JP2017191178A - 光送信器 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための制御基板と、ＬＮ変調器との電気的な接続状態を容易に確認する。
【解決手段】光送信器１Ａは、第１端子群１２を有するＬＮ変調器１０と、ＬＮ変調器１０へのバイアス電圧ＶＢ１の大きさを制御する制御回路２６及び第２端子群２１を有する制御基板２０と、第１端子群１２に導電接続される第３端子群３１及び第２端子群２１に導電接続される第４端子群３２を有するＦＰＣ３０と、を備える。制御基板２０は、表面において第２端子群２１の周辺に配置された第１追加端子と、第１追加端子に接続され裏面に設けられた第１モニタ用端子とを更に有する。ＦＰＣ３０は、第４端子群３２の周辺に配置され、ＦＰＣ３０の基準電位線に接続されるとともに第１追加端子に導電接続された第２追加端子を更に有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光送信器に関するものである。

特許文献１には、ＱＰＳＫ（Quadrature Phase Shift Keying）またはＤＱＰＳＫ（Differential QPSK）を利用した光通信に用いられる光送信器が開示されている。この光送信器では、変調器の内部に受光器が設けられており、受光器により生成されるモニタ信号のパワーを最小化するように、変調器内部の増幅器の利得が調整される。

特開２００７−２０８４７２号公報

Pak S. Cho et al., "Closed-Loop Bias Control of Optical QuadratureModulator", IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 18, No. 21, November 1,2006 Norikazu Miyazaki et al., "LiNbO3 Optical IntensityModulator Packaged with Monitor Photodiode", IEEE Photonics Technology Letters,Vol. 13, No. 5, pp.442-444, May, 2001

近年の光通信方式として、光の偏波、位相及び振幅を相互に組み合わせた変調方式（いわゆるコヒーレント方式）が知られている。コヒーレント方式では、光の位相情報が伝送に利用される。また、信号光と局発光との位相差における０°成分と９０°成分の信号強度に対して、それぞれ１又は０の状態を作成及び検知し、この作成及び検知を二つの偏光成分について行うことによって、従来の”０”と”１”の２値による強度変調（On-Off Keying）の４倍の伝送容量を確保することができる。この方式は、ＤＰ−ＱＰＳＫ（Dual Polarization Quadrature Phase Shift Keying）と呼ばれる。

コヒーレント方式においては、レーザ光（ＣＷ光）を変調するための変調器として例えばＭＺ（Mach-Zender）変調器が用いられる。ＭＺ変調器は一対のアーム導波路（光導波路）を有しており、それぞれのアーム導波路の光学特性の均一化が容易となっている。そして、ＭＺ変調器の母材として光透過材料であるニオブ酸リチウム（Lithium Niobate、ＬＮ）を用いた場合には、光学ロスを小さくして低損失にＭＺ変調器を構成できる。また、ＩｎＰ等の半導体変調器と比較して、より高速な動作を可能にできる。しかし、ＬＮ変調器には、一度設定した動作点を示すバイアス電圧が温度変化、経時変化等によりドリフト（変化）するという性質がある。このため、長時間に亘って安定した信号伝送を行うには、変調後の光をモニタしながらバイアス電圧を制御することが必要となる。従って、光送信器等において、バイアス電圧を制御するための回路（バイアス制御回路）を搭載した制御基板がＬＮ変調器の周辺に配置される。

一方、近年において、ＣＦＰ（100G Form factor Pluggable）と称される光トランシーバ（光送受信器）が、業界標準（ＣＦＰ ＭＳＡ規格）によって規格化されている。ＣＦＰ ＭＳＡ規格に準拠する光トランシーバでは、ハウジング（筐体）の大きさがＣＦＰ ＭＳＡ規格によって定められており、決められた大きさのハウジングの中に多数の部品を収容・配置する必要がある。また、上述したＬＮ変調器は、適切な変調度とすべく長い光路を内部に形成する必要があるので、その外形は細長い形状となっている。このようなＬＮ変調器も上記のハウジングの内部に搭載しなければならない。故に、ＬＮ変調器の周辺に配置される制御基板には、収容スペースの小型化のための工夫が求められる。ＣＦＰよりも小型のＣＦＰ２（横幅がＣＦＰの１／２）、ＣＦＰ４（横幅がＣＦＰの１／４）といったＭＳＡ規格においては尚更である。

図１７（ａ）に示されるように、ＣＦＰ ＭＳＡ規格より前の光トランシーバ１００Ａは、ＬＮ変調器１０４の大きさと較べて筐体１０２内に十分に大きな容積を有していたため、ＬＮ変調器１０４と制御基板１０６とをベース基板１０８上に搭載することが可能であった。これに対し、図１７（ｂ）に示されるように、ＣＦＰ ＭＳＡ規格以後の光トランシーバ１００Ｂでは、筐体１１０の容積が小さいため、ＬＮ変調器１０４及び制御基板１０６をベース基板１０８の外側に配置し、更にこれらを重ねて収容することが望まれる。

また、制御基板１０６では、変調後の光をモニタするための受光素子から出力される電気信号に基づいてＬＮ変調器に供給するためのバイアス電圧が生成されるが、制御基板１０６の基準電位がＬＮ変調器１０４の基準電位に対して変動すると、その影響が上記のバイアス制御回路にノイズとして現れる。従って、制御基板１０６の基準電位をＬＮ変調器１０４の基準電位と厳密に合致させる（電気的に強固に結合させる）ために、制御基板１０６に基準電位の導電膜を設け、この導電膜を直接若しくは導電性部材を介してＬＮ変調器１０４の導電性筐体に接触させるとよい。

しかしながらこのような形態は、製造時において次に述べるような困難を伴う。すなわち、ＬＮ変調器１０４と制御基板１０６とを電気的に確実に接続した後に制御基板１０６をＬＮ変調器１０４に重ねようとする場合、ＬＮ変調器１０４と制御基板１０６とをフレキシブル基板により接続する方式が考えられる。しかし、制御基板１０６にフレキシブル基板を取り付けた後にフレキシブル基板を曲げる作業が必要となるので、制御基板１０６とフレキシブル基板との接続部分の少なくとも一部が意図しない力によって分離してしまうことがある。そのような場合であっても、制御基板１０６をＬＮ変調器１０４に重ねた後では接続部分が制御基板１０６に隠れてしまうので、接続部分の分離を目視で確認することができない。また、制御基板１０６の導電膜とＬＮ変調器１０４の導電性筐体との直接若しくは間接の接触についても、その接触部分は制御基板１０６に隠れているので、接触不良が生じていても目視で確認することができない。従って、ＬＮ変調器１０４と制御基板１０６との電気的な接続状態を確認することが困難となり、製造不良が増加する一因となる。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための回路を搭載した制御基板と、ＬＮ変調器との電気的な接続状態を容易に確認することができる光送信器を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る光送信器は、マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、導電性筐体に収容されてマッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、受光素子によって生成された電気信号を出力する第１出力端子と基準電位を出力する第２出力端子とを含む第１端子群と、を有するＬＮ変調器と、第１出力端子に電気的に接続されて電気信号を受ける第１入力端子と第２出力端子に電気的に接続されて基準電位を受ける第２入力端子とを含む第２端子群、並びに第２端子群に接続されて電気信号に応じてマッハツェンダ型変調器のバイアス電圧を制御する回路を有する制御基板と、第１端子群に導電接続される第３端子群と、第２端子群に導電接続される第４端子群と、第３端子群と第４端子群とを相互に接続する配線と、を有するフレキシブルプリント基板と、を備える。導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有する。第１端子群は第１面に設けられる。制御基板は、回路の基準電位線の一部を構成する導電膜及び第２端子群を表面に有し、導電膜が導電性筐体の第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通した状態で導電性筐体に固定される。制御基板は、表面において第２端子群の周辺に配置された第１追加端子と、第１追加端子に接続され表面と反対の裏面に設けられた第１モニタ用端子とを更に有する。フレキシブルプリント基板は、第４端子群の周辺に配置され、該フレキシブルプリント基板の基準電位線に接続されるとともに第１追加端子に導電接続された第２追加端子を更に有する。

また、本発明の別の実施形態に係る光送信器は、マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、導電性筐体に収容されてマッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、受光素子によって生成された電気信号を出力する第１出力端子と基準電位を出力する第２出力端子とを含む第１端子群と、を有するＬＮ変調器と、第１出力端子に電気的に接続されて電気信号を受ける第１入力端子と第２出力端子に電気的に接続されて基準電位を受ける第２入力端子とを含む第２端子群、並びに第２端子群に接続されて電気信号に応じてマッハツェンダ型変調器のバイアス電圧を制御する回路を有する制御基板と、第１端子群に導電接続される第３端子群と、第２端子群に導電接続される第４端子群と、第３端子群と第４端子群とを相互に接続する配線と、を有するフレキシブルプリント基板と、を備える。導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有する。第１端子群は第１面に設けられる。制御基板は、回路の基準電位線の一部を構成する導電膜及び第２端子群を表面に有し、導電膜が導電性筐体の第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通した状態で導電性筐体に固定される。制御基板は、表面に設けられた第３追加端子と、第３追加端子に接続され表面と反対の裏面に設けられた第２モニタ用端子とを更に有する。第３追加端子は、導電膜に形成された開口内に配置され、導電性筐体の第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通状態で接触する。

本発明による光送信器によれば、ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための回路を搭載した制御基板と、ＬＮ変調器との電気的な接続状態を容易に確認することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る光送信器の構成を概略的に示す図である。 図２は、ＬＮ変調器の内部構成を示す図である。 図３は、ＬＮ変調器と、ＬＮ変調器の出力ポートに接続される光ファイバと、ＬＮ変調器の入力ポートに接続される光ファイバとを示す斜視図である。 図４は、ＬＮ変調器にＦＰＣを取り付ける様子を示す図である。 図５（ａ）〜図５（ｃ）は、ＬＮ変調器、制御基板、及びＦＰＣを組み立てる様子を示す図である。 図６は、図５（ｃ）のVI−VI線に沿った断面を示す図である。 図７（ａ）は、制御基板を示す平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のVII−VII線に沿った断面図である。 図８は、ＦＰＣを示す平面図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第３追加端子付近を拡大して示す切り欠き斜視図である。 図１０は、制御基板での基準電位の変動（ノイズ）を計測した結果を示すグラフである。 図１１は、制御基板での基準電位の変動（ノイズ）を計測した結果を示すグラフである。 図１２は、制御基板での基準電位の変動（ノイズ）を計測した結果を示すグラフである。 図１３は、導電膜を直接または間接に導電性筐体に接触させない場合、導電膜を直接または間接に導電性筐体に接触させた場合のそれぞれについて、電流信号と、高周波増幅器から出力される電圧信号との比較を示すグラフである。 図１４は、第１モニタ用端子及び第２モニタ用端子の電位を測定する方法の一例を説明するための図である。 図１５は、一変形例として、ＬＮ変調器、制御基板、およびＦＰＣを備える光送信器の組立途中を示す斜視図である。 図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、コネクタの分離の態様を示す図である。 図１７（ａ）は、ＣＦＰ規格より前の光トランシーバの構造を概略的に示す図である。図１７（ｂ）は、ＣＦＰ規格以後の光トランシーバの構造を概略的に示す図である。

［本願発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る光送信器は、マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、導電性筐体に収容されてマッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、受光素子によって生成された電気信号を出力する第１出力端子と基準電位を出力する第２出力端子とを含む第１端子群と、を有するＬＮ変調器と、第１出力端子に電気的に接続されて電気信号を受ける第１入力端子と第２出力端子に電気的に接続されて基準電位を受ける第２入力端子とを含む第２端子群、並びに第２端子群に接続されて電気信号に応じてマッハツェンダ型変調器のバイアス電圧を制御する回路を有する制御基板と、第１端子群に導電接続される第３端子群と、第２端子群に導電接続される第４端子群と、第３端子群と第４端子群とを相互に接続する配線と、を有するフレキシブルプリント基板と、を備える。導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有する。第１端子群は第１面に設けられる。制御基板は、回路の基準電位線の一部を構成する導電膜及び第２端子群を表面に有し、導電膜が導電性筐体の第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通した状態で導電性筐体に固定される。制御基板は、表面において第２端子群の周辺に配置された第１追加端子と、第１追加端子に接続され表面と反対の裏面に設けられた第１モニタ用端子とを更に有する。フレキシブルプリント基板は、第４端子群の周辺に配置され、該フレキシブルプリント基板の基準電位線に接続されるとともに第１追加端子に導電接続された第２追加端子を更に有する。

この光送信器では、ＬＮ変調器を構成するマッハツェンダ型変調器及び受光素子が導電性筐体に収容されており、受光素子は、マッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する。受光素子から出力された電気信号はフレキシブルプリント基板を介してバイアス電圧を制御する回路に入力され、該回路は、この電圧信号に応じてバイアス電圧を制御する。また、制御基板は、基準電位線の一部を構成する導電膜を表面に有し、この導電膜が導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で導電性筐体に固定されている。従って、制御基板の基準電位がＬＮ変調器の基準電位と厳密に合致し、ノイズを効果的に抑えることができる。

更に、この光送信器において、フレキシブルプリント基板は、第４端子群の周辺に配置され、該フレキシブルプリント基板の基準電位線に接続された第２追加端子を有する。そして、制御基板は、ＬＮ変調器の導電性筐体と対向する表面において第２端子群の周辺に配置された第１追加端子を有し、この第１追加端子は第２追加端子と導電接続される。従って、制御基板とフレキシブルプリント基板とが正常に接続されている限りにおいて、第１追加端子は基準電位となる。第１追加端子の電位は、裏面に設けられた第１モニタ用端子の電位を測定することによって容易に確認することができる。そして、制御基板とフレキシブルプリント基板との接続部分に意図しない力が加わり、第２端子群及び第４端子群の少なくとも一部が互いに分離するときには、その周辺に設けられている第１追加端子及び第２追加端子も分離することとなる。これらが分離すると、第１追加端子が基準電位ではなくなり、電気的に浮いた状態となる。この状態は、第１モニタ用端子の電位を測定することにより容易に確認することができる。従って、この光送信器によれば、ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための制御基板と、ＬＮ変調器との電気的な接続状態を容易に確認することができる。

上記の光送信器においては、第２端子群と第４端子群とが導電性接着剤を介して導通状態で接合され、第２追加端子は第４端子群の位置を基準にして第３端子群と同じ側に配置されてもよい。第２端子群と第４端子群とが導電性接着剤（例えば半田）を介して導通状態で接合される場合、これらを分離させようとする力は、第４端子群に対して第３端子群側（すなわち可撓性部分側）から加わることが多い。従って、第２追加端子が第４端子群の位置を基準にして第３端子群と同じ側に配置されることにより、第２端子群と第４端子群との分離より先に第１追加端子と第２追加端子とを確実に分離させて、第２端子群と第４端子群との分離をより精度良く確認することができる。

上記の光送信器においては、制御基板に設けられて第２端子群を含む第１コネクタと、フレキシブルプリント基板に設けられて第４端子群を含む第２コネクタとが互いに嵌合され、少なくとも一対の第１追加端子が、第１コネクタにおいて第２端子群を挟む位置に設けられ、少なくとも一対の第２追加端子が、第２コネクタにおいて第４端子群を挟む位置に設けられてもよい。第２端子群と第４端子群とがこれらのコネクタにより互いに接続される場合、第２端子群と第４端子群との分離は、第１コネクタと第２コネクタとの分離によって生じる。そして、第１コネクタと第２コネクタとが分離する際には、少なくともこれらの一端は必ず分離する。従い、一対の第１追加端子が、第１コネクタにおいて第２端子群を挟む位置に設けられ、少なくとも一対の第２追加端子が、第２コネクタにおいて第４端子群を挟む位置に設けられることによって、第２端子群と第４端子群との分離より先に第１追加端子と第２追加端子とを確実に分離させて、第２端子群と第４端子群との分離をより精度良く確認することができる。

また、本発明の別の実施形態に係る光送信器は、マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、導電性筐体に収容されてマッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、受光素子によって生成された電気信号を出力する第１出力端子と基準電位を出力する第２出力端子とを含む第１端子群と、を有するＬＮ変調器と、第１出力端子に電気的に接続されて電気信号を受ける第１入力端子と第２出力端子に電気的に接続されて基準電位を受ける第２入力端子とを含む第２端子群、並びに第２端子群に接続されて電気信号に応じてマッハツェンダ型変調器のバイアス電圧を制御する回路を有する制御基板と、第１端子群に導電接続される第３端子群と、第２端子群に導電接続される第４端子群と、第３端子群と第４端子群とを相互に接続する配線と、を有するフレキシブルプリント基板と、を備える。導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有する。第１端子群は第１面に設けられる。制御基板は、回路の基準電位線の一部を構成する導電膜及び第２端子群を表面に有し、導電膜が導電性筐体の第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通した状態で導電性筐体に固定される。制御基板は、表面に設けられた第３追加端子と、第３追加端子に接続され表面と反対の裏面に設けられた第２モニタ用端子とを更に有する。第３追加端子は、導電膜に形成された開口内に配置され、導電性筐体の第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通状態で接触する。

この光送信器では、ＬＮ変調器を構成するマッハツェンダ型変調器及び受光素子が導電性筐体に収容されており、受光素子は、マッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する。受光素子から出力された電気信号はフレキシブルプリント基板を介してバイアス電圧を制御する回路に入力され、該回路は、この電圧信号に応じてバイアス電圧を制御する。また、制御基板は、基準電位線の一部を構成する導電膜を表面に有し、この導電膜が導電性筐体に直接若しくは導電性部材を介して接触した状態で導電性筐体に固定されている。従って、制御基板の基準電位がＬＮ変調器の基準電位と厳密に合致し、ノイズを効果的に抑えることができる。

更に、この光送信器において、制御基板は、ＬＮ変調器の導電性筐体と対向する表面に設けられた第３追加端子と、第３追加端子に接続され裏面に設けられた第２モニタ用端子とを更に有する。そして、第３追加端子は、導電膜に形成された開口内に配置され、導電性筐体の第２面に直接若しくは導電性部材を介して接触する。従って、導電膜と導電性部材（若しくは導電性筐体）とが正常に接触している限りにおいて、導電膜の開口内に配置された第３追加端子もまた導電性部材（若しくは導電性筐体）と正常に接触し、基準電位となる。第３追加端子の電位は、裏面に設けられた第２モニタ用端子の電位を測定することによって容易に確認することができる。そして、制御基板と導電性部材（若しくは導電性筐体）との接触が十分ではなく、導電膜の少なくとも一部が導電性部材（若しくは導電性筐体）から分離するときには、第３追加端子も導電性部材（若しくは導電性筐体）から分離することとなる。これらが分離すると、第３追加端子が基準電位ではなくなり、電気的に浮いた状態となる。この状態は、第２モニタ用端子の電位を測定することにより容易に確認することができる。従って、この光送信器によれば、ＬＮ変調器のバイアス電圧を制御するための制御基板と、ＬＮ変調器との電気的な接続状態を容易に確認することができる。

上記の光送信器においては、導電膜が開口を複数有し、複数の第３追加端子それぞれが各開口内に配置されてもよい。これにより、導電膜の複数の箇所において導電性部材（若しくは導電性筐体）との接触状態を確認し、導電膜と導電性部材（若しくは導電性筐体）との分離をより確実に見出すことができる。

［本願発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る光送信器の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明の一実施形態に係る光送信器１Ａの構成を概略的に示す図である。図１に示されるように、この光送信器１Ａは、ＬＮ変調器１０、制御基板２０、及びフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）３０を備えている。

ＬＮ変調器１０は、マッハツェンダ型変調器（以下、ＭＺ変調器とする）と、ＭＺ変調器から出力された出力光の強度を検出する受光素子１１と、第１端子群１２とを有する。第１端子群１２は、出力端子１２ａ（第１出力端子）と、出力端子１２ｂ（第２出力端子）と、入力端子１２ｃ及び１２ｄとを含む。出力端子１２ａは、受光素子１１からの電気信号である電流信号ＩＳ１を出力する。なお、ＬＮ変調器１０の詳細な構成については後述する。

制御基板２０は、電気部品を搭載するプリント回路基板であって、第２端子群２１、コンデンサ２２、抵抗素子２３〜２５、及び制御回路２６を有する。第２端子群２１は、入力端子２１ａ（第１入力端子）、入力端子２１ｂ（第２入力端子）、出力端子２１ｃ及び２１ｄを含む。プリント回路基板には、プリント回路基板に設けられた端子間やプリント回路基板上に実装された部品間を電気的に接続するための複数のプリント配線が形成されている。

入力端子２１ａは、ＦＰＣ３０を介して出力端子１２ａと電気的に接続されており、電流信号ＩＳ１を受ける。コンデンサ２２の一端（一方の電極）は、プリント配線を介して入力端子２１ａに接続されている。コンデンサ２２は、電流信号ＩＳ１に含まれる高周波成分を通過させ、低周波成分を遮断する。抵抗素子２３は、プリント配線を介して、コンデンサ２２の他端（他方の電極）と基準電位線２７との間に接続されている。抵抗素子２３は、コンデンサ２２を通過した高周波成分の大きさ（振幅）に応じた両端間電圧を発生する。これにより、電流信号ＩＳ１の高周波成分の大きさ（振幅）に相当する電圧信号ＶＳ１が生成される。抵抗素子２４の一端は、入力端子２１ａとコンデンサ２２との間のノードに接続されており、電流信号ＩＳ１の低周波成分（電流ＩＳ２）を受ける。抵抗素子２５は、抵抗素子２４の他端と基準電位線２７との間に直列に接続されている。これにより、電流信号ＩＳ２の大きさに応じた電圧信号ＶＳ２が生成される。

制御回路２６は、プリント配線を介して、コンデンサ２２と抵抗素子２３との間のノードに接続され、また、抵抗素子２４と抵抗素子２５との間のノードに接続されている。制御回路２６は、電圧信号ＶＳ１及びＶＳ２に応じて、ＬＮ変調器１０のＭＺ変調器に印加されるバイアス電圧ＶＢ１を制御する。具体的には、制御回路２６は、高周波増幅器２６ａ、高周波電力（振幅）計２６ｂ、Ａ／Ｄ変換器２６ｃ及び２６ｄ、演算部２６ｅ、Ｄ／Ａ変換器２６ｆ、及び増幅器２６ｇを有する。

高周波増幅器２６ａは、電圧信号ＶＳ１を受け、増幅して出力する。高周波電力計２６ｂは、増幅後の電圧信号ＶＳ１の大きさ（振幅）を計測して、その大きさ（振幅）に応じたアナログ信号Ｓ１を出力する。Ａ／Ｄ変換器２６ｃは、アナログ信号Ｓ１をディジタル信号Ｄ１に変換する。Ａ／Ｄ変換器２６ｄは、電圧信号ＶＳ２をディジタル信号Ｄ２に変換する。

演算部２６ｅは、ディジタル信号Ｄ１及びＤ２に応じて、適切なバイアス電圧ＶＢ１の大きさを算出する。演算部２６ｅは、適切なバイアス電圧ＶＢ１の大きさを示すディジタル信号Ｄ３を出力する。Ｄ／Ａ変換器２６ｆは、ディジタル信号Ｄ３をアナログ信号Ｓ２に変換する。増幅器２６ｇは、アナログ信号Ｓ２を増幅することによってバイアス電圧ＶＢ１を生成する。このバイアス電圧ＶＢ１は、出力端子２１ｃからＦＰＣ３０を介してＬＮ変調器１０の入力端子１２ｃに入力される。

制御基板２０の入力端子２１ｂは、基準電位線２７に接続されるとともに、ＦＰＣ３０を介してＬＮ変調器１０の出力端子１２ｂに接続されている。出力端子１２ｂはＬＮ変調器１０の基準電位を出力し、入力端子２１ｂはこの基準電位を受ける。また、制御基板２０の出力端子２１ｄは、ＦＰＣ３０を介してＬＮ変調器１０の入力端子１２ｄと電気的に接続されている。入力端子１２ｄは受光素子１１のカソードに接続されており、出力端子２１ｄは、受光素子１１の動作に必要なバイアス電圧ＶＢ２を提供する。

ＦＰＣ３０は、第３端子群３１、第４端子群３２、及び配線群３３を有する。第３端子群３１は、ＬＮ変調器１０に固定される一端部に設けられ、第１端子群１２に導電接続される。第３端子群３１は、ＬＮ変調器１０の出力端子１２ａ及び１２ｂにそれぞれ導電接続される端子３１ａ及び３１ｂと、ＬＮ変調器１０の入力端子１２ｃ及び１２ｄにそれぞれ導電接続される端子３１ｃ及び３１ｄとを含む。第４端子群３２は、制御基板２０に固定される他端部に設けられ、第２端子群２１に導電接続される。第４端子群３２は、制御基板２０の入力端子２１ａ及び２１ｂにそれぞれ導電接続される端子３２ａ及び３２ｂと、制御基板２０の出力端子２１ｃ及び２１ｄにそれぞれ導電接続される端子３２ｃ及び３２ｄとを含む。配線群３３は、第３端子群３１及び第４端子群３２を相互に電気的に接続する。配線群３３は、端子３１ａ及び端子３２ａを相互に電気的に接続する配線と、端子３１ｂ及び端子３２ｂを相互に電気的に接続する配線と、端子３１ｃ及び端子３２ｃを相互に電気的に接続する配線と、端子３１ｄ及び端子３２ｄを相互に電気的に接続する配線とを含む。

ここで、図２は、ＬＮ変調器１０の内部構成を示す図である。ＬＮ変調器１０は、Ｘ偏波の変調信号（以下、「Ｘ側変調信号」という。）およびＹ偏波の変調信号（以下、「Ｙ側変調信号」という。）を生成するＤＰ−ＱＰＳＫ変調器（偏波多重多値位相変調器）である。図２に示されるように、ＬＮ変調器１０は、前述した受光素子１１に加えて、ＭＺ変調器１６，１７と、光分岐素子１８と、偏波合成素子１９とを更に有する。このＬＮ変調器１０は、Ｘ側変調信号とＹ側変調信号とを偏波多重した偏波多重光信号を光導波路ｗｇ６を介して外部へ送信する。

ＬＮ変調器１０では、図示しないレーザダイオード等の光源から、所定の周波数の光が、光導波路ｗｇ１を介して光分岐素子１８に向けて出射される。この光は、例えば単一偏波を有する光である。光分岐素子１８は、光導波路ｗｇ１とＭＺ変調器１６，１７との間に設けられ、光源から出射された光を互いにパワーの等しい２つの光（Ｘ光およびＹ光）に分配する。そして、光分岐素子１８は、光導波路ｗｇ２を介してＭＺ変調器１６にＸ光を出力し、光導波路ｗｇ３を介してＭＺ変調器１７にＹ光を出力する。Ｘ光とＹ光は、光分岐素子１８によって分岐される前の光と同じ偏波面を保持している。すなわち、Ｘ光とＹ光とは同じ偏波面を有する。

ＭＺ変調器１６は、入力されたＸ光に対してＱＰＳＫ変調を行ってＸ側変調信号を生成する。そして、ＭＺ変調器１６は、Ｘ側変調信号を光導波路ｗｇ４を介して偏波合成素子１９に出力する。ＭＺ変調器１７は、入力されたＹ光に対してＱＰＳＫ変調を行ってＹ側変調信号を生成する。そして、ＭＺ変調器１７は、Ｙ側変調信号を光導波路ｗｇ５を介して偏波合成素子１９に出力する。

偏波合成素子１９は、光導波路ｗｇ４上に設けられた図示しない偏波回転素子によって９０°偏波回転されたＸ側変調信号と、ＭＺ変調器１７において生成されたＹ側変調信号とを合波して、偏波多重光信号として光導波路ｗｇ６を介して外部に出力する。なお、９０°偏波回転の操作は、光導波路ｗｇ４の代わりに光導波路ｗｇ５にて、Ｘ側変調信号の代わりにＹ側変調信号に対して行っても良い。

ＭＺ変調器１６は、それぞれが一対の光導波路を含む子変調器１６ａ，１６ｂと、それらの子変調器１６ａ，１６ｂを一対の光導波路に、一つの光導波路に一つの子変調器が含まれるように、含む親変調器とが入れ子となって構成されている。これらの子変調器１６ａ，１６ｂを構成する光導波路上には図示しない電極が設けられる。そして、子変調器１６ａを通過するＸ光の位相と、子変調器１６ｂを通過するＸ光の位相とを９０°異ならせるためのバイアス電圧が該電極を通じて印加され、更に、データ信号に基づいて生成された変調器駆動用の差動電圧信号が印加される。子変調器１６ａ，１６ｂをそれぞれ通過したＸ光は合波され、Ｘ側変調信号として光導波路ｗｇ４を介して偏波合成素子１９に出力される。

ＭＺ変調器１７は、それぞれが一対の光導波路を含む子変調器１７ａ，１７ｂと、それらの子変調器１７ａ，１７ｂを一対の光導波路に、一つの光導波路に一つの子変調器が含まれるように、含む親変調器とが入れ子となって構成されている。これらの子変調器１７ａ，１７ｂを構成する光導波路上には図示しない電極が設けられる。そして、子変調器１７ａを通過するＹ光の位相と、子変調器１７ｂを通過するＹ光の位相とを９０°異ならせるためのバイアス電圧が該電極を通じて印加され、更に、データ信号に基づいて生成された変調器駆動用の差動電圧信号が印加される。子変調器１７ａ，１７ｂをそれぞれ通過したＹ光は合波され、Ｙ側変調信号として光導波路ｗｇ５を介して偏波合成素子１９に出力される。

また、ＭＺ変調器１６，１７の親変調器を構成する光導波路上にも、図示しない電極が設けられる。そして、ＭＺ変調器１６を通過するＸ光の位相と、ＭＺ変調器１７を通過するＹ光の位相とを調整するためのバイアス電圧が該電極を通じて印加される。

さらに、ＭＺ変調器１７は、光導波路ｗｇ５の入力端にＹ側変調信号を出力するとともに、光導波路ｗｇ５外にＹ側変調信号の反転光（Ｙ側変調信号と位相が１８０°異なる光）を出力する。より詳細には、子変調器１７ａから出力された光と子変調器１７ｂから出力された光とが同じ位相を持つ場合（位相差が０°の場合）は、それぞれの光が合波された光は全てＹ側変調信号として光導波路ｗｇ５に出力され、反転光は出力されない。反対に、子変調器１７ａから出力された光と子変調器１７ｂから出力された光とが互いに１８０°異なる位相を持つ場合は、光導波路ｗｇ５にはＹ側変調信号は出力されず、それぞれの光が合波された光は反転光として出力される。また、子変調器１７ａから出力された光と子変調器１７ｂから出力された光とが０°から１８０°までの間の位相差を持つ場合は、その位相差に応じてそれぞれの光が合成された光がＹ側変調信号と反転光とに配分されて出力される。従って、反転光の強度は、Ｙ側変調信号の強度と比例関係を持つ。受光素子１１により、そのような反転光を受けて、それに応じた電流信号ＩＳ１を出力することによってＹ側変調信号の光パワーがモニタ可能とされる。なお、受光素子１１は、Ｙ側変調信号を光分岐素子等によって一部を分岐した光をモニタしても良い。

なお、図１に示されたバイアス電圧ＶＢ１は、子変調器１６ａ，１６ｂ，１７ａ，及び１７ｂそれぞれに１対ずつ形成されている電極（図示せず）８個と、子変調器１６ａ，１６ｂを含む親変調器と子変調器１７ａ，１７ｂを含む親変調器それぞれに１対ずつ形成されている電極（図示せず）４個との合計１２個の電極に印加されるバイアス電圧を代表して示したものであり、例えば、偏波多重を行わずにＸ側変調信号のみ生成する場合には少なくとも６つのバイアス電圧が制御基板２０からＬＮ変調器１０に提供される。これらのバイアス電圧の最適値は、上述したように経年劣化やＬＮ変調器１０周辺の温度環境の変化によって比較的遅い速度でドリフト（変化）する。そのドリフトによるバイアス電圧の最適値のずれを補正するために、この光送信器１Ａでは、受光素子１１によって出力光の一部が検出され、その検出結果に基づいてドリフトの大きさが演算部２６ｅにおいて算出され、ドリフトを０に近づけるように調整されたバイアス電圧ＶＢ１がＭＺ変調器１７の各電極（６個）に提供される。なお、図示していないが、ＭＺ変調器１６についても受光素子１１と同様に別の受光素子が光導波路ｗｇ４の入力端の近くに設けられており、それを用いてＭＺ変調器１６のバイアス電圧の制御が行われる。すなわち、バイアス電圧の制御は、ＭＺ変調器１６、１７のそれぞれについて偏波毎に行われる。ＭＺ変調器１６のバイアス制御に関する端子等の物理的な構成やバイアス制御のための回路構成等はＭＺ変調器１７と基本的に同じであり、重複を避けるために、ＭＺ変調器１６のバイアス電圧の制御に関する図示および説明等は省略する。

図３は、ＬＮ変調器１０と、ＬＮ変調器１０の出力ポート１０ａに接続される光ファイバＦ１と、ＬＮ変調器１０の入力ポート１０ｂに接続される光ファイバＦ３とを示す斜視図である。図３に示されるように、ＬＮ変調器１０は、長手方向Ａ１に沿って延びる直方体状（断面矩形状）の導電性筐体９を有する。導電性筐体９は、図２に示された受光素子１１、ＭＺ変調器１６及び１７、光分岐素子１８、並びに偏波合成素子１９を収容するとともに、ＬＮ変調器１０の基準電位を規定する。言い換えれば、導電性筐体９にはＬＮ変調器１０内部の電気回路の基準電位線が接続されている。長手方向Ａ１における導電性筐体９の一端面（後端面）には入力ポート１０ｂが設けられており、長手方向Ａ１における導電性筐体９の他端面（前端面）には出力ポート１０ａが設けられている。また、導電性筐体９は、該矩形の一辺に相当し上記一端面及び上記他端面と接続する側面（第１面）９ａと、該矩形の別の一辺に相当し側面９ａと交差する方向に延びる上面（第２面）９ｂとを有する。上面９ｂは上記一端面及び上記他端面と接続する面であり、その法線方向は側面９ａの法線方向と交差（例えば直交）する。

側面９ａの後部側には４つのＡＣ端子９ｃからなるＡＣ端子群が配置され、側面９ａの前部側にはＤＣ端子群である第１端子群１２が配置されている。４つのＡＣ端子９ｃそれぞれにはケーブルが接続される。第１端子群１２は、１組あたり６個のＤＣ端子を３組（計１８個）有する。これらのＤＣ端子には、図１に示された出力端子１２ａ，１２ｂ及び入力端子１２ｃ，１２ｄが含まれる。

図４及び図５（ａ）〜図５（ｃ）は、ＬＮ変調器１０、制御基板２０、及びＦＰＣ３０を組み立てる様子を示す図である。まず、図４に示されるように、ＬＮ変調器１０にＦＰＣ３０を取り付ける。ＦＰＣ３０は、一端部３０ａと、他端部３０ｂと、一端部３０ａ及び他端部３０ｂを相互につなぐ可撓性部分（曲げ部分）３０ｃとを有する。ＦＰＣ３０の配線群３３（図１参照）は、一端部３０ａから他端部３０ｂにわたって延びている。そして、一端部３０ａには第３端子群３１が設けられ、この第３端子群３１をＬＮ変調器１０の第１端子群１２に例えば半田等の導電性接着剤を介して接合することで、一端部３０ａをＬＮ変調器１０に固定する。これにより、一端部３０ａは導電性筐体９の側面９ａと対向し、側面９ａに沿って延びることとなる。なお、他端部３０ｂには第４端子群３２が設けられている。一端部３０ａの第３端子群３１は、ＬＮ変調器１０の第１端子群１２に対応する間隔で配置されており、他端部３０ｂの第４端子群３２は、一端部３０ａよりも間隔を狭めて配置されている。従って、他端部３０ｂの幅は一端部３０ａの幅よりも狭い。

次に、図５（ａ）に示される制御基板２０を準備する。制御基板２０は、表面２０ａと、裏面２０ｂとを有し、図１に示されたコンデンサ２２、抵抗素子２３〜２５、及び制御回路２６を裏面２０ｂ上に搭載している。また、制御基板２０の表面２０ａ上には、第２端子群２１が設けられている。この第２端子群２１に、ＦＰＣ３０の第４端子群３２を例えば半田等の導電性接着剤を介して接合する。これにより、ＬＮ変調器１０の第１端子群１２と制御基板２０の第２端子群２１とが、ＦＰＣ３０を介して互いに電気的に接続される。

続いて、図５（ｂ）に示されるように、導電性筐体９の上面９ｂの一部を覆うように導電性スペーサ（導電性部材）７１を配置する。導電性スペーサ７１は、その平面形状がいわゆるＵ字状（コの字状）である板状の部材であり、各辺に囲まれた中央部に空間を有し、該空間によってＦＰＣ３０の他端部３０ｂとの接触を回避する。導電性スペーサ７１としては、例えば２〜３ｍｍといった厚みを有する銅合金に金メッキを施したものが用いられる。ただし、金メッキに代えてＮｉメッキでもよく、あるいは、ベース金属として銅合金に代えてＳＵＳを用いてもよい。そして、図５（ｃ）に示されるように、この空隙にＦＰＣ３０の他端部３０ｂが収まるようにＦＰＣ３０の可撓性部分３０ｃを折り曲げる。これにより、制御基板２０は、その表面２０ａが導電性筐体９の上面９ｂと対向するように、上面９ｂ上に配置される。

図６は、図５（ｃ）のVI−VI線に沿った断面を示す図である。図６に示されるように、制御基板２０の表面２０ａ上には、基準電位線２７（図１参照）の一部を構成する導電膜２８が設けられている。導電膜２８は例えば金属膜であり、一実施例では銅箔である。そして、導電膜２８と導電性筐体９の上面９ｂとの間に、導電性スペーサ７１が配置される。導電性スペーサ７１の一方の板面は導電膜２８に接しており、導電性スペーサ７１の他方の板面は上面９ｂに接している。これにより、制御基板２０は、導電膜２８が導電性スペーサ７１を介して間接的に導電性筐体９に接触した状態で、導電性筐体９に固定される。なお、導電膜２８は、導電性スペーサ７１を介することなく直接に、導電性筐体９に接触してもよい。このように、導電膜２８と導電性筐体９とが広い面を介して直接または間接に接触することにより、制御基板２０の基準電位とＬＮ変調器１０の基準電位とを互いに厳密に合致させることができる。すなわち、制御基板２０の基準電位とＬＮ変調器１０の基準電位とを電気的に強固に結合させることができ、例えば、周囲に変調器の駆動信号等の高速で変化する信号があるような場合に、それによって発生するノイズの電流信号ＩＳ１への影響を抑制することができる。

ここで図７（ａ）は、制御基板２０を示す平面図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）のVII−VII線に沿った断面図である。前述したように、制御基板２０の表面２０ａ上には第２端子群２１が設けられている。第２端子群２１は、所定の方向（例えば図３に示された方向Ａ１）に沿って一列に配置された複数の端子からなる。これらの端子には、図１に示された入力端子２１ａ及び２１ｂ、並びに出力端子２１ｃ及び２１ｄが含まれる。本実施形態では、第２端子群２１を構成するこれらの端子は、金属膜（電極パッド）により構成される。

また、制御基板２０は、表面２０ａにおいて第２端子群２１の周辺に配置された第１追加端子２９ａを更に有する。例えば、図７（ａ）に示されるように、第１追加端子２９ａは第２端子群２１を挟んだ両側に少なくとも一つずつ（図では２つずつ）設けられる。そして、図７（ｂ）に示されるように、制御基板２０は、第１モニタ用端子２９ｂを裏面２０ｂ上に更に有する。第１モニタ用端子２９ｂは、制御基板２０の表面２０ａから裏面２０ｂに貫通するビア２９ｃを介して、第１追加端子２９ａと電気的に接続されている。本実施形態では、第１追加端子２９ａ及び第１モニタ用端子２９ｂは金属膜（電極パッド）により構成される。なお、第１追加端子２９aと第２端子群との間の距離は、数ｍｍ以内であることが望ましい。ただし、後述する電気的接続状態の不良検出が可能である限り、さらに長い距離をとっても良い。

また、図８は、ＦＰＣ３０を示す平面図である。前述したようにＦＰＣ３０は、一端部３０ａ、他端部３０ｂ、及び可撓性部分３０ｃを有する。そして、一端部３０ａには第３端子群３１が設けられており、第３端子群３１を構成する複数の端子は、ＦＰＣ３０の一端縁３０ｄに沿った方向に一列に並んで配置されている。また、他端部３０ｂには第４端子群３２が設けられており、第４端子群３２を構成する複数の端子は、ＦＰＣ３０の他端縁３０ｅに沿った方向に一列に並んで配置されている。本実施形態では、第４端子群３２を構成するこれらの端子は、金属膜（電極パッド）により構成される。一例では、一端縁３０ｄ及び他端縁３０ｅに沿った各方向は図３に示された方向Ａ１に沿っており、配線群３３（図１を参照）の延在方向と交差している。

そして、ＦＰＣ３０は、上記構成に加えて、第２追加端子３４ａを更に有する。第２追加端子３４ａは、第４端子群３２の周辺に配置され、ＦＰＣ３０の基準電位線（具体的には、図１に示された配線３３ｂ）に接続されている。例えば、第２追加端子３４ａは、第４端子群３２を挟んだ両側に少なくとも一つずつ設けられる。本実施形態では、第２追加端子３４ａは金属膜（電極パッド）により構成される。一例では、第２追加端子３４ａは、第４端子群３２に対して第３端子群３１側に配置されている。第２追加端子３４ａは、第４端子群３２が導電性接着剤を介して第２端子群２１と接合される際に、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示された第１追加端子２９ａと導電性接着剤を介して導電接着される。導電接着とは、例えば、ハンダによる電気的な接続を伴う接着である。なお、第２追加端子３４ａと第４端子群３２との間の距離は、第１追加端子と同様に、数ｍｍ以内であることが望ましい。ただし、後述する電気的接続状態の不良検出が可能である限り、さらに長い距離をとっても良い。

再び図７（ａ）を参照する。本実施形態の制御基板２０は、上記構成に加えて、表面２０ａ上に設けられた第３追加端子２９ｄを更に有する。ここで図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第３追加端子２９ｄ付近の制御基板２０の構造を拡大して示す切り欠き斜視図である。図９（ａ）は制御基板２０を裏面２０ｂ側から見た様子を示し、図９（ｂ）は制御基板２０を表面２０ａ側から見た様子を示す。図９（ａ）及び図９（ｂ）の第３追加端子２９ｄは同一のものを表している。

図９（ａ）に示されるように、制御基板２０は、裏面２０ｂ上に設けられた第２モニタ用端子２９ｅを更に有する。第３追加端子２９ｄと第２モニタ用端子２９ｅとは、制御基板２０を表面２０ａから裏面２０ｂまで貫通するビア２９ｆを介して電気的に接続されている。図９（ｂ）に示されるように、第３追加端子２９ｄは、導電膜２８に形成された開口２８ａ内に配置され、導電膜２８とは空隙を介して絶縁されている。そして、第３追加端子２９ｄは、導電膜２８と同様に、導電性筐体９の上面９ｂに直接若しくは導電性スペーサ７１を介して接触する。一例では、図７（ａ）に示されるように、導電膜２８が開口２８ａを複数有し、複数の第３追加端子２９ｄそれぞれが各開口２８ａ内に配置される。

なお、図には第３追加端子２９ｄ及び第２モニタ用端子２９ｅが円形状として示されているが、第３追加端子２９ｄ及び第２モニタ用端子２９ｅは様々な形状を有することができ、例えば四角形等の多角形状であってもよい。また、図には開口２８ａの形状が第３追加端子２９ｄの形状の相似形（円形状）である場合を例示しているが、開口２８ａの形状は第３追加端子２９ｄと異なってもよい。

以上の構成を備える本実施形態の光送信器１Ａによって得られる効果について説明する。この光送信器１Ａでは、制御基板２０が、基準電位線２７の一部を構成する導電膜２８を表面２０ａに有し、この導電膜２８が導電性筐体９に直接若しくは導電性スペーサ７１を介して接触した状態で導電性筐体９に固定される。従って、配線群３３の配線３３ｂが細い場合であっても、制御基板２０の基準電位をＬＮ変調器１０の基準電位と厳密に合致させることができ、制御回路２６に生じるノイズを効果的に抑えることができる。すなわち、制御基板２０の基準電位とＬＮ変調器１０の基準電位とを電気的により強固に結合させることができ、例えば、周囲にある変調器駆動用の差動電圧信号等によって発生するノイズの電流信号ＩＳ１への影響を抑制することができる。

図１０〜図１２は、制御基板２０での基準電位の変動（ノイズ）を計測した結果を示すグラフである。図１０はＬＮ変調器１０に変調信号（例えば、変調器駆動用の差動電圧信号）を入力しない状態を示し、図１１は変調信号を入力し、且つ導電膜２８と導電性筐体９とを接触させない状態（配線３３ｂのみによって基準電位を伝達する状態）を示し、図１２は変調信号を入力し、且つ導電膜２８を直接または間接に導電性筐体９に接触させた状態を示す。

ＦＰＣ３０の配線３３ｂのみによって基準電位を伝達する場合、その配線が細いためＬＮ変調器１０の基準電位と制御基板２０の基準電位との間にインピーダンス（例えば、抵抗やインダクタンス）が介在することとなる。図１０に示されるように、ＬＮ変調器１０に変調信号を入力しない状態では、制御基板２０の基準電位の変動（ノイズ）はほとんど生じない。しかし、ＬＮ変調器１０に制御基板２０から変調信号が入力されると、それらの基準電位間に介在するインピーダンスの影響により、変調信号に応じてＬＮ変調器１０と制御基板２０との基準電位差が揺らぐ。図１１に示されるように、これがノイズとして高周波増幅器２６ａで増幅されてしまう。このノイズは、制御回路２６の制御精度を低下させる一因となる。

これに対し、導電膜２８を直接または間接に導電性筐体９に接触させた場合、制御基板２０の基準電位とＬＮ変調器１０の基準電位とが厳密に合致するので、図１２に示されるように、制御基板２０の基準電位の変動（ノイズ）が格段に低減される。

図１３は、導電膜２８を直接または間接に導電性筐体９に接触させない場合、導電膜２８を直接または間接に導電性筐体９に接触させた場合のそれぞれについて、電流信号ＩＳ１と、高周波電力計３５ｂから出力されるアナログ信号Ｓ１との比較を示すグラフである。図１３において、横軸は電流信号ＩＳの振幅を表し、縦軸はアナログ信号Ｓ１の大きさを表す。なお、アナログ信号Ｓ１の大きさは、電圧信号ＶＳ１の振幅をＬｏｇスケールで変換したものとなっている。グラフＧ１は導電膜２８を導電性筐体９に接触させない場合を示し、グラフＧ２は導電膜２８を導電性筐体９に接触させた場合を示す。なお、グラフＧ３として示す直線は、理想的な応答すなわち電流信号ＩＳ１と電圧信号ＶＳ１との比例関係を表す。

図１３に示されるように、導電膜２８を導電性スペーサ７１に接触させない場合、ノイズの影響によって、グラフＧ１は電流信号ＩＳ１の比較的大きな振幅で下げ止まる（横軸と水平に裾を引き始める）。従って、この振幅以下の電流信号ＩＳ１を検出することができず、そのため、バイアス電圧ＶＢ１の制御精度が不足してしまう。これに対し、導電膜２８を直接または間接に導電性筐体９に接触させた場合、グラフＧ１よりも小さな振幅まで電流信号ＩＳ１とアナログ信号Ｓ１との線形性が維持される。従って、バイアス電圧ＶＢ１の制御精度を向上させることができる。

ここで、制御基板２０と導電性筐体９とを組み立てる際、制御基板２０がＬＮ変調器１０の上面９ｂに対して垂直に立った状態で導電接着が行われ（図５（ａ））、その後、ＬＮ変調器１０の上面９ｂに向けて折るようにして制御基板２０が配置される。その場合、制御基板２０とＬＮ変調器１０とが互いに同一平面上には無い状態で作業する必要があり、半田付け作業の難易度が高い。そのような作業においては、ＦＰＣ３０に対し、制御基板２０に取り付けられた状態からＬＮ変調器１０の上面９ｂとは逆の方向へ折るような力が加わることがある。その場合、制御基板２０の第２端子群２１から、ＦＰＣ３０の第４端子群３２を引き剥がす応力が生じ、第２端子群２１及び第４端子群３２の少なくとも一部の分離、或いは第２端子群２１の少なくとも一部と制御基板２０との分離といった接続不良が生じるおそれがある。そして、そのような接続不良が生じた場合に作業者が気付くことなく作業を継続すると、図５（ｃ）の工程において第２端子群２１及び第４端子群３２は制御基板２０に隠れるので、作業者がこれらの端子群２１，３２の接続不良に気付くことが困難となる。従って、組み立てを全て終えて通電させた際に接続不良が初めて認識されることとなる。

上記の問題に対し、本実施形態のＦＰＣ３０は、第４端子群３２の周辺に配置されてＦＰＣ３０の基準電位線に接続された第２追加端子３４ａを有する（図８を参照）。そして、制御基板２０は、ＬＮ変調器１０の導電性筐体９と対向する表面２０ａにおいて第２端子群２１の周辺に配置された第１追加端子２９ａを有し（図７を参照）、この第１追加端子２９ａは第２追加端子３４ａと導電接続される。従って、制御基板２０とＦＰＣ３０とが正常に接続されている限りにおいて、第１追加端子２９ａは基準電位となる。また、図５（ｃ）に示されるように制御基板２０がＬＮ変調器１０の上面９ｂ上に搭載されている状態であっても、第１追加端子２９ａの電位は、裏面２０ｂに設けられた第１モニタ用端子２９ｂの電位を測定することによって容易に確認することができる。

そして、例えば図５（ａ）〜図５（ｃ）に示された組立工程において制御基板２０とＦＰＣ３０との接続部分に意図しない力が加わり、第２端子群２１及び第４端子群３２の少なくとも一部が互いに分離するときには、その周辺に設けられている第１追加端子２９ａ及び第２追加端子３４ａも互いに分離することとなる。これらが分離すると、第１追加端子２９ａが基準電位ではなくなり、電気的に浮いた状態となる。この状態は、第１モニタ用端子２９ｂの電位を測定することにより容易に確認することができる。従って、この光送信器１Ａによれば、制御基板２０とＬＮ変調器１０との電気的な接続状態を容易に確認することができる。なお、第１追加端子２９ａと第２端子群２１との間の距離は、数ｍｍ以内であることが好ましい。ただし、電気的な接続状態の不良検出が可能である限り、さらに長い距離をとっても良い。また、第２追加端子３４ａと第４端子群３２との間の距離も、第１追加端子と同様に、数ｍｍ以内であることが好ましい。

また、本実施形態のように第２端子群２１と第４端子群３２とが導電性接着剤を介して互いに接合される場合、第２追加端子３４ａは、第４端子群３２に対して第３端子群３１側に配置されてもよい。第２端子群２１と第４端子群３２とが導電性接着剤を介して互いに接合される形態において、これらを分離させようとする力は、第４端子群３２に対して第３端子群３１側（すなわち可撓性部分３０ｃ側）から加わることが多い。従って、第２追加端子３４ａが第４端子群３２に対して第３端子群３１側に配置されることにより、第２端子群２１と第４端子群３２との分離より先に第１追加端子２９ａと第２追加端子３４ａとを確実に分離させて、第２端子群２１と第４端子群３２との分離をより精度良く確認することができる。なお、このような分離を精度良く確認するためには、第１追加端子２９ａと第２端子群２１との間の距離はできるだけ短いことが好ましい。また、同様に、第２追加端子３４ａと第４端子群３２との間の距離もできるだけ短いことが好ましい。さらに、第１追加端子２９ａと第２追加端子３４ａとは互いに導電接続される必要があるため、その要件も考慮してそれぞれの距離が決められることが好ましい。

また、本実施形態の制御基板２０は、ＬＮ変調器１０の導電性筐体９と対向する表面２０ａに設けられた第３追加端子２９ｄと、第３追加端子２９ｄに接続され裏面２０ｂに設けられた第２モニタ用端子２９ｅとを有する。そして、第３追加端子２９ｄは、導電膜２８に形成された開口２８ａ内に配置され、導電膜２８とともに、導電性筐体９の上面９ｂに直接若しくは導電性スペーサ７１を介して接触する。従って、導電膜２８と導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）とが正常に接触している限りにおいて、導電膜２８の開口２８ａ内に配置された第３追加端子２９ｄもまた導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）と正常に接触し、基準電位となる。第３追加端子２９ｄの電位は、裏面２０ｂに設けられた第２モニタ用端子２９ｅの電位を測定することによって容易に確認することができる。

そして、制御基板２０と導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）との接触が十分ではなく、導電膜２８の少なくとも一部が導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）から分離するときには、第３追加端子２９ｄも導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）から分離することとなる。これらが分離すると、第３追加端子２９ｄが基準電位ではなくなり、電気的に浮いた状態となる。この状態は、第２モニタ用端子２９ｅの電位を測定することにより容易に確認することができる。従って、この光送信器１Ａによれば、制御基板２０とＬＮ変調器１０との電気的な接続状態を容易に確認することができる。

また、本実施形態のように、導電膜２８が開口２８ａを複数有し、複数の第３追加端子２９ｄそれぞれが各開口２８ａ内に配置されてもよい。これにより、導電膜２８の複数の箇所において導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）との接触状態を確認し、導電膜２８と導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）との分離をより確実に見出すことができる。なお、複数の第３追加端子２９ｄの配置は任意であり、例えば制御基板２０の四隅や中央等に配置されてもよい。

ここで、図１４は、第１モニタ用端子２９ｂ及び第２モニタ用端子２９ｅの電位を測定する方法の一例を説明するための図である。この方法では、まず、第１モニタ用端子２９ｂ及び第２モニタ用端子２９ｅと同数の抵抗５１ａを用意し、これらの抵抗５１ａの各一端を、第１モニタ用端子２９ｂ及び第２モニタ用端子２９ｅのそれぞれに接続する。そして、これらの抵抗５１ａの各他端を抵抗値計５２に接続する。これらの抵抗５１ａの抵抗値は、互いに異なるものとする。この場合、抵抗値計５２では、これらの抵抗５１ａによる合成抵抗値が測定される。そして、何れかの第１追加端子２９ａがＦＰＣ３０の第２追加端子３４ａから分離し、或いは何れかの第３追加端子２９ｄが導電性スペーサ７１（若しくは導電性筐体９）から分離すると、その合成抵抗値は、分離が生じた箇所に対応する固有の値に変化する。従って、抵抗値計５２における測定値を観察することにより、複数の第１追加端子２９ａ及び複数の第３追加端子２９ｄのうち何れの箇所で分離が生じたかを正確に判断することができる。また、複数の第１モニタ用端子２９ｂ及び複数の第２モニタ用端子２９ｅの各電位を個別に測定する場合と比較して、これらの電位を一括して測定できるので、作業時間を格段に短縮することができる。

（変形例）
図１５は、上記実施形態の一変形例として、ＬＮ変調器１０、制御基板２０Ａ、およびＦＰＣ３０Ａを備える光送信器１Ｂの組立途中（図５（ｂ）に対応）を示す斜視図である。なお、下記の説明を除いて、制御基板２０Ａ及びＦＰＣ３０Ａの構成は、上記実施形態の制御基板２０及びＦＰＣ３０の構成と同様である。

本変形例の制御基板２０Ａでは、第２端子群２１が、電極パッドではなく表面２０ａ上に設けられた第１コネクタ４５に含まれている。また、本変形例のＦＰＣ３０Ａでは、第４端子群３２が、電極パッドではなく他端部３０ｂに設けられた第２コネクタ４６に含まれている。そして、これらの第１コネクタ４５と第２コネクタ４６とが互いに嵌合することによって、第２端子群２１と第４端子群３２とが相互に導電接続される。

本変形例においては、第１追加端子２９ａもまた、電極パッドではなく第１コネクタ４５に含まれており、第２追加端子３４ａもまた、電極パッドではなく第２コネクタ４６に含まれている。一例では、少なくとも一対の第１追加端子２９ａが、第１コネクタ４５のピン配列内において第２端子群２１を挟む位置に設けられている。同様に、少なくとも一対の第２追加端子３４ａが、第２コネクタ４６のピン配列内において第４端子群３２を挟む位置に設けられている。

なお、コネクタ４５及び４６は、例えば表面実装コネクタ構造におけるソケット及びヘッダである。この場合、コネクタ４５及び４６それぞれと制御基板２０Ａ及びＦＰＣ３０Ａそれぞれとの接続は、例えばリフローを用いた自動はんだ付けによって容易に行われる。そして、制御基板２０Ａ及びＦＰＣ３０Ａの組み立て作業はコネクタを勘合させるのみであり、作業難易度を下げることができる。

第２端子群２１と第４端子群３２とがこれらのコネクタ４５，４６により互いに接続される場合、第２端子群２１と第４端子群３２との分離は、第１コネクタ４５と第２コネクタ４６との分離（浮き）によって生じる。図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、コネクタ４５，４６の分離の態様を示す図である。コネクタ４５，４６が分離する場合、図１６（ａ）に示されるように長手方向の片側から分離するか、或いは、図１６（ｂ）に示されるように長手方向の両側が同時に分離するかの何れかとなる。すなわち、コネクタ４５，４６が分離する際には、少なくともこれらの一端は必ず分離することとなる。従って、本変形例のように、少なくとも一対の第１追加端子２９ａがコネクタ４５において第２端子群２１を挟む位置に設けられ、少なくとも一対の第２追加端子３４ａがコネクタ４６において第４端子群３２を挟む位置に設けられることによって、第２端子群２１と第４端子群３２との分離より先に第１追加端子２９ａと第２追加端子３４ａとを確実に分離させて、第２端子群２１と第４端子群３２との分離をより精度良く確認することができる。

本発明による光送信器は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、本発明における第１追加端子及び第２追加端子の配置は第２端子群及び第４端子群の周辺であればよく、上記実施形態に限られず任意の様々な配置が可能である。

１Ａ，１Ｂ…光送信器、９…導電性筐体、９ａ…側面、９ｂ…上面、９ｃ…ＡＣ端子、１０…ＬＮ変調器、１１…受光素子、１２…第１端子群、１６，１７…ＭＺ変調器、１８…光分岐素子、１９…偏波合成素子、２０…制御基板、２０ａ…表面、２０ｂ…裏面、２１…第２端子群、２２…コンデンサ、２３〜２５…抵抗素子、２６…制御回路、２７…基準電位線、２８…導電膜、２９ａ…第１追加端子、２９ｂ…第１モニタ用端子、２９ｄ…第３追加端子、２９ｅ…第２モニタ用端子、３０…ＦＰＣ、３０ａ…一端部、３０ｂ…他端部、３０ｃ…可撓性部分、３１…第３端子群、３２…第４端子群、３３…配線群、３４ａ…第２追加端子、４５…第１コネクタ、４６…第２コネクタ、５１ａ…抵抗、５２…抵抗値計、７１…導電性スペーサ、Ｄ１〜Ｄ３…ディジタル信号、Ｆ１，Ｆ３…光ファイバ、ＩＳ１…電流信号、Ｓ１，Ｓ２…アナログ信号、ＶＢ１，ＶＢ２…バイアス電圧、ＶＳ１，ＶＳ２…電圧信号。

Claims (5)

1. マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、前記導電性筐体に収容されて前記マッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、前記受光素子によって生成された電気信号を出力する第１出力端子と前記基準電位を出力する第２出力端子とを含む第１端子群と、を有するＬＮ変調器と、
   前記第１出力端子に電気的に接続されて前記電気信号を受ける第１入力端子と前記第２出力端子に電気的に接続されて前記基準電位を受ける第２入力端子とを含む第２端子群、並びに前記第２端子群に接続されて前記電気信号に応じて前記マッハツェンダ型変調器のバイアス電圧を制御する回路を有する制御基板と、
   前記第１端子群に導電接続される第３端子群と、前記第２端子群に導電接続される第４端子群と、前記第３端子群と前記第４端子群とを相互に接続する配線と、を有するフレキシブルプリント基板と、を備え、
   前記導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有し、前記第１端子群は前記第１面に設けられ、
   前記制御基板は、前記回路の基準電位線の一部を構成する導電膜及び前記第２端子群を表面に有し、前記導電膜が前記導電性筐体の前記第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通した状態で前記導電性筐体に固定され、
   前記制御基板は、前記表面において前記第２端子群の周辺に配置された第１追加端子と、前記第１追加端子に接続され前記表面と反対の裏面に設けられた第１モニタ用端子とを更に有し、
   前記フレキシブルプリント基板は、前記第４端子群の周辺に配置され、該フレキシブルプリント基板の基準電位線に接続されるとともに前記第１追加端子に導電接続された第２追加端子を更に有する、光送信器。
2. 前記第２端子群と前記第４端子群とが導電性接着剤を介して導通状態で接合され、
   前記第２追加端子は前記第４端子群の位置を基準にして前記第３端子群と同じ側に配置されている、請求項１に記載の光送信器。
3. 前記制御基板に設けられて前記第２端子群を含む第１コネクタと、前記フレキシブルプリント基板に設けられて前記第４端子群を含む第２コネクタとが互いに嵌合され、
   少なくとも一対の前記第１追加端子が、前記第１コネクタにおいて前記第２端子群を挟む位置に設けられ、
   少なくとも一対の前記第２追加端子が、前記第２コネクタにおいて前記第４端子群を挟む位置に設けられている、請求項１に記載の光送信器。
4. マッハツェンダ型変調器を収容し基準電位を規定する導電性筐体と、前記導電性筐体に収容されて前記マッハツェンダ型変調器から出力される出力光の強度を検出する受光素子と、前記受光素子によって生成された電気信号を出力する第１出力端子と前記基準電位を出力する第２出力端子とを含む第１端子群と、を有するＬＮ変調器と、
   前記第１出力端子に電気的に接続されて前記電気信号を受ける第１入力端子と前記第２出力端子に電気的に接続されて前記基準電位を受ける第２入力端子とを含む第２端子群、並びに前記第２端子群に接続されて前記電気信号に応じて前記マッハツェンダ型変調器のバイアス電圧を制御する回路を有する制御基板と、
   前記第１端子群に導電接続される第３端子群と、前記第２端子群に導電接続される第４端子群と、前記第３端子群と前記第４端子群とを相互に接続する配線と、を有するフレキシブルプリント基板と、を備え、
   前記導電性筐体は、法線方向が互いに交差する第１面及び第２面を有し、前記第１端子群は前記第１面に設けられ、
   前記制御基板は、前記回路の基準電位線の一部を構成する導電膜及び前記第２端子群を表面に有し、前記導電膜が前記導電性筐体の前記第２面に直接若しくは導電性部材を介して導通した状態で前記導電性筐体に固定され、
   前記制御基板は、前記表面に設けられた第３追加端子と、前記第３追加端子に接続され前記表面と反対の裏面に設けられた第２モニタ用端子とを更に有し、
   前記第３追加端子は、前記導電膜に形成された開口内に配置され、前記導電性筐体の前記第２面に直接若しくは前記導電性部材を介して導通状態で接触する、光送信器。
5. 前記導電膜が前記開口を複数有し、複数の前記第３追加端子それぞれが各開口内に配置されている、請求項４に記載の光送信器。

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