JP2013157343A - ウェーハ処理方法及びシステム - Google Patents

Abstract

【課題】簡単にウェーハを加工処理することができるウェーハ処理方法及びシステムを提供する。
【解決手段】分割予定線に沿ってウェーハの裏面に水溶性レジストを付与する（印刷工程）。ウェーハに付与された水溶性レジストを乾燥させる（乾燥工程）。乾燥後のウェーハの裏面の全面に金属膜を成膜する（金属成膜工程）。金属膜が成膜されたウェーハを洗浄し、水溶性レジストを剥離除去する（洗浄工程）。これにより、水溶性レジストが付与された部分の金属膜が除去される。この後、分割予定線に沿ってウェーハを分割する（分割工程）。分割予定線上に金属膜が成膜されていないので、ダイシングブレードの目詰まりを防止できる。また、レーザーによるダイシングを行うことができる。
【選択図】 図１８

Description

本発明は、ウェーハ処理方法及びシステムに係り、特に分割予定線を避けてウェーハの裏面に金属膜を形成する方法及びシステムに関する。

パワー半導体などでは、チップの裏面にも電極が形成される。チップの裏面に電極を形成する場合、通常、ウェーハの段階で裏面の全面に電極となる金属膜を形成する。そして、ダイシング装置により個々のチップに分割する。

しかしながら、ウェーハの裏面全面に金属膜を形成すると、ダイシング時にブレードに目詰まりが生じるという問題がある。また、ブレードではなくレーザーで加工するダイシング装置では、裏面に金属膜が形成されていると、裏面側から加工することができないという問題や、表面側から加工した場合であっても、金属膜がキレイに分断できないという問題がある。

そこで、特許文献１から４では、分割予定線（いわゆるストリート）を避けてウェーハの裏面に金属膜を形成することが提案されている。

特開平２−７６２４３号公報 特開平３−２３４０３３号公報 特開平８−２２２５３１号公報 特開２００８−９８５２９号公報

しかしながら、特許文献１から４は、いずれもフォトリソグラフィ及びエッチングにより金属膜を形成しているため、処理に手間がかかるという欠点がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、簡単にウェーハを加工処理することができるウェーハ処理方法及びシステムを提供することを目的とする。

上記課題を解決するための手段は、次のとおりである。

ウェーハ処理方法の第１の態様は、ウェーハをチップに分割するための分割予定線に沿って前記ウェーハの片面に水溶性レジストを付与する工程と、前記ウェーハの片面に付与された前記水溶性レジストを乾燥させる工程と、前記ウェーハの片面の全面に金属膜を形成する工程と、前記ウェーハの片面を洗浄し、前記水溶性レジストを除去する工程と、を含むウェーハ処理方法である。

本態様では、分割予定線に沿ってウェーハの片面（金属膜形成面）に水溶性レジストを付与し、乾燥させたのち、ウェーハの片面の全面に金属膜を形成する。水溶性レジストの上に形成された金属膜は、ウェーハを洗浄処理することにより、水溶性レジストとともにウェーハから剥離除去される。これにより、分割予定線を避けてウェーハの片面に金属膜を形成することができる。本方法によれば、フォトリソグラフィやエッチングなどを用いる必要がないので、ウェーハの取り扱いが容易であり、簡単に必要な領域（分割予定線を除いた領域）に金属膜を形成することができる。

ウェーハ処理方法の第２の態様は、上記第１の態様のウェーハ処理方法において、スクリーン印刷により前記水溶性レジストを付与するウェーハ処理方法である。

本態様によれば、スクリーン印刷の技法を用いて、ウェーハの片面に水溶性レジストが付与される。スクリーン印刷の技法を用いることにより、分割予定線に沿って正確に水溶性レジストを付与することができる。

ウェーハ処理方法の第３の態様は、上記第１又は２の態様のウェーハ処理方法において、前記ウェーハを前記分割予定線に沿って分割する工程を更に含むウェーハ処理方法である。

本態様によれば、分割予定線に沿ってウェーハが分割される。この場合、たとえば、ブレードダイシングにより分割処理する場合には、分割予定線に金属膜が形成されていないので、ブレードに目詰まり等を生じさせることなく、ウェーハを加工処理することができる。また、分割予定線に金属膜が形成されていないので、レーザーによるダイシング（いわゆるステルスダイシングや、レーザースクライビング（レーザーによりウェーハに切れ込みを入れた後、応力をかけて割断する加工法）を含むレーザーダイシング、以下、「レーザーダイシング」という）も行うことができる。

ウェーハ処理システムの第１の態様は、ウェーハをチップに分割するための分割予定線に沿って前記ウェーハの片面に水溶性レジストを付与する水溶性レジスト付与手段と、前記ウェーハの片面に付与された前記水溶性レジストを乾燥させる乾燥処理手段と、前記ウェーハの片面の全面に金属膜を形成する金属膜形成手段と、前記ウェーハの片面を洗浄し、前記水溶性レジストを除去する洗浄手段と、を備えるウェーハ処理システムである。

本態様によれば、まず、水溶性レジスト付与手段によって、ウェーハの片面（金属膜形成面）に水溶性レジストを付与する。この際、あらかじめ設定された分割予定線に沿って水溶性レジストを付与する。これにより、ウェーハの片面に水溶性レジストによって分割予定線が形成される。次に、乾燥処理手段によってウェーハを乾燥処理し、片面に付与された水溶性レジストを乾燥させる。乾燥処理は、たとえば、ウェーハをベーキングすることにより行われる。これにより、ウェーハに付与された水溶性レジストがウェーハに定着する。次に、金属膜形成手段によってウェーハの片面（水溶性レジストを付与した面）の全面に金属膜を形成する。この際、ウェーハは、水溶性レジストを付与した部分（分割予定線上の領域）も含めて全面に金属膜を形成する。金属膜は、たとえば、真空蒸着、スパッタリングなどの手法を用いて行われる。これにより、ウェーハの片面の全面に金属膜が形成される。次に、洗浄手段により、ウェーハを洗浄処理し、水溶性レジストを、その上に形成された金属膜とともにウェーハから剥離除去する。洗浄は、たとえば、金属膜が形成された面に洗浄液（たとえば、水）を噴射したり、更にブラシでスクラブ洗浄したりすることにより行われる。これにより、水溶性レジストの上に形成された金属膜が、水溶性レジストとともにウェーハから剥離除去され、分割予定線上の金属膜が除去される。すなわち、分割予定線以外の領域にのみ金属膜が形成される。このように、本態様のウェーハ処理システムによれば、フォトリソグラフィやエッチングなどを用いずに、簡単に必要な領域（分割予定線を除いた領域）に金属膜を形成することができる。

ウェーハ処理システムの第２の態様は、上記第１の態様のウェーハ処理システムにおいて、前記水溶性レジスト付与手段が、スクリーン印刷により前記水溶性レジストを付与するウェーハ処理システムである。

本態様によれば、水溶性レジスト付与手段がスクリーン印刷手段で構成され、スクリーン印刷の技法を用いて、ウェーハの片面に水溶性レジストが付与される。スクリーン印刷の技法を用いて、ウェーハの片面に水溶性レジストを付与することにより、分割予定線に沿って正確に水溶性レジストを付与することができる。

ウェーハ処理システムの第３の態様は、上記第１又は２の態様のウェーハ処理システムにおいて、前記ウェーハを前記分割予定線に沿って分割する分割手段を更に含むウェーハ処理システムである。

本態様によれば、分割予定線を避けて金属膜が形成されたウェーハが、分割手段によって分割処理される。分割処理手段は、たとえば、ダイシング装置で構成される。この場合、たとえば、ブレードダイシングにより分割処理する場合には、分割予定線に金属膜が形成されていないので、ブレードに目詰まり等を生じさせることなく、ウェーハを加工処理することができる。また、分割予定線に金属膜が形成されていないので、レーザーによるダイシング（いわゆるレーザーダイシング）も行うことができる。

本発明によれば、簡単にウェーハを加工処理することができる。

ウェーハ処理システムのシステム構成図 ウェーハの上面図（ウェーハを表面側から見た図） ウェーハの下面図（ウェーハを裏面側から見た図） 水溶性レジストが付与されたウェーハの下面図 印刷装置の概略構成を示す平面図 印刷装置の概略構成を示す正面図 スクリーンマスクの概略構成を示す平面図 印刷処理の流れ図 乾燥装置の概略構成図 金属膜が成膜されたウェーハの下面図 金属膜の成膜の概念図 洗浄装置の概略構成を示す平面図 洗浄装置の概略構成を示す正面図 洗浄による水溶性レジストの剥離除去の概念図 洗浄処理後のウェーハの下面図 分割装置（ブレード方式のダイシング装置）の概略構成を示す平面図 分割装置（ブレード方式のダイシング装置）の概略構成を示す正面図 ウェーハＷの加工処理の手順を示すフローチャート ダイシングブレードによるウェーハの加工処理の概念図 分割装置（レーザー方式のダイシング装置）の概略構成を示す正面図 スクラブ洗浄によりウェーハを洗浄処理する洗浄装置の概略構成を示す正面図 スクラブ洗浄によりウェーハを洗浄処理する洗浄装置の概略構成を示す平面図 スクラブ洗浄によりウェーハを洗浄処理する洗浄装置の他の例の概略構成を示す正面図 スクラブ洗浄によりウェーハを洗浄処理する洗浄装置の他の例の概略構成を示す平面図

以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。

《システム構成》
図１は、本発明に係るウェーハ処理システムの一態様を示すシステム構成図である。

このウェーハ処理システム１０は、表面に複数の素子がパターン形成されたウェーハＷの裏面に電極となる金属膜を形成（成膜）し、その後、個々のチップに分割するシステムとして構成される。

このウェーハ処理システム１０は、図１に示すように、ウェーハＷの裏面に印刷処理を行う印刷装置２０と、印刷処理されたウェーハＷを乾燥処理する乾燥装置４０と、乾燥処理されたウェーハＷの裏面に金属膜を成膜する金属成膜装置５０と、金属成膜されたウェーハＷを洗浄処理する洗浄装置６０と、洗浄処理されたウェーハＷを個々のチップに分割する分割装置８０とで構成される。

〈印刷装置〉
印刷装置２０は、水溶性レジストＲを用いて所定の画像をウェーハＷの裏面に形成する。この画像は、ウェーハＷの分割予定線に合致した線画である。すなわち、ウェーハＷは、印刷により分割予定線上にマスクとなる水溶性レジストＲが付与される。

ここで、本実施の形態のウェーハ処理システム１０で処理するウェーハＷは、上記のように、表面に複数の素子がパターン形成されたウェーハＷである。

図２は、本実施の形態のウェーハ処理システムで処理するウェーハの上面図（表面側から見た図）である。また、図３は、本実施の形態のウェーハ処理システムで処理するウェーハの下面図（裏面側から見た図）である。

図２に示すように、ウェーハＷの表面には、複数の素子Ｅが碁盤目状にパターン形成されている。分割予定線Ｌとは、この碁盤目状に配列された各素子Ｅを賽の目状に切断するための線であり、縦横複数条の罫で構成される。ウェーハＷは、この分割予定線Ｌに沿って切削等することにより、個々のチップに分割される。

印刷装置２０は、図４に示すように、分割予定線Ｌに沿って所定の線幅でウェーハＷの裏面に水溶性レジストＲを付与する。印刷装置２０は、たとえば、スクリーン印刷装置で構成され、スクリーン印刷の技法を用いてウェーハＷの裏面に所定の画像を形成（印刷）する。

図５、図６は、それぞれ印刷装置２０の概略構成を示す平面図と正面図である。

同図に示すように、印刷装置２０は、主として、印刷ステージ２２と、スクリーンマスク２４と、スキージ２６と、水溶性レジスト補給装置（図示せず）とを備えて構成される。

印刷ステージ２２は、ウェーハＷを水平に保持する。印刷ステージ２２は、図示しない水平移動機構によって、図５中Ｘ−Ｙ方向に移動可能に設けられるとともに、図示しない昇降機構によって、図６中Ｚ方向に移動可能に設けられる。さらに、図示しない回転機構によって、中心軸（θ軸）周りに回転可能に設けられる。印刷ステージ２２は、図中Ｘに移動することにより、ウェーハＷの交換を行うための交換位置と、印刷処理を行うための印刷位置との間を移動する。ウェーハＷは、この印刷ステージ２２の上に裏面を上に向けて載置され、保持される。

印刷ステージ２２へのウェーハＷの供給、回収は、たとえば、ロボットアームにより行われる。ウェーハＷは、カセットに収容され、カセットからロボットアームにより取り出されて、印刷ステージ２２に供給される。また、ロボットアームにより印刷ステージ２２から回収されて、カセットの元の位置に収容される。

スクリーンマスク２４は、たとえば、メッシュ上に塗布された感光性乳剤膜をフォトリソグラフィ技術によりパターン形成して製造される。あるいは、金属膜をフォトリソグラフィ技術によって選択的にエッチングしてメッシュパターンを形成して製造される。

スクリーンマスク２４は、ウェーハＷの裏面に形成する画像に合わせて開口部３０Ａとマスク部３０Ｂとが形成される。すなわち、ウェーハＷに水溶性レジストＲを付与する部分が開口部３０Ａとされる。上記のように、本実施の形態のウェーハ処理システム１０では、分割予定線Ｌに沿って水溶性レジストＲを付与するので、処理対象のウェーハＷの分割予定線Ｌに対応した開口部３０Ａが形成される。この分割予定線Ｌは、縦横複数条の罫で構成されるので（図２参照）、スクリーンマスク２４には、図７に示すように、縦横複数条の罫からなる開口部３０Ａが形成される。

メッシュは、使用する水溶性レジストの組成や印刷対象の表面性状、形成する線幅、塗布する厚さなどによって番手が適宜設定される。分割予定線Ｌの線幅やウェーハＷの表面性状等を考慮すると、たとえば、メッシュの番手は３００以上とすることが好ましい。

以上のように構成されるスクリーンマスク２４は、外周部をフレーム２８に保持されて、所定位置に水平に設置される。印刷ステージ２２は、印刷位置に移動すると、このスクリーンマスク２４の下方に位置する。

スキージ２６は、スクリーンマスク２４に形成された開口部３０Ａに水溶性レジストＲを充填させるためのものであり、図示しないスキージ駆動手段に駆動されて、図６中Ｙ方向に水平移動し、スクリーンマスク２４の上を摺動する。

水溶性レジスト補給装置（図示せず）は、スクリーンマスク２４の上に水溶性レジストＲを補給する。

スクリーンマスク２４の上に水溶性レジストＲを補給し、印刷ステージ２２に保持されたウェーハＷの裏面をスクリーンマスク２４の下面に接触させ、スキージ２６をスクリーンマスク２４の一端から他端に向けて摺動させることにより、スクリーンマスク２４に形成された開口部３０Ａに水溶性レジストＲが充填される。この後、ウェーハＷをスクリーンマスク２４から離間させることにより、ウェーハＷの裏面に水溶性レジストＲが付与される。上記のように、開口部３０Ａは、分割予定線Ｌに対応して形成されているので、ウェーハＷの裏面には、分割予定線Ｌに沿って水溶性レジストＲが付与（印刷）される。

なお、分割予定線Ｌに沿って水溶性レジストＲを正確に付与するためには、スクリーンマスク２４とウェーハＷとの位置合わせを正確に行う必要がある。このため、印刷装置２０には、位置合わせを行うための機構（アライメント機構）が備えられる。

この位置合わせを行うための機構（アライメント機構）としては、たとえば、基準となるガイドピンを印刷ステージに設置し、ウェーハに設けたオリフラ等に当接させて位置合わせをする方式や、電子カメラ（ＣＣＤカメラなど）を使用し、画像処理技術により位置合わせを行う方式などを採用することができる。画像処理技術による方式は、たとえば、テスト印刷等で先にスクリーンマスク２４の位置を登録しておき、印刷ステージに供給されたウェーハのズレを電子カメラで拡大認識し、印刷ステージ２２をＸＹ方向に移動、又は、回転させて、そのズレ分を補正するものである。

以上のように構成される印刷装置２０では、次のようにしてウェーハＷの印刷処理が行われる。

まず、ウェーハＷが印刷ステージ２２に供給される。このとき、ウェーハＷは、印刷面である裏面が上に向けられて、印刷ステージ２２の上に供給される。

次に、アライメント機構によりウェーハＷのアライメントが行われる。これにより、印刷時に所定の位置に水溶性レジストＲが付与される。すなわち、分割予定線Ｌ上に所定の幅をもって水溶性レジストＲが付与される。

次に、印刷処理が行われる。まず、印刷ステージ２２が印刷位置に移動する。これにより、印刷ステージ２２がスクリーンマスク２４の下に移動する（図８（ａ））。次に、印刷ステージ２２が所定量上昇する。これにより、印刷ステージ２２に載置されたウェーハＷの裏面がスクリーンマスク２４の下面に密着する（図８（ｂ））。次に、スキージ２６が駆動される（図８（ｃ））。これにより、スクリーンマスク２４上に付与された水溶性レジストＲがスクリーンマスク２４の開口部３０Ａに充填される（図８（ｄ））。開口部３０Ａに充填された水溶性レジストＲは、ウェーハＷの裏面に載置される。この開口部３０Ａは、分割予定線Ｌに対応して形成されているので、水溶性レジストＲは、分割予定線Ｌの上に載置される。スキージ２６が一方端から他方端に移動すると、印刷ステージ２２が所定量下降する。これにより、ウェーハＷがスクリーンマスク２４から離間する。このとき、スクリーンマスク２４の開口部３０Ａに充填された水溶性レジストＲが、ウェーハＷと共にスクリーンマスク２４から離間する。これにより、ウェーハＷの裏面に水溶性レジストＲが付与（印刷）される（図８（ｅ））。この後、印刷ステージ２２が交換位置に移動し、印刷ステージ２２からウェーハＷが回収される。

このように、印刷装置２０は、スクリーン印刷によって、マスクとなる水溶性レジストＲをウェーハＷの裏面に付与する。この印刷装置２０で印刷処理することにより、ウェーハＷの裏面には、図４に示すように、あらかじめ設定された分割予定線Ｌに沿って水溶性レジストＲが所定の幅で付与される。

なお、水溶性レジストＲを付与する幅（印刷する線幅）は、後の分割工程を考慮して設定される。すなわち、ダイシングブレードによってウェーハＷを分割処理する場合は、ダイシングブレードの幅よりも広い幅に設定される（図１９参照）。同様に、スクライビングカッターによってウェーハＷを分割処理する場合は、スクライビングカッターよりも広い幅に設定される。また、レーザーによってウェーハＷを分割処理する場合は、照射するレーザーが透過可能な幅に設定される。

また、付与する水溶性レジストＲの厚さは、後の乾燥工程、金属成膜工程、洗浄工程を考慮すると、５μｍ〜２０μｍ程度が好ましい。

〈乾燥装置〉
乾燥装置４０は、印刷処理されたウェーハＷを乾燥処理する。すなわち、ウェーハＷの裏面に付与された水溶性レジストＲを乾燥させて、ウェーハＷの裏面に定着させる。乾燥装置４０は、たとえば、ウェーハＷを加熱して乾燥処理（加熱乾燥）する。

図９は、乾燥装置の概略構成図である。同図に示すように、乾燥装置４０は、ウェーハＷが載置される乾燥ステージ４２と、ヒータ４４とを備えて構成される。

乾燥ステージ４２は、ウェーハＷを水平に保持する。この乾燥ステージ４２は、ウェーハＷの交換を行うための交換位置と、乾燥処理を行うための加熱位置との間を移動する。ウェーハＷは、水溶性レジストＲが付与された面（裏面）を上にして乾燥ステージ４２の上に載置される。

乾燥ステージ４２へのウェーハＷの供給、回収は、たとえば、ロボットアームにより行われる。ウェーハＷは、カセットに収容され、カセットからロボットアームにより取り出されて、印刷ステージ２２に供給される。また、ロボットアームにより乾燥ステージ４２から回収されて、カセットの元の位置に収容される。

ヒータ４４は、たとえば、赤外線ヒータで構成され、加熱位置に位置した乾燥ステージ４２の上方に設置される。乾燥ステージ４２に載置されたウェーハＷは、このヒータ４４からの熱（輻射熱）によって加熱され、裏面に付与された水溶性レジストＲが乾燥される（水溶性レジスト中の溶媒成分が除去される。）。

加熱温度、加熱時間等は、使用する水溶性レジストの種類やウェーハＷの裏面に付与した水溶性レジストの厚さ等に応じて適宜設定される。たとえば、８０度で１０分〜１５分加熱する。

乾燥装置４０は、この他、ウェーハＷの裏面に熱風を吹き当てて乾燥処理する構成とすることもできる。

〈金属成膜装置〉
金属成膜装置５０は、乾燥処理されたウェーハＷの裏面の全面に電極となる金属膜を成膜する。

金属成膜装置５０は、たとえば、真空蒸着装置で構成され、真空蒸着の手法により、ウェーハＷの裏面全面に金属膜Ｍを成膜する。すなわち、真空中（たとえば、真空蒸着槽中）で金属を電子銃などで加熱し蒸発させ、発生した分子をウェーハＷの裏面に堆積させ、ウェーハＷの裏面全面に薄膜を形成させる。

真空蒸着の技術、及び、その装置構成は、公知の技術なので、その具体的な説明については省略する。

金属成膜装置５０については、この他、スパッタ装置等で構成することもできる。スパッタは、真空中に不活性ガス（主にＡｒガス）を導入しながらウェーハとスパッタ材との間に直流高電圧を印加し、イオン化したＡｒをスパッタ材に衝突させて、弾き飛ばされたスパッタ物質をウェーハに成膜させる技術である。

なお、金属膜Ｍは、図１０に示すように、ウェーハＷの裏面全面に成膜する。上記のように、ウェーハＷの裏面には、分割予定線Ｌに沿って水溶性レジストＲが付与されているので、分割予定線上の領域（水溶性レジストＲが付与された領域）については、図１１に示すように、水溶性レジストＲの上に金属膜Ｍが成膜される。

〈洗浄装置〉
洗浄装置６０は、金属膜Ｍが成膜されたウェーハＷの裏面を洗浄し、分割予定線上に成膜された金属膜Ｍを水溶性レジストＲと共に剥離、除去する。

洗浄装置６０は、たとえば、ウェーハＷの裏面に向けて洗浄液を噴射して、ウェーハＷを洗浄処理する。

図１２、図１３は、それぞれ洗浄装置の概略構成を示す平面図、正面図である。

同図に示すように、本例の洗浄装置６０は、ウェーハＷを移送するコンベア６２と、コンベア６２によって移送されるウェーハＷを洗浄処理する洗浄部６４と、洗浄後のウェーハＷを乾燥処理する乾燥部６６とで構成される。

コンベア６２は、所定の移送経路に沿ってウェーハＷを水平に移送する。ウェーハＷは、このコンベア６２の上に裏面を上にして載置される。コンベア６２へのウェーハＷの供給、回収は、図示しない供給装置、回収装置によって行われる。供給装置（たとえば、ロボットアーム）は、金属膜Ｍが成形されたウェーハＷをコンベア６２の上に供給する。回収装置（たとえば、ロボットアーム）は、洗浄、乾燥後のウェーハＷをコンベア６２から回収する。

洗浄部６４は、コンベア６２によるウェーハＷの移送経路上に設置される。洗浄部６４は、ウェーハＷに向けて洗浄液を噴射して、ウェーハＷを洗浄処理する。

洗浄部６４は、図１２、図１３に示すように、複数の洗浄液噴射管６８を備えて構成される。各洗浄液噴射管６８は、コンベア６２の移送方向に対して直交して配置される。各洗浄液噴射管６８には、洗浄液スプレーノズル６８Ａが一定ピッチで複数配置される。洗浄液スプレーノズル６８Ａは、鉛直下向きに配置され、コンベア６２に載置されたウェーハＷに向けて洗浄液を噴射する。

各洗浄液噴射管６８は、図示しない洗浄液供給装置（洗浄液源）に接続される。この洗浄液供給装置を駆動することにより、各洗浄液噴射管６８に洗浄液が供給され、各洗浄液噴射管６８に備えられた洗浄液スプレーノズル６８Ａから洗浄液が所定圧で噴射される。

洗浄液の噴射圧（スプレー圧）は、ウェーハＷに付与された水溶性レジストＲを剥離可能な圧に設定される（たとえば、２ｋｇｆ／ｃｍ^２程度に設定される。）。

なお、洗浄液は、特に限定されないが、純水を使用することが好ましい。また、洗浄液は、必要に応じて温調される（たとえば、３０℃〜４０℃程度）。温調することにより、効率よく水溶性レジストＲを剥離除去することができる。

乾燥部６６は、コンベア６２によるウェーハＷの移送経路上であって、洗浄部６４の下流側に設置される。乾燥部６６は、ウェーハＷに向けて圧縮エアを噴射して、ウェーハＷを乾燥処理（ウェーハ上に残留する洗浄液の除去処理）する。

乾燥部６６は、図１２に示すように、複数のエア噴射管７０を備えて構成される。各エア噴射管７０は、コンベア６２の移送方向に対して直交して配置される。各エア噴射管７０には、エアスプレーノズル７０Ａが一定ピッチで複数配置される。エアスプレーノズル７０Ａは、鉛直下向きに配置され、コンベア６２に載置されたウェーハＷに向けて圧縮エアを噴射する。

各エア噴射管７０は、図示しないエア供給装置（エア源）に接続される。このエア供給装置を駆動することにより、各エア噴射管７０に洗浄液が供給され、各エア噴射管７０に備えられたエアスプレーノズル７０Ａから圧縮エアが噴射される。この圧縮エアの噴射圧は、ウェーハＷに上に残留する液滴を除去可能な圧に設定される。

供給装置（不図示）によってコンベア６２上に載置されたウェーハＷは、コンベア６２によって所定の移送経路を所定の移送速度で水平に移送される。そして、その移送過程で洗浄部６４、乾燥部６６を通過して、洗浄、乾燥処理が施される。

洗浄部６４では、コンベア６２によって移送されるウェーハＷに向けて所定のスプレー圧で洗浄液が噴射される。ウェーハＷは、この洗浄液が吹き付けられることにより、水溶性レジストＲがウェーハＷの裏面から剥離され、除去される。このとき、図１４に示すように、水溶性レジストＲと共に、その水溶性レジストＲの上に被膜された金属膜Ｍも除去される。すなわち、図１５に示すように、分割予定線Ｌに沿って、水溶性レジストＲが付与された部分のみ金属膜Ｍが除去される。

乾燥部６６では、コンベア６２によって移送されるウェーハＷに向けて圧縮エアが噴射される。これにより、ウェーハ上に残存する液滴が除去される（吹き飛ばされる。）。

なお、本例では、ウェーハＷを水平に移送しながら、洗浄液を吹き付けて、ウェーハＷを洗浄する構成としているが、洗浄装置の構成は、これに限定されるものではない。この他、ウェーハＷを起立（垂直又は傾斜起立）させた状態で移送し、その移送過程でウェーハＷに洗浄液を吹き付けて、洗浄処理する構成とすることもできる。また、ウェーハＷを回転させながら、ウェーハＷの裏面に洗浄液を吹き付けて、ウェーハＷを洗浄処理する構成とすることもできる（いわゆるスピン洗浄）。更に、回転するブラシをウェーハの裏面に当接させて、ウェーハをスクラブ洗浄する構成とすることもできる。

〈分割装置〉
分割装置８０は、ウェーハＷを分割予定線Ｌに沿って分割処理する。ウェーハＷの分割処理は、ダイシングブレードを用いた切削加工によるダイシング（ブレードダイシング）、レーザーを用いたレーザー加工によるダイシング（レーザーダイシング）、スクライビングカッターを用いたスクライビング等により実施することができる。ここでは、ブレードダイシングによりウェーハＷを分割処理する場合（分割装置８０が、ブレード方式のダイシング装置で構成される場合）について説明する。

図１６、図１７は、それぞれブレード方式のダイシング装置（分割装置）の概略構成を示す平面図、正面図である。

同図に示すように、ダイシング装置８０は、ウェーハＷを保持する加工テーブル８２と、加工テーブル８２に保持されたウェーハＷをダイシング加工する加工部８４とを備えて構成される。

加工テーブル８２は、ウェーハＷを水平に保持する。加工テーブル８２は、図示しない水平移動機構によって、図１６中Ｘ−Ｙ方向に移動可能に設けられるとともに、図示しない回転機構によって、中心軸（θ軸）周りに回転可能に設けられる。加工テーブル８２は、図中Ｘに移動することにより、ウェーハＷの交換を行うための交換位置と、加工処理を行うための加工位置との間を移動する。ウェーハＷは、この加工テーブル８２の上に表面を上に向けて載置され、保持される。

加工テーブル８２へのウェーハＷの供給、回収は、たとえば、ロボットアームにより行われる。ウェーハＷは、カセットに収容され、カセットからロボットアームにより取り出されて、加工テーブル８２に供給される。また、ロボットアームにより加工テーブル８２から回収されて、カセットの元の位置に収容される。

加工部８４は、一対のスピンドル８６を備え、各スピンドル８６に装着されたダイシングブレード８８により、ウェーハＷをダイシング加工（切削加工）する。

一対のスピンドル８６は、加工テーブル８２の移動方向（Ｘ方向）に直交して配置され（Ｙ方向に沿って配置される）、互いに対向して配置される。各スピンドル８６は、図示しない昇降機構によって、図１７中Ｚ方向に昇降可能に設けられるとともに、図示しない水平移動機構によって、図１７中Ｙ方向に移動可能に設けられる。

ダイシングブレード８８は、薄い円盤状に形成され、外周部にダイヤモンド砥粒が固着される。ダイシングブレード８８は、各スピンドル８６の出力軸に装着される。スピンドル８６に装着されたダイシングブレード８８は、Ｘ方向に沿って配置される（ダイシングブレード８８の回転軸はＹ軸と平行に配置される）。ダイシングブレード８８は、スピンドル８６を駆動することにより高速回転する。

ダイシング装置（分割装置）８０は、以上のように構成される。

なお、ダイシング装置８０で加工するに際して、ウェーハＷは、所定のダイシングフレームにマウントされる。図１６、図１７に示すように、ダイシングフレームＦは、薄板状に形成され、中央部に円形の開口部が形成される。この開口部には、フィルム状のダイシングテープＴが張られている。ダイシングテープＴは、片面側（表面側）が粘着面とされている。ウェーハＷは、このダイシングテープＴに貼り付けられることにより、ダイシングフレームＦにマウントされる。この際、ウェーハＷは、表面を上にしてダイシングフレームＦにマウントされる。すなわち、裏面をダイシングテープＴに貼り付けさせて、ダイシングフレームＦにマウントされる。

ダイシングフレームＦへのウェーハＷのマウントは、所定のマウント装置を用いて行われる。マウント装置は公知の装置なので、その具体的な構成についての説明は省略する。

ダイシング装置８０によるウェーハＷの加工処理は、次のように行われる。

まず、ダイシングフレームＦにマウントされたウェーハＷが、加工テーブル８２に供給される。この際、ウェーハＷは、表面側を上にして（裏面側（ダイシングテープ側）を下にして）、加工テーブル８２に供給される。したがって、ウェーハＷは、ダイシングテープＴを介して裏面側を加工テーブル８２に保持される。なお、ウェーハＷの供給は、交換位置で行われる。

ウェーハＷが供給されると、加工テーブル８２が加工位置に向けて移動する。そして、アライメント後、加工が開始される。

アライメントは、たとえば、ダイシングブレード８８の刃先を顕微鏡で拡大観察し（電子カメラで撮影）、ダイシングブレード８８と分割予定線とのズレを演算し、そのズレを是正することにより行われる。ズレ量の演算は、電子カメラを介してえられる画像を解析することにより行われる。また、ズレの是正は、加工テーブル８２を回転、ダイシングブレード８８を移動等させることにより行われる。

加工は、次のように行われる。まず、スピンドル８６が駆動され、ダイシングブレード８８が高速回転させられる。次に、スピンドル８６が、所定量下降される（Ｚ方向に移動される。）。次に、加工テーブル８２がＸ方向に向かって送られる（往路の送り）。これにより、高速回転するダイシングブレード８８にウェーハＷが接触し、ウェーハＷがダイシングブレード８８によって切削加工される。加工テーブル８２は、Ｘ方向に沿って送られるので、ウェーハＷは、Ｘ方向に沿って直線状に切削される。ウェーハＷは、分割予定線にダイシングブレード８８が接触するように位置合わせされているので、ウェーハＷは、分割予定線に沿って切削される。

一本目の切削が終了すると、スピンドル８６がＹ方向に所定量送られる（いわゆるインデックス送り）。これにより、ダイシングブレード８８の刃先が、二本目の分割予定線を切削可能な位置に移動する。インデックス送り後、加工テーブル８２がＸ方向に向かって送られる（復路の送り）。これにより、二本目の分割予定線に沿って、ウェーハＷが切削される。このように、加工テーブル８２のＸ方向の送り（加工送り）と、スピンドル８６のＹ方向の送り（インデックス送り）とを繰り返すことにより、ウェーハＷが分割予定線に沿って順次切削される。

縦方向の分割予定線の切削が、すべて完了すると、加工テーブル８２が９０度回転する。これにより、横方向の分割予定線（切削済みの分割予定線と直交する方向の分割予定線）の切削が可能になる。以下、同様の手順で横方向の分割予定線の切削が行われる。

縦横すべての分割予定線の切削が完了すると、スピンドル８６が所定量上昇し、スピンドル８６の駆動が停止される。その後、加工テーブル８２が、交換位置に移動し、加工が完了する。加工後のウェーハＷは、回収装置によって加工テーブル８２から回収され、カセットに収容される。

なお、切削は、いわゆるハーフカット（ウェーハの途中まで切削する方式（ウェーハ厚の２／３程度切り込む方式））と、フルカット（ウェーハを全部切り込む方式）のいずれの方式を採用することもできる。ハーフカットの場合は、加工後、ダイシングテープＴをエキスパンドして、個々のチップに分割する。この処理は、エキスパンド装置により行われる。エキスパンド装置は、公知の装置であるので、その具体的な構成についての説明は省略する。

《ウェーハの処理方法》
次に、上記のように構成されるウェーハ加工システムを用いたウェーハの処理方法について説明する。

図１８は、ウェーハＷの加工処理の手順を示すフローチャートである。

まず、印刷装置２０を用いて、印刷処理が行われる（ステップＳ１）。すなわち、印刷によってウェーハＷの裏面にマスクとなる水溶性レジストＲが付与（印刷）される。

印刷は、スクリーン印刷によって行われ、あらかじめ設定された分割予定線Ｌによって水溶性レジストＲが所定の線幅、厚さで付与される。スクリーン印刷により水溶性レジストＲを付与することにより、水溶性レジストＲを簡単かつ正確にウェーハＷに付与することができる。また、スクリーン印刷により水溶性レジストＲを付与することにより、水溶性レジストＲの断面が矩形に近い形状となる。これにより、後の金属膜の成膜工程で金属膜を成膜する際、いわゆるシャドーイング現象により、レジスト側面に成膜される金属膜の厚さが薄くなる。これにより、その後の洗浄工程でレジストを剥離する際、容易に剥離することができるようになる。

この印刷処理により、ウェーハＷの裏面には、図４に示すように、分割予定線Ｌに沿って水溶性レジストＲが、所定の線幅、厚さで付与される。

次に、乾燥装置４０を用いて、乾燥処理が行われる（ステップＳ２）。すなわち、所定の加熱温度の下、所定時間加熱（ベーキング）されて、水溶性レジスト中の溶媒成分が除去される。これにより、スクリーン印刷によってウェーハＷの裏面に付与された水溶性レジストＲの画像が、ウェーハＷに定着する。

次に、金属成膜装置５０を用いて、金属膜の成膜処理が行われる（ステップＳ３）。すなわち、真空蒸着により、ウェーハＷの裏面に電極となる金属膜Ｍが成膜される。金属膜Ｍは、ウェーハＷの裏面全面に行われる。したがって、水溶性レジストＲが付与されている領域（分割予定線Ｌ上の領域）については、図１１（ｂ）に示すように、水溶性レジストＲに重ねて、金属膜Ｍが成膜される。

この金属膜の成膜処理により、ウェーハＷの裏面には、図１０に示すように、全面に金属膜Ｍが成膜される。

ここで、上記のように、水溶性レジストＲは、スクリーン印刷によって断面が矩形に近い形状となっているため、いわゆるシャドーイング現象によって側面の金属膜厚が薄くなる。これにより、後の洗浄工程でレジストを剥離する際、容易に剥離することができる。

次に、洗浄装置６０を用いて、ウェーハＷの洗浄処理が行われる（ステップＳ４）。洗浄は、所定のスプレー圧でウェーハＷの裏面に洗浄液（たとえば、純水）が噴射することにより行われる。これにより、ウェーハＷに付与された水溶性レジストＲが、ウェーハＷから剥離除去される。この際、上記のように、水溶性レジストＲは、いわゆるシャドーイング現象によって側面の金属膜厚が薄くなっているので、洗浄により容易に剥離除去することができる。

この洗浄処理により、ウェーハＷは、図１５に示すように、分割予定線Ｌ上の金属膜Ｍが除去される。すなわち、分割予定線を避けて金属膜を形成したウェーハＷが生成される。

次に、分割装置８０を用いて、ウェーハＷの分割処理が行われる（ステップＳ５）。分割装置８０は、高速回転するダイシングブレード８８によって、ウェーハＷを分割予定線Ｌに沿って切削することにより行われる。

この際、図１９に示すように、ウェーハＷは、ダイシングブレード８８で切削する領域（分割予定線上の所定の線幅領域）の金属膜Ｍが除去されているので、ダイシングブレード８８に目詰まりを発生させることなく切削することができる。

以上一連の工程でウェーハＷの加工処理が完了する。

以上説明したように、本実施の形態の処理方法によれば、スクリーン印刷によってマスクとなるレジストをウェーハＷに付与することにより、簡単かつ正確にマスクを形成することができる。

また、レジストに水溶性レジストを使用することにより、洗浄により簡単にレジストを剥離除去することができる。これにより、簡単に分割予定線上の金属膜を除去することができ、簡単に分割予定線を避けて金属膜を形成したウェーハＷが生成することができる。

そして、このように分割予定線を避けてウェーハＷの裏面に金属膜を形成することにより、分割処理時にダイシングブレードに目詰まり等の不具合を発生させることなく加工処理することができる。

《その他の実施の形態》
上記実施の形態では、分割装置８０が、ブレード方式のダイシング装置で構成された場合を例に説明したが、レーザー方式のダイシング装置で構成することもできる。すなわち、上記のように、分割装置８０で加工処理するウェーハＷは、分割予定線を避けて金属膜が形成されているので、分割予定線に沿って、ウェーハＷにレーザー光を入射させることができる。したがって、レーザー方式のダイシング装置（レーザーダイシング装置）を用いても、ウェーハＷを加工処理することができる。

図２０は、レーザー方式のダイシング装置（分割装置）の概略構成図である。

同図に示すように、レーザー方式のダイシング装置１００は、ウェーハＷを保持する加工テーブル１０２と、加工テーブル１０２に保持されたウェーハＷにレーザーを入射するレーザー照射装置１０４とを備えて構成される。

加工テーブル１０２の構成は、ブレード方式のダイシング装置の加工テーブル８２の構成と同じである。ウェーハＷは、この加工テーブル１０２の上に表面を上に向けて載置され、保持される。

加工テーブル１０２へのウェーハＷの供給、回収は、たとえば、ロボットアームにより行われる。ウェーハＷは、カセットに収容され、カセットからロボットアームにより取り出されて、加工テーブル８２に供給される。また、ロボットアームにより加工テーブル８２から回収されて、カセットの元の位置に収容される。

レーザー照射装置１０４は、加工テーブル１０２の上方に設置され、加工テーブル１０２に向けてレーザー光を垂直に出射する。レーザー照射装置１０４は、レーザー発振装置と、コリメータレンズと、コンデンサレンズと、アクチュエータとを内蔵する。レーザー発振装置から発振されたレーザー光が、コリメータレンズによって平行光とされ、コンデンサレンズによって焦点に集光される。

焦点をウェーハＷの内部に設定して、ウェーハＷにレーザー光を入射すると、ウェーハＷに改質領域が形成される。この状態でウェーハＷを水平に移動させると、焦点の移動軌跡に沿って改質領域が連続的に形成され、改質層が形成される。加工時は、この改質層を分割予定線に沿って形成する。

アクチュエータは、コンデンサレンズを光軸方向に微小移動させる。アクチュエータを駆動して、コンデンサレンズを光軸方向に移動させることにより、レーザー光の焦点の位置が上下方向（ウェーハＷの厚さ方向）に変位する。これにより、改質層を形成する位置（ウェーハＷの厚さ方向の位置）を調整することができる。また、焦点の位置を変えて、ウェーハＷに複数回レーザー光を入射することにより、ウェーハＷの内部に複数の改質層を形成することができる。

分割工程は、このようなレーザー方式のダイシング装置を用いても、ウェーハＷを加工処理することができる。

なお、上記の例では、ウェーハＷの表面側からレーザー光を入射させて加工処理する場合を例に説明したが、ウェーハＷの裏面にレーザー光を入射させて、ウェーハＷを加工処理することもできる。この場合、ダイシングテープＴを通してウェーハＷにレーザー光を入射させる態様とすることもできる。

また、レーザーダイシングは、上記のように、いわゆるステルスダイシングによる方法や、いわゆるレーザースクライビングによる方法のいずれを採用することもできる。

ステルスダイシングによる場合は、たとえば、粘着シートに貼付したウェーハの内部に分割予定線に沿ってレーザー光を集光し、粘着シートをエキスパンドして割断する。また、レーザースクライビングによる場合は、分割予定線に沿ってレーザーによりウェーハに切れ込みを入れた後、応力をかけて割断する。

分割工程は、スクライビングカッターによってウェーハＷを加工処理する構成とすることもできる。

また、上記実施の形態では、印刷工程において、スクリーン印刷によって、ウェーハＷに水溶性レジストを付与する構成としているが、その他の手法、たとえば、インクジェット方式で水溶性レジストを付与する構成とすることもできる。

なお、他の印刷方式と比べて、スクリーン印刷によって、水溶性レジストを付与することにより、所望の線幅、厚さで水溶性レジストを簡単かつ正確に付与することができる。すなわち、インクジェット方式は、水溶性レジストの液滴をウェーハＷに打滴して線画を形成するが、ウェーハＷは、鏡面加工されているため、所望の位置に所望の形状（ドット形状）で水溶性レジストの液滴を着弾させることが難しいという問題がある。これに対して、スクリーン印刷によれば、スクリーンマスクに形成された開口に水溶性レジストを充填させて、転写させるだけなので、ウェーハＷが鏡面加工されている場合であっても、所望の線画を精度よく形成することができる。

印刷後の乾燥工程や、金属膜の成膜工程、金属膜の成膜後の洗浄工程についても同様に、他の手法を用いて乾燥、金属成膜、洗浄等することができる。

特に、乾燥工程については、上述したように、輻射による加熱乾燥以外にも、送風による乾燥（送風乾燥）等を行うようにしてもよい。

また、金属膜の成膜工程については、真空蒸着の他、スパッタなどで成膜処理する構成としてもよい。

また、洗浄については、スピン洗浄やスクラブ洗浄などで洗浄する構成としてもよい。

図２１、図２２は、スクラブ洗浄によりウェーハを洗浄処理する洗浄装置の概略構成を示す正面図、平面図である。

同図に示すように、この洗浄装置１２０は、ウェーハＷを保持する洗浄テーブル１２２と、洗浄テーブル１２２に保持されたウェーハＷに当接されるロールブラシ１２４と、洗浄テーブル１２２に保持されたウェーハＷに洗浄液を供給する洗浄液ノズル１２４とを備えて構成される。

洗浄テーブル１２２は、ウェーハＷを水平に保持する。洗浄テーブル１２２は、図示しない回転機構によって、中心軸（θ軸）周りに回転可能に設けられる。ウェーハＷは、この洗浄テーブル１２２の上に表面を上に向けて載置され、保持される。

洗浄テーブル１２２へのウェーハＷの供給、回収は、たとえば、ロボットアームにより行われる。ウェーハＷは、カセットに収容され、カセットからロボットアームにより取り出されて、洗浄テーブル１２２に供給される。また、ロボットアームにより洗浄テーブル１２２から回収されて、カセットの元の位置に収容される。

ロールブラシ１２４は、シャフトの周りに毛材が植毛されて構成される。ロールブラシ１２４は、ウェーハＷの全面をスクラブできるように、ウェーハＷの直径よりも長く形成される。ロールブラシ１２４は、洗浄テーブル１２２の中心部上方に水平に設置され、図示しない回転機構によって、回転駆動される。また、図示しない昇降機構によって、洗浄位置（洗浄テーブル１２２に保持されたウェーハＷの上面（裏面）に当接する位置）と退避位置との間を上下動する。

洗浄液ノズル１２６は、洗浄テーブル１２２の上方に設けられ、洗浄テーブル１２２に保持されたウェーハＷの上面（裏面）に洗浄液を供給する。この洗浄液ノズル１２６は、図示しない進退移動機構によって、洗浄液供給位置（洗浄テーブル１２２の上方位置）と退避位置との間を水平移動する。

洗浄は、次のように行われる。

まず、処理対象のウェーハＷが洗浄テーブル１２２に供給される。この際、ウェーハＷは、洗浄対象である裏面を上に向けて、洗浄テーブル１２２の上に載置される。

ウェーハＷが洗浄テーブル１２２に供給され、洗浄テーブル１２２に保持されると、洗浄液ノズル１２４が洗浄液供給位置に移動する。また、ロールブラシ１２４が洗浄位置に移動する。

この後、洗浄液ノズル１２４から洗浄液ノズル１２４の上のウェーハＷに向けて洗浄液が供給される。また、洗浄テーブル１２２が、所定の速度で回転するとともに、ロールブラシ１２４が、所定の速度で回転する。

ウェーハＷは、回転しながら、回転するロールブラシ１２４に擦られて、上面（裏面）がスクラブ洗浄される。

洗浄は、一定時間継続して行われる。一定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄液ノズル１２４が退避位置に移動する。また、ロールブラシ１２４の回転が停止され、ロールブラシ１２４が退避位置に移動する。

この後、洗浄液ノズル１２４が高速回転され、スピン乾燥される。スピン乾燥後、洗浄テーブル１２２からウェーハＷが回収されて、洗浄処理が終了する。

このように、ブラシによってスクラブ洗浄することにより、より効果的に水溶性レジストＲを剥離除去することができる。

図２３、図２４は、スクラブ洗浄によりウェーハを洗浄処理する洗浄装置の他の例の概略構成を示す正面図、平面図である。

同図に示すように、この洗浄装置１３０は、カップブラシ１２８でウェーハＷをスクラブ洗浄する。その他の構成は、上記洗浄装置１２０と同じである。

カップブラシ１２８は、円盤状に形成されたカップの下面に毛材が植毛されて構成される。カップブラシ１２８は、ウェーハＷの半径よりも大きな直径で形成される。カップブラシ１２８は、洗浄テーブル１２２の上方に水平に配設され、回転するウェーハＷに当接させたときにウェーハＷの全面が当接するように、洗浄テーブル１２２の中心に対して偏芯した位置に配置される。このカップブラシ１２８は、図示しない回転機構によって、回転駆動されるとともに、図示しない昇降機構によって、洗浄位置（洗浄テーブル１２２に保持されたウェーハＷの上面（裏面）に当接する位置）と退避位置との間を上下動する。

洗浄は、次のように行われる。

まず、処理対象のウェーハＷが洗浄テーブル１２２に供給される。この際、ウェーハＷは、洗浄対象である裏面を上に向けて、洗浄テーブル１２２の上に載置される。

ウェーハＷが洗浄テーブル１２２に供給され、洗浄テーブル１２２に保持されると、洗浄液ノズル１２４が洗浄液供給位置に移動する。また、ロールブラシ１２４が洗浄位置に移動する。

この後、洗浄液ノズル１２４から洗浄液ノズル１２４の上のウェーハＷに向けて洗浄液が供給される。また、洗浄テーブル１２２が、所定の速度で回転するとともに、カップブラシ１２８が、所定の速度で回転する。

ウェーハＷは、回転しながら、回転するカップブラシ１２８に擦られて、上面（裏面）がスクラブ洗浄される。

洗浄は、一定時間継続して行われる。一定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄液ノズル１２４が退避位置に移動する。また、カップブラシ１２８の回転が停止され、カップブラシ１２８が退避位置に移動する。

この後、洗浄液ノズル１２４が高速回転され、スピン乾燥される。スピン乾燥後、洗浄テーブル１２２からウェーハＷが回収されて、洗浄処理が終了する。

このように、カップブラシ１２８によってスクラブ洗浄する構成とすることもできる。

なお、上記の例では、ウェーハＷを洗浄テーブル１２２で保持して、中心軸周りに回転させながら、回転するブラシを当接させて、ウェーハＷをスクラブ洗浄する構成としているが、ウェーハを水平移動させ、この水平移動するウェーハＷに回転するブラシを当接させて、ウェーハＷをスクラブ洗浄する構成とすることもできる。あるいは、静止したウェーハＷに対して、ブラシを回転させながら水平移動させて、ウェーハＷをスクラブ洗浄する構成とすることもできる。

なお、ウェーハ処理システムは、印刷、乾燥、金属成膜、洗浄までの処理を１つのシステムとして構成するようにしてもよい。すなわち、分割用のウェーハを加工処理するシステムとして構成するようにしてもよい。

また、１つのシステムにおいて、各装置間におけるウェーハの移送は、搬送機構を用いて自動で行うようにしてもよいし、オペレータが手動で行うようにしてもよい。

また、上記実施の形態では、分割装置で分割処理する直前にウェーハＷをダイシングフレームＦにマウントする構成としているが、ウェーハＷをダイシングフレームＦにマウンとした状態で印刷処理、乾燥処理、金属成膜処理、又は、洗浄処理を行うようにしてもよい。この場合、ウェーハの表面側をダイシングテープＴに貼り付けて、ウェーハＷをダイシングフレームＦにマウントする。

１０…ウェーハ処理システム、印刷装置、２２…印刷ステージ、２４…スクリーンマスク、２６…スキージ、２８…フレーム、３０Ａ…開口部、３０Ｂ…マスク部、４０…乾燥装置、４２…乾燥ステージ、４４…ヒータ、５０…金属成膜装置、６０…洗浄装置、６２…コンベア、６４…洗浄部、６６…乾燥部、６８…洗浄液噴射管、６８Ａ…洗浄液スプレーノズル、７０…エア噴射管、７０Ａ…エアスプレーノズル、８０…分割装置（ダイシング装置）、８２…加工テーブル、８４…加工部、８６…スピンドル、８８…ダイシングブレード、１００…ダイシング装置、１０２…加工テーブル、１０４…レーザー照射装置、Ｗ…ウェーハ、Ｆ…ダイシングフレーム、Ｔ…ダイシングテープ、Ｅ…素子、Ｌ…分割予定線、Ｍ…金属膜、Ｒ…水溶性レジスト

Claims (6)

1. ウェーハをチップに分割するための分割予定線に沿って前記ウェーハの片面に水溶性レジストを付与する工程と、
   前記ウェーハの片面に付与された前記水溶性レジストを乾燥させる工程と、
   前記ウェーハの片面の全面に金属膜を形成する工程と、
   前記ウェーハの片面を洗浄し、前記水溶性レジストを除去する工程と、
   を含むことを特徴とするウェーハ処理方法。
2. スクリーン印刷により前記水溶性レジストを付与することを特徴とする請求項１に記載のウェーハ処理方法。
3. 前記ウェーハを前記分割予定線に沿って分割する工程を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のウェーハ処理方法。
4. ウェーハをチップに分割するための分割予定線に沿って前記ウェーハの片面に水溶性レジストを付与する水溶性レジスト付与手段と、
   前記ウェーハの片面に付与された前記水溶性レジストを乾燥させる乾燥処理手段と、
   前記ウェーハの片面の全面に金属膜を形成する金属膜形成手段と、
   前記ウェーハの片面を洗浄し、前記水溶性レジストを除去する洗浄手段と、
   を備えることを特徴とするウェーハ処理システム。
5. 前記水溶性レジスト付与手段は、スクリーン印刷により前記水溶性レジストを付与することを特徴とする請求項４に記載のウェーハ処理システム。
6. 前記ウェーハを前記分割予定線に沿って分割する分割手段を更に含むことを特徴とする請求項４又は５に記載のウェーハ処理システム。