JP2013143411A - セラミック基板と、及びセラミック基板を用いた電子部品モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】発光ダイオードをはじめとする電子部品が実装可能であるセラミック基板1を提供する。
【解決手段】セラミック基板部2と、セラミック基板部2上に電子部品3を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部4と、セラミック基板部2上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部5と、を有するセラミック基板1において、端子部4の厚さは、配線部5の厚さより厚いことを特徴とするセラミック基板1としたので、発光ダイオードをはじめとする電子部品が実装可能であるセラミック基板1を提供することができる。
【選択図】図1
【解決手段】セラミック基板部2と、セラミック基板部2上に電子部品3を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部4と、セラミック基板部2上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部5と、を有するセラミック基板1において、端子部4の厚さは、配線部5の厚さより厚いことを特徴とするセラミック基板1としたので、発光ダイオードをはじめとする電子部品が実装可能であるセラミック基板1を提供することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、セラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールに関するものである。
近年、セラミック基板上に電子部品を搭載した電子部品モジュールの開発は進んでいる。
特に、電子部品として発光ダイオード(LED、Light Emitting Diode)を搭載した電子回路モジュールは、そのセラミック基板部の優位点である耐熱性・耐湿性に優れ、また、素材自体が良好な反射率を有することから、高パワー発光ダイオードモジュール、また、液晶のバックライト向けの発光ダイオードモジュールとして用いられている。
従来の電子部品モジュールに用いられるセラミック基板は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部と、前記セラミック基板部上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部と、が設けられた構成となっていた(例えば、これに類似する技術は下記特許文献1に記載されている)。
前記従来のセラミック基板においては、特に、電子部品として発光ダイオード(LED、Light Emitting Diode)を搭載した電子回路に用いられた場合、発光ダイオードから発光された光を効率よく反射させるため、前記セラミック基板上に、高反射率を有する樹脂性の反射膜が形成されている。
しかしながら、セラミック基板上に、この反射膜を形成すると、この反射膜によって、セラミック基板表面の平面度が悪化してしまう。このセラミック基板表面の平面度が悪化してしまうことによって、その後の電子部品実装工程において、発光ダイオードをはじめとする電子部品の実装ができない、という課題を有していた。
そこで本発明は、この課題を解決し、発光ダイオードをはじめとする電子部品の実装可能なセラミック基板を提供することを目的とするものである。
そして、この目的を達成するために本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部と、前記セラミック基板部上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部と、を有するセラミック基板において、前記端子部の厚さは、前記配線部の厚さより厚いことを特徴とするセラミック基板とした。
これにより所期の目的を達成するものである。
以上のように本発明は、セラミック基板部と、前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部と、前記セラミック基板部上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部と、を有するセラミック基板において、前記端子部の厚さは、前記配線部の厚さより厚いことを特徴とするセラミック基板としたので、電子部品の実装可能なセラミック基板を提供することができる。
すなわち、本発明においては、前記端子部の厚さは、前記配線部の厚さより厚い構成としたので、前記配線部表面のみに反射膜を形成することができるので、反射膜の形成によるセラミック基板表面の平面度の悪化を大幅に低減することができ、その結果として、発光ダイオードをはじめとする電子部品の実装可能なセラミック基板を提供することができるのである。
以下に、本発明の電子部品モジュールの実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
(実施の形態1)
[1]本実施形態におけるセラミック基板1を用いた電子部品モジュール6の構成
まず、はじめに、本発明の実施の形態1におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの構成に関して説明する。
[1]本実施形態におけるセラミック基板1を用いた電子部品モジュール6の構成
まず、はじめに、本発明の実施の形態1におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの構成に関して説明する。
図1は、本発明の実施の形態1におけるセラミック基板を用いた電子部品モジュールの断面図を示し、図1(a)は、電子部品モジュールの上面図、図1(b)は、図1(a)中の点線A−Aにおける切断面を示すものである。
図1(a)、図1(b)に示すように、セラミック基板1は、セラミック基板部2と、セラミック基板部2上に電子部品3を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部4と、セラミック基板部2上に、所望の電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部5とが形成されている。
また、このセラミック基板1を用いた電子部品モジュール6は、セラミック基板1の端子部4上に電子部品3が実装され、電子部品3とセラミック基板1は電気的に接続されている。本実施形態においては、電子部品3として、発光ダイオード(LED、Light Emitting Diode)を用いた。
ここで、端子部4は、セラミック基板1上に形成された第1の金属部7と、第1の金属部7の表面に形成された第2の金属部8とによって形成されている。また、配線部5は、セラミック基板1上に形成された第1の金属部7が形成されている。すなわち、図1(b)に示すように、端子部4(第1の金属部7と第2の金属部8の合計)の厚さは、配線部5(第1の金属部7のみ)の厚さより厚くなるように構成されている。
また、本実施形態においては、図1(a)、図1(b)に示すように、セラミック基板1の表面は、電子部品3を実装する実装領域9と、電気回路パターンが形成された非実装領域10とが設けられている。また、その非実装領域10上には、反射膜11が形成されている。 本実施形態においては、アルミナ(Al2O3)が含有された樹脂として、アルミナ(Al2O3)が含有されたシリコーン系樹脂を、スクリーン印刷法によって塗布し、その後、乾燥することによって、反射膜11を形成した。
ここで、本実施形態において、セラミック基板部2は、一般にHTCC(High Temperature Co−fired Ceramic、高温同時焼成型セラミック)と呼ばれる焼成されたアルミナ(Al2O3)を焼成することによって形成してある。
また、本実施形態において、第1の金属部7は、第1金属層として、乾式めっき法の一つであるRFスパッタ(Radio Frequency sputtering)法によって、チタン(Ti)の薄膜を50[nm]形成し、さらに、そのチタン(Ti)の薄膜上に、第2金属層として、RFスパッタ法によって、銅(Cu)の薄膜を100[nm]形成し、さらに、その銅(Cu)の薄膜上に、第3金属層として、湿式めっき法の一つである電解めっき法によって銅(Cu)を5[um]から30[um]の膜厚にて形成した。すなわち、本実施形態における第1の金属部7は、RFスパッタ法で形成されたチタン(Ti)と、RFスパッタ法によって形成された銅(Cu)と、電解めっき法で形成された銅(Cu)という、3層構造の金属薄膜を用いた。ここで、RFスパッタ法で形成されたチタン(Ti)と、無電解めっき法によって形成された銅(Cu)とは、電解めっき法で形成された銅(Cu)に比較して非常に薄く形成されている。すなわち、本実施形態においては、第1の金属部7は、実質的に電解めっき法で形成された銅(Cu)によって構成されている。なお、この第1の金属部7のうち、最後に形成される電解めっき法で形成された銅(Cu)の層の厚さは、使用用途等によって、適宜ある一定値に設定することができる。
また、本実施形態においては、第2の金属部8は、湿式めっき法の一つである電解めっき法によって銅(Cu)を20[um]から50[um]の膜厚にて形成した。この第2の金属部8の厚さ(膜厚)は、使用用途等によって、適宜ある一定値に設定してすることができる。
このように、本実施形態においては、端子部4と配線部5とが、事実上、同一の金属で
形成されている。具体的には、電解めっき法によって形成された銅(Cu)により構成されている。このように、端子部4と配線部5とを同一の金属で形成することにより、特に、電解めっき法により端子部4と配線部5を銅(Cu)により形成することによって、第1の金属部7(配線部5)を、第2の金属部8を形成する際の電極として用いることができるので、安価で、かつ容易に第2の金属部8を形成できるのである。
形成されている。具体的には、電解めっき法によって形成された銅(Cu)により構成されている。このように、端子部4と配線部5とを同一の金属で形成することにより、特に、電解めっき法により端子部4と配線部5を銅(Cu)により形成することによって、第1の金属部7(配線部5)を、第2の金属部8を形成する際の電極として用いることができるので、安価で、かつ容易に第2の金属部8を形成できるのである。
また、本実施形態においては、セラミック基板部2を、HTCCと呼ばれる焼成されたアルミナ(Al2O3)により形成したが、その他、同じHTCCに分類される焼成された窒化アルミ(Al−N)や、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics、高温同時焼成型セラミック)と呼ばれるアルミナ(Al2O3)とガラス(SiO2)とを混合し、焼成して形成することもできる。
また、本実施形態において、第1の金属部7の第1金属層の材料として、チタン(Ti)を用いたが、その他、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、金(Au)、ニッケルクロム合金(NiCr)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、タングステン(W)の中から選択されたいずれか1つ、もしくはその合金を用いることも可能である。
また、本実施形態において、第1の金属部7の第1金属層の材料として、チタン(Ti)を用いたが、その他、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、金(Au)、ニッケルクロム合金(NiCr)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、タングステン(W)の中から選択されたいずれか1つ、もしくはその合金を用いることも可能である。
また、本実施形態において、第1の金属部7(正しくは、第1の金属部7の第3金属層)や第2の金属部8の材料として、銅(Cu)を用いたが、その他、電気抵抗の低い物質、例えば金(Au)や銀(Ag)等を電解めっき法にて形成することもできる。
また、本実施形態において、第1の金属部7の第1金属層、第2金属層は、RFスタッパ法を用いたが、例えば、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法等、その他の乾式めっき法や、無電界めっき法等の湿式めっきを用いることもできる。
また、本実施形態において、第1の金属部7の第1金属層、第2金属層は、RFスタッパ法を用いたが、例えば、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法等、その他の乾式めっき法や、無電界めっき法等の湿式めっきを用いることもできる。
[2]本実施形態におけるセラミック基板1の製造方法
次に、本実施形態におけるセラミック基板1の製造方法に関して説明する。
次に、本実施形態におけるセラミック基板1の製造方法に関して説明する。
図2は、本発明の実施の形態1におけるセラミック基板の製造方法を示すフローチャートである。
図2に示すように、本実施形態における多層基板の製造方法は、
S1:セラミック基板部準備工程
S2:第1の金属部形成工程
S3:第2の金属部形成工程
S4:反射膜形成工程
という4つの工程から構成されるものである。
S1:セラミック基板部準備工程
S2:第1の金属部形成工程
S3:第2の金属部形成工程
S4:反射膜形成工程
という4つの工程から構成されるものである。
以下に、S1、及びS2の製造工程の詳細を説明する。
[2]−(1)セラミック基板部準備工程S1
まずはじめに、セラミック基板部準備工程S1にて、セラミック基板部2を作成する。
まずはじめに、セラミック基板部準備工程S1にて、セラミック基板部2を作成する。
本実施形態においては、アルミナ(Al2O3)粉末の固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分84:有機バインダー16の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成したグリーンシートと呼ばれるものを、所望の厚さになるように複数枚積層し、その後、加圧しながら焼成することによって形成する。図3は、実施の形態1におけるセラミック基板の製造方法におけるセラミック基板部準備工程後のセラミック基板1(すなわち、セラミック基板部2)の断面図を示すものである。
図3に示すように、セラミック基板部準備工程S1を行うことによって、セラミック基板部2を形成することができる。
[2]−(2)第1の金属部形成工程S2
次に、第1の金属部形成工程S2にて、セラミック基板部2上に、第1の金属部7を形成する。
次に、第1の金属部形成工程S2にて、セラミック基板部2上に、第1の金属部7を形成する。
本実施形態における第1の金属部7は、前述のように、第1金属層として、乾式めっき法の一つであるRFスパッタ(Radio Frequency sputtering)法によって、チタン(Ti)の薄膜を50[nm]形成し、さらに、そのチタン(Ti)の薄膜上に、第2金属層として、として、RFスパッタ法によって、銅(Cu)の薄膜を100[nm]形成し、さらに、その銅(Cu)の薄膜を上に、第3金属層として、として、湿式めっき法の一つである電解めっき法によって銅(Cu)を5[um]から30[um]の膜厚にて形成している。
それでは、まず、第1の金属部7の第1金属層としてチタン(Ti)を形成し、次に、第2金属層として銅(Cu)を形成する方法に関して説明する。
まずはじめに、乾式めっき法によって、第1の金属部7の第1金属層であるチタン(Ti)層を形成する。本実施形態においては、前述のように、RFスパッタ法によって形成した。 より具体的には、スパッタリングターゲットとしてチタン(Ti)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)ガス雰囲気中で、シード層14の1層目としてチタン(Ti)薄膜を、セラミック基板部2をスパッタリング基板として、スパッタリングターゲットとスパッタリング基板間に高周波電圧を印加することによって、50[nm]形成した。また、スパッタリング条件は、スパッタリングを開始する前のスパッタリング装置内の真空度(背圧)を7×10−4[Pa]以下にした後、スパッタ時のパワーを250W、アルゴンガス圧力を3.3Pa、設定温度を30℃として、スパッタリングを行った。
その次に、乾式めっき法によって、第1の金属部7の第2金属層である銅(Cu)層を形成する。本実施形態においては、第1の金属部7の第1金属層のチタン(Ti)と同じく、RFスパッタ法によって形成した。より具体的には、スパッタリングターゲットとして銅(Cu)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)ガス雰囲気中で、シード層14の2層目として銅(Cu)薄膜を、シード層14の1層目のチタン(Ti)が形成されたセラミック基板部2をスパッタリング基板として、スパッタリングターゲットとスパッタリング基板間に高周波電圧を印加することによって、100[nm]形成した。また、スパッタリング条件は、前述の第1の金属部7の第1金属層としてチタン(Ti)薄膜を形成後、スパッタリング装置内の真空を割らずに、連続的に、第1の金属部7の第2金属層としての銅(Cu)薄膜を形成した。その際、スパッタ時のパワーを200W、アルゴンガス圧力を2.4Pa、設定温度を30℃とした。
その次に、乾式めっき法によって、第1の金属部7の第2金属層である銅(Cu)層を形成する。本実施形態においては、第1の金属部7の第1金属層のチタン(Ti)と同じく、RFスパッタ法によって形成した。より具体的には、スパッタリングターゲットとして銅(Cu)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)ガス雰囲気中で、シード層14の2層目として銅(Cu)薄膜を、シード層14の1層目のチタン(Ti)が形成されたセラミック基板部2をスパッタリング基板として、スパッタリングターゲットとスパッタリング基板間に高周波電圧を印加することによって、100[nm]形成した。また、スパッタリング条件は、前述の第1の金属部7の第1金属層としてチタン(Ti)薄膜を形成後、スパッタリング装置内の真空を割らずに、連続的に、第1の金属部7の第2金属層としての銅(Cu)薄膜を形成した。その際、スパッタ時のパワーを200W、アルゴンガス圧力を2.4Pa、設定温度を30℃とした。
以上のようにして、セラミック基板部2上に、第1の金属部7の第1金属層と第2金属層が形成されるのである。
次に、第1の金属部7の第3金属層として銅(Cu)を形成する方法に関して説明する。
本実施形態においては、まず、セラミック基板部2上に第1の金属部7を形成しない領域にレジストを塗布し、マスキングを行う。その後、第1の金属部7の第2金属層上に、電解めっき法を用い、銅(Cu)を10[um]の膜厚にて形成した。
最後に、前述のレジストを除去すると、セラミック基板部2上に、第1の金属部7が、前述の端子部4の一部、及び配線部5として形成されるのである。
図4は、実施の形態1におけるセラミック基板の製造方法における第1の金属部形成工程後のセラミック基板の断面図を示すものである。
図4に示すように、第1の金属部形成工程S2を行うことによって、セラミック基板部2上に、第1の金属部7を形成することができる。
[2]−(3)第2の金属部形成工程S3
次に、第2の金属部形成工程S3にて、セラミック基板部2上の端子部4の一部に相当する第1の金属部7上に、第2の金属部8を形成する。
次に、第2の金属部形成工程S3にて、セラミック基板部2上の端子部4の一部に相当する第1の金属部7上に、第2の金属部8を形成する。
まず、セラミック基板部2上に第2の金属部8を形成しない領域、すなわち、セラミック基板部2上における第2の金属部8が形成されていない領域にレジストを塗布し、マスキングを行う。
次に、この工程後に端子部4になる第1の金属部7上に、第2の金属部8を形成する。本実施形態においては、湿式めっきとして、電解めっき法を用い、銅(Cu)を30[um]の膜厚にて形成した。
以上のようにして、セラミック基板部2上の端子部4になる第1の金属部7上に、第2の金属部8が形成されるのである。
その後、前述のレジストを除去し、クイックエッチングを行う。
その後、前述のレジストを除去し、クイックエッチングを行う。
図5は、実施の形態1におけるセラミック基板の製造方法における第2の金属部形成工程後のセラミック基板の断面図を示すものである。
図5に示すように、第2の金属部形成工程S3を行うことによって、セラミック基板部2上の端子部4になる第1の金属部7上に、第2の金属部8が形成することができる。
[2]−(4)反射膜形成工程S4
次に、反射膜形成工程S4にて、セラミック基板部2上の非実装領域10に反射膜11を形成する。
次に、反射膜形成工程S4にて、セラミック基板部2上の非実装領域10に反射膜11を形成する。
本実施形態においては、アルミナ(Al2O3)あるいは酸化チタン(TiO2)が含有された樹脂を、スクリーン印刷法によって、セラミック基板部2上の非実装領域10に塗布し、その後、その塗布されたアルミナ(Al2O3)あるいは酸化チタン(TiO2)が含有された樹脂を乾燥させることによって形成した。
本実施形態においては、アルミナ(Al2O3)あるいは酸化チタン(TiO2)が含有された樹脂として、前述のように、アルミナ(Al2O3)あるいは酸化チタン(TiO2)が含有されたシリコーン系樹脂を用いた。
以上のように、第2の金属部形成工程S3を行うことによって、セラミック基板部2上の端子部4になる第1の金属部7上に、第2の金属部8が形成することができる。
以上が、本実施形態におけるセラミック基板1の製造方法に関する説明である。
[3]本実施形態におけるセラミック基板1の効果
以上のように本実施形態のセラミック基板1は、セラミック基板部2と、セラミック基板部2上に電子部品3を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部4と、セラミック基板部2上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部5と、を有するセラミック基板1において、端子部4の厚さは、配線部5の厚さより厚いことを特徴とするセラミック基板1としたので、電子部品3の実装可能なセラミック基板1を提供することができる。
以上のように本実施形態のセラミック基板1は、セラミック基板部2と、セラミック基板部2上に電子部品3を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部4と、セラミック基板部2上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部5と、を有するセラミック基板1において、端子部4の厚さは、配線部5の厚さより厚いことを特徴とするセラミック基板1としたので、電子部品3の実装可能なセラミック基板1を提供することができる。
すなわち、本発明においては、端子部4の厚さは、配線部5の厚さより厚い構成としたので、配線部5表面のみに反射膜11を形成することができるので、反射膜11の形成によるセラミック基板1表面の平面度の悪化を大幅に低減することができ、その結果として、電子部品3の実装可能なセラミック基板1を提供することができるのである。
本発明にかかるセラミック基板と、そのセラミック基板を用いた電子部品モジュールは、電子部品3(特に、電子部品3が発光ダイオード(LED)である場合)が実装可能であるセラミック基板1を提供することできるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けの電子部品モジュール用の基板として有用である。
1 セラミック基板
2 セラミック基板部
3 電子部品
4 端子部
5 配線部
6 電子部品モジュール
7 第1の金属部
8 第2の金属部
9 実装領域
10 非実装領域
11 反射膜
2 セラミック基板部
3 電子部品
4 端子部
5 配線部
6 電子部品モジュール
7 第1の金属部
8 第2の金属部
9 実装領域
10 非実装領域
11 反射膜
Claims (7)
- セラミック基板部と、
前記セラミック基板部上に電子部品を接続するために形成された、少なくとも1つの端子部と、
前記セラミック基板部上に電気回路パターンが形成された少なくとも1つの配線部と、
を有するセラミック基板において、
前記端子部の厚さは、前記配線部の厚さより厚いこと、
を特徴とするセラミック基板。 - 前記セラミック基板表面は、前記電子部品を実装する実装領域と、前記電気回路パターンが形成された非実装領域とを備え、
前記非実装領域上には、反射膜が形成されていること、
を特徴とするセラミック基板。 - 前記端子部と前記配線部とが同一の金属にて形成されている請求項1または2に記載のセラミック基板。
- 前記端子部と前記配線部とが、銅(Cu)を含む金属で形成される請求項3に記載のセラミック基板。
- 前記端子部は、第1の金属部と、前記第1の金属部に形成された第2の金属部から構成され、前記第2の金属部と前記金属層とが、湿式めっき法にて形成される請求項1乃至4に記載のセラミック基板。
- 請求項1〜5のいずれか一つに記載のセラミック基板の前記端子部上に電子部品が搭載された電子部品モジュール。
- 前記電子部品が発光ダイオード(LED)である請求項6に記載の電子部品モジュール。
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---|---|---|---|---|
JP2017224691A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
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