JP2013167669A5 - - Google Patents
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［実施例、比較例］
上記合成例で得られたケイ素含有表面改質剤（１−１）〜（１−３１）、ポリマー成分としてのポリシロキサン化合物（２−１）〜（２−８）、酸、熱架橋促進剤、溶剤、添加剤を表４−１〜表４−３に示す割合で混合し、０．１μｍのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物溶液をそれぞれ調製し、それぞれＳｏｌ．１〜５２とした。
上記合成例で得られたケイ素含有表面改質剤（１−１）〜（１−３１）、ポリマー成分としてのポリシロキサン化合物（２−１）〜（２−８）、酸、熱架橋促進剤、溶剤、添加剤を表４−１〜表４−３に示す割合で混合し、０．１μｍのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物溶液をそれぞれ調製し、それぞれＳｏｌ．１〜５２とした。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012029228A JP5882776B2 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
| US13/747,154 US9075309B2 (en) | 2012-02-14 | 2013-01-22 | Silicon-containing surface modifier, resist underlayer film composition containing this, and patterning process |
| EP13000599.4A EP2628744B1 (en) | 2012-02-14 | 2013-02-06 | Silicon-containing surface modifier, resist underlayer film composition containing this, and patterning process |
| TW102105342A TWI465455B (zh) | 2012-02-14 | 2013-02-08 | 含矽之表面改質劑、含有此表面改質劑之光阻下層膜形成用組成物、及圖案形成方法 |
| KR1020130015215A KR101737667B1 (ko) | 2012-02-14 | 2013-02-13 | 규소 함유 표면개질제, 이것을 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012029228A JP5882776B2 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013167669A JP2013167669A (ja) | 2013-08-29 |
| JP2013167669A5 true JP2013167669A5 (ja) | 2015-01-08 |
| JP5882776B2 JP5882776B2 (ja) | 2016-03-09 |
Family
ID=47757269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012029228A Active JP5882776B2 (ja) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9075309B2 (ja) |
| EP (1) | EP2628744B1 (ja) |
| JP (1) | JP5882776B2 (ja) |
| KR (1) | KR101737667B1 (ja) |
| TW (1) | TWI465455B (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6163770B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2017-07-19 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| TW201344369A (zh) * | 2012-03-07 | 2013-11-01 | Jsr Corp | 光阻下層膜形成用組成物及圖型之形成方法 |
| TWI567497B (zh) * | 2012-04-06 | 2017-01-21 | Ａｚ電子材料盧森堡有限公司 | 負型感光性矽氧烷組成物 |
| TWI567498B (zh) | 2012-04-06 | 2017-01-21 | Ａｚ電子材料盧森堡有限公司 | 負型感光性矽氧烷組成物 |
| JP5642731B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2014-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP6060577B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2017-01-18 | Jsr株式会社 | ネガ型レジストパターン形成方法 |
| CN106030418B (zh) * | 2014-02-26 | 2019-10-11 | 日产化学工业株式会社 | 涂布于抗蚀剂图案的含有聚合物的涂布液 |
| KR102382708B1 (ko) | 2014-07-15 | 2022-04-08 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 지방족 다환구조 함유 유기기를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
| KR102439087B1 (ko) * | 2014-11-19 | 2022-09-01 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 습식제거가 가능한 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
| US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
| TWI592760B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-07-21 | 羅門哈斯電子材料韓國有限公司 | 與經外塗佈之光致抗蝕劑一起使用之塗層組合物 |
| TWI712860B (zh) * | 2015-02-26 | 2020-12-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 圖案形成方法、電子元件的製造方法及有機溶劑顯影用感光化射線性或感放射線性樹脂組成物 |
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| KR102421597B1 (ko) * | 2015-07-14 | 2022-07-18 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 신규한 레지스트 하층막 형성용 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법 |
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| US10454029B2 (en) | 2016-11-11 | 2019-10-22 | Lam Research Corporation | Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate |
| US10832908B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-11-10 | Lam Research Corporation | Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask |
| US10134579B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-11-20 | Lam Research Corporation | Method for high modulus ALD SiO2 spacer |
| CN107170781B (zh) * | 2017-05-18 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制作方法、显示基板和显示装置 |
| JP7115487B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2022-08-09 | Jsr株式会社 | 組成物、膜、膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法 |
| US10269559B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer |
| US11404275B2 (en) | 2018-03-02 | 2022-08-02 | Lam Research Corporation | Selective deposition using hydrolysis |
| JPWO2019181873A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-04-01 | 日産化学株式会社 | 保護されたフェノール基と硝酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP6875325B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP7241486B2 (ja) * | 2018-08-21 | 2023-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | マスクの形成方法 |
| WO2020066477A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、有機溶剤現像用レジスト積層体 |
| JP6981949B2 (ja) | 2018-10-16 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素化合物の製造方法 |
| JP7357505B2 (ja) * | 2018-11-21 | 2023-10-06 | 信越化学工業株式会社 | ヨウ素含有熱硬化性ケイ素含有材料、これを含むｅｕｖリソグラフィー用レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
| JP7360927B2 (ja) | 2019-01-09 | 2023-10-13 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性ケイ素含有化合物、ケイ素含有膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| JP7282667B2 (ja) | 2019-01-22 | 2023-05-29 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| JP7307005B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-07-11 | 信越化学工業株式会社 | 硬化触媒の拡散距離を測定する方法 |
| JP7307004B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-07-11 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| JP7368324B2 (ja) | 2019-07-23 | 2023-10-24 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| JP7373470B2 (ja) | 2019-09-19 | 2023-11-02 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| US11543751B2 (en) | 2020-04-16 | 2023-01-03 | International Business Machines Corporation | Organic photoresist adhesion to metal oxide hardmasks |
| JP7368342B2 (ja) | 2020-12-07 | 2023-10-24 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
| JP7389012B2 (ja) | 2020-12-23 | 2023-11-29 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法及びケイ素化合物 |
Family Cites Families (52)
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| JPH07183194A (ja) | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sony Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
| JPH07181688A (ja) | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Sony Corp | 多層レジストパターン形成方法 |
| JP2862786B2 (ja) | 1994-01-27 | 1999-03-03 | 信越化学工業株式会社 | ポリエステル−シリコーン共重合体及びそれを用いた被覆組成物 |
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| JP2000053921A (ja) | 1998-08-12 | 2000-02-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | 反射防止被膜形成組成物 |
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| US6740469B2 (en) | 2002-06-25 | 2004-05-25 | Brewer Science Inc. | Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications |
| AU2002329596A1 (en) | 2002-07-11 | 2004-02-02 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
| JP2004153125A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Fujitsu Ltd | 加工用マスクの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2004354417A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP4359467B2 (ja) | 2003-08-28 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法。 |
| JP4355943B2 (ja) | 2003-10-03 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
| US7303855B2 (en) | 2003-10-03 | 2007-12-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist undercoat-forming material and patterning process |
| JP2005173552A (ja) | 2003-11-20 | 2005-06-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用下層膜形成材料およびこれを用いた配線形成方法 |
| WO2005083006A1 (ja) | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | ケイ素含有液状組成物 |
| JP4539131B2 (ja) | 2004-03-16 | 2010-09-08 | 住友化学株式会社 | 有機ケイ素系化合物、及びその製造方法 |
| JP4355939B2 (ja) | 2004-07-23 | 2009-11-04 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体装置の絶縁膜形成用組成物およびシリカ系膜の形成方法 |
| JP4488215B2 (ja) | 2004-08-19 | 2010-06-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| US7320855B2 (en) * | 2004-11-03 | 2008-01-22 | International Business Machines Corporation | Silicon containing TARC/barrier layer |
| JP4552132B2 (ja) | 2005-03-10 | 2010-09-29 | ラサ工業株式会社 | 多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP4583237B2 (ja) | 2005-05-16 | 2010-11-17 | 東京応化工業株式会社 | 反射防止膜形成用組成物、および配線形成方法 |
| JP4553835B2 (ja) | 2005-12-14 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板 |
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| JP4842844B2 (ja) | 2006-04-04 | 2011-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP4716037B2 (ja) | 2006-04-11 | 2011-07-06 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
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| JP2009025707A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP4793592B2 (ja) | 2007-11-22 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜、金属酸化物含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5101541B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2012-12-19 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5015891B2 (ja) | 2008-10-02 | 2012-08-29 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜形成基板及びパターン形成方法 |
| JP5540509B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2014-07-02 | Ｊｓｒ株式会社 | 多層レジストプロセス用シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法 |
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| WO2011105368A1 (ja) | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 日産化学工業株式会社 | アミック酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP5518772B2 (ja) | 2011-03-15 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5785121B2 (ja) | 2011-04-28 | 2015-09-24 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5650086B2 (ja) | 2011-06-28 | 2015-01-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
| JP5453361B2 (ja) | 2011-08-17 | 2014-03-26 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
| JP6060590B2 (ja) | 2011-09-30 | 2017-01-18 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
-
2012
- 2012-02-14 JP JP2012029228A patent/JP5882776B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-22 US US13/747,154 patent/US9075309B2/en active Active
- 2013-02-06 EP EP13000599.4A patent/EP2628744B1/en active Active
- 2013-02-08 TW TW102105342A patent/TWI465455B/zh active
- 2013-02-13 KR KR1020130015215A patent/KR101737667B1/ko active IP Right Grant
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