JP2013125783A - Led実装基板およびled照明装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 耐マイグレーション性に優れ、かつ光の利用効率の高いLED実装基板およびLED照明装置を提供する。
【解決手段】
実施形態のLED実装基板は、セラミックで構成された基板1と、基板1上に設けられた導電パターン2と、導電パターン2上に設けられたオーバーコート層(被覆層)3と、導電パターン2上に設けられたLED素子7と、を具備している。導電パターン2は、第1の導電パターン211〜214と第2の導電パターン22とを備え、第1の導電パターン211〜214はオーバーコート層3に被覆され、第2の導電パターン22はオーバーコート層3に被覆されておらず、第1の導電パターン213と電気的に接続されるとともに、LED素子7と電気的に接続されており、オーバーコート層3はガラス、第1の導電パターン211〜214は銀(Ag)、第2の導電パターン22は銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)で構成されている。
【選択図】 図3

Description

本発明の実施形態は、液晶テレビ、液晶モニター、天井灯、方向指示灯、尾灯、ライセンス灯などの車載用照明等、様々な照明に用いられるLED実装基板およびLED照明装置に関する。
近年、放電灯や電球に置き換わる光源として、導電パターンを設けた基板にLEDを実装したLED実装基板が注目を浴びている。その基板には、樹脂製の基板と比較して熱伝導性に優れるセラミック製の基板が使用され始めており、LEDの弱点である放熱の問題が解決されると期待されている。
このようなLED実装基板では、導電パターン同士が短絡する現象であるマイグレーションが発生しないことと、LED等で発生した光を効率よく利用することが要求される。
特開2011−129646号公報
本発明が解決しようとする課題は、耐マイグレーション性に優れ、かつ光の利用効率の高いLED実装基板およびLED照明装置を提供することにある。
上記課題を達成するために、実施形態のLED実装基板は、セラミックで構成された基板と、前記基板上に設けられた導電パターンと、前記導電パターン上の少なくとも一部に設けられた被覆層と、前記導電パターン上に設けられたLED素子と、を具備するLED実装基板であって、前記導電パターンは、第1の導電パターンと第2の導電パターンとを備え、前記第1の導電パターンは前記被覆層に被覆され、前記第2の導電パターンは前記被覆層に被覆されておらず、前記第1の導電パターンと電気的に接続されるとともに、前記LED素子と電気的に接続されており、前記被覆層はガラス、前記第1の導電パターンは銀(Ag)、前記第2の導電パターンは銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)で構成されている。
第1の実施形態のLED実装基板について説明するための図である。 第1の実施形態のLED実装基板において一部の部品を取り外した状態について説明するための図である。 第1の実施形態のLED実装基板の断面について説明するための図である。 実施例と比較例1〜3のマイグレーションとガラスの変色について説明するための図である。 パラジウム(Pd)の割合とマイグレーション発生時間について説明するための図である。 第2の実施形態のLED照明装置について説明するための図である。 LED実装基板の第1の変形例について説明について説明するための図である。 LED実装基板の第2の変形例について説明について説明するための図である。
以下、発明を実施するための実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
第1の実施形態のLED実装基板について、図面を参照して説明する。図1は、第1の実施形態のLED実装基板について説明するための図、図2は第1の実施形態のLED実装基板において一部の部品を取り外した状態について説明するための図である。
LED実装基板は、主要部として基板1を備えている。基板1は、絶縁性および熱伝導性に優れた酸化アルミニウム(Al)、窒化アルミニウム(AlN)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ケイ素(Si)などのセラミックからなる基板である。基板1の一方の面上には、導電パターン2が設けられている。導電パターン2上の少なくとも一部には、被覆層としてオーバーコート層3が設けられている。オーバーコート層3としては、透明性の高いことが望ましい。例えば、酸化ビスマス(Bi)を含むビスマス系ガラスを使用することができる。
導電パターン2は、第1の導電パターン21、第2の導電パターン22および第3の導電パターン23で構成されている。
第1の導電パターン21は銀(Ag)で構成された導体であり、さらに第1の導電パターン211〜214で構成されている。第1の導電パターン211は、基板1の端部に形成されており、その一部はオーバーコート層3で被覆されている。そのオーバーコート層3で被覆されていない一端上には金属端子41が設けられ、他端の一部がオーバーコート層3で被覆されていない部分にはダイオード5の一端が設けられている。金属端子41は、中央部に貫通孔411を備えたステンレスなどの金属からなる端子である。なお、貫通孔411が配置される基板1の同じ位置にも、貫通孔11が形成されている。ダイオード5は、例えば後述する金属端子42から金属端子41への方向のみ電流が流れるように整流する整流素子である。
第1の導電パターン212、213は、基板1の中央部に形成されている。第1の導電パターン212の一端上にはダイオード5の他端が設けられ、他端上には抵抗層6が設けられている。抵抗層6は、電圧変動によるLEDの破壊防止や明るさの変化抑制のために設けられた抵抗値をもつ層であり、例えば酸化ルテニウム(RuO)で構成されている。なお、抵抗層6の他端は、第1の導電パターン213の一端上に設けられている。これら第1の導電パターン212、213および抵抗層6のほぼ全面はオーバーコート層3で被覆されている。
第1の導電パターン214は、基板1の端部に形成されており、その一部はオーバーコート層3で被覆されている。そのオーバーコート層3で被覆されていない一端上には、ステンレスなどの金属からなる金属端子42が設けられている。この金属端子42の中央部にも金属端子41と同様に基板1の貫通孔11と連通するように貫通孔421が形成されている。
第2の導電パターン22は、銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)で構成された導体である。その一端は第1の導電パターン213の他端と接続され、他端上にはLED素子7が設けられている。LED素子7は、白色、赤色、緑色、青色などの光を発生させるLEDチップであり、他端には金(Au)からなるボンディングワイヤ71の一端が接続されている。
第3の導電パターン23は、金(Au)で構成された導体である。その一端は第1の導電パターン214の他端と接続され、他端上にはボンディングワイヤ71の他端が設けられている。
この第1の導電パターン213、214の他端のオーバーコート層3上には、LED素子7およびボンディングワイヤ71を囲むように、円筒状のリフレクタ8が配置されている。その配置は、オーバーコート層3とリフレクタ8の間にシリコーン系の接着剤81を介在させることで行われている。このリフレクタ8は白色系の樹脂からなり、基板1から離れるにつれて開口が広がる反射面を備えている。そのリフレクタ8の内部には、シリコーン系の充填材9が充填されており、LED素子7、ボンディングワイヤ71および第2、第3の導電パターン22、23の一部が封止されている。
ここで、LED素子7付近の断面を図3を参照して説明する。この図は、イメージ図である点に留意すべきである。すなわち、基板1の厚みは0.635mm、第1、第2の導電パターン21、22およびオーバーコート層3の厚みは0.01mm、第3の導電パターン23の厚みは0.005mm、LED素子7の厚みは0.5mm、リフレクタ8の高さは約1mm、第2の導電パターン22と第3の導電パターン23の距離dは0.3mmであり、図面における各部材との寸法比は必ずしも一致しない。
この図からわかるように、第2の導電パターン22の一端は、基板1と第1の導電パターン213の間に設けられている。具体的には、基板1の上に第2の導電パターン22が形成され、その第2の導電パターン22の一部のさらに上に第1の導電パターン213が形成されている。第3の導電パターン23の一端も、基板1と第1の導電パターン214の間に設けられており、第1の導電パターン214は第3の導電パターン23の一部のさらに上に形成されている。また、上述したように、第2の導電パターン22および第3の導電パターン23の残部は充填材9により封止されているため、第2の導電パターン22と第3の導電パターン23は、オーバーコート層3に直接被覆されておらず、接触もしていない。
次に、本実施形態のLED実装基板の一製造方法について説明する。
まず、銀(Ag)とパラジウム(Pd)を含むペーストをスクリーン印刷により基板1上に塗布し、第2の導電パターン22を形成する。また、金(Au)を含むペーストをスクリーン印刷により基板1上に塗布し、第3の導電パターン23を形成する。次いで、銀(Ag)を含むペーストをスクリーン印刷により基板1上に塗布し、第1の導電パターン21を形成する。その際、第1の導電パターン213、214は、その一部が第2、第3の導電パターン22、23の一部に重なるようにスクリーン印刷する。その後、酸化ルテニウム(RuO)を含むペーストを、その一部が第1の導電パターン212、213の一部と重なるようにスクリーン印刷により基板1上に塗布し、抵抗層6を形成する。
次に、酸化ビスマス(Bi)などのガラスを含むペーストをスクリーン印刷により、第1の導体ペースト211、214の一部と、第1の導体ペースト212、213および抵抗層6のほぼ全面に塗布し、オーバーコート層3を形成する。そして、一対の金属端子41、42、ダイオード5、LED素子7、ボンディングワイヤ71、リフレクタ8を配置し、最後に、リフレクタ8の内部にシリコーン系の充填材9を充填することで、LED実装基板を形成することができる。
上記のような実施形態において、第2の導電パターン22のパラジウム(Pd)の割合を30%(Ag=70%、Pd=30%)とした実施例について、DC16Vで点灯する点灯試験を行った。また、比較として、第2の導電パターン22を銀(Ag)で構成した比較例1と、第2の導電パターン22を銀とプラチナの合金(Ag/Pt。Ag=99%、Pd=1%)で構成した比較例2と、第1の導電パターン21を銀とパラジウムの合金(Ag/Pd。Ag=70%、Pd=30%)で構成した比較例3についても同様の点灯試験を行った。その結果を図4に示す。
結果からわかるように、実施例では500時間以上、マイグレーションが発生せず、またオーバーコート層3の変色等もなく良好であった。一方、比較例1では1.5時間程度、比較例2では2時間程度で、第2の導電パターン22と、金(Au)で構成した第3の導電パターン23間でマイグレーションが発生した。比較例3では実施例同様、500時間以上、マイグレーションは発生しなかったが、オーバーコート層3が黒く変色した。
比較例1や比較例2でマイグレーションが発生した原因は、銀(Ag)および銀とプラチナの合金(Ag/Pt)は耐マイグレーション性に劣るためである。ちなみに、銀とプラチナの合金(Ag/Pt)は、半田付けの際に、基板上に形成した金属パターンなどが半田ごての方に付着して基板上の金属がなくなってしまう現象、いわゆる半田食われを抑制するために導電パターンに使用されることがある材料である。比較例3でオーバーコート層3が黒化した原因は、銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)とオーバーコート層3が反応したためである。オーバーコート層3が黒化すると、反射率低下が低下するため、光の利用効率が低下してしまう。
つまり、ガラスと接触する第1の導電パターン21は銀(Ag)、LED素子7を配置する第2の導電パターン22は銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)で構成し、かつガラスとは接触しないようにすることで、耐マイグレーション性に優れ、かつ光の利用効率の高いLED実装基板を実現することができる。
図5は、銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)におけるパラジウム(Pd)の割合とマイグレーション発生時間について説明するための図である。なお、銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)におけるパラジウム(Pd)の割合は、EPMA装置により測定される銀(Ag)とパラジウム(Pd)のElement Mass(%)から算出した割合である。
図から、パラジウム(Pd)の割合が増えるほど、マイグレーションが発生しにくくなることがわかる。例えば、パラジウム(Pd)の割合が30%のときは、パラジウム(Pd)の割合が0%、すなわち銀(Ag)が100%のときと比較して、マイグレーションの発生時間が数十倍長くなる。また、パラジウム(Pd)の割合が10%を超えると、マイグレーションの発生時間が長くなる傾向が生じ、また割合が20%を超えると、マイグレーションの発生時間がさらに長くなる傾向が生じる。したがって、第2の導電パターン22におけるパラジウム(Pd)の割合は、10%以上、好適には20%以上、最適には30%以上であるのが望ましい。ただし、パラジウム(Pd)が多くなると、導体抵抗およびコストが高くなってしまうことから、パラジウム(Pd)の割合は80%以下、さらには50%以下であるのが望ましい。
また、マイグレーションをさらに抑制するためには、LED素子7を電気的に接続する2つのパターンの距離dを0.2mm以上、望ましくは0.3mm以上とするのが望ましい。
第1の実施形態においては、導電パターン2を、第1の導電パターン21と第2の導電パターン22とで構成し、第1の導電パターンをオーバーコート層3で被覆し、第2の導電パターン22をオーバーコート層3で被覆せず、一端を基板1と第1の導電パターン21の間に介在させるとともに、他端にLED素子7を設け、オーバーコート層3をガラス、第1の導電パターン21を銀(Ag)、第2の導電パターン22を銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)で構成したことで、第2の導電パターン22と第3の導電パターン23間におけるマイグレーションの発生を抑制しつつ、オーバーコート層3の黒化を抑制することができるため、耐マイグレーション性に優れ、かつ光の利用効率の高いLED実装基板を提供することができる。
(第2の実施形態)
図6は、第2の実施形態のLED照明装置について説明するための図である。この第2の実施形態の各部について、第1の実施形態のLED実装基板の各部と同一部分は同一符号で示し、その説明を省略する。
この実施形態のLED照明装置は、例えば車両のストップランプとして使用されるものであり、ベース100を備えている。
ベース100は、プラスチックの容器やアルミニウムからなるヒートシンクなどからなるものであり、載置面101を備えている。その載置面101には、一対の金属ピン102が突出している。この金属ピン102は、ベース100の裏側に突出する金属端子と電気的に接続されており、その金属端子と点灯回路とを接続することで、一対の金属ピン102に電力を供給することが可能となる(図示なし)。
載置面101には、LED実装基板200が接続されている。その接続は、金属端子41、42の貫通孔411、421に一対の金属ピン102を挿入したのち、両者を半田で固着することにより行われている。なお、本実施形態では、LED素子7には、アルミニウムガリウムヒ素(AlGaAs)系の赤色LEDを使用している。
第2の実施形態においては、ベース100に第1の実施形態のLED実装基板200を接続したことで、マイグレーション等の不具合が少なく、かつ光の利用効率の高いLED照明装置を提供できる。
本発明は上記実施態様に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、第1の導電パターン21、第2の導電パターン22などは、他の導電材料、ガラス、ペースト中に存在する有機溶剤、バインダ、不純物などを多少含んでいてもよい。すなわち、第1の導電パターン21は銀(Ag)のみ、第2の導電パターン22は銀とパラジウムの合金のみ(Ag/Pd)からなるものに限定されるものではなく、実施形態のような効果を阻害しない程度の他の成分は許容するものと解釈すべきである。
LED素子7は、図7に示すように、複数であってもよい。これにより、光を強めたり、LED素子7を異なるタイミングで発光させたりすることができる。また、リフレクタ8は、楕円状の筒としてもよい。また、各LED素子7を同じタイミングで点灯させる場合は、第3の導電パターン23を一つにし、その導電パターン23に全てのボンディングワイヤ71を接続してもよい。
また、LED素子7は、図8に示すように、ボンディングワイヤレスのLED素子70に置き換えてもよい。この場合、LED素子70は、二つの第2の導電パターン221、222で接続するのが望ましい。
この発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 基板
2 導電パターン
21、211〜214 第1の導電パターン
22 第2の導電パターン
23 第3の導電パターン
3 オーバーコート層
7 LED素子

Claims (3)

  1. セラミックで構成された基板と、前記基板上に設けられた導電パターンと、前記導電パターン上の少なくとも一部に設けられた被覆層と、前記導電パターン上に設けられたLED素子と、を具備するLED実装基板であって、
    前記導電パターンは、第1の導電パターンと第2の導電パターンとを備え、
    前記第1の導電パターンは前記被覆層に被覆され、前記第2の導電パターンは前記被覆層に被覆されておらず、前記第1の導電パターンと電気的に接続されるとともに、前記LED素子と電気的に接続されており、
    前記被覆層はガラス、前記第1の導電パターンは銀(Ag)、前記第2の導電パターンは銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)で構成されているLED実装基板。
  2. 前記第2の導電パターン中の銀とパラジウムの合金(Ag/Pd)におけるパラジウム(Pd)の割合は、10%以上、80%以下である請求項1に記載のLED実装基板。
  3. ベースと、前記ベースに接続された請求項1に記載のLED実装基板と、を備えるLED照明装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015222798A (ja) * 2014-05-23 2015-12-10 東芝ライテック株式会社 発光モジュール及び照明装置
US9821713B2 (en) * 2013-10-07 2017-11-21 Jet Optoelectronics Co., Ltd. In-vehicle lighting device and operating method

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9821713B2 (en) * 2013-10-07 2017-11-21 Jet Optoelectronics Co., Ltd. In-vehicle lighting device and operating method
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