JP2013166193A - 硬脆性インゴットの切断加工方法 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 60
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 34
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
【解決手段】硬脆性インゴット1の切断加工を行なうに際し、導電性固定手段によりワイヤ本体に砥粒を固着した導電性固定砥粒ワイヤ2を用い、放電加工により切断加工を行なう硬脆性インゴット1の切断加工方法であり、また、放電加工において1mm/h.以上の加工速度で切断加工ができない場合には、ワイヤ2への電圧印加を停止してワイヤ2を100m/分以上の速度で走行させ、機械加工による切断加工に切り換えることができる硬脆性インゴット1の切断加工方法である。
【選択図】図1
Description
(1) 硬脆性インゴットの切断加工を行なうに際し、導電性固定手段によりワイヤ本体に砥粒を固着した導電性固定砥粒ワイヤを用い、放電加工により切断加工を行なうことを特徴とする硬脆性インゴットの切断加工方法である。
(4) 導電性固定砥粒ワイヤは、ワイヤ本体に固着された砥粒がダイヤモンド砥粒であることを特徴とする前記(1)〜(3)のいずれかに記載の硬脆性インゴットの切断加工方法である。
(5) 硬脆性インゴットが炭化珪素単結晶インゴットであることを特徴とする前記(1)〜(4)のいずれかに記載の硬脆性インゴットの切断加工方法である。
図1に、半径r(mm)の円筒形状のインゴットを本方法によって切断する時のインゴット1の断面とワイヤ2との間の配置関係を示す。ここで、インゴット1の断面に設定したx−y座標系に対して、ワイヤ2の直線を式で示すと、下記式(1)で表わすことができる。
y=2a×x+a2 ……(1)
y=−[√(1-b2)]/b×x+L×√(1-b2)、又は、
x/conθ+y/sinθ=L(θ=0〜90度)……(2)
L≧r×√2 ……(3)
この時、ワイヤ2の直線は図面上−45度から+45度まで90度の範囲で傾き、ワイヤ2は常に下記の式(4)を満たす点でインゴット1と点接触をする。
x2/3+y2/3=L2/3 ……(4)
窒素濃度が5.8×1018cm-3以上で、キャリア濃度が1×1018cm-3以上あり、比抵抗が0.017Ωcm以下である直径150mmφの炭化珪素単結晶インゴットについて、本発明の方法によって切断する場合の一例を以下に説明する。
実施例1の場合と同じ導電性ダイヤモンドワイヤを用い、窒素濃度が5×1015cm-3以下であってキャリア濃度が1×1015cm-3以下であり、比抵抗が10Ωcm以上である直径150mmφの別の炭化珪素単結晶インゴットについて、実施例1と同じ方法で切断加工を試みた。このインゴットについては、放電加工を試みたが放電加工では切断できなかった。
導電性後位砥粒ワイヤとして実施例1の場合と同じ導電性ダイヤモンドワイヤを用い、窒素濃度が6.2×1018cm-3以上で、キャリア濃度が1×1018cm-3以上あり、比抵抗が0.016Ωcm以下である直径200mmφの炭化珪素単結晶インゴットについて、放電加工による切断加工を試みた。
実施例2の場合と同じ導電性ダイヤモンドワイヤを用い、窒素濃度が5×1015cm-3以下であってキャリア濃度が1×1015cm-3以下であり、比抵抗が10Ωcm以上である直径200mmφの別の炭化珪素単結晶インゴットについて、実施例2と同じ方法で切断加工を試みた。このインゴットについては、放電加工を試みたが放電加工では切断できなかった。
実施例1と同様の炭化珪素単結晶インゴットについて直径0.16mmのピアノ線を用いた以外は、上記実施例1と同様にして放電加工による切断加工を試みた。
Claims (6)
- 硬脆性インゴットの切断加工を行なうに際し、導電性固定手段によりワイヤ本体に砥粒を固着した導電性固定砥粒ワイヤを用い、放電加工により切断加工を行なうことを特徴とする硬脆性インゴットの切断加工方法。
- 前記放電加工において1mm/h.以上の加工速度で切断加工ができない場合には、前記導電性固定砥粒ワイヤへの電圧印加を停止し、前記導電性固定砥粒ワイヤを100m/分以上の速度で走行させ、機械加工による切断加工に切り換えることを特徴とする請求項1に記載の硬脆性インゴットの切断加工方法。
- 導電性固定砥粒ワイヤは、ワイヤ本体がピアノ線であることを特徴とする請求項1又は2に記載の硬脆性インゴットの切断加工方法。
- 導電性固定砥粒ワイヤは、ワイヤ本体に固着された砥粒がダイヤモンド砥粒であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の硬脆性インゴットの切断加工方法。
- 硬脆性インゴットが炭化珪素単結晶インゴットであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の硬脆性インゴットの切断加工方法。
- 前記切断加工中に、導電性固定砥粒ワイヤと硬脆性インゴットとが前記導電性固定砥粒ワイヤによる切断方向において互いに接触し、又は、相対向する位置及び/又は角度を変化させ、導電性固定砥粒ワイヤと硬脆性インゴットとを点接触状態に制御することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の硬脆性インゴットの切断加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012030119A JP5821679B2 (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 硬脆性インゴットの切断加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012030119A JP5821679B2 (ja) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 硬脆性インゴットの切断加工方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2013166193A true JP2013166193A (ja) | 2013-08-29 |
JP5821679B2 JP5821679B2 (ja) | 2015-11-24 |
Family
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