JP2013151679A - Resin composition, prepreg, circuit board, and semiconductor device - Google Patents

Resin composition, prepreg, circuit board, and semiconductor device Download PDF

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大輔 北原
Takayuki Baba
孝幸 馬塲
Akihiko Tobisawa
晃彦 飛澤
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition and a prepreg that are capable of preventing occurrence of migration and are capable of producing a circuit board that has high electrical connection reliability, and a circuit board that has high electrical connection reliability, and a highly reliable semiconductor device which is provided with the circuit board.SOLUTION: A resin composition is the one which is used for forming a sheet-like prepreg by being impregnated into a fiber base, contains a thermosetting resin and a curing agent that contains a novolac phenol resin, and has an ammonium ion concentration of ≤30 ppm. The thermosetting resin is preferably an epoxy resin.

Description

本発明は、樹脂組成物、プリプレグ、回路基板および半導体装置に関するものである。   The present invention relates to a resin composition, a prepreg, a circuit board, and a semiconductor device.

電子機器には、電気回路等を形成した回路基板が多く使用されている。この回路基板を製造する場合、通常、ガラス繊維基材等の繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸・乾燥し、半硬化状態にしたプリプレグとよばれる部材が用いられる。このプリプレグ1枚以上と銅箔等とを重ねて加熱、加圧することで、銅張積層板を製造することができる。さらに、この銅張積層板の銅箔を加工して、複数の配線を含む電気回路を形成することで、回路基板を得ることができる。   Many circuit boards on which electric circuits or the like are formed are used in electronic devices. When manufacturing this circuit board, a member called a prepreg in which a fiber base material such as a glass fiber base material is impregnated with a thermosetting resin and dried to obtain a semi-cured state is usually used. A copper clad laminate can be produced by heating and pressurizing one or more prepregs and a copper foil or the like. Furthermore, a circuit board can be obtained by processing the copper foil of the copper clad laminate to form an electric circuit including a plurality of wirings.

このようなプリプレグとしては、例えば、ガラス繊維等を用いた繊維基材に、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含むワニスを含浸させ、乾燥させてなるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。   As such a prepreg, for example, a fiber base made of glass fiber or the like is impregnated with a varnish containing a thermosetting resin such as an epoxy resin or a polyimide resin and dried (for example, , See Patent Document 1).

近年、電子部品・電子機器等の小型化・薄肉化等に伴って、それに用いられる回路基板等にも小型化・薄膜化が要求される。このため、回路基板には、より高密度のパターンで電気回路を形成することが必要となってきている。   In recent years, along with downsizing and thinning of electronic parts and electronic devices, circuit boards and the like used therefor are required to be downsized and thinned. For this reason, it is necessary to form an electric circuit with a higher density pattern on the circuit board.

しかしながら、従来の樹脂組成物を用いたプリプレグを用いた回路基板では、電気回路を構成する金属材料の一部が回路基板上を移動して、近接する電気回路の配線同士が導通してしまう現象、いわゆる、マイグレーションが発生するといった問題がある。これは、回路基板の電気的な接続信頼性の低下を引き起こす。   However, in a circuit board using a prepreg using a conventional resin composition, a part of the metal material constituting the electric circuit moves on the circuit board, and the wiring of adjacent electric circuits becomes conductive. There is a problem that so-called migration occurs. This causes a reduction in electrical connection reliability of the circuit board.

特開2004−216784号公報JP 2004-216784 A

本発明の目的は、マイグレーションの発生を防止し、電気的な接続信頼性の高い回路基板を製造することが可能な樹脂組成物、プリプレグ、および、電気的な接続信頼性の高い回路基板、およびかかる回路基板を備えた信頼性の高い半導体装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a resin composition, a prepreg, and a circuit board with high electrical connection reliability that can prevent the occurrence of migration and produce a circuit board with high electrical connection reliability, and An object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device including such a circuit board.

このような目的は、下記(1)〜(9)の本発明により達成される。
(1) 繊維基材に含浸させてシート状のプリプレグを形成するために用いる樹脂組成物であって、
熱硬化性樹脂と、ノボラック型フェノール樹脂を含有する硬化剤とを含み、
アンモニウムイオン濃度が30ppm以下であることを特徴とする樹脂組成物。
Such an object is achieved by the present inventions (1) to (9) below.
(1) A resin composition used for impregnating a fiber base material to form a sheet-like prepreg,
Including a thermosetting resin and a curing agent containing a novolac-type phenolic resin,
A resin composition having an ammonium ion concentration of 30 ppm or less.

(2) 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である上記(1)に記載の樹脂組成物。
(3) 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂またはその誘導体である上記(2)に記載の樹脂組成物。
(2) The resin composition according to (1), wherein the thermosetting resin is an epoxy resin.
(3) The said epoxy resin is a resin composition as described in said (2) which is a bisphenol-type epoxy resin or its derivative (s).

(4) 上記(1)ないし(3)のいずれか1項に記載の樹脂組成物を基材に含浸してなることを特徴とするプリプレグ。   (4) A prepreg obtained by impregnating a base material with the resin composition according to any one of (1) to (3) above.

(5) 前記繊維基材は、開繊加工されたガラス繊維基材である上記(4)に記載のプリプレグ。   (5) The prepreg according to (4), wherein the fiber base material is a glass fiber base material that has been subjected to fiber opening processing.

(6) 前記プリプレグ中における前記樹脂組成物の反応率は、50%以下である上記(4)または(5)に記載のプリプレグ。   (6) The prepreg as described in said (4) or (5) whose reaction rate of the said resin composition in the said prepreg is 50% or less.

(7) 前記プリプレグ中のアンモニウムイオン濃度は、25ppm以下である上記(4)ないし(6)のいずれか1項に記載のプリプレグ。   (7) The prepreg according to any one of (4) to (6) above, wherein an ammonium ion concentration in the prepreg is 25 ppm or less.

(8) 上記(4)ないし(7)のいずれか1項に記載のプリプレグを備えることを特徴とする回路基板。
(9) 上記(8)に記載の回路基板を備えることを特徴とする半導体装置。
(8) A circuit board comprising the prepreg according to any one of (4) to (7) above.
(9) A semiconductor device comprising the circuit board according to (8).

本発明によれば、電気回路を構成する金属材料の一部が回路基板上を移動して、近接する電気回路の配線同士が導通してしまう現象、いわゆる、マイグレーションの発生を防止し、電気的な接続信頼性の高い回路基板を形成可能な樹脂組成物を提供することができる。   According to the present invention, a phenomenon in which part of the metal material constituting the electric circuit moves on the circuit board and the wirings of adjacent electric circuits become conductive, so-called migration, is prevented, and electrical It is possible to provide a resin composition capable of forming a circuit board with high connection reliability.

また、本発明によれば、マイグレーションの発生を防止し、電気的な接続信頼性の高い回路基板を形成可能なプリプレグを提供することができる。   Further, according to the present invention, it is possible to provide a prepreg capable of preventing the occurrence of migration and forming a circuit board with high electrical connection reliability.

また、本発明によれば、電気的な接続信頼性の高い回路基板および半導体装置を提供することができる。   In addition, according to the present invention, it is possible to provide a circuit board and a semiconductor device with high electrical connection reliability.

本発明のプリプレグの実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows embodiment of the prepreg of this invention. 本発明の半導体装置および本発明の回路基板の実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows embodiment of the semiconductor device of this invention, and the circuit board of this invention.

以下、本発明の樹脂組成物、プリプレグ、回路基板および半導体装置について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the resin composition, prepreg, circuit board and semiconductor device of the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

<樹脂組成物>
まず、本発明の樹脂組成物について説明する。
<Resin composition>
First, the resin composition of the present invention will be described.

本発明の樹脂組成物は、繊維基材に含浸させることでシート状のプリプレグを形成するために用いるものであり、熱硬化性樹脂と、ノボラック型フェノール樹脂を含有する硬化剤とを含むものである。そして、この樹脂組成物は、アンモニウムイオン濃度が30ppm以下である。   The resin composition of the present invention is used to form a sheet-like prepreg by impregnating a fiber base material, and includes a thermosetting resin and a curing agent containing a novolac type phenol resin. The resin composition has an ammonium ion concentration of 30 ppm or less.

ところで、従来の樹脂組成物を用いたプリプレグを用いた回路基板では、電気回路を構成する金属材料の一部が回路基板上を移動して、近接する電気回路の配線同士が導通してしまう現象、いわゆる、マイグレーションが発生するといった問題がある。これは、回路基板の電気的な接続信頼性の低下を引き起こす。   By the way, in the circuit board using the prepreg using the conventional resin composition, a part of the metal material constituting the electric circuit moves on the circuit board, and the wiring of the adjacent electric circuit becomes conductive. There is a problem that so-called migration occurs. This causes a reduction in electrical connection reliability of the circuit board.

そこで、本発明者らは、上記問題に鑑み、鋭意検討した結果、熱硬化性樹脂と、ノボラック型フェノール樹脂を含有する硬化剤とを含み、アンモニウムイオン濃度が30ppm以下の樹脂組成物を用いることにより、マイグレーションの発生を防止することができ、回路基板の電気的な接続信頼性を向上させることができることを見出し、本発明の完成に至った。   In view of the above problems, the present inventors have intensively studied, and as a result, use a resin composition containing a thermosetting resin and a curing agent containing a novolac-type phenol resin and having an ammonium ion concentration of 30 ppm or less. Thus, it has been found that the occurrence of migration can be prevented and the electrical connection reliability of the circuit board can be improved, and the present invention has been completed.

なお、アンモニウムイオン濃度の測定は、以下のようにして測定することができる。
樹脂組成物を純水中に浸漬し、熱水抽出して検液を得る。この検液をイオンクロマト装置で測定することで、アンモニウムイオン濃度を測定できる。
The ammonium ion concentration can be measured as follows.
The resin composition is immersed in pure water and extracted with hot water to obtain a test solution. By measuring this test solution with an ion chromatograph, the ammonium ion concentration can be measured.

以下、樹脂組成物を構成する各構成材料について詳細に説明する。
[熱硬化性樹脂]
本発明の樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含んでいる。
Hereinafter, each constituent material which comprises a resin composition is demonstrated in detail.
[Thermosetting resin]
The resin composition of the present invention contains a thermosetting resin.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。   Examples of the thermosetting resin include resins having a triazine ring such as epoxy resin, urea (urea) resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, benzoxazine ring. And a resin having a cyanate ester resin.

上述した中でも、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。これにより、プリプレグを用いて製造された回路基板等において、マイグレーションの発生をより効果的に防止することができるとともに、樹脂組成物を用いて形成したプリプレグ(回路基板)の耐熱性を向上させることができる。   Among the above-mentioned, it is preferable to use an epoxy resin as the thermosetting resin. Thereby, in the circuit board manufactured using the prepreg, the occurrence of migration can be more effectively prevented, and the heat resistance of the prepreg (circuit board) formed using the resin composition can be improved. Can do.

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂またはこれらの誘導体、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。   Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol Z type epoxy resin. Bisphenol type epoxy resins or their derivatives, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins and other novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, biphenyl aralkyl type epoxy resins and other aryl alkylene type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, Anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane Epoxy resins, such as epoxy resins and fluorene type epoxy resins. One of these can be used alone, or two or more can be used in combination.

これらの中でも、エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂またはその誘導体であるのが好ましい。ビスフェノール型エポキシ樹脂またはその誘導体は、硬化剤が含有するノボラック型フェノール樹脂との反応性が高いことから好ましい。また、ビスフェノール型エポキシ樹脂またはその誘導体は、その構造中に分極した部分を有し、当該部分にアンモニウムイオンを吸着し易い。このため、プリプレグを用いて製造された回路基板等において、マイグレーションの発生をより効果的に防止することができる。   Among these, the epoxy resin is preferably a bisphenol type epoxy resin or a derivative thereof. Bisphenol type epoxy resins or derivatives thereof are preferred because of their high reactivity with the novolak type phenol resin contained in the curing agent. Moreover, the bisphenol type epoxy resin or its derivative has a polarized part in its structure, and it is easy to adsorb ammonium ions to the part. For this reason, in the circuit board manufactured using the prepreg, the occurrence of migration can be more effectively prevented.

また、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないものの、300〜10000程度であるのが好ましく、500〜5000程度であるのがより好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満である場合、樹脂組成物の硬化物にタック性が生じるおそれがある。一方、重量平均分子量が前記上限値を超える場合、樹脂組成物の繊維基材に対する密着性が低下するとともに、耐熱性が低下するおそれがある。   Moreover, although the weight average molecular weight of an epoxy resin is not specifically limited, It is preferable that it is about 300-10000, and it is more preferable that it is about 500-5000. When a weight average molecular weight is less than the said lower limit, there exists a possibility that tackiness may arise in the hardened | cured material of a resin composition. On the other hand, when a weight average molecular weight exceeds the said upper limit, while the adhesiveness with respect to the fiber base material of a resin composition falls, there exists a possibility that heat resistance may fall.

本発明の樹脂組成物において、上記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の40〜60質量%程度であるのが好ましく、50質量%程度であるのがより好ましい。これにより、プリプレグ(回路基板)の耐熱性を効率よく向上させることができるとともに、マイグレーションの発生を防止することができる。   In the resin composition of the present invention, the content of the thermosetting resin is not particularly limited, but is preferably about 40 to 60% by mass, and more preferably about 50% by mass of the entire resin composition. . Thereby, the heat resistance of the prepreg (circuit board) can be improved efficiently and the occurrence of migration can be prevented.

[硬化剤]
本発明の樹脂組成物は、ノボラック型フェノール樹脂を含有する硬化剤を含んでいる。
[Curing agent]
The resin composition of the present invention contains a curing agent containing a novolac type phenol resin.

かかる硬化剤を含むことにより、熱硬化性樹脂の架橋が促進され、樹脂組成物の硬化物の機械的強度を高めることができる。また、ノボラック型フェノール樹脂は、アンモニウムイオンの発生要因とならないので、プリプレグ1を用いて製造された回路基板等において、マイグレーションの発生を効果的に抑制することができる。   By including such a curing agent, crosslinking of the thermosetting resin is promoted, and the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be increased. Moreover, since novolak-type phenol resin does not become a generation factor of ammonium ion, generation | occurrence | production of migration can be effectively suppressed in the circuit board manufactured using the prepreg 1.

ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等が挙げられる。   Examples of the novolak type phenol resin include phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, and the like.

また、ノボラック型フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、400〜18,000程度であるのが好ましく、500〜15,000程度であるのがより好ましい。これにより、熱硬化性樹脂の架橋反応をさらに促進することができ、プリプレグ(回路基板)の機械的強度をさらに高めることができる。   The weight average molecular weight of the novolac type phenol resin is not particularly limited, but is preferably about 400 to 18,000, more preferably about 500 to 15,000. Thereby, the crosslinking reaction of the thermosetting resin can be further promoted, and the mechanical strength of the prepreg (circuit board) can be further increased.

本発明の樹脂組成物において、上記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の0.5〜50質量%程度であるのが好ましく、1〜40質量%程度であるのがより好ましい。硬化剤の含有量を前記範囲内とすることにより、樹脂組成物の繊維基材に対する密着性が特に向上する。   In the resin composition of the present invention, the content of the curing agent is not particularly limited, but is preferably about 0.5 to 50% by mass of the entire resin composition, and about 1 to 40% by mass. More preferred. By making content of a hardening | curing agent in the said range, the adhesiveness with respect to the fiber base material of a resin composition improves especially.

なお、硬化剤は、ノボラック型フェノール樹脂に加えて、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のような他のフェノール樹脂、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジヒドラジド化合物、酸無水物などを含有してもよい。   In addition to the novolak type phenol resin, the curing agent is a resol type phenol resin, an aryl alkylene type phenol resin, a terpene modified phenol resin, another phenol resin such as a dicyclopentadiene type phenol resin, an aliphatic amine, an aromatic. An amine, dicyandiamide, a dihydrazide compound, an acid anhydride, and the like may be contained.

[その他の成分]
本発明の樹脂組成物は、上記成分の他、例えば、硬化促進剤、無機充填材、カップリング剤等を含んでいてもよい。
[Other ingredients]
The resin composition of the present invention may contain, for example, a curing accelerator, an inorganic filler, a coupling agent and the like in addition to the above components.

(硬化促進剤)
本発明の樹脂組成物は、硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤を含むことにより、熱硬化性樹脂の架橋が促進され、樹脂組成物の硬化物(プリプレグ)の機械的強度を高めることができる。
(Curing accelerator)
The resin composition of the present invention may contain a curing accelerator. By including a curing accelerator, crosslinking of the thermosetting resin is promoted, and the mechanical strength of the cured product (prepreg) of the resin composition can be increased.

硬化促進剤としては、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)等の有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン等の3級アミン類、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノール等のフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン等のリン化合物等、またはこの混合物が挙げられる。   Examples of the curing accelerator include organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, triethylamine, and the like. Tertiary amines such as butylamine and diazabicyclo [2,2,2] octane, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4 -Imidazoles such as methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenolic compounds such as phenol, bisphenol A, nonylphenol, organic acids such as acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, paratoluenesulfonic acid, Triphenylphosph Emissions, phosphorus compounds such as tri-tolylphosphine and the like, or a mixture thereof.

本発明の樹脂組成物において、上記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂100質量部に対して、0.1〜5質量部程度であるのが好ましく、0.15〜3質量部程度であるのがより好ましい。硬化促進剤の含有量を前記範囲内とすることにより、樹脂組成物の繊維基材に対する密着性が特に向上する。   In the resin composition of the present invention, the content of the curing accelerator is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the thermosetting resin, and 0.15. It is more preferable that the amount is about 3 parts by mass. By making content of a hardening accelerator into the said range, the adhesiveness with respect to the fiber base material of a resin composition improves especially.

(無機充填材)
また、本発明の樹脂組成物は、無機充填材を含んでいてもよい。これにより、プリプレグを薄膜化(厚さ35μm以下)にしても十分な強度を確保することができる。さらに、プリプレグの低熱膨張化を向上すること、すなわち、プリプレグの熱膨張係数を低く抑えることもできる。
(Inorganic filler)
The resin composition of the present invention may contain an inorganic filler. Thereby, even if the prepreg is made thin (thickness of 35 μm or less), sufficient strength can be secured. Furthermore, the reduction in thermal expansion of the prepreg can be improved, that is, the thermal expansion coefficient of the prepreg can be kept low.

無機充填材としては、例えば、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等を挙げることができる。これらの中でも、無機充填材としては、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。溶融シリカは、優れた低熱膨張性を有するためである。また、シリカの形状としては、破砕状、球状等が挙げられるが、球状であるのが好ましい。   Examples of the inorganic filler include talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and the like. Among these, as the inorganic filler, silica is preferable, and fused silica is more preferable. This is because fused silica has excellent low thermal expansion. Further, examples of the shape of the silica include a crushed shape and a spherical shape, but a spherical shape is preferable.

したがって、無機充填材としては、球状シリカ(特に球状溶融シリカ)が好ましく用いられる。かかる球状シリカを無機充填材として用いることにより、樹脂組成物12の溶融粘度を低下させることができ、繊維機材への含浸性をより確実に確保することができる。なお、目的に応じて、他の無機充填材を用いるようにしてもよい。   Accordingly, spherical silica (particularly spherical fused silica) is preferably used as the inorganic filler. By using such spherical silica as the inorganic filler, the melt viscosity of the resin composition 12 can be reduced, and the impregnation property to the fiber material can be more reliably ensured. Depending on the purpose, other inorganic fillers may be used.

無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、0.01〜5.0μmであるのが好ましく、0.2〜2.0μmであるのがより好ましい。無機充填材の平均粒子径が前記下限値未満であると樹脂組成物(樹脂ワニス)の粘度が高くなるため、プリプレグ作製時の作業性に影響を与える場合がある。また、無機充填材の平均粒子径が前記上限値を超えると、樹脂ワニス中で無機充填材の沈降等の現象が起こる場合がある。   Although the average particle diameter of an inorganic filler is not specifically limited, It is preferable that it is 0.01-5.0 micrometers, and it is more preferable that it is 0.2-2.0 micrometers. If the average particle size of the inorganic filler is less than the lower limit, the viscosity of the resin composition (resin varnish) becomes high, which may affect workability during prepreg production. When the average particle diameter of the inorganic filler exceeds the upper limit, a phenomenon such as sedimentation of the inorganic filler may occur in the resin varnish.

この平均粒子径は、例えばレーザー回折/散乱式粒度分布計(例えば、HORIBA製、LA−500等)により測定することができる。   This average particle diameter can be measured by, for example, a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer (for example, LA-500 manufactured by HORIBA).

以上のようなことから、無機充填材には、平均粒子径5.0μm以下の球状シリカ(特に球状溶融シリカ)を用いるのが好ましく、平均粒子径0.01〜2.0μmの球状溶融シリカを用いるのがより好ましい。これにより、無機充填材の充填性を向上させることができる。   For these reasons, it is preferable to use spherical silica (particularly spherical fused silica) having an average particle size of 5.0 μm or less as the inorganic filler, and spherical fused silica having an average particle size of 0.01 to 2.0 μm. More preferably it is used. Thereby, the filling property of an inorganic filler can be improved.

無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の2〜70質量%であるのが好ましく、5〜60質量%であるのがより好ましい。無機充填材の含有量が前記範囲内であると、プリプレグ1に対して、特に低熱膨張性、低吸水性を付与することができる。   Although content of an inorganic filler is not specifically limited, It is preferable that it is 2-70 mass% of the whole resin composition, and it is more preferable that it is 5-60 mass%. When the content of the inorganic filler is within the above range, particularly low thermal expansion and low water absorption can be imparted to the prepreg 1.

(カップリング剤)
また、本発明の樹脂組成物は、カップリング剤を含んでいてもよい。
(Coupling agent)
Moreover, the resin composition of this invention may contain the coupling agent.

カップリング剤は、熱硬化性樹脂と、無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、繊維基材に対して熱硬化性樹脂および無機充填材を均一に定着させ、プリプレグの耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。   The coupling agent improves the wettability of the interface between the thermosetting resin and the inorganic filler, thereby uniformly fixing the thermosetting resin and the inorganic filler to the fiber substrate, and the heat resistance of the prepreg. Especially, the solder heat resistance after moisture absorption can be improved.

カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、熱硬化性樹脂と無機充填材との界面の濡れ性を高くすることができ、それによってプリプレグの耐熱性をより向上させることできる。   Any coupling agent can be used as long as it is usually used. Specifically, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an amino silane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil type coupling agent. It is preferable to use one or more coupling agents selected from among the above. Thereby, the wettability of the interface of a thermosetting resin and an inorganic filler can be made high, and, thereby, the heat resistance of a prepreg can be improved more.

カップリング剤の添加量は、無機充填材の表面積に依存するので特に限定されないが、無機充填材100質量部に対して0.05〜3質量部が好ましく、特に0.1〜2質量部が好ましい。カップリング剤の含有量が前記下限値未満であると、カップリング剤により無機充填材を十分に被覆できないため、プリプレグの耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、カップリング剤の含有量が前記上限値を超えると、熱硬化性樹脂の反応に影響を与え、プリプレグを用いて製造された回路基板等の曲げ強度等が低下する場合がある。   The addition amount of the coupling agent is not particularly limited because it depends on the surface area of the inorganic filler, but is preferably 0.05 to 3 parts by mass, particularly 0.1 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler. preferable. When the content of the coupling agent is less than the lower limit, the effect of improving the heat resistance of the prepreg may be reduced because the inorganic filler cannot be sufficiently covered with the coupling agent. When the value exceeds the upper limit, the reaction of the thermosetting resin is affected, and the bending strength and the like of the circuit board manufactured using the prepreg may decrease.

また、本発明の樹脂組成物は、以上に説明した成分のほか、必要に応じて、消泡剤、レベリング剤等の添加剤を含有していてもよい。   Moreover, the resin composition of this invention may contain additives, such as an antifoamer and a leveling agent, as needed other than the component demonstrated above.

<プリプレグ>
本発明のプリプレグは、本発明の樹脂組成物を繊維基材に含浸させ、シート状に成形されてなるものである。本発明によれば、マイグレーションの発生を防止し、電気的な接続信頼性の高い回路基板を形成可能なプリプレグが得られる。
<Prepreg>
The prepreg of the present invention is formed by impregnating a fiber base material with the resin composition of the present invention and molding it into a sheet shape. According to the present invention, it is possible to obtain a prepreg capable of preventing occurrence of migration and forming a circuit board having high electrical connection reliability.

図1は、本発明のプリプレグの実施形態を示す縦断面図である。
図1に示すプリプレグ1は、シート状基材(繊維基材)11と、このシート状基材11に含浸された樹脂組成物12とで構成されている。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the prepreg of the present invention.
A prepreg 1 shown in FIG. 1 includes a sheet-like substrate (fiber substrate) 11 and a resin composition 12 impregnated in the sheet-like substrate 11.

このうち、シート状基材11としては、例えば、ガラス織布、ガラス不繊布、ガラスペーパー等のガラス繊維基材、紙(パルプ)、アラミド、ポリエステル、フッ素樹脂等の有機繊維からなる織布や不織布、金属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織布、マット類等が挙げられる。なお、これらの基材は、単独で用いることも、複数種を混合または積層して用いることもできる。   Among these, as the sheet-like base material 11, for example, glass fiber base materials such as glass woven fabric, glass non-woven fabric, and glass paper, woven fabric made of organic fibers such as paper (pulp), aramid, polyester, and fluororesin, Examples include woven fabrics, nonwoven fabrics, mats and the like made of nonwoven fabrics, metal fibers, carbon fibers, mineral fibers and the like. In addition, these base materials can be used alone, or a plurality of types can be mixed or laminated.

これらの基材の中でも、ガラス繊維基材をシート状基材11として用いた場合、マイグレーションの発生をより効果的に防止することができる。   Among these base materials, when a glass fiber base material is used as the sheet-like base material 11, the occurrence of migration can be more effectively prevented.

また、ガラス繊維基材の中でも開繊加工されたものを用いるのが好ましい。開繊加工を施すことにより、樹脂組成物の含浸性を高いものとすることができ、マイグレーション発生の一因でもあるボイドの発生を抑制することができる。また、レーザービア加工性をより高めることができる。なお、開繊加工とは、縦糸および横糸ともに、隣り合う糸同士が実質的に隙間なく配列されたものをいう。   Moreover, it is preferable to use what was fiber-opened among glass fiber base materials. By performing the fiber opening process, the impregnation property of the resin composition can be made high, and the generation of voids, which is also a cause of migration, can be suppressed. Further, laser via processability can be further improved. The term “opening processing” refers to a warp yarn and a weft yarn in which adjacent yarns are arranged substantially without a gap.

また、上述した基材の中でも、有機繊維基材(例えば有機繊維不織布)をシート状基材11として用いた場合、プリプレグ1またはプリプレグ1を用いて製造された回路基板等において、レーザーによるビアの加工性(ビアの加工のし易さや加工精度)を高めることができる。   In addition, among the above-described base materials, when an organic fiber base material (for example, an organic fiber nonwoven fabric) is used as the sheet-like base material 11, the prepreg 1 or the circuit board manufactured using the prepreg 1, and the like, vias by laser Processability (ease of processing vias and processing accuracy) can be improved.

また、シート状基材11は、繊維の集合体、特に、縦繊維の束と横繊維の束とを編み組した織布であるのが好ましい。かかるシート状基材11には樹脂組成物12を均一に含浸させ易く、かつ、樹脂組成物12を硬化させた後には、その硬化物が繊維の織り目に入り込むことによるアンカー効果により、樹脂組成物12とシート状基材11との強固な接合状態を得ることができる。   The sheet-like substrate 11 is preferably a woven fabric in which a fiber aggregate, in particular, a bundle of longitudinal fibers and a bundle of transverse fibers are braided. Such a sheet-like substrate 11 is easily impregnated with the resin composition 12 and, after the resin composition 12 is cured, the resin composition has an anchor effect due to the cured product entering the fiber texture. 12 and the sheet-like base material 11 can be firmly joined.

なお、プリプレグ1中に含まれるアンモニウムイオン濃度は、25ppm以下であるのが好ましく、20ppm以下であるのがより好ましい。これにより、マイグレーションの発生をより確実に防止することができ、回路基板の電気的な接続信頼性をさらに向上させることができる。   In addition, the ammonium ion concentration contained in the prepreg 1 is preferably 25 ppm or less, and more preferably 20 ppm or less. Thereby, the occurrence of migration can be prevented more reliably, and the electrical connection reliability of the circuit board can be further improved.

次いで、プリプレグ1の製造方法について説明する。
プリプレグ1は、本発明の樹脂組成物を溶媒に溶解してなる樹脂ワニスを調製し、これをシート状基材11に含浸させ、その後乾燥させることにより製造される。
Next, a method for manufacturing the prepreg 1 will be described.
The prepreg 1 is manufactured by preparing a resin varnish obtained by dissolving the resin composition of the present invention in a solvent, impregnating the resin varnish into the sheet-like base material 11, and then drying it.

樹脂ワニスに用いられる溶媒は、本発明の樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばメタノール、エタノールなどのアルコール類、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。   The solvent used in the resin varnish desirably has good solubility in the resin composition of the present invention, but a poor solvent may be used within a range that does not adversely affect the resin varnish. Solvents exhibiting good solubility include, for example, alcohols such as methanol and ethanol, toluene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, and cellosolve. System, carbitol system and the like.

これらの中でも、溶媒として化学式中に窒素原子を含まない有機化合物が好ましく、アルコール類、メチルエチルケトン、トルエンが特に好ましい。溶媒として化学式中に窒素原子を含まない有機化合物を用いると、アンモニウムイオンの発生源とならないため、樹脂組成物12中のアンモニウムイオン濃度を30ppm以下にすることが容易となる。   Among these, organic compounds that do not contain a nitrogen atom in the chemical formula are preferable as the solvent, and alcohols, methyl ethyl ketone, and toluene are particularly preferable. When an organic compound that does not contain a nitrogen atom in the chemical formula is used as the solvent, it does not become a source of ammonium ions, so that the ammonium ion concentration in the resin composition 12 can be easily reduced to 30 ppm or less.

樹脂ワニスにおける固形分の割合は、特に限定されないが、40〜80質量%程度であるのが好ましく、50〜70質量%程度であるのがより好ましい。これにより、樹脂ワニスのシート状基材11への含浸性をより高めることができる。   The ratio of the solid content in the resin varnish is not particularly limited, but is preferably about 40 to 80% by mass, and more preferably about 50 to 70% by mass. Thereby, the impregnation property to the sheet-like base material 11 of a resin varnish can be improved more.

なお、樹脂ワニスの調製は、例えば、窒素ガスが存在しない雰囲気下(例えば、酸素ガス雰囲気下やアルゴンガス雰囲気下等)で行うことができる。これにより、プリプレグ1中のアンモニウムイオン濃度を容易に30ppm以下とすることができる。   The resin varnish can be prepared, for example, in an atmosphere in which no nitrogen gas is present (for example, in an oxygen gas atmosphere or an argon gas atmosphere). Thereby, the ammonium ion concentration in the prepreg 1 can be easily reduced to 30 ppm or less.

樹脂ワニスをシート状基材11に含浸させる方法としては、例えば、シート状基材11を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより樹脂ワニスをシート状基材11に塗布する方法、スプレーにより樹脂ワニスをシート状基材11に吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、樹脂ワニスをシート状基材11に含浸させる方法としては、シート状基材11を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましく用いられる。この方法によれば、シート状基材11に対する樹脂ワニスの含浸性を向上することができる。なお、シート状基材11を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。   Examples of the method of impregnating the sheet-like substrate 11 with the resin varnish include, for example, a method of immersing the sheet-like substrate 11 in the resin varnish, a method of applying the resin varnish to the sheet-like substrate 11 with various coaters, and a resin varnish by spraying. And the like, and the like. Among these, as a method for impregnating the sheet-like substrate 11 with the resin varnish, a method of immersing the sheet-like substrate 11 in the resin varnish is preferably used. According to this method, the impregnation property of the resin varnish with respect to the sheet-like base material 11 can be improved. In addition, when immersing the sheet-like base material 11 in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used.

樹脂ワニスを含浸させたシート状基材11は、樹脂ワニスを加熱硬化させることでプリプレグ1とすることもできるが、樹脂ワニスを硬化に至らせない程度に乾燥させることにより未硬化の状態とすることでプリプレグ1とすることもでき、さらには、樹脂ワニスを若干硬化させることにより硬化と未硬化との間の状態(半硬化の状態)とすることでプリプレグ1とすることもできる。   The sheet-like base material 11 impregnated with the resin varnish can be made into the prepreg 1 by heat-curing the resin varnish, but is brought into an uncured state by drying the resin varnish to a degree that does not lead to curing. Thus, the prepreg 1 can be obtained. Furthermore, the prepreg 1 can be obtained by slightly curing the resin varnish to obtain a state between the cured state and the uncured state (semi-cured state).

この場合、プリプレグ1中における樹脂組成物の反応率は、特に限定されないが、50%以下であるのが好ましく、0.1〜40%程度であるのがより好ましい。これにより、上述の効果に加え、プリプレグ1において粉の発生を防止することができる。また、プリプレグ1を用いて製造された回路基板等において、マイグレーションが発生するのをより効果的に防止することができる。   In this case, the reaction rate of the resin composition in the prepreg 1 is not particularly limited, but is preferably 50% or less, more preferably about 0.1 to 40%. Thereby, in addition to the above-mentioned effect, generation | occurrence | production of powder | flour in the prepreg 1 can be prevented. In addition, migration can be more effectively prevented in a circuit board or the like manufactured using the prepreg 1.

なお、この反応率は、示差走査熱量測定(DSC)により求めることができる。すなわち、未反応の樹脂組成物12と、プリプレグ1中における樹脂組成物12の双方について、DSCの反応による発熱ピークの面積を測定し、その測定結果を次式(A)に代入することにより、反応率を求めることができる。なお、発熱ピークの面積の測定は昇温速度10℃/分、窒素雰囲気下で行われる。   In addition, this reaction rate can be calculated | required by differential scanning calorimetry (DSC). That is, by measuring the area of the exothermic peak due to the DSC reaction for both the unreacted resin composition 12 and the resin composition 12 in the prepreg 1, and substituting the measurement result into the following formula (A), The reaction rate can be determined. Note that the area of the exothermic peak is measured in a nitrogen atmosphere at a heating rate of 10 ° C./min.

反応率(%)=(1−プリプレグ1中における樹脂組成物12の発熱ピークの面積/未反応の樹脂組成物12の発熱ピークの面積)×100 (A) Reaction rate (%) = (1-exothermic peak area of resin composition 12 in prepreg 1 / exothermic peak area of unreacted resin composition 12) × 100 (A)

なお、未硬化または半硬化の状態の樹脂組成物12を含むプリプレグ1は、金属箔を積層した後、樹脂組成物12を硬化させることにより、例えば銅張積層板のような回路用積層板を製造することができる。   In addition, the prepreg 1 including the resin composition 12 in an uncured or semi-cured state is obtained by laminating a metal foil and then curing the resin composition 12 to form a circuit laminate such as a copper clad laminate. Can be manufactured.

<半導体装置および回路基板>
本発明の回路基板は、上述したプリプレグ1を備えるものである。本発明によれば、マイグレーションの発生が防止され、電気的な接続信頼性の高い回路基板が得られる。
<Semiconductor devices and circuit boards>
The circuit board of the present invention is provided with the prepreg 1 described above. According to the present invention, occurrence of migration is prevented, and a circuit board with high electrical connection reliability can be obtained.

また、本発明の半導体装置は、本発明の回路基板とその上に搭載された半導体素子とを有するものである。   The semiconductor device of the present invention includes the circuit board of the present invention and a semiconductor element mounted thereon.

図2は、本発明の半導体装置および本発明の回路基板の実施形態を示す縦断面図である。   FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the semiconductor device of the present invention and the circuit board of the present invention.

図2に示す半導体装置4は、回路基板3とその上に搭載された半導体素子41と、回路基板3の下面に接合されたはんだボール42とを有するものである。   A semiconductor device 4 shown in FIG. 2 includes a circuit board 3, a semiconductor element 41 mounted on the circuit board 3, and solder balls 42 bonded to the lower surface of the circuit board 3.

このうち、回路基板3は、プリプレグ1(本発明のプリプレグ)から得られる絶縁基板31と、絶縁基板31の上面および下面にそれぞれ3層ずつ積層された樹脂層2と、絶縁基板31と樹脂層2との間、樹脂層2同士の間および樹脂層2上下面に設けられた回路パターン32と、絶縁基板31および樹脂層2を貫通し、回路パターン32に接続された導電性のバンプ33とを有している。すなわち、回路基板3は、多層プリント配線板で構成されている。   Among these, the circuit board 3 includes the insulating substrate 31 obtained from the prepreg 1 (the prepreg of the present invention), the resin layer 2 laminated on the upper surface and the lower surface of the insulating substrate 31, and the insulating substrate 31 and the resin layer. 2, between the resin layers 2 and between the resin layers 2 and the upper and lower surfaces of the resin layer 2, and conductive bumps 33 that penetrate the insulating substrate 31 and the resin layer 2 and are connected to the circuit pattern 32. have. That is, the circuit board 3 is composed of a multilayer printed wiring board.

また、半導体素子41は、回路基板3の上面に設けられた回路パターン32(ランド)と電気的に接続するよう搭載される。   The semiconductor element 41 is mounted so as to be electrically connected to a circuit pattern 32 (land) provided on the upper surface of the circuit board 3.

一方、回路基板3の下面に設けられた回路パターン32(ランド)にはBGA用のはんだボール42が接合されている。
なお、樹脂層2は、上述したような本発明の樹脂組成物で構成することができる。
On the other hand, a solder ball 42 for BGA is bonded to a circuit pattern 32 (land) provided on the lower surface of the circuit board 3.
In addition, the resin layer 2 can be comprised with the resin composition of this invention as mentioned above.

このような半導体装置4では、回路パターン32におけるマイグレーションの発生が防止され、隣接する回路パターン32同士の間での短絡が防止される。これにより、半導体装置4は、電気的な接続信頼性の高いものとなる。   In such a semiconductor device 4, the occurrence of migration in the circuit pattern 32 is prevented, and a short circuit between adjacent circuit patterns 32 is prevented. As a result, the semiconductor device 4 has high electrical connection reliability.

次いで、回路基板3の製造方法について説明する。
まず、金属箔に樹脂ワニスを塗布し、これを乾燥させることで樹脂付き金属箔を製造する。
Next, a method for manufacturing the circuit board 3 will be described.
First, a resin varnish is applied to a metal foil and dried to produce a resin-coated metal foil.

次いで、樹脂付き金属箔の金属箔に、各種パターニング法(フォトリソグラフィおよびエッチング等)により電気回路を形成する。   Next, an electric circuit is formed on the metal foil of the resin-attached metal foil by various patterning methods (such as photolithography and etching).

次いで、樹脂付き金属箔およびプリプレグ1に、レーザー加工等によりビア孔を形成し、このビア孔に金めっき処理等を施すことで、バンプが形成される。   Next, via holes are formed in the metal foil with resin and the prepreg 1 by laser processing or the like, and a gold plating process is applied to the via holes to form bumps.

次いで、プリプレグ1の両面に3層ずつの樹脂付き金属箔を積層し、平板プレス装置等を用いて加熱加圧成形する。これにより、樹脂組成物12が硬化して、回路基板3が得られる。   Next, three layers of metal foil with resin are laminated on both surfaces of the prepreg 1 and heated and pressed using a flat plate press or the like. Thereby, the resin composition 12 hardens | cures and the circuit board 3 is obtained.

なお、加熱加圧成形における加熱条件は、例えば、温度150〜250℃、時間60〜240分間程度とすることができる。また、加圧条件としては、例えば、圧力1〜4MPa程度とされる。   In addition, the heating conditions in heat-pressure molding can be made into the temperature of 150-250 degreeC and the time for about 60 to 240 minutes, for example. Moreover, as pressurization conditions, it is set as the pressure about 1-4 MPa, for example.

以上、本発明の樹脂組成物、プリプレグ、回路基板および半導体装置について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば回路基板や半導体装置には、任意の構成物が付加されていてもよい。   The resin composition, prepreg, circuit board, and semiconductor device of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to this, and for example, arbitrary components are added to the circuit board and the semiconductor device. It may be.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
[1]プリプレグの製造
(実施例1)
1.樹脂組成物のワニスの調製
オートクレーブ中に、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、5047、エポキシ当量560)を28.1質量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、828、エポキシ当量190)を20.0質量部、フェノールノボラック樹脂(DIC社製、TD−2090、水酸基当量105)を16.3質量部、2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成社製)を0.03質量部、エポキシシラン(信越シリコーン社製、KBM−403)を0.8質量部、溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−E2、平均粒径0.5μm)を1.5質量部、水酸化アルミニウム(日本軽金属社製、BE−033、平均粒径3.0μm)を33.3質量部で添加した。
Next, specific examples of the present invention will be described.
[1] Production of prepreg (Example 1)
1. Preparation of varnish of resin composition In an autoclave, 28.1 parts by mass of brominated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 5047, epoxy equivalent 560), bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 828) 20.0 parts by mass of epoxy equivalent 190), 16.3 parts by mass of phenol novolac resin (manufactured by DIC, TD-2090, hydroxyl group equivalent 105), and 0 by 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Chemicals) .03 parts by mass, 0.8 parts by mass of epoxy silane (manufactured by Shin-Etsu Silicone, KBM-403), 1.5 parts by mass of fused silica (manufactured by Admatechs, SO-E2, average particle size 0.5 μm), Aluminum hydroxide (manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., BE-033, average particle size 3.0 μm) was added at 33.3 parts by mass.

さらに、これらの成分にシクロヘキサノン28.0質量部を加えて混合物を得、オートクレーブの内部を100mmHgまで減圧した。その後、オートクレーブが備える高速撹拌装置で、オートクレーブ中の混合物を撹拌して、樹脂組成物を固形分基準で78質量%含むワニスを得た。なお、混合物の撹拌は、オートクレーブの内部をアルゴンガス雰囲気とすることにより行った。下記の要領で測定した樹脂組成物中におけるアンモニウムイオン濃度は、検出限界(=1.0ppm)以下であった。   Furthermore, 28.0 parts by mass of cyclohexanone was added to these components to obtain a mixture, and the inside of the autoclave was decompressed to 100 mmHg. Then, the mixture in an autoclave was stirred with the high-speed stirring apparatus with which an autoclave was equipped, and the varnish which contains 78 mass% of resin compositions on the solid content basis was obtained. The mixture was stirred by setting the inside of the autoclave to an argon gas atmosphere. The ammonium ion concentration in the resin composition measured in the following manner was below the detection limit (= 1.0 ppm).

(樹脂組成物中におけるアンモニウムイオン濃度/溶出イオン濃度の測定)
ワニス中から溶剤を真空乾燥機を用いて揮発させ、残存物の2.0gを秤量して試料とした。この試料をテフロン(「テフロン」は登録商標)製の抽出容器に入れ、さらに超純水40gを加えた。次いで、抽出容器を手動で振とうさせた後、125℃の恒温器に投入し、連続20時間の熱水抽出を行なった後、室温まで放冷し、抽出容器内の液体を検液とした。
(Measurement of ammonium ion concentration / eluted ion concentration in resin composition)
The solvent was volatilized from the varnish using a vacuum dryer, and 2.0 g of the residue was weighed to prepare a sample. This sample was put in an extraction container made of Teflon (“Teflon” is a registered trademark), and 40 g of ultrapure water was further added. Next, after shaking the extraction container manually, it was put into a thermostat at 125 ° C., extracted with hot water for 20 hours continuously, allowed to cool to room temperature, and the liquid in the extraction container was used as a test solution. .

イオンクロマト装置(DIONEX製、ICS−2000イオンクロマトグラフ)に、上記で得られた検液および標準溶液を導入し、検量線法により各イオン濃度を求め、試料からの溶出イオン濃度を算出した。なお、陰イオン分離カラムにはIonPacAS20を、陽イオン分離カラムにはIonPacCS12Aを使用した。   The test solution and standard solution obtained above were introduced into an ion chromatograph (manufactured by DIONEX, ICS-2000 ion chromatograph), each ion concentration was determined by a calibration curve method, and the eluted ion concentration from the sample was calculated. In addition, IonPacAS20 was used for the anion separation column, and IonPacCS12A was used for the cation separation column.

2.プリプレグの製造
繊維基材として、開繊加工を施していないガラス織布(厚さ0.16mm、坪量208.0g/m、通気度10.1cm/cm/sec、NANYA GLASS FABRIC社製)を用意し、このガラス織布208.0質量部に対して、上述のワニスを、樹脂組成物の量で192.0質量部となるように含浸させた後、180℃の乾燥炉で5分間乾燥させ、プリプレグを作製した。なお、得られたプリプレグ中における樹脂組成物の含有量は、48.0質量%であった。
2. Manufacture of prepreg As a fiber base material, a glass woven fabric not subjected to fiber opening processing (thickness 0.16 mm, basis weight 208.0 g / m 2 , air permeability 10.1 cm 3 / cm 2 / sec, NANAYA GLASS FABRIC The above varnish is impregnated with respect to 208.0 parts by mass of the glass woven fabric so that the amount of the resin composition is 192.0 parts by mass, and then dried in a 180 ° C. drying oven. A prepreg was prepared by drying for 5 minutes. In addition, content of the resin composition in the obtained prepreg was 48.0 mass%.

ガラス織布の通気度は、ガラス織布を200mm×500mmにカットして試料を作製し、この試料をフラジール測定器(大栄科学社製AP−360S)にセットし、水の圧力降下が1.27cmのときに、試料1平方cmを1秒間に通過する空気量を測定することにより求めた。   As for the air permeability of the glass woven fabric, a sample was prepared by cutting the glass woven fabric into 200 mm × 500 mm, and this sample was set in a Frazier measuring instrument (AP-360S manufactured by Daiei Kagaku Co., Ltd.). It was determined by measuring the amount of air passing through 1 cm 2 of the sample per second at 27 cm.

(実施例2)
繊維基材として、開繊加工を施したガラス織布(厚さ0.16mm、坪量208.0g/m、通気度5.1cm/cm/sec、日東紡マカオ社製)を用いた以外は、前記実施例1と同様にしてプリプレグを製造した。
(Example 2)
As a fiber base material, a woven glass fabric (thickness 0.16 mm, basis weight 208.0 g / m 2 , air permeability 5.1 cm 3 / cm 2 / sec, manufactured by Nittobo Macao Co., Ltd.) is used as a fiber base material A prepreg was produced in the same manner as in Example 1 except that.

(実施例3)
樹脂組成物のワニスの調製において、フェノールノボラック樹脂(DIC社製、TD−2090、水酸基当量105)16.3質量部に代えて、ビスフェノールAノボラック樹脂(DIC社製、VH−4170、水酸基当量105)16.3質量部を添加した以外は、実施例1と同様にしてプリプレグを製造した。なお、樹脂組成物中におけるアンモニウムイオン濃度は、検出限界(=1.0ppm)以下であった。
(Example 3)
In preparation of the varnish of the resin composition, instead of 16.3 parts by mass of phenol novolak resin (DIC, TD-2090, hydroxyl equivalent 105), bisphenol A novolac resin (DIC, VH-4170, hydroxyl equivalent 105) ) A prepreg was produced in the same manner as in Example 1 except that 16.3 parts by mass were added. The ammonium ion concentration in the resin composition was below the detection limit (= 1.0 ppm).

(実施例4)
樹脂組成物のワニスの調製において、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、5047、エポキシ当量560)の添加量を28.1質量部から31.1質量部に変更し、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、828、エポキシ当量190)20.0質量部に代えて、ビスフェノールF型エポキシ樹脂(DIC社製、830S、エポキシ当量170)17.0質量部を添加した以外は、実施例1と同様にしてプリプレグを製造した。なお、樹脂組成物中におけるアンモニウムイオン濃度は、検出限界(=1.0ppm)以下であった。
Example 4
In the preparation of the varnish of the resin composition, the addition amount of brominated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 5047, epoxy equivalent 560) was changed from 28.1 parts by mass to 31.1 parts by mass to obtain bisphenol A type In place of 20.0 parts by mass of epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 828, epoxy equivalent 190), except that 17.0 parts by mass of bisphenol F type epoxy resin (DIC, 830S, epoxy equivalent 170) was added, A prepreg was produced in the same manner as in Example 1. The ammonium ion concentration in the resin composition was below the detection limit (= 1.0 ppm).

(実施例5)
樹脂組成物のワニスの調製において、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、828、エポキシ当量190)のオートクレーブ中への添加量を20.0質量部から35.9質量部に変更し、2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成社製)のオートクレーブ中への添加量を0.03質量部から0.5質量部に変更した以外は、実施例1と同様にしてプリプレグを製造した。なお、樹脂組成物中におけるアンモニウムイオン濃度は、15ppmであった。
(Example 5)
In the preparation of the varnish of the resin composition, the addition amount of bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., 828, epoxy equivalent 190) into the autoclave was changed from 20.0 parts by mass to 35.9 parts by mass. A prepreg was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount of -phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) added to the autoclave was changed from 0.03 parts by mass to 0.5 parts by mass. The ammonium ion concentration in the resin composition was 15 ppm.

(比較例)
1.樹脂組成物のワニスの調製
オートクレーブ中に、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、5047、エポキシ当量560)を36.4質量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、828、エポキシ当量190)を25.9質量部、ジシアンジアミド(DEGUSA社製、DICYANEDIAMIDE、硬化剤当量21)を2.1質量部、2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成社製)を0.03質量部、エポキシシラン(信越シリコーン社製、KBM−403)を0.8質量部、溶融シリカ(アドマテックス社製、SO−E2、平均粒径0.5μm)を1.5質量部、水酸化アルミニウム(日本軽金属社製、BE−033、平均粒径3.0μm)を33.3質量部で添加した。
(Comparative example)
1. Preparation of Varnish of Resin Composition In an autoclave, 36.4 parts by mass of brominated bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 5047, epoxy equivalent 560), bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, 828) 25.9 parts by mass of epoxy equivalent 190), 2.1 parts by mass of dicyandiamide (produced by DEGUSA, DICYANEDIAMIDE, curing agent equivalent 21), and 0.03 parts by mass of 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Chemicals) Parts, epoxy silane (manufactured by Shin-Etsu Silicone, KBM-403) 0.8 parts by mass, fused silica (manufactured by Admatechs, SO-E2, average particle size 0.5 μm) 1.5 parts by mass, aluminum hydroxide (Nippon Light Metal Co., Ltd., BE-033, average particle diameter of 3.0 μm) was added at 33.3 parts by mass.

さらに、これらの成分にシクロヘキサノン28.0質量部を加えて混合物を得、オートクレーブの内部を100mmHgまで減圧した。その後、オートクレーブが備える高速撹拌装置で、オートクレーブ中の混合物を撹拌して、樹脂組成物を固形分基準で78質量%含むワニスを得た。なお、樹脂組成物中におけるアンモニウムイオン濃度は、85ppmであった。   Furthermore, 28.0 parts by mass of cyclohexanone was added to these components to obtain a mixture, and the inside of the autoclave was decompressed to 100 mmHg. Then, the mixture in an autoclave was stirred with the high-speed stirring apparatus with which an autoclave was equipped, and the varnish which contains 78 mass% of resin compositions on the solid content basis was obtained. The ammonium ion concentration in the resin composition was 85 ppm.

2.プリプレグの製造
繊維基材として、開繊加工を施していないガラス織布(厚さ0.16mm、坪量208.0g/m、通気度10.1cm/cm/sec、NANYA GLASS FABRIC社製)を用意し、このガラス織布208.0質量部に対して、上述のワニスを樹脂組成物の量で192.0質量部となるように含浸させた後、180℃の乾燥炉で5分間乾燥させ、プリプレグを作製した。なお、得られたプリプレグ中における樹脂組成物の含有量は、48.0質量%であった。
2. Manufacture of prepreg As a fiber base material, a glass woven fabric not subjected to fiber opening processing (thickness 0.16 mm, basis weight 208.0 g / m 2 , air permeability 10.1 cm 3 / cm 2 / sec, NANAYA GLASS FABRIC The above varnish is impregnated with respect to 208.0 parts by mass of the glass woven fabric so that the amount of the resin composition is 192.0 parts by mass, and then 5% in a drying furnace at 180 ° C. The prepreg was prepared by drying for a minute. In addition, content of the resin composition in the obtained prepreg was 48.0 mass%.

ガラス織布の通気度は、ガラス織布を200mm×500mmにカットして試料を作製し、この試料をフラジール測定器(大栄科学社製AP−360S)にセットし、水の圧力降下が1.27cmのときに、試料1平方cmを1秒間に通過する空気量を測定することにより求めた。   As for the air permeability of the glass woven fabric, a sample was prepared by cutting the glass woven fabric into 200 mm × 500 mm, and this sample was set in a Frazier measuring instrument (AP-360S manufactured by Daiei Kagaku Co., Ltd.). It was determined by measuring the amount of air passing through 1 cm 2 of the sample per second at 27 cm.

なお、各実施例および比較例における樹脂組成物の配合比を表1に示した。また、各実施例および比較例で得られたプリプレグ中における樹脂組成物の反応率は、50%以下であった。   In addition, Table 1 shows the compounding ratios of the resin compositions in each Example and Comparative Example. Moreover, the reaction rate of the resin composition in the prepreg obtained by each Example and the comparative example was 50% or less.

[2]プリント配線板(回路基板)の製造
1.積層板の製造
各実施例および比較例で得られたプリプレグをそれぞれ4枚重ね、上下に厚さ18μmの電解銅箔(古河サーキットホイル社製、GTSMP)を重ねて、圧力4MPa、温度200℃で180分間、加熱加圧成形を行った。これにより、厚さ0.8mmの両面銅張積層板を得た。
[2] Manufacture of printed wiring board (circuit board) Manufacture of laminates Four prepregs obtained in each example and comparative example were stacked, and 18 μm thick electrolytic copper foil (manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd., GTSMP) was stacked at a pressure of 4 MPa and a temperature of 200 ° C. Heat pressing was performed for 180 minutes. This obtained the double-sided copper clad laminated board of thickness 0.8mm.

2.プリント配線板の製造
上記で得られた両面銅張積層板に、65μmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップセキュリガントP)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレートコンパクトCP)に15分浸漬後、中和してスルーホール内のデスミア処理を行った。
2. Manufacture of printed wiring board After performing through-hole processing on the double-sided copper-clad laminate obtained above using a 65 μm drill bit, a swelling solution at 70 ° C. (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Japan) For 5 minutes, and further immersed in an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (Atotech Japan Co., Ltd., Concentrate Compact CP) for 15 minutes, followed by neutralization and desmear treatment in the through hole.

次に、フラッシュエッチングにより電解銅箔の表面を1μm程度エッチングした後、無電解銅メッキ層を厚さ0.5μm形成で形成した。その後、無電解銅メッキ層上に電解銅メッキ用のレジスト層を厚さ18μm形成し、所定パターンの電解銅メッキ層を形成した後、温度200℃、60分間加熱してポストキュアした。次いで、電解銅メッキ用のレジスト層を剥離した後、無電解銅メッキ層および電解銅メッキ層を含む全面をフラッシュエッチングして、L/S=75/75μmのパターンを有する回路を形成した。最後に、この回路の表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製PSR4000/AUS308)を厚さ20μmで成膜して、両面プリント配線板を得た。   Next, the surface of the electrolytic copper foil was etched by about 1 μm by flash etching, and then an electroless copper plating layer was formed with a thickness of 0.5 μm. Thereafter, a resist layer for electrolytic copper plating having a thickness of 18 μm was formed on the electroless copper plating layer, and an electrolytic copper plating layer having a predetermined pattern was formed, followed by post-curing by heating at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes. Next, after removing the resist layer for electrolytic copper plating, the entire surface including the electroless copper plated layer and the electrolytic copper plated layer was flash etched to form a circuit having a pattern of L / S = 75/75 μm. Finally, a solder resist (PSR4000 / AUS308 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) was formed to a thickness of 20 μm on the surface of this circuit to obtain a double-sided printed wiring board.

[3]積層板(プリプレグ)のアンモニウムイオン濃度/溶出イオン濃度
上記で得られた両面銅張積層板の表裏の銅箔を引きはがし、1×1mmに切断し、液体窒素中で凍結粉砕して、粉末試料を得た。この粉末試料から2.0gを秤量し、テフロン(「テフロン」は登録商標)製の抽出容器に入れ、さらに超純水40gを加えた。次いで、抽出容器を手動で振とうさせた後、125℃の恒温器に投入し、連続20時間の熱水抽出を行なった後、室温まで放冷し、抽出容器内の液体を検液とした。
[3] Ammonium ion concentration / elution ion concentration of laminate (prepreg) The copper foils on both sides of the double-sided copper clad laminate obtained above are peeled off, cut into 1 × 1 mm, and freeze-ground in liquid nitrogen. A powder sample was obtained. From this powder sample, 2.0 g was weighed and placed in an extraction container made of Teflon ("Teflon" is a registered trademark), and 40 g of ultrapure water was further added. Next, after shaking the extraction container manually, it was put into a thermostat at 125 ° C., extracted with hot water for 20 hours continuously, allowed to cool to room temperature, and the liquid in the extraction container was used as a test solution. .

イオンクロマト装置(DIONEX製、ICS−2000イオンクロマトグラフ)に、上記で得られた検液および標準溶液を導入し、検量線法により各イオン濃度を求め、試料からの溶出イオン濃度を算出した。なお、陰イオン分離カラムにはIonPacAS20を、陽イオン分離カラムにはIonPacCS12Aを使用した。   The test solution and standard solution obtained above were introduced into an ion chromatograph (manufactured by DIONEX, ICS-2000 ion chromatograph), each ion concentration was determined by a calibration curve method, and the eluted ion concentration from the sample was calculated. In addition, IonPacAS20 was used for the anion separation column, and IonPacCS12A was used for the cation separation column.

[4]プリント配線板の評価
(1)半田耐熱性
上記のようにして得られた各プリント配線板を、50mm×50mmにグラインダーソーで切断して試験片を得た。この試験片を、85℃、85%で96時間処理したのち、260℃の半田槽に試験片を30秒間浸漬した。その後、試験片の外観の異常の有無を調べた。
[4] Evaluation of Printed Wiring Board (1) Solder Heat Resistance Each printed wiring board obtained as described above was cut into 50 mm × 50 mm with a grinder saw to obtain a test piece. After this test piece was treated at 85 ° C. and 85% for 96 hours, the test piece was immersed in a solder bath at 260 ° C. for 30 seconds. Then, the presence or absence of abnormality in the appearance of the test piece was examined.

[評価基準]
A:異常なし(問題なし)
B:膨れあり(全体的に膨れの箇所がある)
[Evaluation criteria]
A: No abnormality (no problem)
B: Swelling (there is a swelling part as a whole)

(2)耐マイグレーション性
上記のようにして得られた各プリント配線板のスルーホール部分に、85℃、85%の条件下で32Vの電圧を印加した状態で絶縁抵抗を測定した。なお、スルーホールの壁とスルーホールの壁との間の離間距離は0.35μmであった。ここで、5.0MΩ以下に絶縁低下した場合を「絶縁低下」と規定し、この「絶縁低下」に至るまでの時間に基づいて耐マイグレーション性を評価した。
(2) Migration resistance The insulation resistance was measured in a state where a voltage of 32 V was applied to the through-hole portion of each printed wiring board obtained as described above under the conditions of 85 ° C. and 85%. The separation distance between the wall of the through hole and the wall of the through hole was 0.35 μm. Here, the case where the insulation was reduced to 5.0 MΩ or less was defined as “insulation reduction”, and the migration resistance was evaluated based on the time until this “insulation reduction”.

[評価基準]
A:1500時間以上でも「絶縁低下」なし
B:1000時間以上、1500時間未満の間に「絶縁低下」あり
C:500時間以上、1000時間未満の間に「絶縁低下」あり
D:500時間未満で「絶縁低下」あり
[Evaluation criteria]
A: There is no “decrease in insulation” even after 1500 hours or more. B: “Insulation drop” occurs between 1000 hours and less than 1500 hours. C: “Insulation drop” occurs between 500 hours and less than 1000 hours. D: Less than 500 hours. "Insulation degradation"

(3)接続信頼性
上記のようにして得られた各プリント配線板のスルーホール部分に対して、−50℃で10分間保持し、125℃で10分間保持する操作を1サイクルとして、温度サイクル(TC)試験を実施した。TC試験1000サイクル終了後、スルーホール部分について断線不良の有無を評価した。
(3) Connection reliability With respect to the through-hole portion of each printed wiring board obtained as described above, an operation of holding at −50 ° C. for 10 minutes and holding at 125 ° C. for 10 minutes is one cycle. (TC) A test was conducted. After 1000 cycles of the TC test, the through hole portion was evaluated for the presence of disconnection failure.

[評価基準]
A:断線不良なし(問題なし)
B:断線不良あり(問題あり)
評価結果を表1に合わせて示した。
[Evaluation criteria]
A: No disconnection failure (no problem)
B: Disconnection failure (problem)
The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2013151679
Figure 2013151679

表1から明らかなように、本発明の樹脂組成物(プリプレグ)を用いたプリント配線板では、マイグレーションの発生が抑制されたものであった。これに対して、比較例では満足な結果が得られなかった。   As is apparent from Table 1, the occurrence of migration was suppressed in the printed wiring board using the resin composition (prepreg) of the present invention. On the other hand, satisfactory results were not obtained in the comparative example.

1 プリプレグ
11 シート状基材
12 樹脂組成物
2 樹脂層
3 回路基板
31 絶縁基板
32 回路パターン
33 バンプ
4 半導体装置
41 半導体素子
42 はんだボール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Prepreg 11 Sheet-like base material 12 Resin composition 2 Resin layer 3 Circuit board 31 Insulating substrate 32 Circuit pattern 33 Bump 4 Semiconductor device 41 Semiconductor element 42 Solder ball

Claims (9)

繊維基材に含浸させてシート状のプリプレグを形成するために用いる樹脂組成物であって、
熱硬化性樹脂と、ノボラック型フェノール樹脂を含有する硬化剤とを含み、
アンモニウムイオン濃度が30ppm以下であることを特徴とする樹脂組成物。
A resin composition used for impregnating a fiber base material to form a sheet-like prepreg,
Including a thermosetting resin and a curing agent containing a novolac-type phenolic resin,
A resin composition having an ammonium ion concentration of 30 ppm or less.
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である請求項1に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 1, wherein the thermosetting resin is an epoxy resin. 前記エポキシ樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂またはその誘導体である請求項2に記載の樹脂組成物。   The resin composition according to claim 2, wherein the epoxy resin is a bisphenol type epoxy resin or a derivative thereof. 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の樹脂組成物を繊維基材に含浸してなることを特徴とするプリプレグ。   A prepreg comprising a fiber base material impregnated with the resin composition according to any one of claims 1 to 3. 前記繊維基材は、開繊加工されたガラス繊維基材である請求項4に記載のプリプレグ。   The prepreg according to claim 4, wherein the fiber base material is a glass fiber base material subjected to fiber opening processing. 前記プリプレグ中における前記樹脂組成物の反応率は、50%以下である請求項4または5に記載のプリプレグ。   The prepreg according to claim 4 or 5, wherein a reaction rate of the resin composition in the prepreg is 50% or less. 前記プリプレグ中のアンモニウムイオン濃度は、25ppm以下である請求項4ないし6のいずれか1項に記載のプリプレグ。   The prepreg according to any one of claims 4 to 6, wherein an ammonium ion concentration in the prepreg is 25 ppm or less. 請求項4ないし7のいずれか1項に記載のプリプレグを備えることを特徴とする回路基板。   A circuit board comprising the prepreg according to claim 4. 請求項8に記載の回路基板を備えることを特徴とする半導体装置。   A semiconductor device comprising the circuit board according to claim 8.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015224342A (en) * 2014-05-30 2015-12-14 住友ベークライト株式会社 Substrate for input device apparatus, apparatus and production method of the apparatus

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH069759A (en) * 1992-06-26 1994-01-18 Dainippon Ink & Chem Inc Epoxy resin composition for laminated board
JPH06316643A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Hitachi Chem Co Ltd Production of prepreg
JP2003033997A (en) * 2001-07-25 2003-02-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method for manufacturing laminated sheet
JP2004216784A (en) * 2003-01-17 2004-08-05 Matsushita Electric Works Ltd Method for manufacturing prepreg, prepreg, laminate with built-in inner layer circuit and metal foil-clad laminate
JP2004256822A (en) * 2001-08-31 2004-09-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, prepreg, laminated sheet and semiconductor package
JP2006165094A (en) * 2004-12-03 2006-06-22 Hitachi Chem Co Ltd Insulating adhesive sheet for printed wiring board and method of manufacturing printed wiring board
JP2007308640A (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Kyocera Chemical Corp Resin composition for laminate, organic substrate prepreg, metal foil-clad laminate and printed circuit board
JP2008239826A (en) * 2007-03-27 2008-10-09 Matsushita Electric Works Ltd Method for producing resin film-laminated prepreg
JP2011178992A (en) * 2010-02-05 2011-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Prepreg, laminated board, printed wiring board, and semiconductor device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH069759A (en) * 1992-06-26 1994-01-18 Dainippon Ink & Chem Inc Epoxy resin composition for laminated board
JPH06316643A (en) * 1993-05-07 1994-11-15 Hitachi Chem Co Ltd Production of prepreg
JP2003033997A (en) * 2001-07-25 2003-02-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Method for manufacturing laminated sheet
JP2004256822A (en) * 2001-08-31 2004-09-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd Resin composition, prepreg, laminated sheet and semiconductor package
JP2004216784A (en) * 2003-01-17 2004-08-05 Matsushita Electric Works Ltd Method for manufacturing prepreg, prepreg, laminate with built-in inner layer circuit and metal foil-clad laminate
JP2006165094A (en) * 2004-12-03 2006-06-22 Hitachi Chem Co Ltd Insulating adhesive sheet for printed wiring board and method of manufacturing printed wiring board
JP2007308640A (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Kyocera Chemical Corp Resin composition for laminate, organic substrate prepreg, metal foil-clad laminate and printed circuit board
JP2008239826A (en) * 2007-03-27 2008-10-09 Matsushita Electric Works Ltd Method for producing resin film-laminated prepreg
JP2011178992A (en) * 2010-02-05 2011-09-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Prepreg, laminated board, printed wiring board, and semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015224342A (en) * 2014-05-30 2015-12-14 住友ベークライト株式会社 Substrate for input device apparatus, apparatus and production method of the apparatus

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