JP2017191179A - 光送信器 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための回路基板の収容スペースを小型化する。【解決手段】光送信器１Ａは、ＬＮ変調器１０、変換基板２０、及び制御基板３０を備える。ＬＮ変調器１０は、基準電位を規定する導電性筐体と、マッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子１１とを有する。変換基板２０は、受光素子１１によって生成された電流信号ＩＳ１を一端に受けるコンデンサ２２と、コンデンサ２２の他端と基準電位線２７との間に接続された抵抗素子２３とを有する。制御基板３０は、変換基板２０から出力された電圧信号ＶＳ１に基づいてマッハツェンダ型変調器へのバイアス電圧ＶＢ１の大きさを制御する制御回路３５を有する。変換基板２０は、基準電位線２７の一部を構成する導電膜を第１基板面に有し、導電膜が導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で導電性筐体に固定されている。【選択図】図１

Description

本発明は、光送信器に関する。

特許文献１には、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying）またはＤＱＰＳＫ（Differential QPSK）を利用した光通信に用いられる光送信器が開示されている。この光送信器では、変調器の内部に受光器が設けられており、受光器により生成されるモニタ信号のパワーを最小化するように、変調器内部の増幅器の利得が調整される。

特開２００７−２０８４７２号公報

Pak S. Cho et al., "Closed-Loop Bias Control of Optical QuadratureModulator", IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 18, No. 21, November 1,2006 Norikazu Miyazaki et al., "LiNbO3 Optical IntensityModulator Packaged with Monitor Photodiode", IEEE Photonics Technology Letters,Vol. 13, No. 5, pp.442-444, May, 2001

近年の光通信方式として、光の偏波、位相及び振幅を相互に組み合わせた変調方式（いわゆるコヒーレント方式）が知られている。コヒーレント方式では、光の位相情報が伝送に利用される。また、信号光と局発光との位相差における０°成分と９０°成分の信号強度に対して、それぞれ１又は０の状態を作成及び検知し、この作成及び検知を二つの偏光成分について行うことによって、従来の”０”と”１”の２値による強度変調（On-Off Keying）の４倍の伝送容量を確保することができる。この方式は、ＤＰ−ＱＰＳＫ（Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying）と呼ばれる。

コヒーレント方式においては、レーザ光（ＣＷ光）を変調するための変調器として例えばＭＺ（Mach-Zender）変調器が用いられる。ＭＺ変調器は一対のアーム導波路（光導波路）を有しており、それぞれのアーム導波路の光学特性の均一化が容易となっている。そして、ＭＺ変調器の母材として光透過材料であるニオブ酸リチウム（Lithium Niobate、ＬＮ）を用いた場合には、光学ロスを小さくして低損失にＭＺ変調器を構成できる。また、ＩｎＰ等の半導体変調器と比較して、より高速な動作を可能にできる。

ＬＮ変調器には、一度設定した動作点を示すバイアス電圧が温度変化、経時変化等によりドリフト（変化）するという性質がある。このため、長時間に亘って安定した信号伝送を行う為には、変調後の光をモニタしながらバイアス電圧を制御することが必要となる。従って、光送信器等において、バイアス電圧を制御するための回路を搭載した回路基板がＬＮ変調器の周辺に配置される。

一方、近年において、ＣＦＰ（100G Form-factor Pluggable）と称される光トランシーバ（光送受信器）が、業界標準（ＣＦＰＭＳＡ規格）によって規格化されている。ＣＦＰ ＭＳＡ規格に準拠する光トランシーバでは、ハウジング（筐体）の大きさがＭＳＡ規格によって定められており、決められた大きさのハウジングの中に多数の部品を収容・配置する必要がある。また、上述したＬＮ変調器は、適切な変調度とすべく長い光路を内部に形成する必要があるので、その外形は細長い形状となっている。このようなＬＮ変調器も上記のハウジングの内部に搭載しなければならない。故に、ＬＮ変調器の周辺に配置される回路基板には、収容スペースの小型化のための工夫が求められる。ＣＦＰよりも小型のＣＦＰ２（横幅がＣＦＰの１／２）、ＣＦＰ４（横幅がＣＦＰの１／４）といったＭＳＡ規格においては尚更である。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための回路基板の収容スペースを小型化することが可能な光送信器を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る光送信器は、マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、導電性筐体に収容されてマッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、受光素子によって生成された電流信号を出力する第１出力端子と、を有するＬＮ変調器と、第１出力端子と電気的に接続されて電流信号を受ける第１入力端子と、第１入力端子に一端が接続されたコンデンサと、コンデンサの他端と基準電位線との間に接続された抵抗素子と、コンデンサの他端に接続された第２出力端子と、を有する変換基板と、第２出力端子と電気的に接続されて変換基板から出力された電圧信号を受ける第２入力端子、及び第２入力端子に接続されて電圧信号に基づいてマッハツェンダ型変調器へのバイアス電圧の大きさを制御する回路を有する制御基板と、を備え、変換基板は、基準電位線の一部を構成する導電膜を第１基板面に有し、導電膜が導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で導電性筐体に固定されている。

本発明による光送信器によれば、ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための回路基板の収容スペースを小型化することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る光送信器の構成を概略的に示す図である。 図２は、ＬＮ変調器の内部構成を示す図である。 図３は、ＬＮ変調器と、ＬＮ変調器の出力ポートに接続される光ファイバと、ＬＮ変調器の入力ポートに接続される光ファイバとを示す斜視図である。 図４は、ＬＮ変調器にＦＰＣが取り付けられた様子を示す斜視図である。 図５は、ＬＮ変調器、変換基板、及び制御基板の具体的な配置例を示す斜視図である。 図６は、図５に示されたVI−VI線に沿った断面図である。 図７は、第１変形例に係る光送信器を示す斜視図である。 図８は、第２変形例に係る光送信器の構成を示す図である。 図９は、第２変形例に係る別の光送信器の構成を示す図である。 図１０は、フェライトビーズインダクタの特性例を示すグラフである。 図１１は、実施例において用いられた計測回路を示す図である。 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、スペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、スペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。 図１４は、スペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。 図１５は、電流信号の振幅と、高周波増幅器から出力される電圧信号との比較の結果を示すグラフである。 図１６は、比較例に係る光送信器の構成を示す図である。

［本願発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る光送信器は、マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、導電性筐体に収容されてマッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、受光素子によって生成された電流信号を出力する第１出力端子と、を有するＬＮ変調器と、第１出力端子と電気的に接続されて電流信号を受ける第１入力端子と、第１入力端子に一端が接続されたコンデンサと、コンデンサの他端と基準電位線との間に接続された抵抗素子と、コンデンサの他端に接続された第２出力端子と、を有する変換基板と、第２出力端子と電気的に接続されて変換基板から出力された電圧信号を受ける第２入力端子、及び第２入力端子に接続されて電圧信号に基づいてマッハツェンダ型変調器へのバイアス電圧の大きさを制御する回路を有する制御基板と、を備え、変換基板は、基準電位線の一部を構成する導電膜を第１基板面に有し、導電膜が導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で導電性筐体に固定されている。

この光送信器では、ＬＮ変調器を構成するマッハツェンダ型変調器及び受光素子が導電性筐体に収容されており、受光素子は、マッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する。受光素子から出力された電流信号はコンデンサに達し、その高周波成分のみがコンデンサを通過する。そして、高周波成分は抵抗素子によって電圧信号に変換される。電圧信号はバイアス電圧の大きさを制御する回路に入力され、該回路は、この電圧信号に基づいてバイアス電圧の大きさを制御する。

例えば、上記の動作を実現するために、コンデンサ及び抵抗素子と、バイアス電圧の大きさを制御する回路とを、共通の回路基板に設けることも考えられる。そして、この回路基板の基準電位（ＧＮＤ）とＬＮ変調器の基準電位とを厳密に合致させるために、基準電位線の一部を構成する導電膜をこの回路基板に形成し、導電膜がＬＮ変調器の導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で、回路基板を導電性筐体に固定させることが考えられる。しかしながらそのような構成では、回路基板の平面形状がＬＮ変調器の導電性筐体の平面形状よりも大きくなり過ぎ、光送信器におけるＬＮ変調器用の搭載スペースから大きくはみ出してしまう。従って、ＣＦＰ規格等の小さなハウジングに収容することが困難となるおそれがある。

これに対し、上記の光送信器では、バイアス電圧の大きさを制御する回路を有する制御基板とは別に、変換基板が設けられている。変換基板は、電流信号を電圧信号に変換するためのコンデンサ及び抵抗素子を有する。そして、この変換基板が、基準電位線の一部を構成する導電膜を第１基板面に有し、この導電膜が導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で導電性筐体に固定されている。

電流信号を電圧信号に変換する回路の基準電位がＬＮ変調器の基準電位に対して変動すると、信号レベルの変動としてその影響が大きく現れる。しかし、電圧信号に変換した後の回路においては、ＬＮ変調器の基準電位に対してその基準電位が変動しても信号レベルに大きな影響はない。従って、上記の光送信器のようにコンデンサ及び抵抗素子を変換基板に配置し、変換基板の基準電位をＬＮ変調器の基準電位と厳密に合致させておくことにより、信号レベルの変動を効果的に抑えることが可能となる。また、ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための回路基板を変換基板及び制御基板といった２つの基板に分割することによって、回路基板の配置の自由度が高まり、回路基板の収容スペースを小型化することができる。

上記の光送信器では、コンデンサ及び抵抗素子は、変換基板の第１基板面とは反対の第２基板面上に配置されており、導電膜は、第１基板面の法線方向から見た平面形状がコンデンサ及び抵抗素子を包含するように形成されてもよい。これにより、コンデンサ及び抵抗素子に接続される基準電位線の電位を、ＬＮ変調器の基準電位と更に厳密に合致させることができる。

上記の光送信器は、ＬＮ変調器に固定された一端部と、変換基板に固定された他端部とを有し、第１出力端子と第１入力端子とを電気的に接続する第１のフレキシブルプリント基板を更に備え、導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有し、第１出力端子が第１面に設けられ、変換基板の第１基板面と第２面とが互いに対向してもよい。例えばこのような構成によって、変換基板を導電性筐体に固定しつつ、変換基板の第１入力端子とＬＮ変調器の第１出力端子とを接続することができる。

上記の光送信器は、変換基板に固定された一端部と、制御基板に固定された他端部とを有し、第２出力端子と第２入力端子とを電気的に接続する第２のフレキシブルプリント基板を更に備えてもよい。例えばこのような構成によって、制御基板と変換基板との相対的な配置の自由度を高めることができる。

上記の光送信器は、ＬＮ変調器に固定された一端部と、変換基板に固定された他端部とを有し、第１出力端子と第１入力端子とを電気的に接続する第１のフレキシブルプリント基板と、変換基板に固定された一端部と、制御基板に固定された他端部とを有し、第２出力端子と第２入力端子とを電気的に接続する第２のフレキシブルプリント基板と、を更に備え、第１のフレキシブルプリント基板の長さは第２のフレキシブルプリント基板の長さよりも短くてもよい。これにより、電流信号のレベルの変動を小さく抑えることができる。

上記の光送信器では、変換基板が、第１入力端子と抵抗素子との間に接続されたフェライトビーズインダクタを更に有してもよい。これにより、電流信号に含まれるノイズを効果的に除去することができる。

上記の光送信器では、制御基板が、バイアス電圧の大きさを制御する回路と第２入力端子との間に接続された、第１のカットオフ周波数よりも低い周波数成分を通過させるローパスフィルタ回路を更に有してもよい。これにより、電圧信号に含まれるノイズを効果的に除去することができる。

上記の光送信器では、第１のカットオフ周波数が、コンデンサの容量値と抵抗素子の抵抗値とによって決まる第２のカットオフ周波数よりも高くてもよい。

［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る光送信器の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の一実施形態に係る光送信器１Ａの構成を概略的に示す図である。図１に示されるように、この光送信器１Ａは、ＬＮ変調器１０、変換基板２０、制御基板３０、第１のフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）４０、第２のＦＰＣ５０、及び第３のＦＰＣ６０を備えている。なお、光送信器１Ａは、光トランシーバ（光送受信器）において、電気信号を光信号に変換する送信部として構成されても良い。

ＬＮ変調器１０は、マッハツェンダ型変調器（以下、ＭＺ変調器とする）と、ＭＺ変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子１１と、受光素子１１によって生成された電流信号ＩＳ１を出力する出力端子１２（第１出力端子）とを有する。なお、ＬＮ変調器１０の詳細な構成については後述する。

変換基板２０は、電気部品を搭載するプリント回路基板であって、入力端子２１（第１入力端子）、コンデンサ２２、抵抗素子２３、出力端子２４（第２出力端子）、及び出力端子２５を有する。プリント回路基板には、端子間や部品間を電気的に接続するための複数のプリント配線が形成されている。入力端子２１は、ＦＰＣ４０を介して出力端子１２と電気的に接続されており、電流信号ＩＳ１を受ける。コンデンサ２２の一端（一方の電極）は、プリント配線を介して入力端子２１に接続されている。コンデンサ２２は、電流信号ＩＳ１に含まれる高周波成分を通過させ、低周波成分を遮断する。抵抗素子２３は、プリント配線を介して、コンデンサ２２の他端（他方の電極）と基準電位線２７との間に接続されている。抵抗素子２３は、コンデンサ２２を通過した高周波成分の大きさ（振幅）に応じた両端間電圧を発生する。これにより、電流信号ＩＳ１の高周波成分の大きさ（振幅）に相当する電圧信号ＶＳ１が生成される。すなわち、電流信号ＩＳ１は、コンデンサ２２を介して抵抗素子２３によって電圧信号ＶＳ１に変換される。

出力端子２４は、プリント配線を介してコンデンサ２２の他端（より詳しくは、コンデンサ２２の他端と抵抗素子２３との間のノード）に接続されており、電圧信号ＶＳ１を出力する。出力端子２５は、プリント配線を介して、入力端子２１とコンデンサ２２との間のノードに接続されており、電流信号ＩＳ１の低周波成分（電流ＩＳ２）を出力する。なお、変換基板２０は、基準電位線２７に接続された端子２６を更に有しており、端子２６は、ＦＰＣ４０を介してＬＮ変調器１０の出力端子１２とは別の端子１３に接続されている。端子１３は、ＬＮ変調器１０の基準電位を出力する。

制御基板３０は、電気部品を搭載するプリント回路基板であって、その面積は変換基板２０の面積よりも大きい。制御基板３０は、入力端子３１（第２入力端子）、入力端子３２、抵抗素子３３及び３４、制御回路３５、並びに出力端子３６を有する。入力端子３１は、ＦＰＣ５０を介して変換基板２０の出力端子２４と電気的に接続され、変換基板２０から出力された電圧信号ＶＳ１を受ける。入力端子３２は、ＦＰＣ５０を介して変換基板２０の出力端子２５と電気的に接続され、変換基板２０から電流ＩＳ２を受ける。抵抗素子３３及び３４は、入力端子３２と基準電位線３７との間に直列に接続されており、それぞれの抵抗値の比に応じて電流ＩＳ２を電圧信号ＶＳ２に変換する。

制御回路３５は、プリント配線を介して入力端子３１に接続され、また、抵抗素子３３と抵抗素子３４との間のノードに接続されている。制御回路３５は、電圧信号ＶＳ１及びＶＳ２に基づいて、ＬＮ変調器１０のＭＺ変調器に印加されるバイアス電圧ＶＢ１の大きさを制御する。具体的には、制御回路３５は、高周波増幅器３５ａ、高周波電力計３５ｂ、Ａ／Ｄ変換器３５ｃ及び３５ｄ、演算部３５ｅ、Ｄ／Ａ変換器３５ｆ、及び増幅器３５ｇを有する。

高周波増幅器３５ａは、入力端子３１から電圧信号ＶＳ１を受け、増幅して出力する。高周波電力計３５ｂは、増幅後の電圧信号ＶＳ１の大きさ（振幅）を計測して、その大きさ（振幅）に応じたアナログ信号Ｓ１を出力する。Ａ／Ｄ変換器３５ｃは、アナログ信号Ｓ１をディジタル信号Ｄ１に変換する。Ａ／Ｄ変換器３５ｄは、電圧信号ＶＳ２をディジタル信号Ｄ２に変換する。

演算部３５ｅは、ディジタル信号Ｄ１及びＤ２に基づいて、適切なバイアス電圧ＶＢ１の大きさを算出する。演算部３５ｅは、適切なバイアス電圧ＶＢ１の大きさを示すディジタル信号Ｄ３を出力する。Ｄ／Ａ変換器３５ｆは、ディジタル信号Ｄ３をアナログ信号Ｓ２に変換する。増幅器３５ｇは、アナログ信号Ｓ２を増幅することによってバイアス電圧ＶＢ１を生成する。このバイアス電圧ＶＢ１は、出力端子３６からＦＰＣ６０を介してＬＮ変調器１０の入力端子１４に入力される。なお、増幅器３５ｇは、信号増幅をしない電圧フォロワやエミッタフォロワ等の回路であっても良い。

なお、制御基板３０は、出力端子３８を更に有する。出力端子３８は、ＦＰＣ６０を介してＬＮ変調器１０の入力端子１５と電気的に接続されている。入力端子１５は受光素子１１のカソードに接続されており、出力端子３８は、受光素子１１の動作に必要なバイアス電圧ＶＢ２を提供する。

ＦＰＣ４０は、ＬＮ変調器１０に固定された一端部と、変換基板２０に固定された他端部とを有する。ＦＰＣ４０は、ＬＮ変調器１０の出力端子１２と、変換基板２０の入力端子２１とを接続するための配線４１を有する。更に、ＦＰＣ４０は、ＬＮ変調器１０の端子１３と、変換基板２０の端子２６とを電気的に接続するための配線４２を有する。ＦＰＣ５０は、変換基板２０に固定された一端部と、制御基板３０に固定された他端部とを有する。ＦＰＣ５０は、変換基板２０の出力端子２４と、制御基板３０の入力端子３１とを電気的に接続するための配線５１を有する。更に、ＦＰＣ５０は、変換基板２０の出力端子２５と、制御基板３０の入力端子３２とを電気的に接続するための配線５２を有する。ＦＰＣ６０は、制御基板３０に固定された一端部と、ＬＮ変調器１０に固定された他端部とを有する。ＦＰＣ６０は、制御基板３０の出力端子３６と、ＬＮ変調器１０の入力端子１４とを電気的に接続するための配線６１を有する。更に、ＦＰＣ６０は、制御基板３０の出力端子３８と、ＬＮ変調器１０の入力端子１５とを電気的に接続するための配線６２を有する。

ここで、図２は、ＬＮ変調器１０の内部構成を示す図である。ＬＮ変調器１０は、Ｘ偏波の変調信号（以下、「Ｘ側変調信号」という。）およびＹ偏波の変調信号（以下、「Ｙ側変調信号」という。）を生成するＤＰ−ＱＰＳＫ変調器（偏波多重多値位相変調器）である。図２に示されるように、ＬＮ変調器１０は、前述した受光素子１１に加えて、ＭＺ変調器１６，１７と、光分岐素子１８と、偏波合成素子１９とを更に有する。このＬＮ変調器１０は、Ｘ側変調信号とＹ側変調信号とを偏波多重した偏波多重光信号を光導波路ｗｇ６を介して外部へ送信する。

ＬＮ変調器１０では、図示しないレーザダイオード等の光源から、所定の周波数の光が、光導波路ｗｇ１を介して光分岐素子１８に向けて出射される。この光は、例えば単一偏波を有する光である。光分岐素子１８は、光導波路ｗｇ１とＭＺ変調器１６，１７との間に設けられ、光源から出射された光を互いにパワーの等しい２つの光（Ｘ光およびＹ光）に分配する。そして、光分岐素子１８は、光導波路ｗｇ２を介してＭＺ変調器１６にＸ光を出力し、光導波路ｗｇ３を介してＭＺ変調器１７にＹ光を出力する。Ｘ光とＹ光は、光分岐素子１８によって分岐される前の光と同じ偏波面を保持している。すなわち、Ｘ光とＹ光とは同じ偏波面を有する。

ＭＺ変調器１６は、入力されたＸ光に対してＱＰＳＫ変調を行ってＸ側変調信号を生成する。そして、ＭＺ変調器１６は、Ｘ側変調信号を光導波路ｗｇ４を介して偏波合成素子１９に出力する。ＭＺ変調器１７は、入力されたＹ光に対してＱＰＳＫ変調を行ってＹ側変調信号を生成する。そして、ＭＺ変調器１７は、Ｙ側変調信号を光導波路ｗｇ５を介して偏波合成素子１９に出力する。

偏波合成素子１９は、光導波路ｗｇ４上に設けられた図示しない偏波回転素子によって９０°偏波回転されたＸ側変調信号と、ＭＺ変調器１７において生成されたＹ側変調信号とを合波して、偏波多重光信号として光導波路ｗｇ６を介して外部に出力する。なお、９０°偏波回転の操作は、光導波路ｗｇ４の代わりに光導波路ｗｇ５にて、Ｘ側変調信号の代わりにＹ側変調信号に対して行っても良い。

ＭＺ変調器１６は、それぞれが一対の光導波路を含む子変調器１６ａ，１６ｂと、それらの子変調器１６ａ，１６ｂを一対の光導波路に含む親変調器とが入れ子となって構成されている。これらの子変調器１６ａ，１６ｂを構成する光導波路上には図示しない電極が設けられる。そして、子変調器１６ａを通過するＸ光の位相と、子変調器１６ｂを通過するＸ光の位相とを９０°異ならせるためのバイアス電圧が該電極を通じて印加され、更に、データ信号に基づいて生成された変調器駆動用の差動電圧信号が印加される。子変調器１６ａ，１６ｂをそれぞれ通過したＸ光は合波され、Ｘ側変調信号として光導波路ｗｇ４を介して偏波合成素子１９に出力される。

ＭＺ変調器１７は、それぞれが一対の光導波路を含む子変調器１７ａ，１７ｂと、それらの子変調器１７ａ，１７ｂを一対の光導波路に含む親変調器とが入れ子となって構成されている。これらの子変調器１７ａ，１７ｂを構成する光導波路上には図示しない電極が設けられる。そして、子変調器１７ａを通過するＹ光の位相と、子変調器１７ｂを通過するＹ光の位相とを９０°異ならせるためのバイアス電圧が該電極を通じて印加され、更に、データ信号に基づいて生成された変調器駆動用の差動電圧信号が印加される。子変調器１７ａ，１７ｂをそれぞれ通過したＹ光は合波され、Ｙ側変調信号として光導波路ｗｇ５を介して偏波合成素子１９に出力される。

また、ＭＺ変調器１６，１７の親変調器を構成する光導波路上にも、図示しない電極が設けられる。そして、ＭＺ変調器１６を通過するＸ光の位相と、ＭＺ変調器１７を通過するＹ光の位相とを調整するためのバイアス電圧が該電極を通じて印加される。

さらに、ＭＺ変調器１７は、光導波路ｗｇ５の入力端にＹ側変調信号を出力するとともに、光導波路ｗｇ５外にＹ側変調信号の反転光（Ｙ側変調信号と位相が１８０°異なる光）を出力する。より詳細には、子変調器１７ａから出力された光と子変調器１７ｂから出力された光とが同じ位相を持つ場合（位相差が０°の場合）は、それぞれの光が合波された光は全てＹ側変調信号として光導波路ｗｇ５に出力され、反転光は出力されない。反対に、子変調器１７ａから出力された光と子変調器１７ｂから出力された光とが互いに１８０°異なる位相を持つ場合は、光導波路ｗｇ５にはＹ側変調信号は出力されず、それぞれの光が合波された光は反転光として出力される。また、子変調器１７ａから出力された光と子変調器１７ｂから出力された光とが０°と１８０°の間の位相差を持つ場合は、その位相差に応じてそれぞれの光が合成された光がＹ側変調信号と反転光とに配分されて出力される。従って、反転光の強度は、Ｙ側変調信号の強度と比例関係を持つ。受光素子１１により、そのような反転光を受けて、それに応じた電流信号ＩＳ１を出力することによってＹ側変調信号の光パワーがモニタ可能とされる。なお、受光素子１１は、光分岐素子等によってＹ側変調信号の一部を分岐した光をモニタしても良い。

なお、図１に示されたバイアス電圧ＶＢ１は、子変調器１６ａ，１６ｂ及び子変調器１７ａ，１７ｂそれぞれに一対ずつ形成されている電極（図示せず）８個と、子変調器１６ａ，１６ｂを含む親変調器と子変調器１７ａ，１７ｂを含む親変調器それぞれに一対ずつ形成されている電極（図示せず）４個との合計１２個の電極に印加されるバイアス電圧を代表して示したものであり、例えば、偏波多重を行わずにＸ側変調信号のみ生成する場合には少なくとも６つのバイアス電圧が制御基板３０からＬＮ変調器１０に提供される。

図３は、ＬＮ変調器１０と、ＬＮ変調器１０の出力ポート１０ａに接続される光ファイバＦ１と、ＬＮ変調器１０の入力ポート１０ｂに接続される光ファイバＦ３とを示す斜視図である。図３に示されるように、ＬＮ変調器１０は、長手方向Ａ１に沿って延びる直方体状（断面矩形状）の導電性筐体９を有する。導電性筐体９は、図２に示された受光素子１１、ＭＺ変調器１６及び１７、光分岐素子１８、並びに偏波合成素子１９を収容するとともに、ＬＮ変調器１０の基準電位を規定する。言い換えれば、導電性筐体９にはＬＮ変調器１０内部の電気回路の基準電位線が接続されている。長手方向Ａ１における導電性筐体９の一端面（後端面）には入力ポート１０ｂが設けられており、長手方向Ａ１における導電性筐体９の他端面（前端面）には出力ポート１０ａが設けられている。また、導電性筐体９は、該矩形の一辺に相当し上記一端面及び上記他端面と接続する側面（第１面）９ａと、該矩形の別の一辺に相当し側面９ａと交差する方向に延びる上面（第２面）９ｂとを有する。上面９ｂは上記一端面及び上記他端面と接続する面であり、その法線方向は側面９ａの法線方向と交差（例えば直交）する。

側面９ａの後部側には４つのＡＣ端子９ｃからなるＡＣ端子群が配置され、側面９ａの前部側にはＤＣ端子群９ｄが配置されている。４つのＡＣ端子９ｃそれぞれにはケーブルが接続される。ＤＣ端子群９ｄは、１組あたり６個のＤＣ端子を３組（計１８個）有する。これらのＤＣ端子には、図１に示された出力端子１２，１３及び入力端子１４，１５が含まれる。

図４は、ＬＮ変調器１０にＦＰＣ４０が取り付けられた様子を示す斜視図である。ＦＰＣ４０は、一端部４０ａと、他端部４０ｂと、一端部４０ａ及び他端部４０ｂを相互につなぐ可撓性部分（曲げ部分）４０ｃとを有する。ＦＰＣ４０の複数の配線（図１に示された配線４１，４２を含む）は、一端部４０ａから他端部４０ｂにわたって延びている。そして、ＬＮ変調器１０のＤＣ端子群９ｄにＦＰＣ４０の一端部４０ａが導電接着されている。導電接着とは、例えば、ハンダによる電気的接続である。

図５は、ＬＮ変調器１０、変換基板２０、及び制御基板３０の具体的な配置例を示す斜視図である。図６は、図５に示されたVI−VI線に沿った断面図である。図５及び図６に示されるように、変換基板２０は、表面２０ａ（第１基板面）と、表面２０ａとは反対の裏面２０ｂ（第２基板面）とを有する。ＬＮ変調器１０のＤＣ端子群９ｄと接続される回路（コンデンサ２２及び抵抗素子２３を含む）は、裏面２０ｂ上に配置されている。変換基板２０の表面２０ａ上には電子部品は搭載されておらず、基準電位線２７（図１参照）の一部を構成する導電膜２８と、ＦＰＣ４０の他端部４０ｂが導電接続される端子パターンとが表面２０ａ上に設けられている。ここで、表面２０ａに形成される導電膜２８を含む基準電位線のパターンと、裏面２０ｂに形成される基準電位線のパターンとは、貫通ビア等を介して互いに接続されていても良い。そのように貫通ビア等を介して表面２０ａの基準電位線と裏面２０ｂの基準電位線とを電気的により強固に結合することによってそれぞれの間の瞬間的な電位差の発生を抑え、電流信号ＩＳ１および電圧信号ＶＳ１へのノイズの影響を抑制することができる。

変換基板２０は、その表面２０ａがＬＮ変調器１０の導電性筐体９の上面９ｂと対向するように配置されている。変換基板２０と導電性筐体９の上面９ｂとの間には、板状の導電性スペーサ（導電性部材）７１が配置されている。導電性スペーサ７１の一方の板面は変換基板２０の導電膜２８に接しており、導電性スペーサ７１の他方の板面は導電性筐体９の上面９ｂに接している。これにより、変換基板２０は、導電膜２８が導電性スペーサ７１を介して導電性筐体９に接触した状態で、導電性筐体９に固定される。なお、変換基板２０の導電膜２８は、導電性スペーサ７１を介することなく直接に、導電性筐体９に接触してもよい。このように、導電膜２８と導電性筐体９とが広い面を介して直接または間接に接触することにより、変換基板２０の基準電位とＬＮ変調器１０の基準電位とを互いに厳密に合致させることができる。

導電性スペーサ７１は、その平面形状がいわゆるＵ字状（コの字状）である板状の部材であり、各辺に囲まれた中央部に空間を有し、該空間によってＦＰＣ４０の他端部４０ｂとの接触を回避する。そして、図６に示されるように、この空間にＦＰＣ４０の他端部４０ｂが収まるようにＦＰＣ４０の可撓性部分４０ｃが折り曲げられている。導電性スペーサ７１としては、例えば２〜３ｍｍといった厚みを有する銅合金に金メッキを施したものが用いられる。ただし、金メッキに代えてＮｉメッキでもよく、あるいは、ベース金属として銅合金に代えてＳＵＳが用いられてもよい。

図６に示されるように、導電膜２８は、変換基板２０の表面２０ａの法線方向から見た平面形状が、コンデンサ２２及び抵抗素子２３を包含するように形成されてもよい。これにより、コンデンサ２２及び抵抗素子２３に接続される基準電位線２７の電位を、ＬＮ変調器１０の基準電位と更に厳密に合致させることができる。

図５に示されるように、ＦＰＣ５０の一端部５０ａは、方向Ａ１における変換基板２０の一端に固定されている。また、ＦＰＣ５０の他端部５０ｂは、方向Ａ１における制御基板３０の一端に固定されている。例えばこのような構成により、制御基板３０を変換基板２０の裏面２０ｂ上に折り重ねて配置することが可能となる（図中の矢印Ａ２）。なお、一例では、ＦＰＣ４０の長さ、すなわち一端部４０ａの端子群から他端部４０ｂの端子群までの距離は、ＦＰＣ５０の長さ、すなわち一端部５０ａの端子群から他端部５０ｂの端子群までの距離よりも短い。

以上に説明した本実施形態の光送信器１Ａによって得られる効果について、比較例とともに説明する。図１６は、比較例に係る光送信器１００の構成を示す図である。この光送信器１００では、コンデンサ２２、抵抗素子２３、抵抗素子３３及び３４、並びに制御回路３５が、単一の共通回路基板１０２に搭載されている。そして、一つのＦＰＣ１０４を介して、共通回路基板１０２とＬＮ変調器１０とが接続されている。

この比較例において、共通回路基板１０２の基準電位とＬＮ変調器１０の基準電位とを厳密に合致させるために、基準電位線１０６の一部を構成する導電膜を共通回路基板１０２の表面に形成し、その導電膜がＬＮ変調器１０の導電性筐体９に直接若しくは間接に接触した状態で、共通回路基板１０２を導電性筐体９に固定することが考えられる。ＬＮ変調器１０の端子１３（ＧＮＤ端子）と共通回路基板１０２の基準電位線１０６とを接続するだけでは、その配線が細いためインピーダンスが介在することとなり、その状態で共通回路基板１０２からＬＮ変調器１０に駆動信号を印加すると、インピーダンスの影響で互いの基準電位間に揺らぎが生じ、これがノイズとして高周波増幅器３５ａで増幅されてしまうからである。しかしながらそのような構成では、共通回路基板１０２の平面形状が導電性筐体９の平面形状よりも大きくなり過ぎ、共通回路基板１０２が光送信器１ＡにおけるＬＮ変調器１０用の搭載スペースから大きくはみ出してしまう。従って、共通回路基板１０２をＣＦＰ規格等の小さなハウジングに収容することが困難となるおそれがある。

これに対し、本実施形態の光送信器１Ａでは、バイアス電圧ＶＢ１の大きさを制御する回路（制御回路３５）を有する制御基板３０とは別に、変換基板２０が設けられている。変換基板２０は、電流信号ＩＳ１を電圧信号ＶＳ１に変換するためのコンデンサ２２及び抵抗素子２３を有する。そして、変換基板２０が、基準電位線２７の一部を構成する導電膜２８を表面２０ａに有し、この導電膜２８が導電性筐体９に直接若しくは導電性スペーサ７１を介して接触した状態で導電性筐体９に固定されている。

電流信号ＩＳ１を電圧信号ＶＳ１に変換する回路の基準電位がＬＮ変調器１０の基準電位に対して変動すると、信号レベルの変動としてその影響が大きく現れる。しかし、電圧信号ＶＳ１に変換した後の回路においては、ＬＮ変調器１０の基準電位に対してその基準電位が変動しても信号レベルに大きな影響はない。従って、本実施形態のようにコンデンサ２２及び抵抗素子２３を変換基板２０に配置し、変換基板２０の基準電位をＬＮ変調器１０の基準電位と厳密に合致させておくことにより、信号レベルの変動を効果的に抑えることが可能となる。また、ＬＮ変調器１０のバイアス電圧ＶＢ１を制御するための回路基板を変換基板２０及び制御基板３０といった２つの基板に分割することによって、回路基板の配置の自由度が高まり、回路基板の収容スペースを小型化することができる。

また、本実施形態のように、ＬＮ変調器１０に固定される一端部４０ａと、変換基板２０に固定される他端部４０ｂとを有するＦＰＣ４０によって、出力端子１２と入力端子２１とを電気的に接続するとともに、導電性筐体９は、法線方向が互いに交差する側面９ａ及び上面９ｂを有し、出力端子１２が側面９ａに設けられ、変換基板２０の表面２０ａと上面９ｂとが互いに対向してもよい。例えばこのような構成によって、変換基板２０を導電性筐体９に固定しつつ、変換基板２０の入力端子２１とＬＮ変調器１０の出力端子１２とを接続することができる。

また、本実施形態のように、変換基板２０に固定される一端部５０ａと、制御基板３０に固定される他端部５０ｂとを有するＦＰＣ５０によって、出力端子２４と入力端子３１とを電気的に接続してもよい。例えばこのような構成によって、制御基板３０と変換基板２０との相対的な配置の自由度を高めることができる。

また、本実施形態のように、ＦＰＣ４０の長さはＦＰＣ５０の長さよりも短くてもよい。これにより、電流信号ＩＳ１のレベルの変動を小さく抑えることができる。

（第１変形例）
図７は、上記実施形態の第１変形例に係る光送信器１Ｂを示す斜視図である。この光送信器１Ｂは、上記実施形態の変換基板２０に替えて変換基板８０を備え、さらに上記実施形態の導電性スペーサ７１に替えて、導電性スペーサ７２を備える。変換基板８０は、変換基板２０よりも小型に構成されており、方向Ａ１において変換基板２０の一部分（例えば半分）に相当する大きさを有する。導電性スペーサ７２は、導電性スペーサ７１よりも小型に構成されており、方向Ａ１における変換基板２０の一部分（例えば半分）に相当する大きさを有する。従って、変換基板８０と導電性スペーサ７２とは、方向Ａ１において同じ大きさか、あるいは導電性スペーサ７２の大きさは変換基板８０の大きさよりも小さい。これにより、コンデンサ２２及び抵抗素子２３に接続される基準電位線２７の電位をＬＮ変調器１０の基準電位と厳密に合致させながら、上記実施形態においてコンデンサ２２、抵抗素子２３以外に変換基板２０に配置されている電気部品を制御基板３０に配置することができ、変換基板を更に小型化することができる。それによって変換基板の大きさを制御基板３０の大きさよりも小さくすることができ、そのようなそれぞれの基板サイズと相互の配置位置とについて選択の自由度が増すことによって、変換基板および制御基板３０を収容するスペースを最小化することができる。

（第２変形例）
図８及び図９は、上記実施形態の第２変形例に係る光送信器１Ｃ，１Ｄの構成をそれぞれ示す図である。図８に示される光送信器１Ｃでは、上記実施形態の構成に加えて、変換基板２０が、フェライトビーズインダクタ２９を更に有する。フェライトビーズインダクタ２９は、入力端子２１と抵抗素子２３との間（図では、入力端子２１とコンデンサ２２との間）に接続されている。これにより、クロストーク等によって電流信号ＩＳ１に重畳するノイズ成分を効果的に除去し、バイアス電圧ＶＢ１の制御精度を向上させることができる。また、図９に示される光送信器１Ｄでは、上記実施形態の構成に加えて、制御基板３０が、ローパスフィルタ回路３９を更に有する。ローパスフィルタ回路３９は、制御回路３５と入力端子３１との間に接続されており、所定のカットオフ周波数（第１のカットオフ周波数）よりも低い周波数成分を通過させる。これにより、電圧信号ＶＳ１に含まれるノイズ（特にモニタ対象である高周波成分よりも高い周波数成分）を効果的に除去し、バイアス電圧ＶＢ１の制御精度を向上させることができる。第１のカットオフ周波数は、コンデンサ２２の容量値と抵抗素子２３の抵抗値とによって決まるカットオフ周波数（第２のカットオフ周波数）よりも高いことが好ましい。

図１０は、フェライトビーズインダクタ２９の特性例を示すグラフである。縦軸はフェライトビーズインダクタ２９のインピーダンス（単位：Ω）を示し、横軸は周波数（単位：ＭＨｚ）を示す。このグラフでは、モニタ対象である高周波成分に相当する帯域のインピーダンスが低く、１ＧＨｚ以上の回り込みノイズに対するインピーダンスが高くなっている。回り込みノイズは２ＧＨｚ以上の帯域においても発生する一方、高周波電力計３５ｂの測定範囲の上限は１ＧＨｚ程度であるので、例えば図１０に示されたような特性のフェライトビーズインダクタ２９を用いることによって、電流信号ＩＳ１に重畳するノイズ成分を効果的に除去できる。また、同様の理由から、ローパスフィルタ回路３９の透過帯域は、１ＧＨｚ以下であることが好適である。

（第１実施例）
ここで、上記実施形態および第２変形例に関する第１実施例について説明する。本実施例では、高周波増幅器３５ａの出力の周波数毎の強度分布をスペクトラムアナライザを用いて計測することにより、電圧信号ＶＳ１に含まれるノイズを評価した。図１１は、本実施例において用いられた計測回路を示す図である。この回路において、フェライトビーズインダクタ２９は位置Ｐ１に挿入され、ローパスフィルタ回路３９は位置Ｐ２に挿入された。図１２〜図１４はその結果を示すグラフである。

図１２（ａ）は、ＬＮ変調器１０のＭＺ変調器を駆動しない状態でのスペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。また、図１２（ｂ）は、ＬＮ変調器１０のＭＺ変調器を駆動し、且つ変換基板２０（または変換基板８０）の導電膜２８を導電性筐体９に直接的或いは間接的にも接触させない状態でのスペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。これらのグラフを比較すると、導電膜２８を導電性筐体９に接触させない状態では、複数の周波数において、顕著なノイズＮ１〜Ｎ３が発生していることがわかる。

図１３（ａ）は、ＬＮ変調器１０のＭＺ変調器を駆動し、且つ変換基板２０（または変換基板８０）の導電膜２８を導電性筐体９に直接的或いは間接的に接触させた状態でのスペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。このグラフと図１２（ｂ）とを比較すると、導電膜２８を導電性筐体９に接触させることによって変換基板２０（または変換基板８０）の基準電位が安定し、比較的低周波のノイズＮ１が除去されていることがわかる。

図１３（ｂ）は、図１３（ａ）の状態に加えてフェライトビーズインダクタ２９を挿入した場合のスペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。また、図１４は、図１３（ａ）の状態に加えてローパスフィルタ回路３９を挿入した場合のスペクトラムアナライザの出力波形を示すグラフである。図１３（ｂ）及び図１４に示されるように、フェライトビーズインダクタ２９若しくはローパスフィルタ回路３９を挿入すると、図１２（ｂ）のノイズＮ２，Ｎ３が効果的に除去されることがわかる。

（第２実施例）
上記実施形態および第２変形例に関する第２実施例について説明する。本実施例では、導電膜２８を導電性筐体９に接触させない場合、導電膜２８を導電性筐体９に接触させた場合、及び、導電膜２８を導電性筐体９に接触させた上でノイズ対策（フェライトビーズインダクタ２９若しくはローパスフィルタ回路３９の挿入）を行った場合のそれぞれについて、電流信号ＩＳ１と、高周波電力計３５ｂから出力されるアナログ信号Ｓ１との比較を行った。図１５は、その結果を示すグラフである。図１５において、横軸は電流信号ＩＳの振幅を表し、縦軸はアナログ信号Ｓ１の大きさを表す。なお、アナログ信号Ｓ１の大きさは、電圧信号ＶＳ１の振幅をＬｏｇスケールで変換したものとなっている。グラフＧ１は導電膜２８を導電性筐体９に接触させない場合を示し、グラフＧ２は導電膜２８を導電性筐体９に接触させた場合を示し、グラフＧ３は更にノイズ対策を行った場合を示す。なお、グラフＧ４として示す直線は、理想的な応答すなわち電流信号ＩＳ１と電圧信号ＶＳ１との比例関係を表す。また、グラフＧ５として示す直線は、高周波増幅器３５ａの出力下限値を表す。

図１５に示されるように、導電膜２８を導電性筐体９に接触させない場合、ノイズの影響によって、グラフＧ１は電流信号ＩＳ１の比較的大きな振幅（図では１μＡ）で下げ止まる（裾を引き始める）。従って、この振幅以下の振幅変化を検出することができず、バイアス電圧ＶＢ１の制御精度が不足してしまう。これに対し、導電膜２８を導電性筐体９に接触させた場合、グラフＧ１よりも小さな振幅（図では０．６μＡ）まで電流信号ＩＳ１と電圧信号ＶＳ１との比例関係が維持される。従って、バイアス電圧ＶＢ１の制御精度を向上させることができる。また、更にノイズ対策を行った場合、グラフＧ２よりも更に小さな振幅（図では０．３μＡ）まで電流信号ＩＳ１とアナログ信号Ｓ１とのグラフ上での直線性が維持される。従って、バイアス電圧ＶＢ１の制御精度を更に向上させることができる。

本発明による光送信器は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態及び各変形例を、必要な目的及び効果に応じて互いに組み合わせてもよい。また、上記実施形態では変換基板２０がＬＮ変調器１０の導電性筐体９の上面９ｂに間接的に接触しているが、他の面（例えば側面９ａ）に接触しても良い。

１Ａ〜１Ｄ…光送信器、９…導電性筐体、９ａ…側面、９ｂ…上面、１０…ＬＮ変調器、１１…受光素子、１２，１３…出力端子、１４，１５…入力端子、１６，１７…ＭＺ変調器、１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ…子変調器、１８…光分岐素子、１９…偏波合成素子、２０，８０…変換基板、２１…入力端子、２２…コンデンサ、２３…抵抗素子、２４，２５…出力端子、２６…端子、２７…基準電位線、２８…導電膜、２９…フェライトビーズインダクタ、３０…制御基板、３１，３２…入力端子、３３，３４…抵抗素子、３５…制御回路、３５ａ…高周波増幅器、３５ｂ…高周波電力計、３６…出力端子、３７…基準電位線、３８…出力端子、３９…ローパスフィルタ回路、４０，５０，６０…ＦＰＣ、７１，７２…導電性スペーサ、Ｆ１…光ファイバ、Ｆ３…光ファイバ、ＩＳ１…電流信号、ＶＢ１…バイアス電圧、ＶＳ１…電圧信号、Ｓ１…アナログ信号。

Claims (8)

1. マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、前記導電性筐体に収容されて前記マッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、前記受光素子によって生成された電流信号を出力する第１出力端子と、を有するＬＮ変調器と、
   前記第１出力端子と電気的に接続されて前記電流信号を受ける第１入力端子と、前記第１入力端子に一端が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの他端と基準電位線との間に接続された抵抗素子と、前記コンデンサの他端に接続された第２出力端子と、を有する変換基板と、
   前記第２出力端子と電気的に接続されて前記変換基板から出力された電圧信号を受ける第２入力端子、及び前記第２入力端子に接続されて前記電圧信号に基づいて前記マッハツェンダ型変調器へのバイアス電圧の大きさを制御する回路を有する制御基板と、を備え、
   前記変換基板は、前記基準電位線の一部を構成する導電膜を第１基板面に有し、前記導電膜が前記導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で前記導電性筐体に固定されている、光送信器。
2. 前記コンデンサ及び前記抵抗素子は、前記変換基板の前記第１基板面とは反対の第２基板面上に配置されており、
   前記導電膜は、前記第１基板面の法線方向から見た平面形状が前記コンデンサ及び前記抵抗素子を包含するように形成されている、請求項１に記載の光送信器。
3. 前記ＬＮ変調器に固定された一端部と、前記変換基板に固定された他端部とを有し、前記第１出力端子と前記第１入力端子とを電気的に接続する第１のフレキシブルプリント基板を更に備え、
   前記導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有し、
   前記第１出力端子が前記第１面に設けられ、前記変換基板の前記第１基板面と前記第２面とが互いに対向している、請求項１または２に記載の光送信器。
4. 前記変換基板に固定された一端部と、前記制御基板に固定された他端部とを有し、前記第２出力端子と前記第２入力端子とを電気的に接続する第２のフレキシブルプリント基板を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光送信器。
5. 前記ＬＮ変調器に固定された一端部と、前記変換基板に固定された他端部とを有し、前記第１出力端子と前記第１入力端子とを電気的に接続する第１のフレキシブルプリント基板と、
   前記変換基板に固定された一端部と、前記制御基板に固定された他端部とを有し、前記第２出力端子と前記第２入力端子とを電気的に接続する第２のフレキシブルプリント基板と、を更に備え、
   前記第１のフレキシブルプリント基板の長さは前記第２のフレキシブルプリント基板の長さよりも短い、請求項１または２に記載の光送信器。
6. 前記変換基板は、前記第１入力端子と前記抵抗素子との間に接続されたフェライトビーズインダクタを更に有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光送信器。
7. 前記制御基板は、前記バイアス電圧の大きさを制御する回路と前記第２入力端子との間に接続された、第１のカットオフ周波数よりも低い周波数成分を通過させるローパスフィルタ回路を更に有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光送信器。
8. 前記第１のカットオフ周波数は、前記コンデンサの容量値と前記抵抗素子の抵抗値とによって決まる第２のカットオフ周波数よりも高い、請求項７に記載の光送信器。

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