JP2013129591A - 単結晶を製造するための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フローティングゾーン法を用いて単結晶を製造するための方法および装置によると、単結晶は誘導加熱コイルによって溶融ゾーンの下方において結晶化境界で結晶化し、結晶化熱の放出は単結晶を囲むリフレクタによって抑制され、単結晶は第1のゾーンにおいて加熱装置によって結晶化境界の外縁の領域で加熱され、結晶化境界の外縁における外側の三重点Taと結晶化境界の中心Zとの間の距離Δに影響を与えることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
加熱装置6を用いて、単結晶に、好ましくは2kW以上12kW以下、特に好ましくは4kW以上10kW以下の電力のエネルギを供給する。この範囲の上限は直径150mmの単結晶と関連がある。直径がこれよりも大きい単結晶を製造しようとする場合、上記範囲の上限はこれら直径同士の比率に相当するファクタだけ高い。
Claims (19)
- フローティングゾーン法を用いて単結晶を製造するための方法であって、前記単結晶は誘導加熱コイルにより溶融ゾーンの下方において結晶化境界で結晶化し、結晶化熱の放出は前記単結晶を囲むリフレクタによって抑制され、前記単結晶を第1のゾーンにおいて加熱装置によって前記結晶化境界の外縁の領域で加熱して、前記結晶化境界の外縁における外側の三重点Taと前記結晶化境界の中心Zとの間の距離Δに影響を与えることを特徴とする、方法。
- 前記結晶化境界の外縁における外側の三重点Taと前記結晶化境界の中心Zとの間の距離Δが、前記加熱装置がない場合の前記外側の三重点Taと前記中心Zとの間の距離Δ´の90%以下になるように、前記加熱装置によって前記単結晶は加熱されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記誘導加熱コイルの電力は、前記溶融ゾーンの上端における内側の三重点Tiと前記結晶化境界の外縁における外側の三重点Taとの間の前記溶融ゾーンの長さHの選択された絶対値が変化しないように、調整されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記単結晶を放射加熱システムを前記加熱装置として用いて加熱することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記単結晶を誘導加熱システムを前記加熱装置として用いて加熱することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加熱装置の電力を前記単結晶の長さに応じて制御することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 2kW以上の電力を有するエネルギを、前記加熱装置を用いて前記単結晶に供給することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記加熱装置によって加熱される前記単結晶の領域の、前記単結晶の長手方向における前記外側の三重点Taからの長さLが、前記距離Δ以下であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記リフレクタは、前記第1のゾーンに隣接する第2のゾーンにおいて結晶化熱の放出を抑制し、前記第2のゾーンは前記単結晶の長手方向における長さSを有し、前記長さSと長さLの和は前記単結晶の直径Dの0.5〜1.5倍に相当することを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記単結晶を囲み熱放射を吸収する部材が、第3のゾーンにおいて結晶化熱の放出を促進し、前記第3のゾーンは、前記第2のゾーンに続く領域であって、前記外側の三重点Taからの距離が少なくとも前記単結晶の直径の長さとなる場所から始まることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融ゾーンがシリコンからなる多結晶原料棒を連続して溶融させることによって形成されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融ゾーンが粒状多結晶シリコンを連続して溶融させることによって形成されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- フローティングゾーン法を用いて単結晶を製造するための装置であって、前記単結晶を囲むリフレクタと、前記単結晶の結晶化境界の外縁の領域で前記単結晶を加熱するための加熱装置とを含む、装置。
- 前記加熱装置が放射加熱システムであることを特徴とする、請求項13に記載の装置。
- 前記加熱装置が誘導加熱システムであることを特徴とする、請求項13に記載の装置。
- 前記加熱装置が前記リフレクタと一体化されていることを特徴とする、請求項13〜15のいずれか1項に記載の装置。
- 前記加熱装置によって加熱される前記単結晶の領域は、前記単結晶の長手方向における第1のゾーンであり、前記第1のゾーンの、外側の三重点Taからの長さLが、前記結晶化境界の外縁にある前記外側の三重点Taと前記結晶化境界の中心Zとの間の距離Δ以下となるように、前記加熱装置の寸法が定められることを特徴とする、請求項13〜16のいずれか1項に記載の装置。
- 前記リフレクタは、前記第1のゾーンに隣接する第2のゾーンにおいて、前記単結晶による結晶化熱の放出を抑制し、前記第2のゾーンは前記単結晶の長手方向における長さSを有し、前記長さSと長さLの和は前記単結晶の直径Dの0.5〜1.5倍に相当することを特徴とする、請求項13〜17のいずれか1項に記載の装置。
- 前記単結晶を囲み熱放射を吸収する部材を特徴とし、前記部材は、第3のゾーンにおいて前記単結晶による結晶化熱の放出を促進し、前記第3のゾーンは、前記第2のゾーンに続く領域であって、前記外側の三重点Taからの距離が少なくとも前記単結晶の直径Dの長さとなる場所から始まることを特徴とする、請求項13〜18のいずれか1項に記載の装置。
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