JP2013172000A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板5、このシリコン基板5上に形成されたLOCOS酸化膜4と、このLOCOS酸化膜4上に形成されたP型ポリシリコン抵抗1及びN型ポリシリコン抵抗2とを備えている。周辺との電位差による抵抗値の変化率は、ポリシリコン抵抗のシート抵抗値に依存しており、その傾向は、P型,N型で逆方向(符号が逆)となる。したがって、ポリシリコンの厚み、幅が一定とした場合、周辺との電位差無しの時のP型,N型ポリシリコン抵抗の抵抗値及び長さの比が次の関係式を満たすように形成し、それらを直列に接続することで、抵抗値の周辺との電位差による影響を相殺することが出来る。
【選択図】図1
Description
例えば、特許文献1に記載のものは、印加電圧と半導体基板との電位差によって生じたポリシリコン抵抗の電圧依存性による抵抗値の変動を抑制するようにした半導体装置に関するもので、ポリシリコン抵抗の表面に半導体基板との電位差により生じた電荷を除去するために、高電位側だけを半導体基板と同電位に維持することで実現している。つまり、ポリシリコン抵抗と第1導電型の半導体基板上に形成された第2導電型のエピタキシャル層が電極と配線により同電位になるように接続することで、ポリシリコン抵抗とエピタキシャル層が常に同電位になるようにし、電位差の発生を抑制している。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、抵抗素子の使用可能な電位の極性条件の制限が無く、レイアウト面積を増大させずに、周辺との電位差の影響を受けずに抵抗値が安定した、P型ポリシリコン抵抗とN型ポリシリコン抵抗の直列抵抗素子を有する半導体装置を提供することにある。
を満たすことを特徴とする。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記P型ポリシリコン抵抗と前記N型ポリシリコン抵抗とが、シリサイド層を介して接続されていることを特徴とする。
また、請求項4に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明において、前記P型ポリシリコン抵抗と前記N型ポリシリコン抵抗が、同一基板上に形成されるMOSのソース,ドレインを形成するイオン注入工程により形成されていることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置は、シリコン基板5と、このシリコン基板5上に形成されたLOCOS酸化膜4と、このLOCOS酸化膜4上に形成されたP型ポリシリコン抵抗1及びN型ポリシリコン抵抗2とを備えている。
つまり、P型ポリシリコン抵抗1とN型ポリシリコン抵抗2とは直列に接続されており、かつP型ポリシリコン抵抗1とN型ポリシリコン抵抗2が以下の関係式を満たしている。
本発明に係る半導体装置は、直列に繋がれたP型,N型のポリシリコンの抵抗値及び長さが、上述した関係式を満たすことを特徴としている。
また、このP型,N型ポリシリコン抵抗は、同一基板上に形成されるMOSのソース,ドレインを形成するイオン注入工程を利用して形成することを特徴としている。
P型,N型ポリシリコン抵抗の境界部については、PN接合となり逆方向電流が流れにくくなるため、シリサイド層を形成するか、配線層に引き上げて接続することが望ましい。
P型ポリシリコン抵抗11とN型ポリシリコン抵抗12とが配線層17を介して接続され、かつこの配線層17がLOCOS酸化膜17に接していない構造となっている。
LOCOS酸化膜24上にP型ポリシリコン抵抗21とN型ポリシリコン抵抗22とが直列に形成されており、P型ポリシリコン抵抗21とN型ポリシリコン抵抗22との境界部にはシリサイド層(TiSix)26を形成している。
ポリシリコンの厚み、幅が一定の場合、この直列抵抗の抵抗値Rは以下のように表される。
ここで、VBに依らずRが一定になるためには、VBによるN型、P型ポリシリコン抵抗の抵抗値変動が常に相殺しなければならないため、以下の関係が成り立つ必要がある。
また、P型,N型ポリシリコン抵抗の接合部上面には、シリサイド層6を形成しているため、PN接合の逆バイアスとなった場合でも、抵抗値に影響しない。
2,12,22 N型ポリシリコン抵抗
3,13,23 コンタクト
7,17,27 AL配線(配線層)
4,14,24 LOCOS(Local Oxidation of Silicon)酸化膜
5,15,25 シリコン基板
6,16,26 シリサンド層(TiSix)
Claims (4)
- 前記P型ポリシリコン抵抗と前記N型ポリシリコン抵抗とが、シリサイド層を介して接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記P型ポリシリコン抵抗と前記N型ポリシリコン抵抗とが配線層を介して接続され、かつ前記配線層が前記酸化膜に接していないことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記P型ポリシリコン抵抗と前記N型ポリシリコン抵抗が、同一基板上に形成されるMOSのソース,ドレインを形成するイオン注入工程により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
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