JP2013146916A - 認証用微細構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によると第1の方向に拡張した幅を有する拡張部が、前記第1の方向と異なる第2の方向に複数配置され、第1の拡張部と前記第1の拡張部に隣接する第2の拡張部との第1の距離と、前記第2の拡張部と前記第2の拡張部に隣接する第3の拡張部との第2の距離とが異なる認証用微細構造体が提供される。また、前記第3の拡張部と前記第3の拡張部に隣接する第4の拡張部との第3の距離を有し、前記第1の距離、前記第2の距離、前記第3の距離の順に距離が短くてもよい。
【選択図】図1
Description
上述した認証用微細構造体100の製造方法について、以下に説明する。図3〜図5は、本実施形態に係る認証用微細構造体100の製造プロセスを示す模式図である。認証用微細構造体100を製造するための基板1を準備する。基板1は、上述した認証用微細構造体100に利用可能な無機材料の基板である。基板1は、必要に応じて研磨やエッチング等により厚みを薄くする前処理を行なってもよい。基板1の一方の面(第1の面)に第1の膜として、エッチングストッパ層3を形成する(図3(a))。エッチングストッパ層3は、基板1に対するエッチングガス(エッチャント)、例えば、SF6やCF4等によりエッチングされない金属、例えば、アルミニウム(Al)やクロム(Cr)等の公知の材料を用いることができる。また、エッチングストッパ層3の形成方法は、真空成膜や箔添付等、公知の方法を用いることができるため、詳細な説明は省略する。なお、図示を省略しているが、エッチングストッパ層3上に支持基板を配して、基板1を取り扱ってもよい。
以下に、上述した認証用微細構造体100を用いた認証方法について説明する。図5は、本実施形態に係る認証デバイス1000の模式図である。認証デバイス1000は、認証用微細構造体100をインクや塗料などの印刷用溶液1001と混合して印刷したデバイスである。すなわち、認証デバイス1000は、認証用微細構造体100と、インクまたは塗料と、を一部に塗布した物品である。
上述した認証用微細構造体100の製造方法の実施例について、以下に説明する。実施例には、厚さ725μmの6インチシリコン基板(100)を研磨して、厚さ300μmの6インチシリコン基板(100)にして用いた。エッチングストッパ層として、シリコン基板の片面にスパッタ成膜法を用いて、膜厚1μmのアルミニウム(Al)膜を形成した。
Claims (6)
- 第1の方向に拡張した幅を有する拡張部が、前記第1の方向と異なる第2の方向に複数配置され、
第1の拡張部と前記第1の拡張部に隣接する第2の拡張部との第1の距離と、前記第2の拡張部と前記第2の拡張部に隣接する第3の拡張部との第2の距離とが異なることを特徴とする認証用微細構造体。 - 前記第3の拡張部と前記第3の拡張部に隣接する第4の拡張部との第3の距離を有し、
前記第1の距離、前記第2の距離、前記第3の距離の順に距離が短いことを特徴とする請求項1に記載の認証用微細構造体。 - 基板を準備し、
前記基板の第1の面に第1の膜を形成し、
前記基板の第1の面とは反対側に位置する第2の面に、所定形状のパターンを有する第2の膜を形成し、
前記第2の膜を介して前記基板を厚み方向にエッチングして、前記基板に凹部を形成し、
前記凹部の側面に第3の膜を形成し、
前記基板を厚み方向にエッチングして、前記凹部を前記基板の厚み方向に拡張し、
前記凹部が前記第1の面まで拡張された後に、前記第1の膜を除去することを特徴とする認証用微細構造体の製造方法。 - 前記エッチングと前記第3の膜を形成とを繰り返して、
前記凹部の側面に、前記凹部の中心方向に対して凸部を形成することを特徴とする請求項3に記載の認証用微細構造体の製造方法。 - 少なくとも一つの面に波状の3次元構造を有し、前記波状の3次元構造が示す波の周期が不均一であることを特徴とする認証用微細構造体。
- 基体と、
前記基体上に設けられ、第1の方向に拡張した幅を有する拡張部が、前記第1の方向と異なる第2の方向に複数配置され、第1の拡張部と前記第1の拡張部に隣接する第2の拡張部との第1の距離と、前記第2の拡張部と前記第2の拡張部に隣接する第3の拡張部との第2の距離とが異なる認証用微細構造体と、を有することを特徴とする物品。
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Cited By (2)
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JP2017079273A (ja) * | 2015-10-21 | 2017-04-27 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP7074121B2 (ja) | 2017-03-10 | 2022-05-24 | 日本ゼオン株式会社 | 全固体電池用バインダーおよび全固体電池用バインダー組成物、並びに、全固体電池用バインダー組成物の製造方法 |
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JP2008034508A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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2012
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