JP2013159848A - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化亜鉛と、亜鉛と錫の複合酸化物とからなり、主面のL*a*b*表色系による色差ΔEが7.5以下である主面を有することを特徴とするスパッタリングターゲットであり、酸化亜鉛(ZnO)及び酸化錫(SnO2)のそれぞれの原料粉末を配合した配合物に、所定のバインダー及び分散剤を添加し、溶媒を加え、所定時間混合することによりスラリーを調製し、前記スラリーを用いて所定形状の成形体を形成する工程と、大気雰囲気下で、1250℃〜1550℃の範囲の温度で、5〜50時間にわたり前記成形体を焼成し焼結体を形成する工程と、前記焼結体の主面のL*a*b*表色系による色差ΔEが7.5以下になるように、前記焼結体の表面を研削して前記主面を形成する工程とを含む方法。
【選択図】なし
Description
上述した方法によって製造された酸化物焼結体としてのターゲットは、酸化亜鉛と、亜鉛と錫の複合酸化物とからなる。そして、主面のL*a*b*表色系による色差ΔE*が7.5以下で、明度指数の差ΔL*が7.5以下である。
(実施例1)
原料として、平均粒径1.0[μm]以下のZnO原料(純度99.5%以上)と、平均粒径2.0[μm]以下のSnO2原料(純度99.0%以上)とを用いた。適当なバインダー及び分散剤を原料粉末に添加し、原子数比Zn/(Zn+Sn)が「0.81」になるようにスラリーを調整した。スプレードライヤーを用いてスラリーを乾燥造粒して顆粒を得た。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「3.5」の焼結体を製造したほかは、実施例1と同一条件で実施例2のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「1.9」の焼結体を製造したほかは、実施例1と同一条件で実施例3のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「1.1」の焼結体を製造したほかは、実施例1と同一条件で実施例4のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「8.1」の焼結体を製造したほかは、実施例1と同一条件で比較例1のターゲットを製造した。
原子数比Zn/(Zn+Sn)が「0.65」になるように原料が調製され、色差ΔEが「7.5」の焼結体を製造したほかは、実施例1と同一条件で実施例5のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「3.8」の焼結体を製造したほかは、実施例5と同一条件で実施例6のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「2.0」の焼結体を製造したほかは、実施例5と同一条件で実施例7のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「0.7」の焼結体を製造したほかは、実施例5と同一条件で実施例8のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「0.3」の焼結体を製造したほかは、実施例5と同一条件で実施例9のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「9.4」の焼結体を製造したほかは、実施例5と同一条件で比較例2のターゲットを製造した。
原子数比Zn/(Zn+Sn)が「0.97」になるように原料が調製され、色差ΔEが「3.6」の焼結体を製造したほかは、実施例1と同一条件で実施例10のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「2.2」の焼結体を製造したほかは、実施例10と同一条件で実施例11のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「0.5」の焼結体を製造したほかは、実施例10と同一条件で実施例12のターゲットを製造した。
焼結体の主面において、焼結体の主面を研削する領域を調整し、色差ΔEが「12.5」の焼結体を製造したほかは、実施例10と同一条件で比較例3のターゲットを製造した。
Claims (5)
- 酸化亜鉛と、亜鉛と錫の複合酸化物とからなり、
主面のL*a*b*表色系による色差ΔEが7.5以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1記載のスパッタリングターゲットであって、
前記主面の明度指数の差ΔL*が7.5以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1又は2記載のスパッタリングターゲットであって、
前記主面の明度指数L*が54.9〜95.0の範囲内の値で、a*が−2.8〜0.3の範囲内の値で、b*が2.5〜10.4の範囲内の値であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットであって、
錫(Sn)と亜鉛(Zn)との原子数比Zn/(Zn+Sn)が0.65〜0.97の範囲内の値であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
酸化亜鉛(ZnO)及び酸化錫(SnO2)のそれぞれの原料粉末を配合した配合物に、所定のバインダー及び分散剤を添加し、溶媒を加え、所定時間混合することによりスラリーを調製する工程と、
前記スラリーを用いて所定形状の成形体を形成する工程と、
大気雰囲気下で、1250℃〜1550℃の範囲の温度で、5〜50時間にわたり前記成形体を焼成し焼結体を形成する工程と、
前記焼結体の主面のL*a*b*表色系による色差ΔEが7.5以下になるように、スパッタリング雰囲気に露出させる前記焼結体の表面を研削して前記主面を形成する工程とを含むことを特徴とする方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107904560A (zh) * | 2018-01-15 | 2018-04-13 | 浦江金砂工艺有限公司 | 一种水晶玻璃饰品分二次镀彩色膜的工艺 |
TWI645060B (zh) * | 2016-01-28 | 2018-12-21 | Jx金屬股份有限公司 | Cylindrical ceramic sputtering target and cylindrical ceramic sputtering target formed by joining one or more cylindrical ceramic sputtering targets by a backing tube |
CN111919268A (zh) * | 2018-03-26 | 2020-11-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 变阻器及其制造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001011614A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Nikko Materials Co Ltd | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
EP1835511A2 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-19 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Oxide sintered body, manufacturing method therefor, manufacturing method for transparent conductive film using the same, and resultant transparent conductive film |
JP2010037161A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜 |
JP2010150107A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tosoh Corp | 複合酸化物焼結体、その製造方法及び用途 |
JP2010202896A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2010248547A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法 |
JP2011225981A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット |
WO2012153507A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 出光興産株式会社 | In2O3-SnO2-ZnO系スパッタリングターゲット |
-
2012
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001011614A (ja) * | 1999-07-01 | 2001-01-16 | Nikko Materials Co Ltd | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
EP1835511A2 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-19 | Sumitomo Metal Mining Company Limited | Oxide sintered body, manufacturing method therefor, manufacturing method for transparent conductive film using the same, and resultant transparent conductive film |
JP2007277075A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-10-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜 |
JP2010037161A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜 |
JP2010150107A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Tosoh Corp | 複合酸化物焼結体、その製造方法及び用途 |
JP2010202896A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2010248547A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Hitachi Metals Ltd | 酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法 |
US20100330738A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-12-30 | Hitachi Metals, Ltd. | Oxide semiconductor target and manufacturing method of oxide semiconductor device by using the same |
JP2011225981A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット |
WO2012153507A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 出光興産株式会社 | In2O3-SnO2-ZnO系スパッタリングターゲット |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI645060B (zh) * | 2016-01-28 | 2018-12-21 | Jx金屬股份有限公司 | Cylindrical ceramic sputtering target and cylindrical ceramic sputtering target formed by joining one or more cylindrical ceramic sputtering targets by a backing tube |
CN107904560A (zh) * | 2018-01-15 | 2018-04-13 | 浦江金砂工艺有限公司 | 一种水晶玻璃饰品分二次镀彩色膜的工艺 |
CN111919268A (zh) * | 2018-03-26 | 2020-11-10 | 松下知识产权经营株式会社 | 变阻器及其制造方法 |
CN111919268B (zh) * | 2018-03-26 | 2022-04-19 | 松下知识产权经营株式会社 | 变阻器及其制造方法 |
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