JP2013142815A - 拡張回路搭載領域を有する光トランシーバ - Google Patents

Abstract

【課題】波長可変ＬＤを駆動するための大規模な制御回路を有する光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバは、光信号を送信する光送信サブアセンブリ、光信号を受信する光受信サブアセンブリ、主基板１８、子基板５０、及びハウジングを備えている。主基板は、その一端に電気プラグ１８ａを有する。主基板は、光送信サブアセンブリ及び光受信サブアセンブリと電気的に接続する回路を搭載している。子基板は、光送信サブアセンブリ及び光受信サブアセンブリと電気的に接続する別の回路を搭載している。子基板は、当該別の回路の一部を搭載する拡張領域５０ｂを有する。ハウジングは、光送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、主基板、及び子基板を収容する空間を画成している。電気プラグは、前記空間からハウジングの外部に露出されており、拡張領域は、当該空間の外部に設けられている。
【選択図】図８

Description

本発明の実施形態は、光送信器及び光受信器の双方を備える光トランシーバに関するものであり、特に、波長可変光送信機能を備えるＷＤＭ光通信用の光トランシーバに関するものである。

波長分割多重（ＷＤＭ）光通信システムが実用化されようとしている。ＷＤＭ規格の一つであるＤＷＤＭ（Ｄｅｎｓｅ ＷＤＭ）の一規格は、波長１５５０ｎｍ帯、即ち、１９２ＴＨｚ〜１９７ＴＨｚの周波数帯において、５０ＧＨｚの間隔の１００本のグリッド波長を定めている。従来においては、このＤＷＤＭシステムには、トランスポンダ送信器のような精密な大型の光源が用いられている。この光源は、レーザダイオード（以下、「ＬＤ」という）を有しており、精密な温度制御を必要としている。

特開２００６−０８６４３３号公報 特開２００６−１０６７５２号公報

特許文献１及び２に記載されているような光トランシーバ、即ち、ホストシステムに対して挿抜可能な、所謂プラガブルトランシーバに、波長可変機能を担わせる動きがある。その実現のためには、光トランシーバに波長可変ＬＤを実装することが不可欠である。また、波長可変ＬＤの制御のために光トランシーバに大規模な制御回路を実装することが必要となる。しかしながら、光トランシーバの内容積は限られている。したがって、光トランシーバにおける新たな回路配置が必要である。

本発明の一側面に係る光トランシーバは、光信号を送信する光送信サブアセンブリ、光信号を受信する光受信サブアセンブリ、主基板、子基板、及びハウジングを備えている。主基板は、その一端に電気プラグを有する。主基板は、光送信サブアセンブリ及び光受信サブアセンブリと電気的に接続する回路を搭載している。子基板は、光送信サブアセンブリ及び光受信サブアセンブリと電気的に接続する別の回路を搭載している。子基板は、当該別の回路の一部を搭載する拡張領域を有する。ハウジングは、光送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、主基板、及び子基板を収容する空間を画成している。電気プラグは、前記空間からハウジングの外部に露出されており、拡張領域は、当該空間の外部に設けられている。

本光トランシーバでは、光送信サブアセンブリ、光受信サブアセンブリ、主基板、及び子基板を収容するハウジングの空間の外部に、子基板の拡張領域が設けられている。この光トランシーバによれば、拡張領域に回路の一部を搭載することができる。

一実施形態においては、子基板の別の回路のうち拡張領域に搭載される部分は低周波又は実質的にＤＣで動作してもよい。低周波又は実質的にＤＣで動作する回路がハウジングの上記空間の外部に置かれても、当該回路からのＥＭＩノイズは無視できるレベルである。

一実施形態においては、子基板は、主領域及び当該主領域と拡張領域の間に設けられたネック部を更に有していてもよく、当該ネック部は、主領域の幅及び拡張領域の幅よりも狭い幅を有しており、その表面にハウジングに電気的に接続するグランド層を有していてもよい。この実施形態によれば、ネック部のグランド層とハウジングにより、ＥＭＩシールドが実現される。一実施形態においては、グランド層はハウジングに接触していてもよい。

一実施形態においては、光トランシーバは、ネック部を取り囲み、グランド層とハウジングとに接触するシールドガスケットを更に備えていてもよい。また、一実施形態においては、ハウジングはシールドガスケットを受容する溝を画成していてもよく、シールドガスケットは当該溝内で変形していてもよい。これら実施形態によれば、グランド層とハウジングとの電気的接続の信頼性がより高められる。

一実施形態においては、ハウジングは、前記空間をそれらの間に画成する第１のハウジング及び第２のハウジングを含んでいてもよく、第１のハウジングは、電気プラグ及び拡張領域を覆っていてもよい。この実施形態によれば、ハウジングの前記空間の外部に設けられた電気プラグ及び拡張領域を第１のハウジングにより保護することができる。一実施形態においては、第１のハウジングは、電気プラグを覆う庇部を有しいてもよく、拡張領域は、庇部によって画成される別の空間内に設けられていいてもよい。

一実施形態においては、ハウジングは、第１のハウジングと第２のハウジングの間に設けられたリアブロックを更に備えていてもよい。主基板は、リアブロックと第２のハウジングとの間に設けられていてもよく、子基板は、リアブロックと第１のハウジングとの間に設けられていてもよい。

一実施形態においては、光送信サブアセンブリは、その発振波長が複数のバイアスによって制御される波長可変レーザダイオードを搭載していてもよい。

以上説明したように、本発明の側面及び実施形態によれば、ハウジングの空間の外部に子基板の拡張領域を設けて当該拡張領域に回路の一部を搭載する新たな回路配置を有する光トランシーバが提供される。

一実施形態の光トランシーバの外観を示す斜視図である。 一実施形態の光トランシーバの内部構成を示す斜視図である。 一実施形態の第２のハウジングとリアブロックを示す斜視図である。 一実施形態の光送信サブアセンブリの本体部の破断斜視図である。 一実施形態の光トランシーバの電気回路を示す図である。 一実施形態の光トランシーバにおいてハウジングに搭載されるアセンブリ部品を示す斜視図である。 一実施形態の光トランシーバにおいてハウジングに搭載されるアセンブリ部品を示す斜視図である。 一実施形態の光トランシーバの長手方向に沿った一部の断面を示す図である。 別の実施形態の光トランシーバにおいてハウジングに搭載されるアセンブリ部品を示す斜視図である。 別の実施形態の光トランシーバの長手方向に沿った一部の断面を示す図である。 図１０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。なお、本明細書においては、方向を示す用語、即ち、「前」、「後」との語は、便宜的に用いたものであり、後述するように、光レセプタクルに対して電気プラグが存在する方向を「後」と呼んでおり、その反対方向を「前」と呼んでいる。

図１は、一実施形態の光トランシーバの外観を示している。図２は、一実施形態の光トランシーバの内部構成を示す斜視図である。図１及び図２に示す光トランシーバ１０は、ＸＦＰ（１０ Ｇｉｇａｂｉｔ Ｓｍａｌｌ ＦｏｒｍＦａｃｔｏｒ Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ）規格に準拠している。当該規格の仕様は、ＭＳＡ（Ｍｕｌｔｉ Ｓｏｕｃｅ Ａｇｒｅｅｍｅｎｔ）によって定められている。光トランシーバ１０は、金属製のハウジング１２を有している。一実施形態においては、ハウジング１２は、第１のハウジング１２ａ、及び、第２のハウジング１２ｂを含んでおり、上下に分離可能な構造を有している。図２においては、第２のハウジング１２ｂを取り除いた状態の光トランシーバ１０が示されている。

ハウジング１２は、第１のハウジング１２ａと第２のハウジング１２ｂの間に空間Ｓ１（図８参照）を画成している。ハウジング１２の空間Ｓ１には、光信号を送信する光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ：Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）１４、光信号を受信する光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ：Ｒｅｃｅｉｖｅｒ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）１６、及び、主基板１８が収容されている。ＴＯＳＡ １４及びＲＯＳＡ １６は、主基板１８に搭載された電気回路にフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）基板を介して電気的に接続されている。

ハウジング１２は、その前方に、光レセプタクル１２ｃを有している。光レセプタクル１２ｃは、外部光コネクタと係合することができる。光レセプタクル１２ｃに外部光コネクタを挿入し、外部光コネクタの光ファイバの先端に付属するフェルールを光レセプタクル１２ｃ内に収容されたＯＳＡのスリーブに差し込むことにより、当該光ファイバとＯＳＡ内の光デバイス（即ち、レーザダイオード及びフォトダイオード）とを光学的に結合することができる。これにより、ＸＦＰ規格に準拠する光トランシーバ１０は、全二重の光通信を実現し得る。

ハウジング１２は、ラッチ機構１２ｄを有している。ラッチ機構１２ｄは、ホストシステムのケージに係合し、光トランシーバ１０を当該ケージに固定する機能を有する。光レセプタクル１２ｃの側面には、略Ｕ字形状のベール１２ｅが支持されている。このベール１２ｅを、光レセプタクル１２ｃの側面に形成された軸１２ｆを中心に、光レセプタクル１２ｃの前方を横切るように回転すると、この回転運動がラッチ機構１２ｄの先端の前後方向の運動に変換される。この前後方向の運動により、ラッチ機構１２ｄとケージとの係合を解除することができる。一方、光レセプタクル１２ｃに外部光コネクタが係合している状態では、ベール１２ｅを回転することができないので、光トランシーバ１０をケージから取り出すことができない。

光トランシーバ１０の後部では、主基板１８の後端がハウジング１２から外部に露出している。主基板１８の当該後端には電気プラグ１８ａが形成されている。電気プラグ１８ａは、光トランシーバ１０がホストシステムと電気的に通信するためのインタフェイスを構成している。この電気プラグ１８ａは、ホストシステムのケージの奥端に設けられた電気コネクタに電気的に結合する。

電気プラグ１８ａは、複数の電極を含むパターンを有している。ＸＦＰ規格に準拠する光トランシーバ１０では、電気プラグ１８ａは、主基板１８の両面の合計で３０極の電極を提供している。主基板１８は、主領域１８ｂ、電気プラグ１８ａが形成された後端を含む露出領域１８ｃ、及びネック部１８ｄを含んでいる。ネック部１８ｄは、主領域１８ｂと露出領域１８ｃとの間に設けられており、主領域１８ｂ及び露出領域１８ｃの幅よりも狭い幅を有している。後述するように、光トランシーバ１０では、これら主基板１８の領域のうち、露出領域１８ｃのみがハウジング１２の空間Ｓ１、即ち、第１のハウジング１２ａと第２のハウジング１２ｂとの間に挟まれた空間から外部に露出されている。主基板１８に搭載されている電子部品やこれら部品を接続する配線パターンは、ハウジング１２の空間Ｓ１内に収容されており、ハウジング１２によりシールドされている。露出領域１８ｃの一方の主面は露出しているが、当該露出領域１８ｃの他方の面は、第１のハウジング１２ａの庇部１２ｇに対面しており、当該庇部１２ｇによって覆われ、保護されている。

以下、図２を参照する。光トランシーバ１０では、ＴＯＳＡ １４及びＲＯＳＡ １６はそれぞれ、角形の本体部１４ａ及び１６ａを有している。即ち、ＴＯＳＡ １４及びＲＯＳＡ １６は、所謂、バタフライ型光モジュールである。ＴＯＳＡ １４及びＲＯＳＡ １６はそれぞれ、円筒状のスリーブ１４ｂ及び１６ｂを有している。スリーブ１４ｂ及び１６ｂはそれぞれ、本体部１４ａ及び１６ａの前壁から前方に延びており、光レセプタクル１２ｃが画成するキャビティ１２ｈ内に挿入されている。スリーブ１４ｂ及び１６ｂはそれぞれ、キャビティ１２ｈ内で外部光コネクタのフェルールを受容する。

図３は、一実施形態の第２のハウジングとリアブロックを示す斜視図である。以下、図２と共に図３を参照する。第１のハウジング１２ａ及び第２のハウジング１２ｂは、それらの間に空間Ｓ１を画成している。ハウジング１２は、一対の側壁１２ｋ及び後壁１２ｊを含んでいる。一対の側壁１２ｋは、空間Ｓ１を光トランシーバ１０の長手方向に直交する方向から画成しており、後壁１２ｊは空間Ｓ１を後側から画成している。主基板１８の主領域１８ｂ及び主基板１８の電気回路は、空間Ｓ１内に設けられている。

一実施形態においては、後壁１２ｊは、第１のハウジング１２ａの後壁、第２のハウジング１２ｂの後壁、及び、第１のハウジング１２ａの後壁と第２のハウジング１２ｂの後壁の間に挟まれる金属製のリアブロック１２ｒによって構成されている。第２のハウジング１２ｂの後壁とリアブロック１２ｒの間には、空間Ｓ１の幅よりも狭い通路が設けられている。この通路には、主基板１８のネック部１８ｄが嵌め込まれている。これにより、主基板１８のハウジング１２に対する位置決めが行われる。一実施形態においては、ネック部１８ｄの両主面にはグランド層１８ｇが設けられている。グランド層１８ｇは、第２のハウジング１２ｂとリアブロック１２ｒに接触する。

以下、ＴＯＳＡ １４について説明する。図４は、一実施形態の光送信サブアセンブリの本体部の破断斜視図である。図４に示すように、ＴＯＳＡ １４の本体部１４ａは、ケース２２を備えている。ＴＯＳＡ １４は、ケース２２内にレーザダイオード（以下、「ＬＤ」という）２０を有している。ＬＤ ２０は、一実施形態においては、マッハツェンダ型光変調器として機能する光変調領域とレーザ領域とを集積化した波長可変レーザダイオードである。ＬＤ ２０のレーザ領域は、所謂ＣＳＧ−ＤＢＲ（Ｃｈｉｒｐｅｄ Ｓａｍｐｌｅｄ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）構造を有しており、利得領域、波長選択領域、及び、光増幅器領域の三つの領域を含んでいる。このＬＤ ２０は、レーザ領域からのレーザ光を光増幅器領域によって変調して、変調光を光信号として出力する。

ケース２２の後壁２２ａからは、複数のリードピンが延び出している。ケース２２は、リードピンを保持する部分以外では金属製である。リードピンを保持する当該部分はセラミック製であり、リードピンとケース２２との絶縁が確保されている。一実施形態においては、複数のリードピンは、三段に分かれており、各々が幾つかのリードピンを含むリードピン群２４ａ、２４ｂ、及び２４ｃを構成している。リードピン群２４ｃのリードピンは、高周波信号を含む信号供給用のリードピンである。リードピン群２４ａ及び２４ｂは、直流信号又は低周波信号を含む信号供給用のリードピンである。

一実施形態においては、ＴＯＳＡ １４は、ＬＤ ２０の温度制御用の温度制御器（ＴＥＣ）２６を備えている。温度制御器２６は、上下の基板間に挟まれた複数のペルチェ素子を有している。

また、一実施形態においては、ＴＯＳＡ １４は、ＬＤ ２０の出射光の波長を固定するための光学系３０を更に有している。この光学系３０は、ＬＤ ２０の出射光の波長を固定するための光学系であり、一実施形態においては、レンズ３２、光分岐素子３４、エタロンフィルタ３６、第１のフォトダイオード３８、及び、第２のフォトダイオード４０を含んでいる。

ＬＤ ２０から出射した光は、レンズ３２により集光され、光分岐素子３４に入射する。光分岐素子３４は、第１のプリズム３４ａ（即ち、第１の光カプラ）及び第２のプリズム３４ｂ（即ち、第２の光カプラ）を含んでいる。第１のプリズム３４ａは、光分岐素子３４に入射した光、即ちレンズ３２からの光を分岐して、第１の光及び第２の光を出力する。第１のプリズム３４ａによって出力される第１の光と第２の光の強度比は、任意の比であってよく、例えば、９０：１０である。第２の光は、エタロンフィルタ３６に入射する。エタロンフィルタ３６を通過した光は、第２のフォトダイオード４０に入射する。第１の光は、第２のプリズム３４ｂに入射する。第２のプリズム３４ｂは、第１の光を分岐して、第３の光及び第４の光を出力する。第３の光は、第１のフォトダイオード３８に入射する。第４の光は、光結合部１４ｃに向かう。

第１のフォトダイオード３８は、ＬＤ ２０の出射光の光強度を検知し、第２のフォトダイオード４０は、エタロンフィルタ３６を通過した光の光強度を検知する。エタロンフィルタ３６は、波長に対して周期的な透過率を有している。一実施形態においては、エタロンフィルタ３６の透過率の周期は、ＷＤＭ通信規格のグリッド周期に略対応している。ＴＯＳＡ １４は、第２のフォトダイオード４０の光強度の検出結果に基づいて、ＬＤ ２０の動作温度を温度制御器２６により制御することにより、ＬＤ ２０の出射光の波長をＩＴＵ−Ｔのグリッド波長に合致させることができる。ＴＯＳＡ １４では、光学系３０及びＬＤ ２０は、温度制御器２６によって支持されており、光学系３０及びＬＤ ２０の温度は、当該温度制御器２６によって精密に制御される。

一実施形態においては、ＴＯＳＡ １４は、ベース４２、ベース４４、及びベース４６を更に有している。温度制御器２６は、ベース４２を支持している。ベース４２は、第１の領域４２ａ及び第２の領域４２ｂを有している。第１の領域４２ａ上には、ベース４４が搭載されており、第２の領域４２ｂ上にはベース４６が搭載されている。ベース４４上には、ＬＤ ２０が搭載されており、ベース４６上には、光学系３０が搭載されている。

以下、光トランシーバ１０の回路構成について説明する。図５は、一実施形態の光トランシーバの電気回路を示す図である。一般的に、ＸＦＰ型の光トランシーバは、ＴＯＳＡ及びＲＯＳＡの各々について差動信号を用いてホストシステムと通信する。図５においては、ＴＯＳＡ用の差動信号はＴＤＰ及びＴＤＮで示されており、ＲＯＳＡ用の差動信号はＲＤＰ及びＲＤＮで示されている。これら差動信号に加えて、ＸＦＰ規格では、光トランシーバの状態の取得に関連する四つのコマンド／状態信号（Ｐ＿ＤＯＷＮ／ＲＳＴ、Ｔｘ＿ＤＩＳ、ＬＯＳ、ＭＯＤ＿ＤＥＳＥＬ）、プロセッサとの四つの交信用の信号（ＳＤＡ、ＳＣＬ、ＩＮＴｂ、ＭＯＤ＿ＮＲ）、相補的な二つのクロック信号（ＲＥＦＣＬＫＰ、ＲＥＦＣＬＫＮ）、電源Ｖｃｃ、及び、接地電位が提供されている。電源Ｖｃｃ及び接地電位を含むこれら信号は、電気プラグ１８ａを介して伝達される。

一実施形態においては、光トランシーバ１０は、上述したように、ＴＯＳＡ １４内に波長可変ＬＤ ２０を搭載する。また、ＲＯＳＡ １６内にアバランシェフォトダイオード（以下、「ＡＰＤ」という）を搭載する。これら光デバイス、並びに、ＬＤ ２０用のＬＤドライバ及びＡＰＤ用の信号プロセッサ等の電気デバイスを１０Ｇｂｐｓ以上の速度で動作させるためには、波長可変ＬＤ及びＡＰＤ用のバイアス、並びに幾つかの電源電圧を適切に設定する必要がある。また、ＬＤ ２０からＤＷＤＭ規格に合致する発振波長λ及びパワーの光を出射するためには、ＬＤ ２０のレーザ領域の上述した三つの領域用に五つのバイアスが必要となる。

さらに、ＬＤ ２０がマッハツェンダ型の光変調器領域を有する場合には、他のバイアスとは独立した光変調器領域用のバイアスが必要となる。また、レーザ領域及び光変調器領域の温度を一定に維持するためには、温度制御器２６用の電源が必要となる。このように波長可変光送信機能を有する光トランシーバ１０には、独立して制御可能な複数の電源が必要となる。しかしながら、ホストシステムからは電気プラグ１８ａを介して１種類の電源、即ち、３．３Ｖの電圧の電源が供給されるのみである。したがって、光トランシーバ１０の内部には、３．３Ｖの電源から複数種の電源を提供する電圧変換機能が必要となる。

そのため、光トランシーバ１０は、二つの回路基板、即ち、上述した主基板１８に加えて、子基板５０を備えている。以下、図６及び図７を参照する。図６及び図７は、一実施形態の光トランシーバにおいてハウジングに搭載されるアセンブリ部品を示している。子基板５０は、主基板１８の電気回路とは別の電気回路を搭載している。この別の電気回路は、ＴＯＳＡ １４及びＲＯＳＡ １６と電気的に接続する。主基板１８と子基板５０は、ＦＰＣ基板５２を介して互いに電気的に接続されている。ＦＰＣ基板５２は、図７に示す状態から、図６に示すように主基板１８と子基板５０が互いに対面するように折り曲げられる。主基板１８、子基板５０、ＴＯＳＡ １４、及びＲＯＳＡ １６は、図６に示すアセンブリの状態でハウジング１２に搭載されている。

子基板５０は、主領域５０ａ及び拡張領域５０ｂを有している。主領域５０ａは、主基板１８の主領域１８ｂに対面しており、空間Ｓ１内に収容される。子基板５０の拡張領域５０ｂは、主基板１８の露出領域１８ｃに対面している。拡張領域５０ｂには、子基板５０に搭載される電気回路の一部が搭載されている。この拡張領域５０ｂは、１４×７ｍｍ^２の面積を有している。

図８は、一実施形態の光トランシーバの長手方向に沿った一部の断面を示している。図８には、電気プラグ１８ａがホストシステムの電気コネクタ９０に結合された状態の光トランシーバ１０の後部の断面が示されている。図８に示すように、拡張領域５０ｂは、ハウジング１２が画成する空間Ｓ１の外部に設けられている。この拡張領域５０ｂが配置される箇所は、完全にはＥＭＩシールドがなされていない領域である。しかしながら、光トランシーバ１０では、拡張領域５０ｂは、ＥＭＩシールドを考慮しなくてもよい電気回路、即ち、低周波又は実質的にＤＣの信号で動作する電気回路を搭載している。

上述したように、光トランシーバ１０は、一実施形態では、ＸＦＰ規格のプラガブルトランシーバの仕様に準拠した外形形状を有している。この仕様は、ハウジング１２の後部に後壁１２ｊを設け、当該後部において第１のハウジング１２ａに庇部１２ｇを設けることを要求している。また、この仕様は、第１のハウジング１２ａが、後壁１２ｊと庇部１２ｇとの間に窪んだ空間（以下、「ポケット」という）Ｓ２を画成することを要求している。しかしながら、この仕様は、ポケットＳ２の利用については何等の規定も定めていない。

光トランシーバ１０では、子基板５０がポケットＳ２まで延長されており、当該ポケットＳ２において拡張領域５０ｂが提供されている。拡張領域５０ｂは、上述したように、１４×７ｍｍ^２の面積を有しており、当該面積は、主領域５０ａの１０％もの面積に相当する。この拡張領域５０ｂにも電気回路を搭載することにより、波長可変光トランシーバに必要とされる大規模な回路を当該光トランシーバ１０内に搭載することが可能となる。

さらに、光トランシーバ１０では、拡張領域５０ｂには、上述したように、低周波又は実質的にＤＣの信号で動作する電気回路が搭載されているので、これら回路のためのＥＭＩシールドを考慮することは実質的には不要となっている。拡張領域５０ｂに搭載される電気回路、即ち、低周波又は実質的にＤＣの信号で動作する電気回路としては、図５に示すバイアス制御回路が例示される。バイアス制御回路は、例えば、温度制御器２６のバイアス設定、ＬＤ ２０のバイアス設定等に用いられる。

一実施形態においては、子基板５０は、主領域５０ａと拡張領域５０ｂとの間に設けられたネック部５０ｃを更に有していてもよい。ネック部５０ｃは、主領域５０ａ及び拡張領域５０ｂの幅よりも小さい幅を有している。ネック部５０ｃは、その両主面にグランド層５０ｇを有している（図６及び図７を参照）。図８に示すように、グランド層５０ｇは、第１のハウジング１２ａとリアブロック１２ｒに接触する。したがって、子基板５０が空間Ｓ１から外部に延び出していても、当該空間Ｓ１がハウジング１２によりシールドされ、空間Ｓ１内に収容された主領域５０ａが確実に電磁的に保護される。

以下、別の実施形態について説明する。図９は、別の実施形態の光トランシーバにおいてハウジングに搭載されるアセンブリ部品を示す斜視図である。図１０は、別の実施形態の光トランシーバの長手方向に沿った一部の断面を示す図である。図１０においては、別の実施形態の光トランシーバの後部の断面が示されている。図９及び図１０に示すように、別の実施形態においては、ネック部５０ｃを囲むように当該ネック部５０ｃの表面に沿ってシールドガスケット５４が設けられている。ガスケット５４は、導電性及び弾性を有する。ガスケット５４は、例えば、導電性のシリコーンゴム又は金属膜でコーティングされたゴムから構成される。

一方、図１０に示すように、第１のハウジング１２ａの後壁及びリアブロック１２ｒには、ガスケット５４が嵌る溝が形成されている。当該溝の深さはガスケット５４の直径よりも小さい。したがって、ガスケット５４は、当該溝内で変形し、ハウジング１２に対してより確実な物理的接触をもたらす。

図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ矢視断面図である。図１１に示すように、主基板１８は、第２のハウジング１２ｂの後壁とリアブロック１２ｒとの間に狭持されている。第２のハウジング１２ｂとリアブロック１２ｒに対しては実質的にギャップが形成されていない。一方、子基板５０は、第１のハウジング１２ａの後壁とリアブロック１２ｒとの間に、ガスケット５４を介して狭持されている。ネック部５０ｃを囲むガスケット５４はネック部５０ｃの四隅に沿うように変形して、当該ガスケット５４と子基板５０との物理的接触を確実なものとしている。このように、ガスケット５４によれば、光トランシーバ１０のＥＭＩシールド性能が向上される。

なお、ハウジング１２の空間Ｓ１内に収容された回路と拡張領域５０ｂに搭載された回路との間の電気的接続は、子基板５０を多層基板により構成し、表面に露出してない内層配線を当該多層基板に設けることによって実現され得る。

以下、上述した実施形態の光トランシーバ１０の組立方法について説明する。まず、ＴＯＳＡ １４及びＲＯＳＡ １６を主基板１８及び子基板５０に電気的に接続する。具体的には、図７に示すように、ＲＯＳＡ １６をＦＰＣ基板５６を介して主基板１８に接続する。また、ＴＯＳＡ １４の一部のリードピンをＲＦ ＦＰＣ基板５８を介して主基板１８に接続し、ＴＯＳＡ １４の他のリードピンを子基板５０に直接接続する。ＲＦ ＦＰＣ基板５８は、高周波信号を伝達し、一方、子基板５０に直接接続されるリードピンは、電源等の低周波又は実質的にＤＣの信号を伝達する。一実施形態においては、主基板１８には、高周波信号を処理する回路が搭載されている。したがって、ＲＦ ＦＰＣ基板５８を主基板１８に接続することにより、高周波信号の劣化を防止することができる。

次いで、子基板５０及びＴＯＳＡ １４を第１のハウジング１２ａの所定位置上にセットし、その後、子基板５０のネック部５０ｃを第１のハウジング１２ａの後壁とリアブロック１２ｒとにより狭持する。そして、主基板１８と子基板５０が対面するよう、ＦＰＣ基板５２及び５８を折り曲げる。次いで、第２のハウジング１２ｂを第１のハウジング１２ａに組み付けて、第１のハウジング１２ａ及び第２のハウジング１２ｂを、リアブロック１２ｒと共にねじ留めする。これにより、ハウジング１２に対して、主基板１８、子基板５０、ＴＯＳＡ １４及びＲＯＳＡ １６をセットすることができる。

１０…光トランシーバ、１２…ハウジング、１２ａ…第１のハウジング、１２ｂ…第２のハウジング、１２ｇ…庇部、１２ｊ…後壁、１２ｒ…リアブロック、１４…光送信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）、１４ａ…本体部、１８…主基板、１８ａ…電気プラグ、１８ｂ…主領域、１８ｃ…露出領域、１８ｄ…ネック部、１８ｇ…グランド層、２０…レーザダイオード、２２…ケース、２６…温度制御器、３０…光学系、３２…レンズ、３４…光分岐素子、３６…エタロンフィルタ、３８…第１のフォトダイオード、４０…第２のフォトダイオード、４２…ベース、４４…ベース、４６…ベース、５０…子基板、５０ａ…主領域、５０ｂ…拡張領域、５０ｃ…ネック部、５０ｇ…グランド層、５４…ガスケット、Ｓ１…空間、Ｓ２…ポケット（空間）。

Claims (10)

1. 光信号を送信する光送信サブアセンブリと、
   光信号を受信する光受信サブアセンブリと、
   その一端に電気プラグを有し、前記光送信サブアセンブリ及び前記光受信サブアセンブリと電気的に接続する回路を搭載した主基板と、
   前記光送信サブアセンブリ及び前記光受信サブアセンブリと電気的に接続する別の回路を搭載した子基板であって、該別の回路の一部を搭載する拡張領域を有する該子基板と、
   前記光送信サブアセンブリ、前記光受信サブアセンブリ、前記主基板、及び前記子基板を収容する空間を画成するハウジングと、
   を備え、
   前記電気プラグは、前記空間から前記ハウジングの外部に露出されており、
   前記拡張領域は、前記空間の外部に設けられている、
   光トランシーバ。
2. 前記別の回路の前記一部は低周波回路である、請求項１に記載の光トランシーバ。
3. 前記子基板は、主領域及び該主領域と前記拡張領域の間に設けられたネック部を更に有しており、
   前記ネック部は、前記主領域の幅及び前記拡張領域の幅よりも狭い幅を有しており、その表面に前記ハウジングに電気的に接続するグランド層を有している、
   請求項１又は２に記載の光トランシーバ。
4. 前記グランド層は前記ハウジングに接触している、請求項３に記載の光トランシーバ。
5. 前記ネック部を取り囲み、前記グランド層と前記ハウジングとに接触するシールドガスケットを更に備える、請求項３に記載の光トランシーバ。
6. 前記ハウジングは前記シールドガスケットを受容する溝を画成しており、
   前記シールドガスケットは前記溝内で変形している、
   請求項５に記載の光トランシーバ。
7. 前記ハウジングは、前記空間をそれらの間に画成する第１のハウジング及び第２のハウジングを含んでおり、
   前記第１のハウジングは、前記電気プラグ及び前記拡張領域を覆っている、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の光トランシーバ。
8. 前記第１のハウジングは、前記電気プラグを覆う庇部を有し、
   前記庇部は、別の空間を画成しており、
   前記拡張領域は、前記別の空間内に設けられている、
   請求項７に記載の光トランシーバ。
9. 前記ハウジングは、前記第１のハウジングと前記第２のハウジングの間に設けられたリアブロックを更に備え、
   前記主基板は、前記リアブロックと前記第２のハウジングとの間に設けられており、
   前記子基板は、前記リアブロックと前記第１のハウジングとの間に設けられている、
   請求項７又は８に記載の光トランシーバ。
10. 前記光送信サブアセンブリは、その発振波長が複数のバイアスによって制御される波長可変レーザダイオードを搭載している、請求項１〜９の何れか一項に記載の光トランシーバ。

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