JP2015224342A - Substrate for input device apparatus, apparatus and production method of the apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本開示はインプットデバイス装置に用いられる基板に関するものである。 The present disclosure relates to a substrate used in an input device apparatus.
撮像装置などのインプットデバイスに使用されるセンサ素子の基板として、ガラス板、ＹＳＺ等の無機基板、樹脂基板、及び、それらの複合材料が用いられる（特許文献１）。センサ素子の基板は、受光部側に配置される場合、基板に透明性が要求される。 As a substrate of a sensor element used for an input device such as an imaging device, a glass plate, an inorganic substrate such as YSZ, a resin substrate, and a composite material thereof are used (Patent Document 1). When the sensor element substrate is disposed on the light receiving unit side, the substrate is required to be transparent.
インプットデバイスは、外部から光、放射線等を透過させ、センサ素子に取り込むものであり、センサ素子としては、Ｘ線センサ素子、フォトセンサ素子を挙げることがでる。 The input device transmits light, radiation, and the like from the outside and takes in the sensor element. Examples of the sensor element include an X-ray sensor element and a photosensor element.
前記インプットデバイスに使用されるセンサ素子の基板として、ガラス板、ＹＳＺ等の無機基板、樹脂基板、及び、それらの複合材料が用いられる（特許文献１）。センサ素子の基板は、受光部側に配置される場合、基板に透明性が要求される。 As a substrate of a sensor element used in the input device, a glass plate, an inorganic substrate such as YSZ, a resin substrate, and a composite material thereof are used (Patent Document 1). When the sensor element substrate is disposed on the light receiving unit side, the substrate is required to be transparent.
インプットデバイス装置を作製するための基板はガラス板が広く用いられていが、ガラス板は、割れ易い、曲げられない、軽量化に不向き等問題点がある。
本開示は、インプットデバイス装置を作製するための基板で、前記ガラスクロスが平織りであり、かつEガラスを使用したものであり、さらにガラスクロスの表面にシランカッ
プリング剤が設けられたものであり、前記芳香族グリシジル型エポキシ化合物が、ビスフェノール型エポキシ化合物を含み、前記インプットデバイス装置用基板の平均熱線膨張係数が０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下であり、かつガラス転移温度が１３０℃以上であり、さらに２５０℃における弾性率が１ＧＰａ以上である基板を提供する。
A glass plate is widely used as a substrate for producing an input device device. However, the glass plate has problems such as being easily broken, not being bent, and unsuitable for weight reduction.
The present disclosure is a substrate for manufacturing an input device device, wherein the glass cloth has a plain weave and uses E glass, and a silane coupling agent is provided on the surface of the glass cloth. The aromatic glycidyl type epoxy compound contains a bisphenol type epoxy compound, the input device device substrate has an average coefficient of linear thermal expansion of 0 ppm to 40 ppm, a glass transition temperature of 130 ° C. or higher, and 250 ° C. A substrate having an elastic modulus of 1 GPa or more is provided.
このような目的は、下記（１）〜（７）の本開示により達成される。
（１）インプットデバイス装置用基板であってガラスクロスと樹脂硬化物を含み、樹脂硬化物が熱及び／または光架橋型化合物を架橋させたものであり、さらに、駆動回路を含んだことを特徴とするインプットデバイス装置用基板。
（２）さらにダイオードアレイなどのセンサ素子を含む（１）記載のインプットデバイス装置用基板。
（３）前記ガラスクロスが、平織りであり、かつＥガラスを使用したものであり、該ガラスクロスの表面にシランカップリング剤が設けられており、さらに前記樹脂硬化物が、芳香族グリシジル型エポキシ化合物を含む（１）または（２）に記載のインプットデバイス装置用基板。
（４）前記芳香族グリシジル型エポキシ化合物が、ビスフェノール型エポキシ化合物を含む（３）に記載のインプットデバイス装置用基板。
（５）前記インプットデバイス装置用基板の平均熱線膨張係数が０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下であり、かつガラス転移温度が１３０℃以上であり、さらに２５０℃における弾性率が１ＧＰａ以上である、（１）ないし（４）いずれか１項に記載のインプットデバイス装置用基板。
（６）前記樹脂組成物含浸ガラスクロスが長尺状であって、前記工程のいくつかを連続的に行う（１）ないし（５）いずれか１項に記載のインプットデバイス装置用基板の製造方（７）（１）ないし（５）いずれか１項に記載のインプットデバイス装置用基板を使用したことを特徴とするインプットデバイス装置。
Such an object is achieved by the present disclosure of the following (1) to (7).
(1) A substrate for an input device, comprising a glass cloth and a cured resin, wherein the cured resin is obtained by crosslinking a heat and / or photocrosslinkable compound, and further includes a drive circuit. Substrate for input device.
(2) The input device substrate according to (1), further including a sensor element such as a diode array.
(3) The glass cloth is plain weave and uses E glass, a silane coupling agent is provided on the surface of the glass cloth, and the cured resin is an aromatic glycidyl type epoxy. The substrate for an input device according to (1) or (2), comprising a compound.
(4) The substrate for an input device device according to (3), wherein the aromatic glycidyl type epoxy compound includes a bisphenol type epoxy compound.
(5) The average thermal expansion coefficient of the substrate for an input device is 0 ppm or more and 40 ppm or less, the glass transition temperature is 130 ° C. or more, and the elastic modulus at 250 ° C. is 1 GPa or more. 4) The substrate for an input device according to any one of the above items.
(6) The method for manufacturing a substrate for an input device according to any one of (1) to (5), wherein the resin composition-impregnated glass cloth is long and some of the steps are continuously performed. (7) An input device device using the substrate for an input device device according to any one of (1) to (5).
平均熱線膨張係数が低いインプットデバイス装置用基板を提供することが可能となった。 It has become possible to provide a substrate for an input device device having a low average thermal linear expansion coefficient.
以下、本開示の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本開示に係るインプットデバイス装置用基板の好適実施形態としては、樹脂硬化物と、ガラスクロスを含み、熱線膨張係数が４０ｐｐｍ以下であり、上記の実施形態により、素子作製時に膨張・収縮が少なく、かつ高い耐曲げ製を有するため、インプットデバイス装置に好適な基板を提供することができる。
Hereinafter, it explains in detail based on a suitable embodiment of this indication.
Preferred embodiments of the substrate for an input device device according to the present disclosure include a resin cured product and a glass cloth, and the coefficient of thermal expansion is 40 ppm or less. And since it has high bending-proof product, the board | substrate suitable for an input device apparatus can be provided.
以下に本開示にかかるインプットデバイス装置用基板の実施形態、インプットデバイス装置用基板を得るのに用いられる各構成要素の詳細およびインプットデバイス装置用基板の製造方法を説明する。 Hereinafter, an embodiment of an input device device substrate according to the present disclosure, details of each component used to obtain the input device device substrate, and a method of manufacturing the input device device substrate will be described.
＜インプットデバイス装置用基板の実施形態＞
まず、本開示のインプットデバイス装置用基板の実施形態について説明する。
図１は、本開示のインプットデバイス装置用基板１００の実施形態を示す図である。
図１に示すインプットデバイス装置用基板１００は、前記のとおり樹脂硬化物とガラスクロス２を含む樹脂硬化物−ガラスクロス複合体であり、熱線膨張係数が４０ｐｐｍ以下である。
<Embodiment of Input Device Device Substrate>
First, an embodiment of the substrate for an input device device of the present disclosure will be described.
FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of an input device apparatus substrate 100 according to the present disclosure.
As described above, the input device apparatus substrate 100 shown in FIG. 1 is a cured resin-glass cloth composite including a cured resin and glass cloth 2, and has a coefficient of thermal expansion of 40 ppm or less.
次に、本開示のインプットデバイス装置用基板の各構成要素について説明する。 Next, each component of the substrate for input devices according to the present disclosure will be described.
＜ガラスクロス＞
本開示に用いられるガラスクロス２を図１に示す。ガラスクロス２は、縦方向ガラスヤーン（経糸）２ａおよび横方向ガラスヤーン（緯糸）２ｂで構成されており、縦方向ガラスヤーン２ａと横方向ガラスヤーン２ｂとは略直交している。ガラスクロス２の織組織としては、特に作製後の樹脂硬化物−ガラスクロス複合基板の熱線膨張率の異方性が低いという観点から、図１に示す平織りが本開示に好適に用いられる。
<Glass cloth>
A glass cloth 2 used in the present disclosure is shown in FIG. The glass cloth 2 is composed of a longitudinal glass yarn (warp) 2a and a transverse glass yarn (weft) 2b. The longitudinal glass yarn 2a and the transverse glass yarn 2b are substantially orthogonal to each other. As the woven structure of the glass cloth 2, the plain weave shown in FIG. 1 is preferably used in the present disclosure from the viewpoint that the anisotropy of the thermal linear expansion coefficient of the cured resin-glass cloth composite substrate after production is low.
ガラスクロス２を構成する無機系ガラス材料としては、適時公知の材料を用いることができるが、アルカリ金属などのイオン性不純物が少なく、入手が容易なことから、Ｅガラスが好ましく用いられる。 As the inorganic glass material constituting the glass cloth 2, a known material can be used in a timely manner, but E glass is preferably used because it has few ionic impurities such as alkali metals and is easily available.
また、ガラスクロスの表面には、必要に応じてカップリング剤を付与するようにしてもよい。カップリング剤としては、適時公知の材料を用いることができる。例えば、官能基としてエポキシ基、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、イソシアネート基、アミド基等を含むものが好ましく用いられる。特にシランカップリング材を好適に用いることが出来る。
シランカップリング材としては、例えば、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルト
リメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン及びその塩酸塩、Ｎ−β−（Ｎ−ベンジルアミノエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン及びその塩酸塩、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、等のシラン化合物を好適に使用することができる。
Moreover, you may make it provide a coupling agent to the surface of a glass cloth as needed. As the coupling agent, a known material can be used in a timely manner. For example, those containing an epoxy group, a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group, an amide group or the like as a functional group are preferably used. In particular, a silane coupling material can be suitably used.
Examples of the silane coupling material include γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, N-β- (N-vinylbenzylamino). Silane compounds such as ethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane and its hydrochloride, N-β- (N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane and its hydrochloride, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, etc. Can be preferably used.
＜樹脂硬化物＞
本開示にかかるインプットデバイス装置用基板に用いられる樹脂硬化物には、例えば熱及び／または光架橋型化合物を架橋させたものを好適に使用することができる。なお、本開示において樹脂硬化物とは、熱及び／または光架橋型化合物と重合開始剤、その他添加剤を含む樹脂組成物を熱及び／または光により架橋させたものをいう。
熱及び／または光架橋型化合物の具体例としては、公知の材料を適時用いることができるが、特に高反応性、硬化物の高耐熱性という観点でエポキシ系化合物が好適に用いられる。
特に芳香族グリシジル型エポキシ化合物、さらにその中でも芳香族ビスフェノール型エポキシ化合物が、高い反応性、硬化物の耐熱性に優れる。
<Hardened resin>
As the cured resin used for the substrate for an input device according to the present disclosure, for example, a product obtained by crosslinking a heat and / or photocrosslinkable compound can be suitably used. In the present disclosure, the cured resin refers to a resin composition containing a heat and / or photocrosslinkable compound, a polymerization initiator, and other additives, which is crosslinked by heat and / or light.
As a specific example of the heat and / or photocrosslinkable compound, a known material can be used as appropriate. In particular, an epoxy compound is preferably used from the viewpoint of high reactivity and high heat resistance of a cured product.
In particular, an aromatic glycidyl type epoxy compound, and among them, an aromatic bisphenol type epoxy compound is excellent in high reactivity and heat resistance of a cured product.
なお、樹脂硬化物は、前記化合物等や公知の材料を２種以上混合し、熱／及びまたは光架橋させたものでも良い。 The cured resin may be a product obtained by mixing two or more of the above-mentioned compounds and the like and known materials and heat / and / or photocrosslinking them.
さらには、本開示に用いられる樹脂硬化物は、ガラス転移温度が１３０以上、さらに１５０℃以上であるのが好ましく、１７０℃以上であるのがより好ましく、１８０℃以上であるのがさらに好ましい。これにより、インプットデバイス装置用基板１００の製造後、これを面光源照明に加工する際において各種加熱処理を施したとしても、インプットデバイス装置用基板１００に反りや変形等が発生するのを防止することができる。 Furthermore, the resin cured product used in the present disclosure has a glass transition temperature of 130 or higher, preferably 150 ° C. or higher, more preferably 170 ° C. or higher, and further preferably 180 ° C. or higher. Thereby, even if various heat treatments are performed when the input device apparatus substrate 100 is manufactured and then processed into a surface light source illumination, the input device apparatus substrate 100 is prevented from being warped or deformed. be able to.
次に、本開示に係るインプットデバイス装置用基板の特性について述べる。 Next, characteristics of the input device device substrate according to the present disclosure will be described.
＜インプットデバイス装置用基板の特性＞
まず、インプットデバイス装置用基板１００の熱機械特性として、３０℃以上１３０℃以下における平均熱線膨張係数が好ましくは０ｐｐｍ／Ｋ以上４０ｐｐｍ／Ｋ以下、より好ましくは０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは０ｐｐｍ／Ｋ以上２０ｐｐｍ／Ｋ以下である。このような平均線膨張係数の面光源用基板１００は、温度変化に伴う寸法変化が十分に小さいので、基板上に形成した素子にかかる歪みを低減することができ、反りや電極の断線といった諸問題が発生し難いものとなる。
<Characteristics of input device substrate>
First, as a thermomechanical characteristic of the substrate 100 for an input device, the average thermal linear expansion coefficient at 30 ° C. to 130 ° C. is preferably 0 ppm / K to 40 ppm / K, more preferably 0 ppm / K to 30 ppm / K, Preferably they are 0 ppm / K or more and 20 ppm / K or less. Since the surface light source substrate 100 having such an average linear expansion coefficient has a sufficiently small dimensional change due to a temperature change, it is possible to reduce distortion applied to the element formed on the substrate, and various problems such as warpage and disconnection of the electrodes. The problem is less likely to occur.
また、インプットデバイス装置用基板１００の熱機械特性として、ガラス転移温度は、１３０℃以上であるのが好ましく、１５０℃以上であることがさらに好ましく、より好ましくは１７０℃以上で、１８０℃以上であるのがさらに好ましい。これにより、インプットデバイス装置用基板１００の製造後、これをインプットデバイス装置に加工する際において各種加熱処理を施したとしても、インプットデバイス装置用基板１００に反りや変形等が発生するのを防止することができる。 Further, as the thermomechanical characteristics of the input device substrate 100, the glass transition temperature is preferably 130 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher, more preferably 170 ° C. or higher, and 180 ° C. or higher. More preferably. Thereby, even if various heat treatments are performed when the input device apparatus substrate 100 is manufactured and then processed into the input device apparatus, the input device apparatus substrate 100 is prevented from being warped or deformed. be able to.
さらに、インプットデバイス装置用基板１００の熱機械特性として、２５０℃における弾性率が１ＧＰａ以上であることが好ましい。１ＧＰａ以上であることで、アインプットデバイス装置を作製する際の温度でも、精度の高い素子を作製することが可能となる。 Furthermore, it is preferable that the elastic modulus at 250 ° C. is 1 GPa or more as the thermomechanical property of the input device substrate 100. By being 1 GPa or more, it becomes possible to produce a highly accurate element even at the temperature at which the input device device is produced.
以上のようなインプットデバイス装置用基板１００の平均厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上８０μｍ以下、１５μｍ以上６０μｍ以下であるのがより好ましい。厚みが上記の範囲であれば、後述する耐曲げ性に優れ、インプット
デバイス装置をロールトゥロールで作製することができ、さらに作製後のインプットデバイス装置をフレキシブルなものとすることができる。
The average thickness of the input device apparatus substrate 100 as described above is preferably 5 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 80 μm or less, and 15 μm or more and 60 μm or less. When the thickness is in the above range, the bending device described later is excellent, the input device device can be produced by roll-to-roll, and the input device device after production can be made flexible.
また、インプットデバイス装置用基板については、必要に応じて長さ１００ｍ以上の長尺基板としてもよい。１００ｍ以上の長尺基板とすることによって、前述のロールトゥロールプロセスによりインプットデバイス装置を連続できに生産することが可能となり、製造コストを削減することが可能となる。 Moreover, about the board | substrate for input devices, it is good also as a long board | substrate with a length of 100 m or more as needed. By using a long substrate of 100 m or longer, the input device device can be continuously produced by the roll-to-roll process described above, and the manufacturing cost can be reduced.
＜インプットデバイス装置用基板の製造方法＞
インプットデバイス装置用基板１００は、ガラスクロス２に未架橋の樹脂組成物を含浸させ、この状態で板状に成形（整形）された後、この樹脂組成物を架橋させてなるものである。
<Manufacturing method of substrate for input device device>
The substrate 100 for an input device device is formed by impregnating a glass cloth 2 with an uncrosslinked resin composition, and forming (shaping) the resin composition in a plate shape in this state, and then crosslinking the resin composition.
具体的には、インプットデバイス装置用基板１００は、ガラスクロス２に樹脂組成物を含浸させた後、成形（整形）しつつ樹脂組成物を架橋させ、樹脂硬化物―ガラスクロス複合体を得る工程と、を経て製造される。以下、製造工程について詳述する。 Specifically, the input device apparatus substrate 100 is obtained by impregnating the glass cloth 2 with the resin composition and then crosslinking the resin composition while molding (shaping) to obtain a cured resin-glass cloth composite. And is manufactured through. Hereinafter, the manufacturing process will be described in detail.
［１］まず、樹脂組成物を調製する。樹脂組成物は、熱及び／または光架橋型化合物、重合開始剤他、必要に応じて、有機溶剤、重合開始剤、酸化防止剤、フィラー、難燃剤、紫外線吸収剤等を含むものである。 [1] First, a resin composition is prepared. The resin composition includes a heat and / or photocrosslinkable compound, a polymerization initiator, and the like, and if necessary, an organic solvent, a polymerization initiator, an antioxidant, a filler, a flame retardant, an ultraviolet absorber, and the like.
＜重合開始剤＞
重合開始剤は、熱及び／または光架橋型化合物を架橋させるために使用される。かかる重合開始剤としては、公知の材料を適時使用することができるが、本開示においては反応性の高さからカチオン系重合開始剤、特にオニウム塩系カチオン重合開始剤が好ましく用いられる。
<Polymerization initiator>
The polymerization initiator is used to crosslink the heat and / or photocrosslinkable compound. As such a polymerization initiator, a known material can be used in a timely manner, but in the present disclosure, a cationic polymerization initiator, particularly an onium salt cationic polymerization initiator is preferably used because of its high reactivity.
このようなカチオン系重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物１００質量部に対して０．１質量部以上５質量部以下であるのが好ましく、特に０．５質量部以上３質量部以下が好ましい。含有量が前記下限値未満であると樹脂硬化物の硬化性が低下する場合があり、前記上限値を超えると面光源用基板１００が脆くなる場合がある。
光硬化させる場合は、樹脂組成物の硬化反応を促進させるため、必要に応じて、増感剤、酸増殖剤等も併せて用いることができる。
The content of such a cationic polymerization initiator is not particularly limited, but is preferably 0.1 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, particularly 0.5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin composition. 3 parts by mass or less is preferable. If the content is less than the lower limit, the curability of the cured resin may be reduced, and if the content exceeds the upper limit, the surface light source substrate 100 may become brittle.
When photocuring, in order to accelerate the curing reaction of the resin composition, a sensitizer, an acid proliferating agent, and the like can be used as necessary.
なお、樹脂組成物は、その特性を損なわない範囲で必要に応じて、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のオリゴマーやモノマー等を含んでいてもよい。なお、これらのオリゴマーやモノマーを使用する場合は、架橋後の樹脂組成物３（樹脂硬化物）の屈折率がガラスクロス２の屈折率とほぼ等しくなるように、樹脂組成物の各成分の組成比が適宜設定される。
樹脂組成物は、以上のような成分を混合して得られる。
In addition, the resin composition may contain an oligomer, a monomer, or the like of a thermoplastic resin or a thermosetting resin as necessary as long as the characteristics are not impaired. In addition, when using these oligomers and monomers, the composition of each component of the resin composition so that the refractive index of the resin composition 3 (resin cured product) after crosslinking is substantially equal to the refractive index of the glass cloth 2. The ratio is set as appropriate.
The resin composition is obtained by mixing the above components.
［２］その後、得られた樹脂組成物をガラスクロス２に含浸させ、樹脂組成物含浸ガラスクロスを得る。樹脂組成物をガラスクロス２に含浸させる際には、例えば、樹脂組成物中にガラスクロス２を浸漬する方法、ガラスクロス２に樹脂組成物を塗布する方法等が用いられる。また、樹脂組成物をガラスクロス２に含浸させた後、樹脂組成物が未架橋の状態でまたは樹脂組成物を架橋させた後に、その上からさらに樹脂組成物を塗布するようにしてもよい。
その後、必要に応じて、樹脂組成物に脱泡処理を施す。さらには、必要に応じて、樹脂組成物を乾燥させる。
[2] Then, the obtained resin composition is impregnated into the glass cloth 2 to obtain a resin composition-impregnated glass cloth. When impregnating the glass cloth 2 with the resin composition, for example, a method of immersing the glass cloth 2 in the resin composition, a method of applying the resin composition to the glass cloth 2, or the like is used. Alternatively, after impregnating the glass cloth 2 with the resin composition, the resin composition may be further applied from above the resin composition in an uncrosslinked state or after the resin composition is crosslinked.
Thereafter, the resin composition is subjected to defoaming treatment as necessary. Furthermore, the resin composition is dried as necessary.
［３］次いで、樹脂組成物含浸ガラスクロスを板状に成形しつつ加熱する。これにより、樹脂組成物を架橋させ、樹脂硬化物―ガラスクロス複合体を得る。
加熱条件としては、好ましくは加熱温度が５０℃以上３００℃以下、加熱時間が０．５時間以上１０時間以下とされ、より好ましくは加熱温度が１７０℃以上２７０℃以下、加熱時間が１時間以上５時間以下とされる。
[3] Next, the resin composition-impregnated glass cloth is heated while being formed into a plate shape. Thereby, the resin composition is cross-linked to obtain a cured resin-glass cloth composite.
As heating conditions, the heating temperature is preferably 50 ° C. or more and 300 ° C. or less, the heating time is 0.5 hours or more and 10 hours or less, more preferably the heating temperature is 170 ° C. or more and 270 ° C. or less, and the heating time is 1 hour or more. 5 hours or less.
また、加熱温度は途中で変更するようにしてもよい。例えば、当初（初期）には、樹脂組成物を５０℃以上１００℃以下で０．５時間以上３時間以下加熱し、その後、２００℃以上３００℃以下で０．５時間以上３時間以下で加熱するようにしてもよい。 Moreover, you may make it change heating temperature on the way. For example, initially (initial), the resin composition is heated at 50 ° C. or higher and 100 ° C. or lower for 0.5 hour or longer and 3 hours or shorter, and then heated at 200 ° C. or higher and 300 ° C. or lower for 0.5 hour or longer and 3 hours or shorter. You may make it do.
また、樹脂組成物含浸ガラスクロスの成形には、例えばポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等が用いられる。そして、樹脂組成物含浸ガラスクロス２を挟むように両側からフィルムを押し当てることにより、樹脂組成物含浸ガラスクロスの表面にフィルムの形状を転写することができる。ここで、平滑なフィルムを転写することにより、架橋後の樹脂−ガラスクロス複合体の表面を平滑にすることができ、この表面に均一性の高いインプットデバイス装置用基板を形成することができる。 Moreover, a polyester film, a polyimide film, etc. are used for shaping | molding of a resin composition impregnation glass cloth, for example. And the shape of a film can be transcribe | transferred to the surface of a resin composition impregnation glass cloth by pressing a film from both sides so that the resin composition impregnation glass cloth 2 may be pinched | interposed. Here, by transferring a smooth film, the surface of the cross-linked resin-glass cloth composite can be smoothed, and a highly uniform substrate for an input device device can be formed on this surface.
なお、樹脂組成物が光架橋型の組成物である場合には、波長２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外線等を照射することにより樹脂組成物を硬化させる。
付与される光エネルギー量（積算光量）は、５ｍＪ／ｃｍ２以上３０００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２以上２０００ｍＪ／ｃｍ２以下であるのがより好ましい。積算光量が前記範囲内であれば、ムラなく均一かつ確実に樹脂組成物を架橋させることができる。また、紫外線等照射時に、熱を加えても良い。これにより、硬化速度を促進し、反応率を高めることができる。
架橋後、挟持したフィルムをはがして、樹脂硬化物−ガラスクロス複合体（すなわち、本開示におけるインプットデバイス装置用基板）を得ることが出来る。
In the case where the resin composition is a photocrosslinking composition, the resin composition is cured by irradiating ultraviolet rays having a wavelength of 200 nm to 400 nm.
Light energy applied (integrated quantity of light) is preferably at 5 mJ / cm 2 or more 3000 mJ / cm 2 or less, more preferably 10 mJ / cm 2 or more 2000 mJ / cm 2 or less. If the integrated light quantity is within the above range, the resin composition can be crosslinked uniformly and reliably without unevenness. Further, heat may be applied during irradiation with ultraviolet rays or the like. Thereby, a cure rate can be accelerated | stimulated and a reaction rate can be raised.
After crosslinking, the sandwiched film can be peeled off to obtain a cured resin-glass cloth composite (that is, the substrate for an input device in the present disclosure).
また、前記樹脂組成物含浸ガラスクロスが、長尺状であった場合は、各々の工程を連続して実施することが可能である。この場合、工程のいくつかを連続的に行ってもよい。こうすることでインプットデバイス装置用基板の連続生産が可能となる。
以上、本開示に係るインプットデバイス装置用基板の製造方法の一例を記載したが、必ずしもこれに限られるものではなく、工程の追加・省略、組み合わせる材料の変更などにより適時最適な方法を用いて製造される。
Moreover, when the said resin composition impregnation glass cloth is elongate, each process can be implemented continuously. In this case, some of the steps may be performed continuously. By doing so, it is possible to continuously produce substrates for the input device device.
As mentioned above, although an example of the manufacturing method of the board | substrate for input device apparatuses which concerns on this indication was described, it is not necessarily restricted to this, It manufactures using the optimal method in a timely manner, such as addition / omission of a process, and the change of the material to combine. Is done.
図１は、本開示のインプットデバイス装置用基板１００の実施形態を示す図である。 FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of an input device apparatus substrate 100 according to the present disclosure.
また、本開示のように表示装置用基板に樹脂硬化物を使用する場合は水蒸気・酸素透過性を低減させるために無機絶縁層を積層するのが好ましい。ガスバリア層としては、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜等公知のものが挙げられる。また、このガスバリア層の形成方法も公知の方法により形成される（以上の製造方法としては、例えば特開２０１３−０４８２６１参照）。 In addition, when a cured resin is used for the display device substrate as in the present disclosure, it is preferable to stack an inorganic insulating layer in order to reduce water vapor / oxygen permeability. Examples of the gas barrier layer include known materials such as inorganic and organic coatings, or hybrid coatings of both. Further, this gas barrier layer is also formed by a known method (see, for example, JP 2013-048261 A for the above production method).
本開示のインプットデバイス装置用基板は、平均熱線膨張係数が低く、さらに曲げ性が高いため、トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス装置、電気泳動方式の電子ペーパーを作製するために好適に用いることができ、これを使用した表示装置はフレキシブル性があり、さらに熱線膨張係数が低いためＴＦＴの精度が高く、高い表示品位を有する表示装置を作製することが可能となる。なお、インプットデバイス装置のうち、デバイス装置である液晶表示装置については反射型もあるが、液晶表示装置については透過型が主であるため、本開示である基板は液晶表示装置以外の有機ＥＬ表示装置または電子ペーパーが好ましい。 The substrate for the input device device of the present disclosure has a low average thermal expansion coefficient and high bendability, and therefore can be suitably used for producing a top emission type organic electroluminescence device and electrophoretic electronic paper, A display device using this is flexible and has a low thermal linear expansion coefficient, so that the TFT has high accuracy and a display device having high display quality can be manufactured. Of the input device devices, the liquid crystal display device which is a device device is also of a reflective type, but the liquid crystal display device is mainly of a transmissive type. Therefore, the substrate according to the present disclosure is an organic EL display other than the liquid crystal display device. A device or electronic paper is preferred.
また、本開示において、インプットデバイス装置は、例えば、撮像素子、Ｘ線センサ素子、又はフォトセンサ素子を含むデバイス装置を挙げることができる。
また本開示において駆動素子としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を含む画素回路が形成されたものを挙げることが出来る。この画素子によｒ、インプットデバイス装置として、放射線（Ｘ線など）の撮像装置、可視光の撮像装置などに使用することが可能となる。
In the present disclosure, examples of the input device apparatus include a device apparatus including an imaging element, an X-ray sensor element, or a photosensor element.
In the present disclosure, examples of the driving element include an element in which a pixel circuit including a thin film transistor (TFT) is formed. This image element can be used as an input device device for an imaging device for radiation (X-rays, etc.), an imaging device for visible light, and the like.
次に、本開示の具体的実施例について説明する。 Next, specific examples of the present disclosure will be described.
＜平均線膨張係数（ＣＴＥ）の測定＞
セイコーインスツルメンツ（株）製ＴＭＡ／ＳＳ１２０Ｃ型熱応力歪測定装置を用いて、窒素雰囲気下、1分間に５ ℃ の割合で３０℃から２３０℃まで上昇させて２０分間保
持、その後１分間に５℃の割合で２３０℃から３０℃まで冷却させた時の、１３０℃から３０℃の平均線膨張係数を求めた。測定は荷重を５ ｇ 、引っ張りモードで実施した。
<Measurement of average linear expansion coefficient (CTE)>
Using a TMA / SS120C type thermal stress strain measuring device manufactured by Seiko Instruments Inc., the temperature is raised from 30 ° C. to 230 ° C. at a rate of 5 ° C. for 1 minute in a nitrogen atmosphere and held for 20 minutes, and then 5 ° C. for 1 minute. The average coefficient of linear expansion from 130 ° C. to 30 ° C. when cooled from 230 ° C. to 30 ° C. was determined. The measurement was performed in a tensile mode with a load of 5 g.
＜ガラス転移温度・弾性率の測定＞
窒素雰囲気下の乾燥機により２００℃で１時間、加熱硬化した樹脂ワニスを含浸させたガラス繊維２（シート）をサンプルとした。動的粘弾性装置（ＴＡインスツルメント社製）を用い、窒素雰囲気下、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５℃／ｍｉｎ、温度２５℃から３５０℃の引っ張り測定を行った。ガラス転移温度は、ｔａｎδ値が極大値を示すときの温度とした。また、弾性率は温度２５０℃における貯蔵弾性率の値とした。
<Measurement of glass transition temperature and elastic modulus>
A glass fiber 2 (sheet) impregnated with a heat-cured resin varnish for 1 hour at 200 ° C. by a drier in a nitrogen atmosphere was used as a sample. Using a dynamic viscoelastic device (TA Instruments), tensile measurement was performed at a frequency of 10 Hz, a heating rate of 5 ° C./min, and a temperature of 25 ° C. to 350 ° C. in a nitrogen atmosphere. The glass transition temperature was the temperature at which the tan δ value showed a maximum value. The elastic modulus was the value of the storage elastic modulus at a temperature of 250 ° C.
（実施例１）
エポキシ樹脂、ｊＥＲ８２８（屈折率：１．５７３、三菱化学）に酸化防止剤（ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０ ＢＡＳＦ Ｊａｐａｎ製）を１ｐｈｒ、および光硬化触媒（ＳＰ−１７０ ＡＤＥＫＡ製）を２ｐｈｒ加えて十分に撹拌してワニスを作製した。このワニスを７０℃下でＥガラスクロス ＃１０８１（屈折率：１．５５８、ユニチカグラスファイバー製）に含浸させたあと、室温で真空脱泡を行った。
Example 1
Add 1 phr of antioxidant (IRGANOX1010 BASF Japan) to epoxy resin, jER828 (refractive index: 1.573, Mitsubishi Chemical) and 2 phr of photocuring catalyst (SP-170 ADEKA) and stir well to add varnish. Produced. This varnish was impregnated with E glass cloth # 1081 (refractive index: 1.558, manufactured by Unitika glass fiber) at 70 ° C., and then vacuum degassing was performed at room temperature.
真空脱泡した含浸Ｅガラスクロスを、両面を転写材ＰＥＴ（コスモシャインＡ４１００、 １１８８μｍ, 東洋紡製）で挟み込み、６０℃に加温したラミネーターでラミネート
した後、ＵＶ光により硬化させた。
The impregnated E glass cloth that had been degassed in vacuum was sandwiched between transfer materials PET (Cosmo Shine A4100, 1188 μm, manufactured by Toyobo), laminated with a laminator heated to 60 ° C., and then cured by UV light.
ＵＶ条件：高圧水銀ランプ、積算光量約８００ｍＪ/cm2
その後、転写材ＰＥＴは剥がして除去した。ＵＶ硬化後の基板は窒素オーブンにて荷重をかけて引っ張りながら２５０℃１ｈ 窒素下にてアニールを実施してガラスクロス複合基板を得た。
UV conditions: high-pressure mercury lamp, integrated light intensity of about 800 mJ / cm 2
Thereafter, the transfer material PET was peeled off and removed. The substrate after UV curing was annealed under nitrogen at 250 ° C. for 1 h while being pulled under a load in a nitrogen oven to obtain a glass cloth composite substrate.
これを光拡散用のガラスクロス複合基板とした。このとき、得られたガラスクロス複合基板は、Ｔｇが１８０度、２５０度における弾性率が１３ＧＰ，厚み５１μｍであった。
This was used as a glass cloth composite substrate for light diffusion. At this time, the obtained glass cloth composite substrate had Tg of 180 degrees, an elastic modulus at 250 degrees of 13 GP, and a thickness of 51 μm.
本開示により、平均熱線膨張係数が低いインプットデバイス装置用基板を提供することが可能となった。 According to the present disclosure, it is possible to provide a substrate for an input device device having a low average thermal linear expansion coefficient.
１ 樹脂
２ ガラスクロス
２ａ ガラス繊維、縦方向ガラスヤーン（経糸）
２ｂ ガラス繊維、横方向ガラスヤーン（緯糸）
１００ インプットデバイス装置用基板
1 resin 2 glass cloth 2a glass fiber, longitudinal glass yarn (warp)
2b Glass fiber, transverse glass yarn (weft)
100 Substrate for input device
Claims (7)
ガラスクロスと樹脂硬化物を含み、
樹脂硬化物が熱及び／または光架橋型化合物を架橋させたものであり、
さらに、駆動回路を含んだことを特徴とする
インプットデバイス装置用基板。 A substrate for an input device device, including a glass cloth and a cured resin,
The cured resin is obtained by crosslinking a heat and / or photocrosslinkable compound,
Furthermore, the board for input devices characterized by including the drive circuit.
該ガラスクロスの表面にシランカップリング剤が設けられており、
さらに前記樹脂硬化物が、芳香族グリシジル型エポキシ化合物を含む請求項１または２に記載のインプットデバイス装置用基板。 The glass cloth is plain weave and uses E glass,
A silane coupling agent is provided on the surface of the glass cloth,
The substrate for an input device according to claim 1, wherein the cured resin further contains an aromatic glycidyl type epoxy compound.
6. An input device device using the substrate for an input device device according to any one of claims 1 to 5.
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