JP2013175708A5 - - Google Patents
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Claims (3)
- 第１のトランジスタを有する揮発性回路部と、
第２のトランジスタと容量素子とを有する不揮発性記憶部と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体層にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有し、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記容量素子は、前記第１のトランジスタの上方に、絶縁層を介して位置し、
前記第２のトランジスタは、複数の前記第１のトランジスタと重畳し、
前記第２のトランジスタのチャネル長は、前記第１のトランジスタのチャネル長の３倍以上２００倍以下である半導体装置。 - 第１のトランジスタを有する揮発性回路部と、
第２のトランジスタと容量素子とを有する不揮発性記憶部と、を有し、
前記第１のトランジスタは、半導体層にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、半導体層に酸化物半導体を有し、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタ及び前記容量素子は、前記第１のトランジスタの上方に、絶縁層を介して位置し、
前記第２のトランジスタは、複数の前記第１のトランジスタと重畳し、
前記容量素子は、複数の前記第１のトランジスタと重畳し、
前記第２のトランジスタのチャネル長は、前記第１のトランジスタのチャネル長の３倍以上２００倍以下である半導体装置。 - 請求項１又は請求項２において、
前記第２のトランジスタは、ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体と重なるゲート電極を有し、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極と同層の第１の配線層と、前記ゲート絶縁層と同層の絶縁層と、前記第２のトランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極と同層の第２の配線層とを有する半導体装置。
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