JP2012074793A - 信号伝送装置 - Google Patents

信号伝送装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012074793A
JP2012074793A JP2010216423A JP2010216423A JP2012074793A JP 2012074793 A JP2012074793 A JP 2012074793A JP 2010216423 A JP2010216423 A JP 2010216423A JP 2010216423 A JP2010216423 A JP 2010216423A JP 2012074793 A JP2012074793 A JP 2012074793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
emitting element
current
voltage
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010216423A
Other languages
English (en)
Inventor
Kengo Noguchi
健吾 野口
Yukio Akazawa
幸雄 赤澤
Chiemi Yamagata
智枝美 山形
Atsushi Nakada
敦 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PHI MICROTECH Inc
Yazaki Corp
Original Assignee
PHI MICROTECH Inc
Yazaki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by PHI MICROTECH Inc, Yazaki Corp filed Critical PHI MICROTECH Inc
Priority to JP2010216423A priority Critical patent/JP2012074793A/ja
Priority to CN201180046924.XA priority patent/CN103155453B/zh
Priority to PCT/JP2011/072183 priority patent/WO2012043630A1/ja
Priority to EP11829183.0A priority patent/EP2624483A4/en
Publication of JP2012074793A publication Critical patent/JP2012074793A/ja
Priority to US13/851,072 priority patent/US9037003B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters
    • H04B10/564Power control
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/50Transmitters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

【課題】装置の大型化を招くことなく、簡易な構成で発光素子の温度補償を実現する。
【解決手段】素子駆動用IC20は、所定の電圧Aおよび温度に応じた電圧Bを発生する基準電圧発生部41と、バイアス電流Ibiasおよび変調電流Imodを温度に応じて制御する温度補償部42とを有している。この温度補償部42は、基準電圧発生部41から印加される電圧A,Bに基づいて、変化点を境に傾きが負から正へと変化する直線によって表現される発光素子11の温度電流特性を再現することにより、温度に応じた電流制御を行う。
【選択図】図2

Description

本発明は、データ伝送を行う信号伝送装置に関り、特に、光信号を出力する発光素子の温度補償機能を備える装置に関する。
近年、自動車等の車両に搭載される各種の電子機器間のデータ伝送を光ケーブルを用いて行う手法が知られている。光ケーブルによって接続される電子機器は、当該光ケーブルを接続するためのコネクタを備え、このコネクタはFOT(Fiber Optic Transcever)と呼ばれる光電変換モジュールを備えている。この光電変換モジュールにより、光信号と電気信号との間の変換が行われる。
送信機能を有する光電変換モジュールは、例えば、発光素子と、素子駆動用ICとを主体に構成されている。ここで、素子駆動用ICは、データ伝送を行う信号伝送装置としての機能を担っており、発光素子を駆動することにより、電子機器の制御回路からの電気信号であるデータ信号に応じた光信号を出力する。
このような光電変換モジュールにおいて、発光素子の出力パワーおよび消光比は温度によって変動するために、これらを一定に保つためには、素子駆動用ICにより温度に応じて電流値を制御する必要がある(温度補償)。例えば、特許文献1には、発光素子の温度補償機能を備えた発光装置が開示されている。この発光装置において、電源回路の入力端子には温度補償回路で検出された温度信号が入力されている。これにより、電源回路は、周囲温度の上昇を検出した温度信号に応じて出力電圧を下げ、一方、周囲温度の下降を検出した温度信号に応じて出力電圧を上げるように構成されている。
特開2007−324493号公報
しかしながら、特許文献1に開示された手法によれば、温度補償回路としてサーミスタを使用しているため、実装部品が増加し、装置の大型化を招くという問題がある。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、装置の大型化を招くことなく、簡易な構成で発光素子の温度補償を実現することである。
かかる課題を解決するために、本発明は、発光素子を駆動することにより、電子機器からのデータ信号である電気信号に応じた光信号を出力する信号伝送装置を提供する。この信号伝送装置は、発光素子の発光情報を示すデータ信号に応じた変調電流をバイアス電流に重畳させた駆動電流を発光素子に供給する素子駆動部と、温度に応じた電圧を発生する第1の電圧発生部と、温度に拘わらず所定の電圧を発生する第2の電圧発生部と、バイアス電流および変調電流を温度に応じて制御する温度補償部とを有する。この場合、温度補償部は、第1の電圧発生部から印加される電圧と第2の電圧発生部から印加される電圧とに基づいて発光素子の温度電流特性を再現することにより、温度に応じた電流制御行う。
ここで、本発明において、発光素子の温度電流特性は、変化点を境に低温側で負の傾きおよび高温側で正の傾きとなる直線によって表現されることが好ましい。
また、本発明において、温度補償部は、第1の電圧発生部から印加される電圧と第2の電圧発生部から印加される電圧とのそれぞれを対象として、増幅処理、反転処理および合成処理の各処理を施すことにより、発光素子の温度電流特性を再現することが望ましい。
さらに、本発明において、温度補償部は、異なる特性の発光素子に対応して複数設けられており、複数の温度補償部の中から任意の温度補償部を選択的に使用可能であることが好ましい。
温度に拘わらず一定の電圧と、温度に応じて変化する電圧とを生成する機能を有することにより、この二種類の電圧に基づいて発光素子の温度電流特性を再現することが可能となる。これにより、サーミスタなどを利用する必要もないので、発光素子の温度補償を簡素かつ小型な構成で実現することができる。
光コネクタ1の構成を模式的に示すブロック図 素子駆動用IC12を模式的に示すブロック構成図 電流生成部40の構成を模式的に示すブロック図 温度補償の概念を説明する説明図 加減算部43の構成を示すブロック図 加減算部43の機能を示す説明図 温度補償の概念を説明する説明図
図1は、本発明の実施形態にかかる光コネクタ1の構成を模式的に示すブロック図である。本実施形態にかかる光コネクタ1は、例えば、光通信分野で用いられるレセプタクルタイプの雌型光コネクタである。この光コネクタ1は、ディスプレイやナビゲーションシステムといった各種の電子機器に設けられており、当該電子機器が備えるプリント配線基板2と電気的に接続されている。この光コネクタ1は、例えば、光ケーブルを取り付けた雄型光コネクタが接続されることで、電子機器間で大容量の光通信を行うことを可能としている。
光コネクタ1は、FOT(Fiber Optic Transcever)と呼ばれる光電変換モジュール10を備えている。この光電変換モジュール10は、金属性リードフレームから延出された複数のリード端子が、電子機器が備えるプリント配線基板2上に半田付けされている。
また、光コネクタ1は、光電変換モジュール10(具体的には、後述する発光素子11)と、雄型光コネクタにおけるフェルール端面(光ケーブル端面)との間に介在する光学部品としてのスリーブ13を備えている。スリーブ13は、光透過性を有する透明な材料により成形される導光部材と、この導光部材の周囲に設けられる円筒部とで構成されている。
光電変換モジュール10は、発光素子11および素子駆動用IC12を主体に構成されている。発光素子11および素子駆動用IC12は、導電性を有する金属性リードフレーム上にワイヤボンディングされた状態でそれぞれ搭載されている。
発光素子11は、光ケーブル側へと光信号を出力する。発光素子11としては、例えば、半導体レーザを用いることができる。すなわち、本実施形態にかかる光コネクタ1は、光ケーブルを介して光信号を送信するための送信用コネクタとして構成されたものである。
なお、光電変換モジュール10は、発光素子11およびこの素子駆動用IC12に加え、受光素子およびこの素子駆動用ICをさらに備えることで、光信号を送受信可能に構成してもよい。
図2は、素子駆動用IC12を模式的に示すブロック構成図である。素子駆動用IC12は、発光素子11を駆動することにより、電子機器の制御回路(プリント配線基板2)と光ケーブルとの間のデータ伝送を行う。すなわち、素子駆動用IC12は、電子機器の制御回路からの電気信号であるデータ信号VINP,VINNに応じて発光素子11を駆動し、これにより、発光素子11からデータ信号VINP,VINNに応じた光信号を出力する。素子駆動用IC12は、これを機能的に捉えた場合、電源管理ユニット20と、メイン制御ユニット30とを有している。
ここで、電源管理ユニット20およびメイン制御ユニット30は機能的に分離しているのみならず、電源系統も互いに独立している。具体的には、電源部50からメイン制御ユニット30に対して動作電力を供給する電源ラインには、スイッチ15が設けられている。このスイッチ15のオンオフ状態を切り替えることにより、メイン制御ユニット30の電源をオンしたりオフしたりすることができる。スイッチ15がオンであれば、メイン制御ユニット30の電源がオンされた状態となり、スイッチ15がオフである場合には、メイン制御ユニット30の電源がオフされた状態となる。一方、電源部50から電源管理ユニット20に対して動作電力を供給する電源ラインは常時オンに設定されている。すなわち、電源管理ユニット20は、定常的に動作状態に設定されている点においてメイン制御ユニット30とは異なる。
電源管理ユニット20は、データ信号VINP,VINNに基づいてメイン制御ユニット30の電源のオンオフを管理する。具体的には、電源管理ユニット20は、データ信号VINP,VINNの入力を判断すると、スイッチ15をオンに制御する。また、電源管理ユニット20は、スイッチ15をオン制御した後、データ信号VINP,VINNが所定期間にわたり入力されないことを判断すると、スイッチ15をオンからオフに制御する。
メイン制御ユニット30は、データ伝送を主として行うユニットであり、具体的には、データ信号VINP,VINNに基づいて発光素子11から光信号を出力する。メイン制御ユニット30は、受信部31と、バッファー部32と、素子駆動部33と、電流生成部40とを主体に構成されている。
受信部31は、電子機器の制御回路(プリント配線基板2)から出力されるデータ信号VINP,VINNを受信する。受信部31と電子機器の制御回路との間におけるデータ伝送の仕様としては、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)と呼ばれる高速デジタル信号の伝送に適した低電圧差動信号を用いることができる。このLVDSは、一対の伝送路に異なる電圧を印加することにより、伝送路間の電圧差を利用して信号伝送を行う。すなわち、受信部31は、一対の伝送路を介してデータ信号VINP,VINNをそれぞれ受信する。受信部31によって受信されたデータ信号VINP,VINNは、バッファー部32を経て素子駆動部33へと出力される。
素子駆動部33は、発光素子11を駆動することにより、データ信号VINP,VINNに応じた光信号を出力する。具体的には、素子駆動部33は、発光素子11の発光情報、すなわち、データ信号VINP,VINNに応じた変調電流Imodをバイアス電流Ibiasに重畳させた駆動電流を発光素子11に供給する。バイアス電流Ibiasおよび変調電流Imodは、電流生成部40から供給される。
図3は、電流生成部40の構成を模式的に示すブロック図である。電流生成部40は、発光素子11の温度補償機能を備えており、バイアス電流Ibiasおよび変調電流Imodを温度に応じて制御する。この電流生成部40は、基準電圧発生部41と、温度補償部42とを有している。
基準電圧発生部41は、温度補償にともなう電流制御において必要となる二種類の電圧A,Bを発生する(第1および第2の電圧発生部)。基準電圧発生部41が発生する一方の電圧Aは、温度に拘わらず一定の値となる傾向を有している。これに対して、基準電圧発生部41が発生する他方の電圧Bは、温度(周囲の雰囲気温度)に応じて値が変化する傾向を有しており、具体的には、温度が高いほど電圧値が小さくなるような比例関係を有している。ここで、図4は温度補償の概念を説明する説明図であり、(a)は基準電圧発生部41による電圧A,Bと温度との関係を示している。
温度補償部42は、基準電圧発生部41から印加される二種類の電圧A,Bに基づいて、発光素子11の温度電流特性を再現することにより、温度に応じた電流制御を行う(電流の温度補償)。本実施形態において、発光素子11の温度電流特性は、変化点を境に低温側で負の傾きおよび高温側で正の傾きとなる直線によって表現される。温度補償部42は、これを機能的に捉えた場合、加減算部43と、出力部44とを有する。
図5は、加減算部43の構成を示すブロック図である。加減算部43は、電圧Bを対象として増幅処理を行う増幅回路45、電圧Aを対象として増幅処理または電圧Bとの比較で反転出力する増幅回路46、増幅回路45,46からの電圧A,Bを合成(加減算)する合成回路47で構成されている。すなわち、加減算部43は、基準電圧発生部41が発生する二種類の電圧A,Bのそれぞれを対象として、増幅処理、反転処理および合成処理の各処理を施す。このような各処理を通じて、変化点Cを境に低温側で正の傾きおよび高温側で負の傾きとなる直線によって表現される発光素子11の温度電圧特定が再現され(図4(b)参照)、加減算部43は、温度と対応する所定の電圧を出力する。
ここで、図6(a)に示すように、電圧Bが入力される増幅回路45のゲインを設定することにより、高温側、すなわち、変化点Cよりも高温側の直線の傾きを設定することができる。また、図6(b)に示すように、電圧Aが入力される増幅回路46のゲインを設定することにより、変化点Cの上下方向位置(電圧の大小方向位置)および変化点Cよりも低温側の直線の傾きを設定することができる。各増幅回路45,46のゲインは、後述するように、発光素子11の温度補償を考慮した温度電流特性(図4(c))が得られるようにとの観点から、実験やシミュレーションを通じて最適値が予め設定されている。
出力部44は、電圧と電流とを変換することにより、温度電圧特性から温度電流特性を導き、これにより、発光素子11の温度補償を考慮したバイアス電流Ibiasおよび変調電流Imodを生成する。この出力部44の変換により、図4(c)に示すように、変化点を境に低温側で負の傾きおよび高温側で正の傾きとなる直線によって表現される発光素子11の温度電流特性が再現される。
このように本実施形態において、素子駆動用IC20は、所定の電圧Aおよび温度に応じた電圧Bを発生する基準電圧発生部41と、バイアス電流Ibiasおよび変調電流Imodを温度に応じて制御する温度補償部42とを有している。この温度補償部42は、基準電圧発生部41から印加される電圧A,Bに基づいて、変化点を境に傾きが負から正へと変化する直線によって表現される発光素子11の温度電流特性を再現することにより、温度に応じた電流制御行う。
発光素子11の出力パワーおよび消光比は温度によって変動するために、これらを一定に保つためには温度に応じて電流値を制御する必要がある(温度補償)。このような温度補償としては、発光素子11の温度電流特性を再現することが重要である。発光素子11の温度電流特性としては、例えば、変化点を境に、低温側で負の温度傾斜、高温側で急峻な正の温度傾斜となる。
そこで、定電圧となる電圧Aと、温度に応じて変化する電圧Bとを生成する基準電圧発生部41を保有することで、この二種類の電圧A,Bに基づいて前述の温度電流特性を再現することができる。これにより、サーミスタなどを利用する必要もないので、発光素子11の温度補償を簡素かつ小型な構成で実現することができる。
また、本実施形態によれば、温度補償部42は、基準電圧発生部41から印加される電圧A,Bのそれぞれを対象として、増幅処理、反転処理および合成処理の各処理を施すことにより、発光素子の温度電流特性を再現する。これにより、2つの基準の電圧A,Bから低温側で負の温度傾斜および高温側で正の温度傾斜となる発光素子11の温度電流特性を一義的に得ることができる。これにより、サーミスタの出力値を参照してマップ演算するといったように複雑な構成を必要とせずに簡便な手法で発光素子11の温度補償を実現することができる。
なお、上述した実施形態では、温度補償部42は、一つのみ設けられているが、複数の温度補償部42を備えていてもよい。この場合、個々の温度補償部42は、搭載される可能性がある種々の発光素子11に対応して、増幅処理、反転処理および合成処理の各処理を事前に設定しておくことで、様々な発光素子11に対応可能な温度補償部42を用意することができる。また、このような構成の場合には、個々の温度補償部42の選択は、PAD配線の選択に応じて外部から実現することが好ましい。これにより、発光素子11に応じて素子駆動用IC12を再設計するといった必要もなく、汎用性に優れた装置を提供することができる。
また、上述した実施形態によれば、発光素子の温度電流特性として、変化点を境に低温側で負の傾き(温度傾斜)および高温側で正の傾き(温度傾斜)となる直線によって表現される形態を例示した。しかしながら、発光素子の温度電流特性は、当該素子の特性に応じて種々の態様となるため、本発明はこれに限定されることはない。
たとえば、図7に示すように、電圧Bが入力される増幅回路45のゲインおよび電圧Aが入力される増幅回路46のゲインをそれぞれ設定することにより、変化点Cを境に低温側で負の傾きおよび高温側で正の傾きとなる直線によって表現される発光素子の温度電圧特定を再現することができる(同図(b))。これにより、同図(c)に示すように、変化点を境に低温側で正の傾きおよび高温側で負の傾きとなる直線によって表現される発光素子の温度電流特性を再現することが可能となる。
また、本発明は、前述の形態に限定されず、電圧Bが入力される増幅回路45のゲインおよび電圧Aが入力される増幅回路46のゲインをそれぞれ設定することにより再現される種々の発光素子の温度電流特性に基づいて、その温度補償を行うことができる。すなわち、発光素子の温度電流特性は、変化点を境に低温側で第1の傾きおよび高温側で第2の傾きとなる直線によって表現される発光素子の温度電流特性を再現されればよい。この場合、低温側における第1の傾きとしては、正の傾き、ゼロおよび負の傾きのいずれかが挙げられ、高温側における第2の傾きとしては、正の傾き、ゼロおよび負の傾きのいずれかが挙げられる。そして、第1の傾きおよび第2の傾きの任意の組み合わせからなる温度電流特性を有する発光素子について、本発明が適用可能である。
1 光コネクタ
2 プリント配線基板
10 光電変換モジュール
11 発光素子
12 素子駆動用IC
13 スリーブ
15 スイッチ
20 電源管理ユニット
30 メイン制御ユニット
31 受信部
32 バッファー部
33 素子駆動部
40 電流生成部
41 基準電圧発生部
42 温度補償部
43 加減算部
44 出力部
45 増幅回路
46 増幅回路
47 合成回路
50 電源部

Claims (5)

  1. 発光素子を駆動することにより、電子機器からのデータ信号である電気信号に応じた光信号を出力する信号伝送装置において、
    前記発光素子の発光情報を示す前記データ信号に応じた変調電流をバイアス電流に重畳させた駆動電流を前記発光素子に供給する素子駆動部と、
    温度に応じた電圧を発生する第1の電圧発生部と、
    温度に拘わらず所定の電圧を発生する第2の電圧発生部と、
    前記バイアス電流および前記変調電流を温度に応じて制御する温度補償部とを有し、
    前記温度補償部は、前記第1の電圧発生部から印加される電圧と前記第2の電圧発生部から印加される電圧とに基づいて前記発光素子の温度電流特性を再現することにより、温度に応じた電流制御行うことを特徴とする信号伝送装置。
  2. 前記発光素子の温度電流特性は、変化点を境に低温側で負の傾きおよび高温側で正の傾きとなる直線によって表現されることを特徴とする請求項1に記載された信号伝送装置。
  3. 前記発光素子の温度電流特性は、変化点を境に低温側で正の傾きおよび高温側で負の傾きとなる直線によって表現されることを特徴とする請求項1に記載された信号伝送装置。
  4. 前記温度補償部は、前記第1の電圧発生部から印加される電圧と前記第2の電圧発生部から印加される電圧とのそれぞれを対象として、増幅処理、反転処理および合成処理の各処理を施すことにより、前記発光素子の温度電流特性を再現することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載された信号伝送装置。
  5. 前記温度補償部は、異なる特性の発光素子に対応して複数設けられており、
    当該複数の温度補償部の中から任意の温度補償部を選択的に使用可能であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載された信号伝送装置。
JP2010216423A 2010-09-28 2010-09-28 信号伝送装置 Pending JP2012074793A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010216423A JP2012074793A (ja) 2010-09-28 2010-09-28 信号伝送装置
CN201180046924.XA CN103155453B (zh) 2010-09-28 2011-09-28 信号传送装置
PCT/JP2011/072183 WO2012043630A1 (ja) 2010-09-28 2011-09-28 信号伝送装置
EP11829183.0A EP2624483A4 (en) 2010-09-28 2011-09-28 Signal transmission device
US13/851,072 US9037003B2 (en) 2010-09-28 2013-03-26 Signal transmission device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010216423A JP2012074793A (ja) 2010-09-28 2010-09-28 信号伝送装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012074793A true JP2012074793A (ja) 2012-04-12

Family

ID=45893069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010216423A Pending JP2012074793A (ja) 2010-09-28 2010-09-28 信号伝送装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9037003B2 (ja)
EP (1) EP2624483A4 (ja)
JP (1) JP2012074793A (ja)
CN (1) CN103155453B (ja)
WO (1) WO2012043630A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012074793A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Yazaki Corp 信号伝送装置
JP6346627B2 (ja) * 2016-01-27 2018-06-20 ミネベアミツミ株式会社 センサ情報収集装置
CN113972558B (zh) * 2021-10-18 2023-09-29 厦门优迅高速芯片有限公司 光学器件驱动电路、光组件及电子设备

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007102236A1 (ja) * 2006-03-09 2007-09-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光送信回路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5043992A (en) * 1989-10-06 1991-08-27 At&T Bell Laboratories Laser driver with temperature compensation
JPH07111355A (ja) * 1993-10-14 1995-04-25 Mitsubishi Electric Corp 光送信器
US5844928A (en) * 1996-02-27 1998-12-01 Lucent Technologies, Inc. Laser driver with temperature sensor on an integrated circuit
FR2798780B1 (fr) * 1999-09-17 2002-10-25 Thomson Csf Procede et dispositif de controle de la puissance optique d'un emetteur laser
US6917639B2 (en) * 2001-08-09 2005-07-12 Ricoh Company, Ltd. Laser driver circuit
JP2006269981A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Toshiba Corp 光半導体発光素子駆動回路
JP2007324493A (ja) 2006-06-03 2007-12-13 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、発光素子駆動回路及び発光素子の駆動方法
JP2009141448A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Sharp Corp 光伝送システム
JP2012074793A (ja) * 2010-09-28 2012-04-12 Yazaki Corp 信号伝送装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007102236A1 (ja) * 2006-03-09 2007-09-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光送信回路

Also Published As

Publication number Publication date
US20130216237A1 (en) 2013-08-22
CN103155453A (zh) 2013-06-12
CN103155453B (zh) 2016-03-09
EP2624483A4 (en) 2017-01-04
WO2012043630A1 (ja) 2012-04-05
US9037003B2 (en) 2015-05-19
EP2624483A1 (en) 2013-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10116393B2 (en) Driver module for Mach Zehnder modulator
TWI644524B (zh) 光學接收電路、光學接收器件及光學傳輸系統
US10598871B2 (en) Active optical cable for wearable device display
US9590738B2 (en) Current voltage conversion circuit, light receiving apparatus, and light transmission system
US20110058819A1 (en) Optical transmission device
TW200939587A (en) Optical transceiver
WO2012043630A1 (ja) 信号伝送装置
TW200614550A (en) LED drive circuit
US10111332B1 (en) Composite cable to be connected to flat panel-shaped electrical equipment
US20110241778A1 (en) Peaking circuit, method for adjusting peaking circuit, differential amplifier installing peaking circuit, laser diode driving circuit installing peaking circuit, and data processing unit installing peaking circuit
CN102723664A (zh) Eml激光器的控制方法和控制电路
CN107979420B (zh) Cxp光模块及光通信装置
JP2015046487A (ja) 光モジュール及び光ケーブル
JP2008010990A (ja) 光受信器
JP2007187742A (ja) 光コネクタおよび基板
JP2012074438A (ja) 信号伝送装置および発光素子の温度補償の検査方法
JP5040614B2 (ja) データ伝送装置
JP2016219986A (ja) 光通信モジュール
WO2014197862A2 (en) Driver circuit with asymmetric boost
JP6648617B2 (ja) 光送信器
Ito et al. 4-ch 25-Gb/s Small and Low-power VCSEL Driver Circuit with Unbalanced CML in 65-nm CMOS
JP2019101346A (ja) 光送信モジュール及び光モジュール
JP2006094559A (ja) 光信号処理装置
JP2009194317A (ja) 光伝送モジュール
Bauwelinck et al. High-speed electronics for short-link communication

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140624

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20141224