JP2013124379A5 - - Google Patents
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Description
このターゲット装置１０では、バッキングプレート１２の表面のうち、ターゲット板１７が取り付けられておらず、露出している部分には、保護膜２２が形成されており、従って、このターゲット装置１０では、ターゲット板１７の表面又は保護膜の表面が露出されている。
原材料５３Ｌ，５３Ｒは金属であり、各るつぼ５２Ｌ，５２Ｒに近接して配置されたホローカソード５５Ｌ，５５Ｒ内でアルゴンガスプラズマを発生させ、アルゴンイオン又は熱電子を引き出して、各るつぼ５２Ｌ，５２Ｒ内の原材料にそれぞれ照射すると、各るつぼ５２Ｌ，５２Ｒ内の原材料５３Ｌ，５３Ｒから、それぞれ金属イオンが放出される。
金属イオンの放出が安定した後、シャッタ５７Ｌ，５７Ｒを開けると、原材料の金属イオンは成膜対象物１１に向かって進行する。
このとき、予め、反応性ガスをガス導入管５９から真空槽５１内に導入させておき、真空槽５１の内部は、反応性ガスを含む真空雰囲気にしておく。
このとき、予め、反応性ガスをガス導入管５９から真空槽５１内に導入させておき、真空槽５１の内部は、反応性ガスを含む真空雰囲気にしておく。
なお、ターゲット板１７をバッキングプレート１２に取り付ける際に、軟化・溶融したろう材１５は、ターゲット板１７とバッキングプレート１２との間から押し出され、ターゲット板１７の外側にはみ出るが、ターゲット板１７の外側には、保護膜２２が露出しており、はみ出されたろう材は保護膜２２と接触した状態で固化するので、はみ出したろう材はバッキングプレート１２とは接触しないで固化する。ろう材１５の軟化・溶融物は保護膜２２に接着できず、固化物は保護膜２２から簡単に剥離させることができるので、保護膜２２表面の固化物はクリーニングによって除去されている。
Claims (5)
- バッキングプレートと、
前記バッキングプレートに金属のろう材で固定されたターゲット板とを有するターゲット装置であって、
前記バッキングプレートの露出部分には、ＴｉＡｌＮ薄膜か、又は、(１ １ １)面の割合が最も大きいＴｉＮ薄膜のいずれか一方の薄膜から成る保護膜が形成されたターゲット装置。 - 前記バッキングプレートは、純銅又は銅合金から成る請求項１記載のターゲット装置。
- 請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のターゲット装置を有するスパッタリング装置。
- 前記ターゲット装置が真空槽内に配置された請求項３記載のスパッタリング装置。
- バッキングプレートを１気圧よりも低い圧力の窒素ガス雰囲気中に配置し、
金属チタンをイオン化させて蒸発させ、負電圧で絶対値が１００Ｖ以上の電圧を前記バッキングプレートに印加しながら、前記イオンを到達させ、前記バッキングプレートの表面に窒化チタンから成る保護膜を形成した後、前記バッキングプレートにターゲット板を取り付けるターゲット装置の製造方法。
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