JP2013127559A - マスク基板、フォトマスク、露光方法、デバイス製造方法、マスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及び製造システム - Google Patents

Abstract

【課題】露光光の照射によるフォトマスクの熱変形で発生する露光不良を抑制できるマスク基板を提供する。
【解決手段】マスク基板は、マスクパターンが形成される第１部材１０１と、第１部材の少なくとも一部に接合され、第１部材とは熱膨張係数が異なる第２部材１０２と、を備える。第１部材１０１は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む。本実施形態において、第１部材１０１は、石英ガラスを含む。本実施形態において、第１部材１０１は、石英ガラスを主成分とする。なお、第１部材１０１が、二酸化ケイ素と、二酸化ケイ素とは別の物質とを含んでもよい。第２部材１０２は、第１部材１０１よりも熱膨張係数が大きい。本実施形態において、第２部材１０２は、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）を含む。本実施形態において、第２部材１０２は、蛍石を含む。本実施形態において、第２部材１０２は、フッ化カルシウムを主成分とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、マスク基板、フォトマスク、露光方法、デバイス製造方法、マスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及び製造システムに関する。

デバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、フォトマスクを露光光で照明し、そのフォトマスクからの露光光で感光基板を露光する露光装置が使用される。

米国特許出願公開第２０１０／０２７１６０２号明細書

例えば露光光の照射により、フォトマスクの温度が変化し、そのフォトマスクが熱変形する可能性がある。その結果、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できるマスク基板、フォトマスク、露光方法、デバイス製造方法、マスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及び製造システムを提供することを目的とする。

本発明の第１の態様に従えば、マスクパターンが形成される第１部材と、第１部材の少なくとも一部に接合され、第１部材とは熱膨張係数が異なる第２部材と、を備えるマスク基板が提供される。

本発明の第２の態様に従えば、マスクパターンが形成される第１面、及び第１面の反対方向を向く第２面を有する第１部材と、第２面の少なくとも一部に接合される第２部材と、を備えるマスク基板が提供される。

本発明の第３の態様に従えば、第１、第２の態様のマスク基板と、マスク基板に形成されたマスクパターンと、を備えるフォトマスクが提供される。

本発明の第４の態様に従えば、第３の態様のフォトマスクを露光光で照明することと、フォトマスクからの露光光で感光基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。

本発明の第５の態様に従えば、第４の態様の露光方法を用いて感光基板を露光することと、露光された感光基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。

本発明の第６の態様に従えば、マスクパターンが形成される第１部材の少なくとも一部に、第１部材とは熱膨張係数が異なる第２部材を接合することを含むマスク基板の製造方法が提供される。

本発明の第７の態様に従えば、マスクパターンが形成される第１面及び第１面の反対方向を向く第２面を有する第１部材の第２面に、第２部材を接合することを含むマスク基板の製造方法が提供される。

本発明の第８の態様に従えば、第６、第７の態様のマスク基板の製造方法でマスク基板を製造することと、製造されたマスク基板にマスクパターンを形成することと、を含むフォトマスクの製造方法が提供される。

本発明の第９の態様に従えば、通信装置からの情報に基づいて、第１厚さの第１部材、及び第２厚さの第２部材を生成する生成装置と、生成装置からの第１部材と第２部材とを接合して、マスク基板を製造する接合装置と、を備える製造システムが提供される。

本発明の態様によれば、露光不良の発生が抑制される。また、本発明の態様によれば、不良デバイスの発生が抑制される。

第１実施形態に係るフォトマスクの一例を示す断面図である。 第１実施形態に係るフォトマスクの一例を示す平面図である。 第１実施形態に係るフォトマスクに露光光が照射されている状態の一例を示す図である。 第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法の一例を説明するための図である。 比較例に係るフォトマスクに露光光が照射されている状態の一例を示す図である。 第１実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第１実施形態に係る露光装置の一部を示す図である。 第１実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。 第２実施形態に係るフォトマスクの一例を示す断面図である。 第３実施形態に係るフォトマスクの一例を示す断面図である。 第４実施形態に係るフォトマスクの一例を示す断面図である。 第５実施形態に係るフォトマスクの一例を示す断面図である。 第７実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。 第９実施形態に係る製造システムの一例を示す図である。 露光装置の一例を示す模式図である。 デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係るフォトマスクＭの一例を示す断面図、図２は、本実施形態に係るフォトマスクＭの一例を示す平面図である。

図１において、フォトマスクＭは、マスク基板Ｍｂと、マスク基板Ｍｂに形成されたマスクパターンＭｐとを備えている。フォトマスクＭは、レチクルを含む。マスク基板Ｍｂは、マスクブランクスを含む。マスクパターンＭｐは、デバイスパターンを含む。本実施形態において、フォトマスクＭは、透過型マスクである。以下の説明において、フォトマスクＭを適宜、マスクＭ、と称する。また、マスクパターンＭｐを適宜、パターンＭｐ、と称する。

マスク基板Ｍｂは、パターンＭｐが形成される第１部材１０１と、第１部材１０１の少なくとも一部に接合される第２部材１０２とを備えている。本実施形態において、第１部材１０１の熱膨張係数と、第２部材１０２の熱膨張係数とは、異なる。

本実施形態において、第１部材１０１は、パターンＭｐが形成される第１面Ｃ１と、第１面Ｃ１の反対方向を向く第２面Ｃ２とを有する。第２部材１０２は、第１部材１０１の第２面Ｃ２の少なくとも一部に接合される。本実施形態において、第２部材１０２は、第１部材１０１の少なくとも一部と対向する第３面Ｃ３と、第３面Ｃ３の反対方向を向く第４面Ｃ４とを有する。本実施形態において、第２面Ｃ２の少なくとも一部に、第３面Ｃ３が接合される。

本実施形態において、第１部材１０１は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含む。本実施形態において、第１部材１０１は、石英ガラスを含む。本実施形態において、第１部材１０１は、石英ガラスを主成分とする。なお、第１部材１０１が、二酸化ケイ素と、二酸化ケイ素とは別の物質とを含んでもよい。例えば、第１部材１０１が、二酸化ケイ素とチタニア（ＴｉＯ_２：酸化チタン）とを含んでもよい。すなわち、第１部材１０１が、所謂、チタニアドープ石英ガラスでもよい。本実施形態において、第１部材１０１の熱膨張係数は、例えば約５．０×１０^−７／℃程度である。

本実施形態において、第２部材１０２は、第１部材１０１よりも熱膨張係数が大きい。 本実施形態において、第２部材１０２は、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）を含む。本実施形態において、第２部材１０２は、蛍石を含む。本実施形態において、第２部材１０２は、フッ化カルシウムを主成分とする。なお、第２部材１０２が、フッ化カルシウムと、フッ化カルシウムとは別の物質とを含んでもよい。本実施形態において、第２部材１０２の熱膨張係数は、例えば約２．４×１０^−５／℃程度である。

なお、第２部材１０２が、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）を含んでもよい。第２部材１０２は、フッ化バリウムを主成分としてもよいし、フッ化バリウムとフッ化バリウムとは別の物質とを含んでもよい。また、第２部材１０２の熱膨張係数が、約１．８×１０^−５／℃程度でもよい。

なお、第２部材１０２が、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）を含んでもよい。第２部材１０２が、フッ化マグネシウムを主成分としてもよいし、フッ化マグネシウムとフッ化マグネシウムとは別の物質とを含んでもよい。また、第２部材１０２の熱膨張係数が、約１．３×１０^−５／℃程度でもよい。

なお、第２部材１０２が、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を含んでもよい。第２部材１０２は、フッ化リチウムを主成分としてもよいし、フッ化リチウムとフッ化リチウムとは別の物質とを含んでもよい。また、第２部材１０２の熱膨張係数が、約３．７×１０^−５／℃程度でもよい。

本実施形態において、第１部材１０１は、プレート状である。本実施形態において、第１面Ｃ１と第２面Ｃ２とは、実質的に平行である。すなわち、本実施形態において、第１部材１０１は、平行平板である。

本実施形態において、第２部材１０２は、プレート状である。本実施形態において、第３面Ｃ３と第４面Ｃ４とは、実質的に平行である。すなわち、本実施形態において、第２部材１０２は、平行平板である。

本実施形態において、第１部材１０１の厚さＤ１と第２部材１０２の厚さＤ２とは異なる。厚さＤ１は、第１面Ｃ１と第２面Ｃ２との距離を含む。厚さＤ２は、第３面Ｃ３と第４面Ｃ４との距離を含む。

本実施形態において、第１部材１０１は、第２部材１０２よりも厚い。すなわち、厚さＤ１の寸法が、厚さＤ２の寸法よりも大きい。

本実施形態において、第１部材１０１と第２部材１０２とは、光学接合（オプティカルコンタクト）される。本実施形態において、第１部材１０１の第２面Ｃ２と、第２部材１０２の第３面Ｃ３とがオプティカルコンタクトされる。

以下の説明において、第１面Ｃ１を適宜、マスク基板Ｍｂの下面Ｃ１、と称し、第４面Ｃ４を適宜、マスク基板Ｍｂの上面Ｃ４、と称する。

本実施形態において、上面Ｃ４と下面Ｃ１とは実質的に平行である。本実施形態において、マスク基板Ｍｂの厚さ（上面Ｃ４と下面Ｃ１との距離）Ｄｔは、約６．３５ｍｍである。本実施形態において、厚さＤ１が、約６．３３ｍｍであり、厚さＤ２が、約０．０２ｍｍである。なお、厚さＤ１が、約６．１５〜６．２５ｍｍであり、厚さＤ２が、約０．２〜０．１ｍｍでもよい。例えば、厚さＤ１が、約６．１５ｍｍであるとき、厚さＤ２が、約０．２ｍｍでもよい。また、厚さＤ１が、約６．２５ｍｍとしたとき、厚さＤ２が、約０．１ｍｍでもよい。なお、厚さＤ１が、約５．８５〜６．２５ｍｍであり、厚さＤ２が、約０．５〜０．１ｍｍでもよい。

なお、厚さＤｔは、６．３５ｍｍよりも厚くてもよいし、薄くてもよい。また、厚さＤ１が、６．３５ｍｍ以上でもよい。また、厚さＤ２が、０．１ｍｍ以上でもよい。

本実施形態において、厚さＤ１及び厚さＤ２は、第１部材１０１の熱膨張係数及び第２部材１０２の熱膨張係数の一方又は両方に基づいて定められる。本実施形態においては、厚さＤ１と厚さＤ２との比率が、第１部材１０１の熱膨張係数及び第２部材１０２の熱膨張係数の一方又は両方に基づいて定められている。

また、図２に示すように、本実施形態において、ＸＹ平面内におけるマスクＭの外形は、四角形である。本実施形態において、マスクＭの一辺の寸法は、約１５．２４ｍｍである。なお、マスクＭの一辺の寸法は、１５．２４ｍｍよりも大きくてもよいし、小さくてもよい。なお、マスクＭの外形は、例えば六角形、八角形、十二角形等の多角形でもよいし、円形でもよい。

本実施形態においては、第２面Ｃ２と外形と第３面Ｃ３の外形とは実質的に等しい。第２面Ｃ２は、第３面Ｃ３で覆われる。第３面Ｃ３は、第２面Ｃ２で覆われる。本実施形態においては、第２面Ｃ２及び第３面Ｃ３が露出しないように、第２面Ｃ２と第３面Ｃ３とが接合される。なお、第２面Ｃ２の外形と第３面Ｃ３の外形とが異なってもよい。例えば、ＸＹ平面内における第２部材１０２の外形（大きさ）が第１部材１０１の外形（大きさ）よりも小さくてもよいし、大きくてもよい。

パターンＭｐは、下面（第１面）Ｃ１の少なくとも一部に形成される。本実施形態において、パターンＭｐは、下面Ｃ１の中央領域ＡＲに形成される。下面Ｃ１の周縁領域ＥＲには、パターンＭｐは形成されない。周縁領域ＥＲとは、中央領域ＡＲの周囲の領域をいう。以下の説明において、下面Ｃ１のうち、パターンＭｐが形成される領域を適宜、パターン形成領域ＡＲ、と称する。

パターンＭｐは、遮光膜で形成される。本実施形態において、遮光膜は、例えばクロム（Ｃｒ）を含む。なお、遮光膜が、例えばタングステン（Ｗ）を含んでもよいし、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）を含んでもよい。なお、遮光膜の表面（下面）の少なくとも一部が、反射防止膜で覆われてもよい。

図３に示すように、本実施形態においては、マスクＭが露光光ＥＬで照明される。本実施形態において、露光光ＥＬは、第１部材１０１及び第２部材１０２を透過可能である。すなわち、第１部材１０１及び第２部材１０２のそれぞれは、露光光ＥＬに対して透過性である。本実施形態において、マスク基板Ｍｂの上面Ｃ４に、露光光ＥＬが照射される。上面Ｃ４に照射された露光光ＥＬは、第１部材１０２及び第２部材１０２を通過して、マスク基板Ｍｐの下面Ｃ１の少なくとも一部から射出される。下面Ｃ１にはパターンＭｐが形成されている。第１部材１０１及び第２部材１０２を介して、パターンＭｐが露光光ＥＬで照明される。

本実施形態においては、下面Ｃ１の周縁領域ＥＲの少なくとも一部がマスク保持部５に保持された状態で、そのマスクＭに露光光ＥＬが照射される。マスク保持部５は、下面Ｃ１が−Ｚ方向を向き、上面Ｃ４が＋Ｚ方向を向くように、マスクＭの少なくとも一部を保持する。本実施形態において、マスク保持部５は、上面Ｃ４及び下面１が実質的にＸＹ平面と平行となるように、マスクＭを保持する。

次に、本実施形態に係るマスクＭの製造方法の一例について説明する。図４は、本実施形態に係るマスクＭの製造方法の一例を説明するための模式図である。

図４（Ａ）に示すように、第１部材１０１と第２部材１０２とが用意される。第２面Ｃ２及び第３面Ｃ３は、オプティカルコンタクトされるように、高い平坦度（平面度、平滑度）を有する。また、第２面Ｃ２及び第３面Ｃ３は、オプティカルコンタクトされるように、洗浄されている。

図４（Ｂ）に示すように、第１部材１０１の第２面Ｃ２の少なくとも一部に、第２部材１０２が接合される。第２面Ｃ２と第３面Ｃ３とは、オプティカルコンタクト（光学接合）される。

第２面Ｃ２と第３面Ｃ３とが接合された後、図４（Ｃ）に示すように、第１面Ｃ１及び第４面Ｃ４の少なくとも一方が、研磨装置３００によって研磨される。本実施形態においては、研磨装置３００による研磨処理によって、第１部材１０１の厚さＤ１及び第２部材１０２の厚さＤ２の一方又は両方が調整される。本実施形態において、厚さＤ１と厚さＤ２との比率は、第１部材１０１の熱膨張係数及び第２部材１０２の熱膨張係数の一方又は両方に基づいて定められる。また、研磨装置３００による研磨処理によって、第１面Ｃ１及び第４面Ｃ４の一方又は両方の平坦度（平面度、平滑度）が調整される。

研磨処理が終了した後、図４（Ｄ）に示すように、検査装置３０１によって、厚さＤ２（厚さＤ２の分布）が検査される。検査装置３０１は、例えばレーザ変位計を含む。また、検査装置３０１によって、厚さＤ１（厚さＤ１の分布）が検査されてもよい。検査装置３０１による検査によって、厚さＤ１、Ｄ２の寸法が目標値（目標範囲）に達していないと判断された場合、再び研磨処理が行われてもよい。

以上により、マスク基板Ｍｂが完成する。その後、図４（Ｅ）に示すように、マスク基板Ｍｂの下面Ｃ１にパターンＭｐが形成されることによって、マスクＭが完成する。

なお、パターンＭｐを保護するための保護部材がマスクＭに設けられてもよい。保護部材は、例えばペリクルフレーム及びペリクルフィルムを含む。

本実施形態によれば、例えば図３に示す状態において、マスクＭに露光光ＥＬが照射された場合においても、その露光光ＥＬの照射に起因するマスクＭの熱変形を抑制することができる。本実施形態においては、パターンＭｐが形成される第１部材１０１の少なくとも一部に、その第１部材１０１とは熱膨張係数が異なる第２部材１０２が接合されているため、例えばＺ軸方向に関するマスクＭの変形を抑制することができる。

図５は、マスク基板Ｍｂｊが第１部材で形成され、第２部材を含まないマスクＭＪに露光光ＥＬが照射されている状態の一例を示す模式図である。第１部材１０１に第２部材１０２が接合されない場合、図５に示すように、露光光ＥＬの照射によって、マスクＭＪがＺ軸方向（−Ｚ方向）に撓むように変形する可能性がある。

本実施形態によれば、第１部材１０１に第２部材１０２が接合されているため、例えば図３に示したように、マスクＭに露光光ＥＬが照射されても、そのマスクＭのＺ軸方向に関する変形を抑制することができる。

本実施形態においては、第２部材１０２は、第１部材１０１よりも熱膨張係数が大きく、第１部材１０１は、第２部材１０２よりも厚い。本実施形態においては、第１部材１０１及び第２部材１０２の少なくとも一方の熱膨張係数に基づいて、第１部材１０１の厚さＤ１と第２部材Ｄ２の厚さＤ２との比率（Ｄ１／Ｄ２）が定められている。すなわち、本実施形態においては、マスクＭに露光光ＥＬが照射されても、Ｚ軸方向に関するマスクＭの変形が抑制されるように、第１部材１０１及び第２部材１０２の少なくとも一方の熱膨張係数に基づいて、第１部材１０１の厚さＤ１と第２部材Ｄ２の厚さＤ２との比率（Ｄ１／Ｄ２）が定められている。マスクＭの熱変形を抑制できる厚さＤ１と厚さＤ２との比率は、例えば予備実験によって求められてもよいし、シミュレーションによって求められてもよい。

次に、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例について説明する。図６は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間は、液体で満たされた部分（空間、領域）である。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置である。

図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部５を有し、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ６と、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部７を有し、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ８と、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）２４を搭載して移動可能な計測ステージ２３と、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンＭｐの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、マスクステージ６、基板ステージ８、及び計測ステージ２３の位置を計測する計測システム１６と、基板Ｐを搬送する搬送システム４と、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持する液浸部材９と、基板Ｐが処理される内部空間１４を形成するチャンバ装置１５と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１とを備えている。

露光装置ＥＸは、基板処理装置ＣＤと接続されている。本実施形態において、基板処理装置ＣＤは、コータ・デベロッパ装置を含む。基板処理装置ＣＤは、基板に所定の膜を形成可能な膜形成装置、及び露光後の基板Ｐを現像する現像装置を含む。膜形成装置は、例えば米国特許出願公開第２００６／００６８１１０号明細書等に開示されているような、感光材の溶液をスピンコーティング法に基づいて基板に塗布することによって、基板上に感光膜Ｒｇを形成可能な塗布装置を含む。膜形成装置は、感光膜Ｒｇのみならず、保護膜及び反射防止膜等、各種の膜を基板上に形成可能である。

本実施形態において、搬送システム４は、基板Ｐを、基板ステージ８（基板保持部７）と、基板処理装置ＣＤとの間で搬送可能である。

照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。

マスクステージ６は、マスク保持部５でマスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１８のガイド面１８Ｇ上を移動可能である。マスクステージ６は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により、ガイド面１８Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（露光位置）を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸は、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。

投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面１１を有する。射出面１１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１０に配置されている。投影領域ＰＲは、射出面１１から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１１は、−Ｚ方向を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ方向を向いている射出面１１は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。

基板ステージ８は、基板保持部７で基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。基板保持部７は、射出面１１から射出される露光光ＥＬが照射可能な露光位置（投影領域ＰＲの位置）において基板Ｐをリリース可能に保持する。基板ステージ８は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により、ガイド面２０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

本実施形態において、基板保持部７に保持された基板Ｐの表面と、その基板Ｐの周囲に配置される基板ステージ８の上面２２とは、同一平面内に配置される（面一である）。上面２２は、平坦である。本実施形態において、基板保持部７に保持された基板Ｐの表面、及び基板ステージ８の上面２２は、ＸＹ平面とほぼ平行である。

なお、基板保持部７に保持された基板Ｐの表面と上面２２とが同一平面内に配置されてなくてもよいし、基板Ｐの表面及び上面２２の少なくとも一方がＸＹ平面と非平行でもよい。

計測ステージ２３は、計測器２４（計測部材）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材２０のガイド面２０Ｇ上を移動可能である。計測ステージ２３は、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により、ガイド面２０Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。

図７は、本実施形態に係る液浸部材９の一例を示す側断面図である。液浸部材９は、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸部材９の少なくとも一部は、射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路の周囲の少なくとも一部に配置されている。本実施形態において、液浸部材９は、環状の部材である。本実施形態において、液浸部材９の少なくとも一部は、終端光学素子１０及び露光光ＥＬの光路の周囲に配置される。

液浸空間ＬＳは、終端光学素子１０と、終端光学素子１０から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置（投影領域ＰＲの位置）に配置される物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように形成される。液浸部材９は、その物体が対向可能な下面１２を有する。射出面１１と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように下面１２と物体との間で液体ＬＱが保持される。

本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、投影光学系ＰＬの像面側（終端光学素子１０の射出面１１側）で投影領域ＰＲに対して移動可能な物体であり、射出面１１及び下面１２と対向する位置に移動可能な物体である。本実施形態において、射出面１１及び下面１２と対向する位置に移動可能な物体は、基板ステージ８、基板ステージ８に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２３の少なくとも一つを含む。

液浸部材９の下面１２は、物体の表面（基板ステージ８の上面２２、基板ステージ８に保持された基板Ｐの表面、及び計測ステージ２３の上面５０の少なくとも一つ）との間で液体ＬＱを保持可能である。液浸部材９は、射出面１１と物体の表面（上面）との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、下面１２と物体の表面との間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。一方側の射出面１１及び下面１２と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子１０と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。

本実施形態においては、基板Ｐに露光光ＥＬが照射されているとき、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材９の下面１２と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。

ここで、図７を用いる説明においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１０及び液浸部材９と対向する位置）に基板Ｐが配置される場合を例にして説明する。基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。図７に示すように、基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材ＢＰと、その基材ＢＰ上に形成された感光膜Ｒｇとを含む感光基板である。感光膜Ｒｇは、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜Ｒｇに加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜Ｒｇを保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。

図７に示すように、液浸部材９は、射出面１１と対向する位置に開口３０を有する。射出面１１から射出された露光光ＥＬは、開口３０を通過して、基板Ｐに照射可能である。また、液浸部材９は、開口３０の周囲に配置され、基板Ｐの表面と対向可能な平坦面２１を有する。平坦面２１は、基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持する。液浸部材９の下面１２の少なくとも一部は、平坦面２１を含む。

液浸部材９は、液体ＬＱを供給可能な供給口２７と、液体ＬＱを回収可能な回収口２８とを備えている。供給口２７は、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液体ＬＱを供給する。回収口２８は、基板Ｐの露光の少なくとも一部において、液体ＬＱを回収する。

供給口２７は、露光光ＥＬの光路の近傍において、その光路に面するように配置されている。供給口２７は、供給流路３４を介して、液体供給装置３１と接続されている。液体供給装置３１は、クリーンで温度調整された液体ＬＱを送出可能である。供給流路３４は、液浸部材９の内部流路、及びその内部流路と液体供給装置３１とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置３１から送出された液体ＬＱは、供給流路３４を介して供給口２７に供給される。

回収口２８は、液浸部材９の下面１２と対向する基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、回収口２８は、平坦面２１の周囲に配置されている。回収口２８は、基板Ｐの表面と対向する液浸部材９の所定位置に配置されている。回収口２８には、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の多孔部材２９が配置されている。なお、回収口２８に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。本実施形態において、液浸部材９の下面１２は、多孔部材２９の下面を含む。基板Ｐの露光の少なくとも一部において、多孔部材２９の下面は、基板Ｐに面する。基板Ｐ上の液体ＬＱは、多孔部材２９の孔を介して回収される。

回収口２８は、回収流路３５を介して、液体回収装置３３と接続されている。液体回収装置３３は、回収口２８を真空システムに接続可能であり、回収口２８を介して液体ＬＱを吸引可能である。回収流路３５は、液浸部材９の内部流路、及びその内部流路と液体回収装置３３とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口２８から回収された液体ＬＱは、回収流路３５を介して、液体回収装置３３に回収される。

本実施形態においては、制御装置１は、供給口２７からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口２８からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１０及び液浸部材９と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。

なお、液浸部材９として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。

次に、基板Ｐの露光時における露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。搬送システム４により露光前の基板Ｐが基板ステージ８に搬入（ロード）された後、制御装置１は、基板ステージ８を投影領域ＰＲに移動して、射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、液浸部材９の下面１２の少なくとも一部と基板Ｐの表面との間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する。

射出面１１から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板ステージ８（基板Ｐ）との間に液浸空間ＬＳが形成された後、制御装置１は、基板Ｐの露光処理を開始する。基板Ｐの露光処理を実行するとき、制御装置１は、終端光学素子１０及び液浸部材９と基板ステージ８とを対向させ、終端光学素子１０と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。制御装置１は、照明系ＩＬにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭからの露光光ＥＬを投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに照射する。これにより、基板Ｐは、マスクＭからの露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンＭｐの像が基板Ｐに投影される。

図８は、基板ステージ８に保持されている基板Ｐの平面図である。基板Ｐの露光において、基板Ｐが基板保持部７に保持される。また、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸部材９と基板Ｐとの間に液体ＬＱが保持される。図８に示すように、基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域Ｓ１〜Ｓ２１がマトリクス状に設定される。また、図８に示すように、本実施形態においては、投影領域ＰＲは、Ｘ軸方向を長手方向とするスリット状である。

本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１の露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置１は、マスクＭを保持したマスクステージ６（マスク保持部５）と、基板Ｐを保持した基板ステージ８（基板保持部７）とを、露光光ＥＬの光路に対してＹ軸方向に同期移動する。制御装置１は、マスクＭ及び基板Ｐを所定の走査速度で走査方向に同期移動する。

制御装置１は、マスクステージ６及び基板ステージ８を制御して、基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板保持部７に保持された基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１は、投影光学系ＰＬの射出面１１から射出される露光光ＥＬで液体ＬＱを介して露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐのショット領域Ｓ１〜Ｓ２１に投影される。

各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を露光するときには、制御装置１は、基板ステージ８を制御して、投影領域ＰＲ（終端光学素子１０）に対して基板ＰをＹ軸方向に移動する。また、あるショット領域（例えば第１ショット領域Ｓ１）の露光が終了した後、次のショット領域（例えば第２ショット領域Ｓ２）を露光するために、制御装置１は、終端光学素子１０からの露光光ＥＬの射出を停止した状態で、投影領域ＰＲが次のショット領域の露光開始位置に配置されるように、基板ステージ８を制御して、終端光学素子１０に対して基板ＰをＸＹ平面内の所定方向に移動する。

本実施形態においては、制御装置１は、投影領域ＰＲが、図８中、例えば矢印Ｒ１に沿って移動するように、終端光学素子１０と基板Ｐ（基板ステージ８）を相対的に移動しつつ、終端光学素子１０の射出面１１から露光光ＥＬを射出して、投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、基板Ｐ上の各ショット領域Ｓ１〜Ｓ２１を順次露光する。

ショット領域Ｓ２１の露光処理が終了し、基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置１は、基板ステージ８から露光後の基板Ｐを搬出し、露光前の基板Ｐを基板ステージ８に搬入する。

以下、制御装置１は、上述の処理を繰り返して、複数の基板Ｐを順次露光する。

以上説明したように、本実施形態によれば、パターンＭｐが形成される第１部材１０１の少なくとも一部に第２部材１０２を接合するようにしたので、マスクＭの熱変形を抑制することができる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、露光光ＥＬの照射に起因するマスクＭの熱変形が抑制されるため、マスクＭの熱変形を抑制しつつ、高強度（高照度）の露光光ＥＬをマスクＭに照射することができる。したがって、スループットの低下が抑制される。例えば、高強度（高照度）の露光光ＥＬが照射可能なので、マスクＭ及び基板Ｐの走査速度を高速化することができるため、スループットの低下が抑制される。また、マスクＭの熱変形が抑制されるので、第１の基板Ｐの露光終了時点（第１の基板Ｐのショット領域Ｓ２１の露光終了時点）から、次の第２の基板Ｐの露光開始時点（第２の基板Ｐのショット領域Ｓ１の露光開始時点）までの時間を短くすることができる。すなわち、マスクＭに対して露光光ＥＬを照射しない期間（露光光ＥＬの非照射期間）を短くすることができる。したがって、スループットの低下が抑制される。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図９は、第２実施形態に係るマスクＭ２の一例を示す図である。マスクＭ２は、パターンＭｐが形成される第１部材１０１Ｂと、第１部材１０１Ｂに接合される第２部材１０２Ｂとを含む。本実施形態において、第２部材１０２Ｂは、第１部材１０１Ｂよりも熱膨張係数が小さい。本実施形態において、第２部材１０２Ｂは、例えば二酸化ケイ素（石英ガラス）を含む。第１部材１０１Ｂは、例えば蛍石、フッ化バリウム、フッ化マグネシウム、及びフッ化カリウムの少なくとも一つを含む。

本実施形態において、第１部材１０１Ｂは、第２部材１０２Ｂよりも薄い。すなわち、第１部材１０１Ｂの厚さＤ１ｂの寸法は、第２部材１０２Ｂの厚さＤ２ｂの寸法よりも小さい。

本実施形態において、第１面Ｃ１ｂと第２面Ｃ２ｂとは、実質的に平行である。第３面Ｃ３ｂと第４面Ｃ４ｂとは、実質的に平行である。

本実施形態においても、マスクＭ２の熱変形が抑制される。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１０は、第３実施形態に係るマスクＭ３の一例を示す図である。マスクＭ３は、パターンＭｐが形成される第１部材１０１Ｃと、第１部材１０１Ｃに接合される第２部材１０２Ｃとを含む。第１部材１０１Ｃは、パターンＭｐが形成される第１面Ｃ１ｃと、第１面Ｃ１ｃの反対方向を向く第２面Ｃ２ｃとを有する。第２部材１０２Ｃは、第２面Ｃ２ｃと接合される第３面Ｃ３ｃと、第３面Ｃ３ｃの反対方向を向く第４面Ｃ４ｃとを有する。

本実施形態において、第１面Ｃ１ｃと第２面Ｃ２ｃとは、非平行である。本実施形態において、第１部材１０１Ｃの厚さＤ１ｃは、下面Ｃ１ｃを含む面内（ＸＹ平面内）において異なる。本実施形態において、第１面Ｃ１ｃは、実質的に平面（平坦面）である。第２面Ｃ２ｃの少なくとも一部は、曲面である。本実施形態において、第２面Ｃ２ｃは、＋Ｚ方向に対して窪む（凹である）。

本実施形態において、第３面Ｃ３ｃと第４面Ｃ４ｃとは、非平行である。本実施形態において、第２部材１０２Ｃの厚さＤ２ｃは、上面Ｃ４ｃを含む面内（ＸＹ平面内）において異なる。本実施形態において、第４面Ｃ４ｃは、実質的に平面（平坦面）である。第３面Ｃ３ｃの少なくとも一部は、曲面である。本実施形態において、第３面Ｃ３ｃは、−Ｚ方向に突出する（凸である）。

また、第２面Ｃ２ｃと第３面Ｃ３ｃとがオプティカルコンタクトされるように、第２面Ｃ２ｃ及び第３面Ｃ３ｃそれぞれの曲率（形状）が定められる。

本実施形態においては、下面Ｃ１ｃ（上面Ｃ４ｃ）を含む面内（ＸＹ平面内）において、厚さＤ１ｃの寸法が厚さＤ２ｃの寸法よりも大きい部分と小さい部分との両方が存在する。なお、厚さＤ１ｃの寸法が厚さＤ２ｃの寸法よりも大きい部分が存在しなくてもよいし、小さい部分が存在しなくてもよい。

また、本実施形態において、第１面Ｃ１ｃと第４面Ｃ４ｃとは、実質的に平行である。

本実施形態において、第２部材１０２Ｃは、第１部材１０１ｃよりも熱膨張係数が大きい。なお、第２部材１０２Ｃは、第１部材１０１Ｃよりも熱膨張係数が小さくてもよい。なお、第１部材１０１Ｃの熱膨張係数と第２部材１０２Ｃの熱膨張係数とが実質的に等しくてもよい。

以上説明したように、本実施形態においても、マスクＭ３の熱変形が抑制される。

なお、本実施形態においては、第２面Ｃ２ｃが＋Ｚ方向に対して窪むこととしたが、＋Ｚ方向に突出してもよい。また、第２面Ｃ２ｃが、＋Ｚ方向に対して窪む部分と突出する部分との両方を有してもよい。換言すれば、第２面Ｃ２ｃが、凹凸面でもよい。また、第２面Ｃ２ｃが、異なる方向を向く複数の面を有してもよいし、角部を有してもよい。第３面Ｃ３ｃが第２面Ｃ２ｃの形状に沿った形状を有することにより、第２面Ｃ２ｃと第３面Ｃ３ｃとがオプティカルコンタクトされる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１１は、第４実施形態に係るマスクＭ４の一例を示す図である。マスクＭ４は、パターンＭｐが形成される第１部材１０１Ｄと、第１部材１０１Ｄに接合される第２部材１０２Ｄとを含む。第１部材１０１Ｄは、パターンＭｐが形成される第１面Ｃ１ｄと、第１面Ｃ１ｄの反対方向を向く第２面Ｃ２ｄとを有する。第２部材１０２Ｄは、第２面Ｃ２ｄと接合される第３面Ｃ３ｄと、第３面Ｃ３ｄの反対方向を向く第４面Ｃ４ｄとを有する。

本実施形態において、第１面Ｃ１ｄと第２面Ｃ２ｄとは、実質的に平行である。第３面Ｃ３ｄは、第１面Ｃ１ｄ及び第２面Ｃ２ｄと実質的に平行である。第４面Ｃ４ｄは、第３面Ｃ３ｄとの距離が寸法Ｄ２ｄ１である第１領域ＣＲ１と、第２面Ｃ３ｄとの距離が寸法Ｄ２ｄ１とは異なる寸法Ｄ２ｄ２である第２領域ＣＲ２とを含む。本実施形態において、寸法Ｄ２ｄ２は、寸法Ｄ２ｄ１よりも大きい。なお、寸法Ｄ２ｄ２が、寸法Ｄ２ｄ１よりも小さくてもよい。

第２領域ＣＲ２は、第１領域ＣＲ１の周囲に配置される。第１領域ＣＲ１は、第４面Ｃ４ｄの中央領域を含む。第２領域ＣＲ２は、第４面Ｃ４ｄの周縁領域を含む。

本実施形態において、第１領域ＣＲ１は、第１面Ｃ１ｄと実質的に平行である。第２領域ＣＲ２は、第１面Ｃ１ｄと実質的に平行である。なお、第２領域ＣＲ２は、第１面Ｃ１ｄと非平行でもよい。

本実施形態において、露光光ＥＬは、第１領域ＣＲ１に照射され、第２領域ＣＲ２には照射されない。第１領域ＣＲ１に照射された露光光ＥＬは、第２部材１０２Ｄ及び第１部材１０１Ｄを介して、パターンＭｐに照射される。

本実施形態においても、マスクＭ４の熱変形が抑制される。

なお、本実施形態において、露光光ＥＬが照射される第１面Ｃ１ｄの中央領域と第２面Ｃ２ｄとの距離と、露光光ＥＬが照射されない第１面Ｃ１ｄの周縁領域と第２面Ｃ２ｄとの距離とが異なってもよい。例えば、第１面Ｃ１ｄの中央領域と第２面Ｃ２ｄとの距離が、第１面Ｃ１ｄの周縁領域と第２面Ｃ２ｄとの距離よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。また、露光光ＥＬが照射されない第１面Ｃ１ｄの周縁領域が、第４面Ｃ４ｄ（第１領域ＣＲ１）と非平行でもよい。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１２は、第５実施形態に係るマスクＭ５の一例を示す図である。マスクＭ５は、パターンＭｐが形成される第１部材１０１Ｅと、第１部材１０１Ｅの少なくとも一部に接合される第２部材１０２Ｅと、第２部材１０２Ｅの少なくとも一部に接合される第３部材１０３Ｅとを備えている。

第１部材１０１Ｅは、パターンＭｐが形成される第１面Ｃ１ｅと、第１面Ｃ１ｅの反対方向を向く第２面Ｃ２ｅとを有する。第２部材１０２Ｅは、第２面Ｃ２ｅと接合される第３面Ｃ３ｅと、第３面Ｃ３ｅの反対方向を向く第４面Ｃ４ｅとを有する。第３部材１０３Ｅは、第４面Ｃ４ｅと接合される第５面Ｃ５ｅと、第５面Ｃ５ｅの反対方向を向く第６面Ｃ６ｅとを有する。第２面Ｃ２ｅと第３面Ｃ３ｅとは、オプティカルコンタクトされる。第４面Ｃ４ｅと第５面Ｃ５ｅとは、オプティカルコンタクトされる。

本実施形態において、第１面Ｃ１ｅと第６面Ｃ６ｅとは、実質的に平行である。本実施形態において、第１面Ｃ１ｅと第２面Ｃ２ｅとは、実質的に平行である。本実施形態において、第３面Ｃ３ｅと第４面Ｃ４ｅとは、実質的に平行である。本実施形態において、第５面Ｃ５ｅと第６面Ｃ６ｅとは、実質的に平行である。なお、第１面Ｃ１ｅと第２面Ｃ２ｅとが非平行でもよいし、第３面Ｃ３ｅと第４面Ｃ４ｅとが非平行でもよいし、第５面Ｃ５ｅと第６面Ｃ６ｅとが非平行でもよい。

本実施形態において、露光光ＥＬは、第６面Ｃ６ｅに照射される。第６面Ｃ６ｅに照射された露光光ＥＬは、第３部材１０３Ｅ、第２部材１０２Ｅ、及び第１部材１０１Ｅを介して、パターンＭｐに照射される。

本実施形態においては、例えば第１部材１０１Ｅ、第２部材１０２Ｅ、及び第３部材１０３Ｅの少なくとも一つの熱膨張係数に基づいて、第１部材１０１Ｅの厚さと第２部材１０２Ｅの厚さと第３部材１０３Ｅの厚さとの比率が定められる。

本実施形態においても、マスクＭ５の熱変形が抑制される。

なお、本実施形態において、第１部材１０１Ｅの少なくとも一部に、第２部材１０２Ｅとは異なる部材が接合されてもよい。例えば、第１部材１０１Ｅの第１面Ｃ１ｅの周縁領域の少なくとも一部に、第２部材１０２Ｅとは異なる部材が接合されてもよい。また、第１面Ｃ１ｅの周縁領域の少なくとも一部に、第２部材１０２Ｅが接合されてもよい。

なお、上述の第１〜第５実施形態において、第１部材（１０１等）の第２面（Ｃ２等）に複数の第２部材（１０２等）が接合されてもよい。第２面に配置される接合される複数の第２部材は、間隔を開けて配置されてもよい。なお、第２面に接合される複数の第２部材の少なくとも２つが接するように配置されてもよい。また、第２部材は、プレート状でなくてもよく、例えばブロック状でもよい。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

上述の実施形態においては、第１部材（１０１等）及び第２部材（１０２等）の少なくとも一方の熱膨張係数に基づいて、第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率を定めることとした。第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率は、マスク基板Ｍｂに形成されるパターンＭｐの情報に基づいて定められてもよい。

パターンＭｐの情報は、パターンＭｐの密度（パターン密度）、及びパターン形成領域ＡＲの大きさの少なくとも一方を含む。パターン密度は、第１面（Ｃ１等）における単位面積当たりのパターンＭｐの割合を含む。

例えば、所定照度の露光光ＥＬが照射されたとき、第１パターン密度のマスクＭの温度と、第１パターン密度よりも大きい第２パターン密度のマスクＭの温度とは、異なる可能性がある。例えば、第２パターン密度のマスクＭの温度が、第１パターン密度のマスクＭの温度よりも高くなる可能性がある。そのため、パターン密度に基づいて、第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率を定めることによって、マスクＭの熱変形が抑制される。

また、所定照度の露光光ＥＬが照射されたとき、第１大きさのパターン形成領域ＡＲのマスクＭの温度と、第１大きさよりも大きい第２大きさのパターン形成領域ＡＲのマスクＭの温度とは、異なる可能性がある。例えば、第２大きさのパターン形成領域ＡＲのマスクＭの温度が、第１大きさのパターン形成領域ＡＲのマスクＭの温度よりも高くなる可能性がある。そのため、パターン形成領域ＡＲの大きさに基づいて、第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率を定めることによって、マスクＭの熱変形が抑制される。

なお、基板Ｐのショット領域（Ｓ１〜Ｓ２１）の大きさに基づいて、第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率が定められてもよい。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１３は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す図である。本実施形態において、露光装置ＥＸは、マスク保持部５に保持されたマスクＭ（マスク基板Ｍｂ）の温度調整を行う温度調整装置６０を備えている。なお、以下の説明においては、マスク保持部５にマスクＭが保持されている状態について説明するが、第２〜第５実施形態で説明したマスク（Ｍ２〜Ｍ５）でもよい。

温度調整装置６０は、マスク保持部５に保持されているマスクＭが露光光ＥＬで照明されている期間の少なくとも一部において、マスクＭの温度調整を行う。本実施形態において、温度調整装置６０は、温度調整された気体をマスクＭに供給して、そのマスクＭの温度調整を行う。

本実施形態においては、露光光ＥＬの照明において行われるマスクＭ（マスク基板Ｍｂ）の温度調整の情報に基づいて、第１部材（１０１等）の厚さと第２部材（１０２等）の厚さとの比率が定められる。温度調整の情報は、例えば温度調整装置６０から供給される気体の温度を含む。また、温度調整の情報は、温度調整装置６０が気体を供給する時間を含む。

例えば、所定照度の露光光ＥＬが照射されたとき、第１温度の気体が供給されたときのマスクＭの温度と、第１温度よりも高い第２温度の気体が供給されたときのマスクＭの温度とは、異なる可能性がある。例えば、第２温度の気体が供給されたときのマスクＭの温度が、第１温度の気体が供給されたときのマスクＭの温度よりも高くなる可能性がある。そのため、温度調整装置６０からマスクＭに供給される気体の温度を含む温度調整の情報に基づいて、第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率を定めることによって、マスクＭの熱変形が抑制される。

また、所定照度の露光光ＥＬが照射されたとき、第１時間だけ気体が供給されたときのマスクＭの温度と、第１時間よりも短い第２時間だけ気体が供給されたときのマスクＭの温度とは、異なる可能性がある。例えば、第２時間だけ気体が供給されたときのマスクＭの温度が、第１時間だけ気体が供給されたときのマスクＭの温度よりも高くなる可能性がある。そのため、温度調整装置６０からマスクＭに気体が供給される時間を含む温度調整の情報に基づいて、第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率を定めることによって、マスクＭの熱変形が抑制される。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

上述の実施形態で説明したように、マスクＭ（マスク基板Ｍｂ）が露光光ＥＬで照明され、そのマスクＭからの露光光ＥＬが終端光学素子１０を介して基板Ｐに照射される。第１部材（１０１等）の厚さと第２部材（１０２等）の厚さとの比率は、露光光ＥＬに対する基板Ｐの感光材（感光膜Ｒｇ）の感度に基づいて定められてもよい。

例えば、第１感度の感光膜Ｒｇを露光するとき、第１強度（照度）の露光光ＥＬでマスクＭを照明する必要がある場合において、第１感度よりも低い第２感度の感光膜Ｒｇを露光するとき、第１強度よりも高い第２強度の露光光ＥＬでマスクＭを照明する必要がある。その場合、第２強度の露光光ＥＬで照明されたときのマスクＭの温度が、第１強度の露光光ＥＬで照明されたときのマスクＭの温度よりも高くなる可能性がある。そのため、露光光ＥＬに対する感光膜Ｒｇの感度に基づいて、第１部材の厚さと第２部材の厚さとの比率を定めることによって、マスクＭの熱変形が抑制される。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１４は、マスクＭの製造システム７０の一例を示す図である。製造システム７０は、通信装置７１からの情報に基づいて、厚さＤ１の第１部材１０１、及び厚さＤ２の第２部材１０２を生成する生成装置７２と、生成装置７２からの第１部材１０１と第２部材１０２とを接合して、マスク基板Ｍｂを製造する接合装置７３とを備えている。また、製造システム７０は、マスク基板ＭｂにパターンＭｐを形成するパターン形成装置７４を備えている。

本実施形態においては、マスクＭを製造するマスクメーカー（第１の企業）が、製造システム７０の少なくとも一部を保有する。本実施形態においては、マスクメーカーが、生成装置７２、接合装置７３、及びパターン形成装置７４を保有する。なお、マスク基板Ｍｂを製造するための生成装置７２及び接合装置７３を保有するメーカーと、マスク基板ＭｂにパターンＭｐを形成するパターン形成装置７４を保有するメーカーとが異なってもよい。また、生成装置７２を保有するメーカーと、接合装置７３を保有するメーカーとが異なってもよい。

本実施形態においては、デバイスを製造するデバイスメーカー（第２の企業）が、露光装置ＥＸを保有する。デバイスメーカーは、露光装置ＥＸのユーザーであり、その露光装置ＥＸを用いてデバイスを製造する。また、本実施形態において、デバイスメーカーは、基板処理装置ＣＤも保有する。

通信装置７１は、マスクメーカーとデバイスメーカーとの間で情報を通信可能である。 本実施形態において、通信装置７１は、ネットワークを含む。ネットワークは、有線通信による通信網でもよいし、無線通信による通信網でもよい。本実施形態において、ネットワークは、インターネットを含む。マスクメーカーとデバイスメーカーとは、インターネットを介してつながっている。マスクメーカーが有するコンピュータ（サーバ）７５、及びデバイスメーカーが有するコンピュータ（サーバ）７６が、インターネットに接続される。なお、通信装置７１が、マスクメーカーとデバイスメーカーとで情報を通信可能な専用線を含んでもよい。

コンピュータ７５、７６は、記憶装置を有する。記憶装置は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置には、コンピュータ７５、７６を制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされている。コンピュータ７５、７６の記憶装置には、プログラムが記憶されている。

本実施形態において、マスクメーカーは、通信装置７１を介して、デバイスメーカーから送信された情報を受信可能である。本実施形態において、マスクメーカーは、デバイスメーカーから送信され、通信装置７１を介して取得したデバイスメーカーの情報に基づいて、マスクＭを製造する。

通信装置７１からの情報は、マスク基板Ｍｂに形成されるパターンＭｐの情報を含む。パターンＭｐの情報は、パターン密度、及びパターン形成領域ＡＲの大きさの少なくとも一方を含む。

マスクメーカーは、通信装置７１からの情報に基づいて、第１部材１０１の厚さＤ１と第２部材１０２の厚さＤ２との比率を定める。第１部材１０１と第２部材１０２とは、熱膨張係数が異なる。これにより、マスクメーカーにおいて、熱変形が抑制されるマスクＭが製造される。マスクメーカーで製造されたマスクＭは、デバイスメーカーに提供される。デバイスメーカーは、そのマスクＭを用いて露光処理を行い、デバイスを製造することができる。

なお、デバイスメーカーの露光装置ＥＸが、例えば図１３を参照して説明したような温度調整装置６０を有する場合、通信装置７１からの情報が、露光光ＥＬの照明において行われるマスクＭ（マスク基板Ｍｂ）の温度調整の情報を含んでもよい。温度調整の情報は、例えば温度調整装置６０から供給される気体の温度、及び温度調整装置６０が気体を供給する時間の少なくとも一方を含む。

なお、通信装置７１からの情報が、露光光ＥＬに対する基板Ｐの感光材（感光膜Ｒｇ）の感度を含んでもよい。

なお、通信装置７１からの情報が、露光光ＥＬの非照射期間を含んでもよい。

なお、コンピュータ７５の記憶装置に記録されているプログラムが、製造システム７０に、通信装置７１からの情報に基づいて、厚さＤ１の第１部材１０１、及び厚さＤ２の第２部材１０２を生成することと、生成された第１部材１０１と第２部材１０２とを接合して、マスク基板Ｍｂを製造することと、を実行させてもよい。また、コンピュータ７５の記憶装置に記録されているプログラムが、製造システム７０に、マスク基板ＭｂにパターンＭｐを形成することを実行させてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、第１部材の熱膨張係数と第２部材の熱膨張係数とが異なることとしたが、第１部材の熱膨張係数と第２部材の熱膨張係数とが実質的に等しくてもよい。第１部材の熱膨張係数と第２部材の熱膨張係数とが実質的に等しくても、例えば第１部材の第２面の少なくとも一部に第２部材を接合することによって、マスクＭの熱変形が抑制される。例えば、ＸＹ平面内における大きさが第１部材とは異なる第２部材を第１部材に接合したり、形状が第１部材とは異なる第２部材を第１部材に接合したりすることによって、マスクＭの熱変形が抑制される。

また、上述の各実施形態においては、第１部材の厚さと第２部材の厚さとが異なることとしたが、第１部材の厚さと第２部材の厚さとが実質的に等しくてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、第１部材と第２部材とがオプティカルコンタクトされることとしたが、例えば接着剤で接合されてもよい。また、例えば石英ガラスからなる第１部材上においてフッ化カルシウム（蛍石）の結晶を成長させることによって、第１部材上に第２部材を設けてもよい。

なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１０の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子１９の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。

なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。

また、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図１５に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ８Ａ、８Ｂを備えている場合、射出面１１と対向するように配置可能な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの基板保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの基板保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。

なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。

上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。

また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

なお、上述の実施形態においては、露光装置ＥＸが、液体ＬＱを介して基板Ｐを露光する液浸露光装置であることとしたが、液体を介さずに（気体を介して）基板Ｐを露光するドライ型露光装置でもよい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。露光シーケンス及びメンテナンスシーケンスは、例えば基板処理ステップ２０４において実行される。

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

５…マスク保持部、７０…製造システム、７１…通信装置、７２…生成装置、７３…接合装置、７４…パターン形成装置、１０１…第１部材、１０２…第２部材、Ｃ１…第１面、Ｃ２…第２面、Ｃ３…第３面、Ｃ４…第４面、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｍ…マスク、Ｍｂ…マスク基板、Ｍｐ…マスクパターン、Ｐ…基板

Claims (33)

1. マスクパターンが形成される第１部材と、
   前記第１部材の少なくとも一部に接合され、前記第１部材とは熱膨張係数が異なる第２部材と、を備えるマスク基板。
2. 前記第１部材は、前記マスクパターンが形成される第１面、及び前記第１面の反対方向を向く第２面を有し、
   前記第２部材は、前記第２面の少なくとも一部に接合される請求項１に記載のマスク基板。
3. マスクパターンが形成される第１面、及び前記第１面の反対方向を向く第２面を有する第１部材と、
   前記第２面の少なくとも一部に接合される第２部材と、を備えるマスク基板。
4. 前記第１部材及び前記第２部材は、プレート状である請求項１〜３のいずれか一項に記載のマスク基板。
5. 前記１部材と前記第２部材とは、厚さが異なる請求項４に記載のマスク基板。
6. 前記第２部材は、前記第１部材よりも熱膨張係数が大きく、
   前記第１部材は、前記第２部材よりも厚い請求項４又は５に記載のマスク基板。
7. 前記第２部材は、前記第１部材よりも熱膨張係数が小さく、
   前記第１部材は、前記第２部材よりも薄い請求項４又は５に記載のマスク基板。
8. 前記第１部材と前記第２部材とは、オプティカルコンタクトされる請求項１〜７のいずれか一項に記載のマスク基板。
9. 前記第１部材及び前記第２部材の少なくとも一方に接合される第３部材を備える請求項１〜８のいずれか一項に記載のマスク基板。
10. 前記第１部材は、二酸化ケイ素を含む請求項１〜９のいずれか一項に記載のマスク基板。
11. 前記第２部材は、蛍石、フッ化バリウム、フッ化マグネシウム、及びフッ化リチウムの少なくとも一つを含む請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマスク基板。
12. 前記第１部材及び前記第２部材を介して、前記マスクパターンが露光光で照明される請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマスク基板。
13. 請求項１〜１２のいずれか一項に記載のマスク基板と、
    前記マスク基板に形成されたマスクパターンと、を備えるフォトマスク。
14. 請求項１３に記載のフォトマスクを露光光で照明することと、
    前記フォトマスクからの露光光で感光基板を露光することと、を含む露光方法。
15. 請求項１４に記載の露光方法を用いて感光基板を露光することと、
    露光された前記感光基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
16. マスクパターンが形成される第１部材の少なくとも一部に、前記第１部材とは熱膨張係数が異なる第２部材を接合することを含むマスク基板の製造方法。
17. 前記第１部材は、前記マスクパターンが形成される第１面、及び前記第１面の反対方向を向く第２面を有し、
    前記第２部材は、前記第２面の少なくとも一部に接合される請求項１６に記載のマスク基板の製造方法。
18. マスクパターンが形成される第１面及び前記第１面の反対方向を向く第２面を有する第１部材の前記第２面に、第２部材を接合することを含むマスク基板の製造方法。
19. 前記第１部材及び前記第２部材は、プレート状である請求項１６〜１８のいずれか一項に記載のマスク基板の製造方法。
20. 前記１部材と前記第２部材とは、厚さが異なる請求項１９に記載のマスク基板の製造方法。
21. 前記第１部材及び前記第２部材の少なくとも一方の熱膨張係数に基づいて、前記第１部材の厚さと前記第２部材の厚さとの比率が定められる請求項１９又は２０に記載のマスク基板の製造方法。
22. 前記マスク基板に形成される前記マスクパターンの情報に基づいて、前記第１部材の厚さと前記第２部材の厚さとの比率が定められる請求項１９又は２０に記載のマスク基板の製造方法。
23. 前記マスクパターンの情報は、前記マスクパターンの密度、及び前記マスクパターンの形成領域の大きさの少なくとも一方を含む請求項２２に記載のマスク基板の製造方法。
24. 前記マスク基板が露光光で照明され、
    前記露光光の照明において行われる前記マスク基板の温度調整の情報に基づいて、前記第１部材の厚さと前記第２部材の厚さとの比率が定められる請求項１９又は２０に記載のマスク基板の製造方法。
25. 前記マスク基板が露光光で照明され、前記マスク基板からの前記露光光が光学部材を介して感光基板に照射され、
    前記露光光に対する前記感光基板の感光材の感度に基づいて、前記第１部材の厚さと前記第２部材の厚さとの比率が定められる請求項１９又は２０に記載のマスク基板の製造方法。
26. 請求項１６〜２５のいずれか一項に記載のマスク基板の製造方法でマスク基板を製造することと、製造された前記マスク基板にマスクパターンを形成することと、を含むフォトマスクの製造方法。
27. 通信装置からの情報に基づいて、第１厚さの第１部材、及び第２厚さの第２部材を生成する生成装置と、
    前記生成装置からの前記第１部材と前記第２部材とを接合して、マスク基板を製造する接合装置と、を備える製造システム。
28. 前記通信装置からの情報は、前記マスク基板に形成されるマスクパターンの情報を含む請求項２７に記載の製造システム。
29. 前記マスクパターンの情報は、前記マスクパターンの密度、及び前記マスクパターンの形成領域の大きさの少なくとも一方を含む請求項２８に記載の製造システム。
30. 前記マスク基板が露光光で照明され、
    前記通信装置からの情報は、前記露光光の照明において行われる前記マスク基板の温度調整の情報を含む請求項２７に記載の製造システム。
31. 前記マスク基板が露光光で照明され、前記マスク基板からの前記露光光が光学部材を介して感光基板に照射され、
    前記通信装置からの情報は、前記露光光に対する前記感光基板の感光材の感度を含む請求項２７に記載の製造システム。
32. 前記第１部材と前記第２部材とは、熱膨張係数が異なる請求項２７〜３１のいずれか一項に記載の製造システム。
33. 前記マスク基板にマスクパターンを形成するパターン形成装置を備える請求項２７〜３２のいずれか一項に記載の製造システム。

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