JP2013167683A - 偏向走査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スリット部材９を制御基板２０に固定することで、スリット部材９と検知センサ１０の位置精度を向上させ、ジッタの発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】レーザ光束Ｌを出射する半導体レーザ３０と、レーザ光束Ｌを偏向する偏向器１５と、偏向器１５によって偏向されたレーザ光束Ｌを受光する検知センサ１０と、検知センサ１０にレーザ光束Ｌが入射するタイミングを規定するために検知センサ１０に入射するレーザ光束を規制するスリット部材９と、検知センサ１０が固定されており、検知センサ１０にレーザ光束Ｌが入射するタイミングを基準として決定される被走査面への走査線の書き出し位置に基づいて、半導体レーザ３０を制御する制御基板２０と、を有する偏向走査装置Ｓにおいて、スリット部材９は、制御基板２０に固定されていることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、偏向走査装置に関するものである。

電子写真方式を用いた画像形成装置は、偏向走査装置から出射された光束を感光ドラムの被走査面上に走査することで静電潜像を形成し、その静電潜像に現像剤を供給して可視化した可視像を紙等の用紙に転写して画像形成を行う。この偏向走査装置は、光束を出射する光源としての半導体レーザと、光束を偏向する偏向器と、偏向された光束が通過する走査レンズと、被走査面においての主走査方向の書き出し位置を決定するための受光部材としての検知センサとを有している。そして、これらの要素は、一つの光学箱に取り付けられている。
特許文献１における偏向走査装置（走査光学装置）は、所望のスポット径で検知センサ（受光素子）に光束を集光できるようにするために光束を規制する規制部材（光束規制部材）としてのエッジを有している。この規制部材は、半導体レーザを保持するホルダ又は光学箱に一体的に設けられている。このように規制部材を有することにより、検知センサが、光束を検知する位置が主走査方向にずれることを抑制することができ、書き出し位置の精度を向上させることができる。

特開２０００−１３１６３４号公報

ここで、検知センサと規制部材との位置ずれが生じると、検知センサに光束が十分に入射できない場合がある。その場合、主走査方向の検知タイミングにゆらぎが発生し、ジッタとして画像に悪影響を与えることとなる。
上述した特許文献１においては、半導体レーザを保持するホルダに対して規制部材の位置の調整をすることができる構成は開示されているが、検知センサと規制部材の位置の関係については開示されていない。
なお、検知センサにレーザ光束が十分に入射できるように、例えば、検知センサとして一般的に用いられているフォトダイオードを大きくすることが考えられるが、コストが著しく増加するため好ましくない。

そこで、本発明は、規制部材を制御基板に固定することで、規制部材と受光部材（検知センサ）の位置精度を向上させ、ジッタの発生を抑制することを目的とする。

本発明は、光束を出射する光源と、前記光源からの光束を偏向する偏向器と、前記偏向器によって偏向された光束を受光する受光部材と、前記受光部材に入射する光束を規制する規制部材と、前記受光部材が固定されており、前記受光部材に光束が入射するタイミングを基準として決定される被走査面への走査線の書き出し位置に基づいて、前記光源を制御する制御基板と、を有する偏向走査装置において、前記規制部材は、前記制御基板に固定されていることを特徴とする。

本発明によれば、規制部材を制御基板に固定することで、規制部材と受光部材（検知セ
ンサ）の位置精度を向上させ、ジッタの発生を抑制することができる。

本実施例に係る画像形成装置の全体構成の概略断面図 実施例１に係る偏向走査装置の全体構成の概略斜視図 実施例１に係る偏向走査装置の概略断面図 実施例１に係る制御基板の構成を示す図 制御基板とレーザホルダの位置決めについて説明する図 検知センサによる信号のパルス幅について示す図 検知センサに対するスリットの位置ずれの量とジッタの関係を示す図 実施例２に係る偏向走査装置の全体構成の概略斜視図 実施例２に係る偏向走査装置の概略断面図 実施例２に係る制御基板の構成を示す図 制御基板とレーザホルダの位置決めについて説明する斜視図 制御基板とレーザホルダの位置決めについて説明する図

（画像形成装置の全体構成）
図１を用いて、本実施例に係るカラー画像形成装置（以下、画像形成装置）の全体構成について説明する。図１は、本実施例に係る画像形成装置の全体構成の概略断面図である。本実施例に係る画像形成装置は、偏向走査装置Ｓと、像担持体としての感光ドラム１と、帯電ローラ２と、現像器３と、転写ローラ４と、転写ベルト５と、定着装置６と、排出装置７と、給紙トレイ８とを有する。また、本実施例に係る画像形成装置は、イエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの４色についての画像形成が可能なプロセスカートリッジを着脱可能に備えている。これら４つのプロセスカートリッジは、画像形成の色が異なることを除いて構成は同じであり、上述の感光ドラム１と、現像器３と、帯電ローラ２とをそれぞれ有している。以下、いずれかの色用に設けられた要素であることを表すために添え字Ｙ、Ｍ、Ｃ、Ｋを符号に付けて説明を行う。なお、特に区別を要しない場合においては、添え字Ｙ、Ｍ、Ｃ、Ｋは省略して説明を行う。

次に、図１を用いて、本実施例に係る画像形成装置の画像形成動作の概略について説明する。まず、帯電ローラ２が、感光ドラム１の表面を帯電する。そして、画像情報に基づいて光変調されて偏向走査装置Ｓから出射されたレーザ光束Ｌが、帯電された感光ドラム１上の被走査面に走査され、感光ドラム１上に静電潜像が形成される。さらに、感光ドラム１の表面上に現像器３により、現像剤が供給され、静電潜像が可視像化される。そして、静電潜像が可視像化されたことにより形成された現像剤像が、給紙トレイ８から転写ローラ４と転写ベルト５とのニップ部に搬送される。イエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの各色の現像剤像は、各ニップ部において順に記録材Ｐに転写されて、カラー画像が形成されることとなる。さらに、記録材Ｐに転写された現像剤像は、定着装置６によって、加熱加圧され永久画像として記録材Ｐに定着される。そして、画像が定着された記録材Ｐは、排出装置７によって、画像形成装置外部へと排出される。

（実施例１）
次に、図２及び図３を用いて、実施例１に係る偏向走査装置の全体構成について説明する。図２は、実施例１に係る偏向走査装置の全体構成を示す概略斜視図である。図３は、実施例１に係る偏向走査装置の概略断面図である。実施例１に係る偏向走査装置Ｓは、図２に示すように、保持部材としてのレーザホルダ１１と、コリメートレンズ１２と、シリンドリカルレンズ１３と、偏向器１５と、走査レンズ１６と、ＢＤレンズ１８と、制御基板２０とを有している。偏向器１５は、ポリゴンミラー１４とスキャナモータ１５ａを備えている。また、実施例１に係る偏向走査装置Ｓは、図３に示すように、レーザ光束Ｌを
出射する光源としての半導体レーザ３０を有している。そして、図２に示すように、少なくともシリンドリカルレンズ１３、偏向器１５、走査レンズ１６、ＢＤレンズ１８は、一つの光学箱１７に収納されている。

実施例１において、半導体レーザ３０は、イエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの各色に対応して４個（複数）設けられている。また、レーザホルダ１１は、平面形状が略長方形の保持基板１１ａと、保持基板１１ａと一体に設けられ半導体レーザ３０を保持する略円筒状の保持部１１ｂとを備えている。半導体レーザ３０Ｙ、３０Ｍ、３０Ｃ、３０Ｋは、レーザホルダ１１の保持部１１ｂに圧入固定されることにより保持されている。

また、レーザホルダ１１は、制御基板２０に固定されており、光学箱１７に設けられた開口１７ａから半導体レーザ３０Ｙ、３０Ｍ、３０Ｃ、３０Ｋが、光学箱１７内にレーザ光束ＬＹ、ＬＭ、ＬＣ、ＬＫを照射できるように配置されている。また、コリメートレンズ１２Ｙ、１２Ｍ、１２Ｃ、１２Ｋは、半導体レーザ３０Ｙ、３０Ｍ、３０Ｃ、３０Ｋとの位置調整がされ、レーザホルダ１１の保持部１１ｂに接着固定されている。そして、半導体レーザ３０Ｙ、３０Ｍ、３０Ｃ、３０Ｋは、制御基板２０によって、レーザ光束ＬＹ、ＬＭ、ＬＣ、ＬＫの発光がそれぞれ制御されている。

ポリゴンミラー１４は、半導体レーザ３０Ｙ、３０Ｍ、３０Ｃ、３０Ｋからのレーザ光束ＬＹ、ＬＭ、ＬＣ、ＬＫを偏向できるように光学箱１７内の略中央付近に配置されている。シリンドリカルレンズ１３は、半導体レーザ３０とポリゴンミラー１４との間に配置されている。また、ポリゴンミラー１４は、スキャナモータ１５ａによって等角速度で、図２中において反時計回りに回転駆動される。走査レンズ１６は、図２に示すように、ポリゴンミラー１４を中心として対称形に配置されている。ここで、以下、対称形に配置された走査レンズ１６のうち、光束ＬＹ、ＬＭが偏向走査される側を第１光学系、光束ＬＣ、ＬＫが偏向走査される側を第２光学系と定義する。

（偏向走査装置の動作）
次に、図２及び図３を用いて、実施例１に係る偏向走査装置の動作の概略について説明する。まず、半導体レーザ３０Ｙ、３０Ｍ、３０Ｃ、３０Ｋが、レーザ光束ＬＹ、ＬＭ、ＬＣ、ＬＫを出射する。そして、図３に示すように、イエローＹとマゼンタＭに対応するレーザ光束ＬＹ、ＬＭは、それぞれコリメートレンズ１２Ｙ、１２Ｍを通過し略平行光に変換される。その後、レーザ光束ＬＹ、ＬＭは、シリンドリカルレンズ１３を通過することによって、ポリゴンミラー１４の同一の面（以下、ファセットという）において同一の高さの位置に線状に集束される。同様に、シアンＣとブラックＫに対応するレーザ光束ＬＣ、ＬＫは、それぞれコリメートレンズ１２Ｃ、１２Ｋを通過し略平行光に変換される。その後、レーザ光束ＬＣ、ＬＫは、シリンドリカルレンズ１３を通過することによって、ポリゴンミラー１４の同一ファセットにおいて同一の高さに位置に線状に集束される。その後、ポリゴンミラー１４に照射されたレーザ光束ＬＹ、ＬＭは、第１光学系を通過し、感光ドラム１上で結像し、等速走査される。一方、レーザ光束ＬＣ、ＬＫは、第２光学系を通過し、感光ドラム１上で結像し、等速走査される。

（制御基板の構成）
次に、図４を用いて、実施例１に係る制御基板の構成について説明する。図４（ａ）は、スリット部材を制御基板に実装した状態を示す図である。図４（ｂ）は、スリット部材を制御基板に実装する前の状態を示す外観斜視図であり、図４（ｃ）は、スリット部材を制御基板に実装した状態を示す外観斜視図である。

制御基板２０は平面形状が略長方形であって、規制部材としてのスリット部材９と受光
部材としての検知センサ１０とが固定される。実施例１においては、制御基板２０には、ブラックＫのレーザ光束ＬＫに対応する１個のスリット部材９Ｋと、１個の検知センサ１０Ｋが実装されている。実施例１において、検知センサ１０にはフォトダイオードが用いられている。スリット部材９は、スリット部２１と、固定部２２と、位置決め手段としての位置決めボス２３とを有している。スリット部２１には、レーザ光束Ｌの主走査方向と垂直な方向に延びるスリットが設けられており、このスリットにより、検知センサ１０にレーザ光束Ｌが入射するタイミングを規定するために、検知センサ１０に入射するレーザ光束Ｌを規制することができる。固定部２２Ｋは、制御基板２０にスリット部材９Ｋを固定するために設けられている。位置決めボス２３Ｋは、レーザホルダ１１に対するスリット部材９Ｋの位置決めをするために設けられている。

また、実施例１においては、スリット部材９Ｋと検知センサ１０Ｋの位置はあらかじめ調整されており、スリット部材９Ｋは固定部２２ＫにＵＶ（紫外線）接着剤を塗布することにより、制御基板２０に接着固定されている。しかしながら、スリット部材９Ｋの固定方法はこれに限らず、スリット部材の材質や形状により熱カシメやビス固定を用いても良い。また、実施例１においては、検知センサ１０Ｋとスリット部材９Ｋが別々に独立した構成としたが、検知センサ１０Ｋそのものに固定部２２Ｋや位置決めボス２３Ｋやスリット部材９Ｋを備える構成でも良い。

（スリット部材とレーザホルダの位置決め）
次に図５を用いて、制御基板２０に設けられるスリット部材９Ｋとレーザホルダ１１の位置決めについて説明する。図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）は、それぞれ制御基板とレーザホルダの位置決めについて説明するための分解斜視図、正面図、Ａ−Ａ断面図である。レーザホルダ１１の保持基板１１ａには、スリット部材９Ｋが備える位置決めボス２３Ｋに対応する位置決め穴２４Ｋが設けられている。また、図５（ｃ）に示すように、レーザホルダ１１には、レーザ光束ＬＫの主走査方向にスリット部材９Ｋの位置決めボス２３Ｋを位置決め穴２４Ｋに弾性的に押圧するための押圧部２５Ｋが設けられている。この押圧部２５Ｋによって、位置決め穴２４Ｋに嵌合された位置決めボス２３Ｋを位置決め穴２４Ｋの周囲に対し一定方向に押し付けることで、スリット部材９Ｋが、レーザホルダ１１に対してガタが無いように組み込まれることとなる。このような構成をとることにより、主走査方向の書き出し位置を決めるスリット部２１Ｋの位置が半導体レーザ３０Ｋを保持するレーザホルダ１１に対して保証されることとなる。なお、実施例１においては、レーザホルダ１１に押圧部２５を設ける構成をとったが、スリット部材９に押圧部２５を設ける構成をとってもよい。

（スリット部材の素材）
実施例１において、スリット部材９の材料としては、ポリカーボネイトであって、ガラス繊維等の繊維状の強化剤を含まないものを用いた。スリット部材９の材料として繊維状の強化剤を含んだものを用いると、スリット部材９を成形する際に、繊維がスリットの表面から飛び出してしまうことがある。そうなると、スリット部材９の表面に異物が付着した状態となってしまう。このような状態においては、レーザ光束Ｌがスリットを横切る際に、スリットと異物の両方の位置を検知することとなり、主走査方向における書き出し位置がずれてしまう。なお、実施例１においては、ポリカーボネイトを用いたが、スリット部材９の表面に異物が発生しないような材料であればどのようなものを用いても良い。例えば、ガラス表面にエッチング（ガラスエッチング）を施したものやＳＵＳ（ステンレス鋼）のような金属を用いても良い。また、スリット部材９のスリット部２１以外の部分とスリット部２１を別の材料を用いて成形し、スリット部２１にのみ前述のガラスエッチングを施したものやＳＵＳを用いても良い。

（書き出し位置制御）
実施例１においては、感光ドラム１の被走査面上の主走査方向の書き出し位置を決定するために、ブラックＫに対応するレーザ光束ＬＫの一部を用いており、そのレーザ光束ＬＫの一部をレーザ光束ＬＢＤＫと呼ぶことにする。このレーザ光束ＬＢＤＫは、ＢＤ（Ｂｅａｍ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）レンズ１８Ｋによって所定のスポット径に集束されている。

そして、制御基板２０が、検知センサ１０Ｋがレーザ光束ＬＢＤＫを受光するタイミングを基準として決定される感光ドラム１の被走査面への走査線の書き出し位置に基づいて、半導体レーザ３０を制御する。すなわち、検知センサ１０Ｋが、レーザ光束ＬＢＤＫが、レーザ光束ＬＢＤＫの主走査方向と垂直な方向に延びるスリットを横切るタイミングを検知する。そして、制御基板２０が、このタイミングを基準として、一定時間後を書き出し位置として半導体レーザ３０の変調駆動を行うことで、ポリゴンミラー１４の各ファセット毎に主走査方向の書き出し位置が変化することを防止している。スリット部材９Ｋは、制御基板２０に実装されているため、主走査方向の書き出し位置は偏向走査装置毎に異なることとなる。しかし、主走査方向の書き出し位置は、検知センサ１０の検知タイミングを基準に一定時間後を書き出し位置と規定しているので、この一定時間を偏向走査装置毎に設定することで主走査方向の書き出し位置が変化することを防止することができる。

（ジッタの発生）
次に、図６、図７を用いて、検知センサとスリットの位置ずれと、ジッタの発生について説明する。図６（ａ）は、検知センサとスリットの位置のずれが無い場合における検知センサによる信号のパルス幅について示す図である。図６（ｂ）は、検知センサとスリットの位置ずれがある場合における検知センサによる信号のパルス幅について示す図である。図７は、検知センサに対するスリットの位置ずれ量とジッタの関係について示す図である。

ＢＤレンズ１８Ｋを透過したレーザ光束ＬＢＤＫは、スリット部材９Ｋのスリット部２１Ｋを通って検知センサ１０Ｋに入射する。スリット部材９Ｋにより一部を覆われた検知センサ１０Ｋ上にレーザ光束ＬＢＤＫが通過すると、検知センサ１０Ｋよりある周期でパルスが発生する。このパルスを元に、主走査方向の書き出し位置を決定している。図６（ａ）に示すように、検知センサ１０Ｋとスリット部２１Ｋの位置ずれがない場合、パルス幅にゆらぎはなく、書き出し位置にずれが生じない。一方、図６（ｂ）に示すように、検知センサ１０Ｋとスリット部２１Ｋの位置ずれがあり、パルス幅が小さい場合、主走査方向の検知タイミングに時間のゆらぎ、すなわち周期に乱れが発生することとなる。そのゆらぎがジッタとして主走査方向の書き出し位置の精度に悪影響を与えることとなる。パルス幅は、レーザ光束ＬＢＤＫが検知センサ１０Ｋ上を走査する時間によって決まる。スリット部２１Ｋと検知センサ１０Ｋの位置がずれているとパルス幅が所定の時間よりも短くなり、ジッタ発生の要因となる。図７に示すように、スリット部２１Ｋと検知センサ１０Ｋの位置ずれが大きいほどジッタ（周期の乱れ）が大きくなる。

以上説明したように、実施例１においては、スリット部材９Ｋと検知センサ１０Ｋを共に制御基板２０に実装する構成を採用した。このような構成をとることにより、スリット部材９Ｋと検知センサ１０Ｋの位置精度が向上し、ジッタの発生を低減することができる。その結果、被走査面への書き出し位置の精度を向上させることができる。

（実施例２）
次に、図８及び図９を用いて、実施例２に係る偏向走査装置Ｓの全体構成について説明する。図８は、実施例２に係る偏向走査装置の全体構成を示す概略斜視図である。図９は、実施例２に係る偏向走査装置の概略断面図である。実施例１においては、スリット部材９、検知センサ１０、ＢＤレンズ１８を各１個備える構成を採用したのに対して、実施例２においては、それらを各色に対応するように各４個有する（複数有する）構成を採用す
る。なお、その他の構成及び作用については実施例１と同一であるので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

実施例２においては、実施例１と同様に、イエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫの各色に対応する４個の半導体レーザ３０Ｙ〜３０Ｋが、それぞれレーザホルダ１１に圧入されている。そして、半導体レーザ３０Ｙ〜３０Ｋからそれぞれ出射されるレーザ光束ＬＹ〜ＬＫの発光が、１個の制御基板２０によって制御されている。

半導体レーザ３０から出射されたレーザ光束Ｌは、コリメートレンズ１２、シリンドリカルレンズ１３を通過し、ポリゴンミラー１４に照射される。図８、図９に示すように、イエローＹとマゼンタＭに対応するレーザ光束ＬＹ、ＬＭは、ポリゴンミラー１４の同一ファセットの高さの異なる位置に集束している。また、シアンＣとブラックＫに対応するレーザ光束ＬＣ、ＬＫは、ポリゴンミラー１４の同一ファセットの高さの異なる位置に集束している。

ポリゴンミラー１４のファセット上には微小な変形が起こっており、結像の高さが異なると、ポリゴンミラー１４のファセットが同一角度であってもレーザ光束ＬＹとレーザ光束ＬＭの反射方向はわずかに異なることとなる。同様に、レーザ光束ＬＣとレーザ光束ＬＫの反射方向はわずかに異なることとなる。そのために、各色ごとに主走査方向の書き出し位置がずれてしまう。そこで、実施例２においては、イエローＹ、マゼンタＭ、シアンＣ、ブラックＫのそれぞれのレーザ光束ＬＹ、ＬＭ、ＬＣ、ＬＫに対応して、主走査方向の書き出し位置を決定するために、検知センサ１０Ｙ、１０Ｍ、１０Ｃ、１０Ｋを制御基板２０上に実装する。また、各検知センサに対応してスリット部材９Ｙ、９Ｍ、９Ｃ、９Ｋを制御基板２０上に実装している。すなわち、実施例２に係る偏向走査装置Ｓは、偏向走査されたレーザ光束ＬＹ〜ＬＫの一部である各レーザ光束ＬＢＤＹ〜ＬＢＤＫが、スリット部材９Ｙ〜９Ｋを横切って、各検知センサ１０Ｙ〜１０Ｋへ入射するように構成されている。

実施例２においては、図８に示すように、レーザ光束ＬＢＤＹは、その光路においてポリゴンミラー１４とＢＤレンズ１８Ｙとの間に配置されるＢＤミラー２６Ｙによって折り返される。同様に、レーザ光束ＬＢＤＭは、その光路においてポリゴンミラー１４とＢＤレンズ１８Ｍとの間に配置されるＢＤミラー２６Ｍによって折り返される。レーザ光束ＬＢＤＹ、ＬＢＤＭは、副走査方向に十分に分離されておらず、ポリゴンミラー１４から検知センサ１０Ｙ、１０Ｍまでの光路上において、ＢＤレンズ１８Ｙ、１８Ｍの高さが一部重なってしまう。そのため、それぞれのレーザ光束ＬＢＤＹ、ＬＢＤＭの光路を主走査方向にずらすようにポリゴンミラー１４において反射させ、レーザ光束ＬＢＤＹの方がレーザ光束ＬＢＤＭよりも主走査方向における下流側を光路とするように設定されている。

レーザ光束ＬＣ、ＬＫは、前述したレーザ光束ＬＹ、ＬＭと同様に、ポリゴンミラー１４の同一ファセット上で高さ位置の異なる部分にレーザ光束ＬＣ、ＬＫが照射されている。そして、偏向走査されたレーザ光束ＬＣ、ＬＫの一部がレーザ光束ＬＢＤＣ、ＬＢＤＫとして検知センサ１０Ｃ、１０Ｋへ入射される構成となっている。検知センサ１０Ｃ、１０Ｋに入射したレーザ光束ＬＢＤＣ、ＬＢＤＫを基準として、次の面による書き出し位置の制御を行っている。レーザ光束ＬＢＤＣ、ＬＢＤＫは、前述したレーザ光束ＬＢＤＹ、ＬＢＤＭと同様に、副走査方向に十分に分離されておらず、ポリゴンミラー１４から検知センサ１０Ｃ、１０Ｋまでの光路において一部が重なってしまう。そのため、レーザ光束ＬＢＤＣ、ＬＢＤＫの光路を主走査方向にずらすようにポリゴンミラー１４において反射させ、レーザ光束ＬＢＤＫの方がレーザ光束ＬＢＤＣよりも主走査方向における下流側を光路とするように設定されている。

次に、図１０乃至図１２を用いて、実施例２に係る制御基板の構成及び制御基板とレーザホルダの位置決めについて説明する。図１０（ａ）は、スリット部材を制御基板に実装した状態を示す図である。図１０（ｂ）は、スリット部材を制御基板に実装する前の状態を示す外観斜視図であり、図１０（ｃ）は、スリット部材を制御基板に実装した状態を示す外観斜視図である。図１１は、実施例２における制御基板とレーザホルダの位置決めについて説明する分解斜視図である。また、図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）は、それぞれ実施例２に係る制御基板とレーザホルダの位置決めについて説明する正面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図である。

図１０（ａ）に示すように、実施例２においては、各レーザ光束ＬＹ〜ＬＫに対応する４個のスリット部材９Ｙ〜９Ｋと、４個の検知センサ１０Ｙ〜１０Ｋが同一の制御基板上に実装されている。そして、図１０（ｂ）に示すように、レーザ光束ＬＢＤＹを規制するスリット部材９Ｙとレーザ光束ＬＢＤＫを規制するスリット部材９Ｋは、レーザホルダ１１に対して位置決めするための位置決めボス２３Ｙ、２３Ｋを備えている。一方、レーザ光束ＬＢＤＭを規制するスリット部材９Ｍとレーザ光束ＬＢＤＣを規制するスリット部材９Ｃは、レーザホルダ１１に位置決めする為のボスが設けられていない。

また、図１１に示すように、レーザホルダ１１は、スリット部材９Ｙを位置決めする為の位置決め穴２４Ｙとスリット部材９Ｋを位置決めする為の位置決め穴２４Ｋを備えている。そして、図１２（ｂ）に示すように、位置決めボス２３Ｋは、押圧手段としての押圧部２５Ｋによりレーザホルダ１１に対してレーザ光束ＬＢＤＫの主走査方向と垂直な方向に押圧されている。また、図１２（ｃ）に示すように、位置決めボス２３Ｙは、押圧部２５Ｙによりレーザホルダ１１に対してレーザ光束ＬＢＤＹの主走査方向に押圧されている。

ここで、位置決めボス２３Ｙ、２３Ｋを設けた理由は、この２個のスリット部材９Ｙ、９Ｋが、半導体レーザ３０を保持する保持部１１ｂを略中心として、かつ、互いに最も離れた位置に配置されているためである。この２個のスリット部材９Ｙ、９Ｋにおいて互いに直交する方向に押圧することにより位置決めボス２３Ｙ、２３Ｋと位置決め穴２４Ｙ、２４Ｋのガタをなくして精度良く取り付けることが可能となる。押圧部２５Ｙ、２５Ｋは、レーザホルダ１１と一体に形成され、それ自身の弾性を利用して、一方向に押圧するように構成されている。実施例２においては押圧部２５Ｙ、２５Ｋをレーザホルダ１１と一体としたが、別部材で構成しても良く、また、スリット部材９Ｙ、９Ｋ側に設けても良い。

以上説明したように、実施例２においては、各半導体レーザ３０Ｙ〜３０Ｋに対応するスリット部材９と検知センサ１０Ｋをそれぞれ４個設け、それらを一つの制御基板２０に実装する構成を採用した。このような構成をとることにより、スリット部材９と検知センサ１０の位置精度が向上し、ジッタの発生を低減することができる。また、各色の主走査方向の書き出し位置のずれを抑制することができる。さらに、半導体レーザ３０を保持する保持部１１ｂを略中心として、かつ、互いに最も離れた位置に配置されるスリット部材９Ｙ、９Ｋに位置決めボス２３Ｙ、２３Ｋ、押圧部２５Ｙ、２５Ｋを設けて、レーザホルダ１１と制御基板２０の位置決めを行った。また、この２個のスリット部材９Ｙ、９Ｋにおいて互いに垂直な方向に押圧することにより位置決めボス２３Ｙ、２３Ｋと位置決め穴２４Ｙ、２４Ｋのガタをなくして精度良く取り付けることを可能とした。

スリット部材…９、検知センサ…１０、偏向器…１５、制御基板…２０、半導体レーザ…３０、レーザ光…Ｌ、偏向走査装置…Ｓ

Claims (6)

1. 光束を出射する光源と、
   前記光源からの光束を偏向する偏向器と、
   前記偏向器によって偏向された光束を受光する受光部材と、
   前記受光部材に光束が入射するタイミングを規定するために前記受光部材に入射する光束を規制する規制部材と、
   前記受光部材が固定されており、前記受光部材に光束が入射するタイミングを基準として決定される被走査面への走査線の書き出し位置に基づいて、前記光源を制御する制御基板と、
   を有する偏向走査装置において、
   前記規制部材は、前記制御基板に固定されていることを特徴とする偏向走査装置。
2. 前記光源を保持する保持部材を有し、
   前記規制部材は、前記保持部材に対して前記規制部材の位置決めをするための位置決め手段を有することを特徴とする請求項１項に記載の偏向走査装置。
3. 前記規制部材又は前記保持部材は、前記位置決め手段を押圧する押圧部を有しており、前記位置決め手段が前記押圧部によって押圧されることにより、前記規制部材と前記保持部材とが固定されることを特徴とする請求項２に記載の偏向走査装置。
4. 前記光源を複数有し、
   前記複数の光源に対応して前記受光部材及び前記規制部材を複数有し、
   前記複数の規制部材のうち２個の規制部材が、前記位置決め手段を有することを特徴とする請求項３に記載の偏向走査装置。
5. 前記２個の規制部材は、前記制御基板上において互いに最も離れた位置に配置される規制部材であることを特徴とする請求項４に記載の偏向走査装置。
6. 前記２個の規制部材が有する前記位置決め手段は、前記規制部材又は前記保持部材に設けられた押圧部により、互いに直交する方向に押圧されていることを特徴とする請求項５に記載の偏向走査装置。

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