴフェルール５０を前方に押圧するための力をより大きく付与し得る。よって、ＭＴフェルールの２つの面の間における光結合の性能が向上する。光レセプタクル６０に設置されたＭＰＯコネクタは、前方にＭＴフェルールを押圧するスプリングを有する。光トランシーバ１又は光トランシーバ１０１における脚部７２やスプリング１７２といった弾性部材は、ＭＰＯコネクタによって生じる力に対抗するために必要である。すなわち、コイルスプリングであるスプリング１７２は、ＭＰＯコネクタによって引き起こされた力に効果的に対抗し得る。

ＭＴフェルール５０は、機構部１７０によって保持されて機構部１７０が凹部１４１Ｄに設置されているときに、光レセプタクル６０に当接するように前方に押圧される。スプリング１７２の直径よりも凹部１４１Ｄは深くなっているので、スプリング１７２が凹部１４１Ｄから抜け出ることが効果的に防止される。

図１４を参照すると、本実施形態の光トランシーバ１０１は、更に、凹部１４１Ｄの周囲に配置されるガスケット１４１Ｆを備えている。ガスケット１４１Ｆは、導電性ゴム等、導電性を有する弾性材料で構成されており、凹部１４１Ｄの縁に沿うように配置される。従って、ガスケット１４１Ｆを有する機構部１７０の配置によって、ＭＰＯコネクタの性能、すなわち多くのファイバ間における光結合の性能を向上させると共に、電気的な保護機能を発揮させることも可能となる。

上述した実施形態では、本発明の光トランシーバの好適な実施形態について具体的に説明した。しかしながら、本発明の精神の範囲を逸脱しない範囲において種々の変形及び変更が可能であることは明らかである。従って、本明細書と図面は、制限的な意味ではなく例示的に見なされるべきものである。

１，１０１…光トランシーバ、２…ハウジング、３…ねじ、４…フロントカバー、５…上筐体、６，１０６…下筐体、１１…サブ基板、１５…ＭＴフェルール（一のＭＴフェルール）、２２…光アセンブリ、４１…レセプタクル部、４１Ｄ…凹部、５０…ＭＴフェルール（他のＭＴフェルール）、５１…ガイドピン、６０…光レセプタクル、７０…プレート、７１…平坦部、７１Ａ，７１Ｂ…切り込み、７２…脚部、７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ…折り曲げ部、１４１…レセプタクル部、１４１Ｄ…凹部、１７０…機構部、１７１…ホルダ、１７１Ａ，１７１Ｂ…開口、１７２…スプリング、Ｆ…内部ファイバ、Ｓ…空間。

Claims (11)

1. 光トランシーバであって、
   光デバイスを含む光アセンブリと、
   ＭＰＯコネクタを受容することによって前記ＭＰＯコネクタに固定され外部ファイバに接続される光レセプタクルと、
   一のＭＴフェルールによって前記光アセンブリと接続されると共に他のＭＴフェルールによって前記光レセプタクルと接続される内部ファイバと、
   前記他のＭＴフェルールを前記光レセプタクルに向かって押圧すると共に前記光トランシーバの内部を保護する機構部と、
   前記光アセンブリ、前記光レセプタクル、前記内部ファイバ及び前記機構部を内部に設置する導電性のハウジングと、を備えた光トランシーバ。
2. 前記機構部は、導電性のプレートであり、
   前記ハウジングは、前記導電性のプレートの一部であって前記光レセプタクルに向かって前記他のＭＴフェルールを押圧する部位を受容する凹部を備える、
   請求項１に記載の光トランシーバ。
3. 前記プレートは、平坦部と、当該平坦部から延びだす一対の脚部と、当該脚部の間に形成された切り込みを備え、
   前記ハウジングは、一対の凹部と、当該一対の凹部に挟まれた段部とを備え、
   前記脚部のそれぞれは前記凹部に挿入されており、
   前記切り込みが前記段部を跨いでいる、
   請求項２に記載の光トランシーバ。
4. 前記内部ファイバは、前記切り込みと当該切り込みに連続し前記段部と前記プレートとの間に形成された隙間を通過する、
   請求項３に記載の光トランシーバ。
5. 前記脚部のそれぞれは、少なくとも２回折り曲げられ断面がＵ字状の部位を形成している、
   請求項３に記載の光トランシーバ。
6. 前記部位は前記凹部に当接し、前記平坦部は他のＭＴフェルールに当接し前記他のＭＴフェルールに弾性力を付与する、
   請求項５に記載の光トランシーバ。
7. 前記プレートは、前記切り込みと前記部位との間に開口を更に備え、前記開口には、他のＭＴフェルールから伸びるガイドピンが挿通される、
   請求項３に記載の光トランシーバ。
8. 前記機構部は、ホルダとスプリングとを含み、前記ハウジングは、前記機構部を収納する窪みを備え、
   前記ホルダは、前記他のＭＴフェルールを保持し、前記スプリングは、前記ホルダに連結されており前記他のＭＴフェルールを前記光レセプタクルに対して押圧する、
   請求項１に記載の光トランシーバ。
9. 前記スプリングはコイルスプリングであり、前記他のＭＴフェルールから引き出された前記内部ファイバは、前記コイルスプリングの内部と、前記窪みを形成する壁部に設けられた切り込みとを通過する、
   請求項８に記載の光トランシーバ。
10. 複数の光アセンブリを更に含み、
    前記複数の光アセンブリのそれぞれは、複数の光デバイスと、前記一のＭＴフェルールと、を備える、
    請求項１〜９のいずれか一項に記載の光トランシーバ。
11. 前記他のＭＴフェルールは、前記複数の光アセンブリのそれぞれに備わる前記一のＭＴフェルールに係る前記内部ファイバの全てを搭載する、
    請求項１０に記載の光トランシーバ。

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