JP2013122966A - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のデューティ比制御法[4RFM−1]は、パワー変調をかけられる高周波RF1のデューティ比を、プロセス開始時点t0では、実用上の任意のパワー変調条件の下でプラズマを確実に着火できる初期値(90%)を用いる。そして、プロセスの開始と同時に高周波RF1のデューティ比を初期値90%から一定の負の勾配またはランプ波形で漸次的に下げ、所定時間Td(Td>Ta)を経過した時点t2で当該エッチングプロセス用の本来の設定値Dsまで下げる。時点t2以降は、プロセスの終了時(時点t4)までデューティ比を設定値Dsに固定または保持する。
【選択図】 図4A
Description
[実施形態1におけるプラズマ処理装置の構成及び作用]
[実施形態1におけるパワー変調のデューティ制御法]
[実施形態1におけるプラズマ着火性に関する効果]
[実施形態1における高周波給電部の構成及び作用]
[実施形態2におけるプラズマ処理装置の構成及び作用]
[他の実施形態または変形例]
16 サセプタ(下部電極)
33,35 高周波給電部
36,38 高周波電源
40,42 整合器
43,45 高周波伝送路
46 上部電極(シャワーヘッド)
56 処理ガス供給源
72 主制御部
94A,94B マッチングコントローラ
96A,96B インピーダンスセンサ
Claims (18)
- 被処理基板を出し入れ可能に収容する真空排気可能な処理容器内に相対向して設けられた第1および第2の電極間で処理ガスの高周波放電によるプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記第1の電極上に保持される前記基板に所望の処理を施すプラズマ処理方法であって、
所与のプラズマプロセスに対して、前記プラズマの生成に用いる第1の高周波のパワーがオン状態または第1のレベルになる第1の期間とオフ状態または前記第1のレベルよりも低い第2のレベルになる第2の期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記第1の高周波のパワーにパルス状の変調をかける工程と、
前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比を、プラズマ着火用の初期値で開始し、所定の遷移時間をかけて前記初期値から前記プラズマプロセス用の設定値まで漸次的または段階的に下げる工程と
を有するプラズマ処理方法。 - 前記第1または第2の電極のいずれかに対して前記第1の高周波の印加を開始するのと同時に、前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記デューティ比の初期値は、85〜95%に設定される、請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理方法。
- 前記遷移時間は0.5秒〜3.0秒に設定される、請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマから前記基板にイオンを引き込むのに適した第2の高周波を設定上一定のパワーでパルス状の変調をかけずに連続的に前記第1の電極に印加する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始した後に、前記第1の電極に対する前記第2の高周波の印加を開始する、請求項5記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみ前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加し、前記第1の高周波パワーのパルス変調に同期して、前記第1の期間中よりも前記第2の期間中のほうで前記直流電圧の絶対値を大きくする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始した後に、前記第2の電極に対する前記直流電圧の印加を開始する、請求項7または請求項8に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみプラズマからイオンを前記基板に引き込むのに適した第2の高周波を前記第2の電極に印加する、請求項7〜9のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比の低減を開始した後に、前記第2の電極に対する前記第2の高周波の印加を開始する、請求項10に記載のプラズマ処理方法。
- 真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する第1の電極と、
前記処理容器内で前記第1の電極と対向して配置される第2の電極と、
前記処理容器内に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内で前記処理ガスのプラズマを生成するために前記第1の電極または前記第2の電極のいずれか一方に第1の高周波を印加する第1の高周波給電部と、
所与のプラズマプロセスに対して、前記第1の高周波のパワーがオン状態または第1のレベルになる第1の期間とオフ状態または前記第1のレベルよりも低い第2のレベルになる第2の期間とを一定のパルス周波数で交互に繰り返すように、前記第1の高周波給電部を制御して前記第1の高周波のパワーにパルス状の変調をかける変調制御部と、
前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比を、プラズマ着火用の初期値で開始し、所定の遷移時間をかけて前記初期値から前記プラズマプロセス用の設定値まで漸次的または段階的に下げるデューティ比制御部と
を有するプラズマ処理装置。 - 前記第1の高周波給電部は、
前記変調制御部および前記デューティ制御部の制御の下で前記第1の高周波を出力する第1の高周波電源と、
前記第1の高周波電源より出力された前記第1の高周波を前記第1または第2の電極のいずれかまで伝送する第1の高周波伝送路と、
前記第1の高周波伝送路上に設けられる第1の可変リアクタンス素子を含む第1の整合回路および第1のインピーダンス・センサを有し、前記パルス周波数の各サイクル内で前記第1の期間内に設定される第1のモニタ時間中に前記第1のインピーダンス・センサにより負荷側のインピーダンスを測定して、その負荷側インピーダンス測定値が前記第1の高周波電源側のインピーダンスに対応する基準値に一致または近似するように前記第1の可変リアクタンス素子のリアクタンスを間断なく制御する第1の整合器と、
前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比に連関してそれに比例するように前記第1のモニタ時間を制御する第1のモニタ時間制御部と
を有する請求項12に記載のプラズマ処理装置。 - 前記プラズマからイオンを前記基板に引き込むのに適した第2の高周波を一定のパワーで連続的に出力して前記第1の電極に印加する第2の高周波給電部を有する、請求項12または請求項13に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみ前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加する直流電源部を有する、請求項12〜14のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の電極に負極性の直流電圧を印加し、前記第1の高周波パワーのパルス変調に同期して、前記第1の期間中よりも前記第2の期間中のほうで前記直流電圧の絶対値を大きくする直流給電部を有する、請求項12〜14のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第1の高周波のパワー変調に同期して、前記第1の期間中にのみプラズマからイオンを前記基板に引き込むのに適した第2の高周波を前記第2の電極に印加する第2の高周波給電部を有する、請求項15または請求項16に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の高周波給電部は、
前記変調制御部および前記デューティ制御部の制御の下で前記第2の高周波を出力する第2の高周波電源と、
前記第2の高周波電源より出力される前記第2の高周波を前記第1の電極まで伝送する第2の高周波伝送路と、
前記第2の高周波伝送路上に設けられる第2の可変リアクタンス素子を含む第2の整合回路および第2のインピーダンス・センサを有し、前記パルス周波数の各サイクル内で前記第1の期間内に設定される第2のモニタ時間中に前記第2のインピーダンス・センサにより負荷側のインピーダンスを測定して、その負荷側インピーダンス測定値が前記第2の高周波電源側のインピーダンスに対応する基準値に一致または近似するように前記第2の可変リアクタンス素子のリアクタンスを間断なく制御する第2の整合器と、
前記第1の高周波のパワー変調におけるデューティ比に連関してそれに比例するように前記第2のモニタ時間を制御する第2のモニタ時間制御部と
を有する請求項17に記載のプラズマ処理装置。
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014089945A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-05-15 | Lam Research Corporation | エッジランピング |
JP2014204050A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP2016073124A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源 |
JP2016152252A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法 |
JP2018073904A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法 |
JP2018535505A (ja) * | 2015-10-05 | 2018-11-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrf電力供給制御 |
JP2018536251A (ja) * | 2015-10-13 | 2018-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrfパルス反射の低減 |
JP2019516273A (ja) * | 2016-03-23 | 2019-06-13 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | インピーダンス整合システム、インピーダンス整合方法および半導体処理装置 |
WO2020185353A1 (en) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | Applied Materials, Inc. | Plasma ignition circuit |
WO2022158307A1 (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2022158305A1 (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2023027907A1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-02 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
WO2023210399A1 (ja) * | 2022-04-25 | 2023-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、電源システム及びプラズマ処理方法 |
WO2023244653A1 (en) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | Lam Research Corporation | Modulation of station voltages during plasma operations |
WO2024004339A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11615941B2 (en) | 2009-05-01 | 2023-03-28 | Advanced Energy Industries, Inc. | System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems |
US9767988B2 (en) | 2010-08-29 | 2017-09-19 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of controlling the switched mode ion energy distribution system |
JP5977509B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP5841917B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2016-01-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9685297B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-06-20 | Advanced Energy Industries, Inc. | Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system |
JP6180799B2 (ja) * | 2013-06-06 | 2017-08-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US9401263B2 (en) * | 2013-09-19 | 2016-07-26 | Globalfoundries Inc. | Feature etching using varying supply of power pulses |
JP6162016B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2017-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6374647B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6327970B2 (ja) | 2014-06-19 | 2018-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜をエッチングする方法 |
JP6424024B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP6316735B2 (ja) * | 2014-12-04 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP6410592B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP6449674B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US10622217B2 (en) | 2016-02-04 | 2020-04-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of plasma etching and method of fabricating semiconductor device using the same |
JP6703425B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-06-03 | 株式会社栗田製作所 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US10340123B2 (en) * | 2016-05-26 | 2019-07-02 | Tokyo Electron Limited | Multi-frequency power modulation for etching high aspect ratio features |
US10424467B2 (en) | 2017-03-13 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Smart RF pulsing tuning using variable frequency generators |
JP6807792B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ生成方法及びこれを用いたプラズマ処理方法、並びにプラズマ処理装置 |
TWI767088B (zh) * | 2017-11-17 | 2022-06-11 | 新加坡商Aes全球公司 | 電漿處理系統,用於調變其中的電源的控制方法及相關的電漿處理控制系統 |
KR20200100641A (ko) | 2017-11-17 | 2020-08-26 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 플라즈마 프로세싱 소스 및 기판 바이어스의 동기화된 펄싱 |
WO2019099925A1 (en) | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
JP7186032B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
US11361947B2 (en) * | 2019-01-09 | 2022-06-14 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma processing and method of etching |
CN118315254A (zh) | 2019-01-22 | 2024-07-09 | 应用材料公司 | 用于控制脉冲电压波形的反馈回路 |
JP6960421B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2021-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
JP2022541004A (ja) | 2019-07-12 | 2022-09-21 | エーイーエス グローバル ホールディングス, プライベート リミテッド | 単一制御型スイッチを伴うバイアス供給装置 |
JP2021034487A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する方法、デバイス製造方法、及びプラズマ処理装置 |
JP7257918B2 (ja) * | 2019-08-29 | 2023-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システムおよびプラズマ着火支援方法 |
JP7285742B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2023-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
JP7433271B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 |
US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
JP7534235B2 (ja) * | 2021-02-01 | 2024-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | フィルタ回路及びプラズマ処理装置 |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
US11670487B1 (en) | 2022-01-26 | 2023-06-06 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply control and data processing |
US11942309B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-03-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Bias supply with resonant switching |
US12046448B2 (en) | 2022-01-26 | 2024-07-23 | Advanced Energy Industries, Inc. | Active switch on time control for bias supply |
US11978613B2 (en) | 2022-09-01 | 2024-05-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Transition control in a bias supply |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005130198A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Ulvac Japan Ltd | 高周波装置 |
JP2011016266A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Nec Tokin Corp | 積層磁性シート |
JP2011525682A (ja) * | 2008-05-14 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Rf電力供給のための時間分解チューニングスキームを利用したパルス化プラズマ処理の方法及び装置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6586887B1 (en) * | 2002-03-06 | 2003-07-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | High-frequency power supply apparatus for plasma generation apparatus |
JP4135541B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2008-08-20 | ソニー株式会社 | プラズマ表面処理方法 |
JP5192209B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP5514413B2 (ja) | 2007-08-17 | 2014-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP5224837B2 (ja) * | 2008-02-01 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR101510775B1 (ko) * | 2008-11-24 | 2015-04-10 | 삼성전자주식회사 | 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비 |
US8383001B2 (en) * | 2009-02-20 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium |
JP5466480B2 (ja) | 2009-02-20 | 2014-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体 |
US8404598B2 (en) * | 2009-08-07 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching |
KR20120022251A (ko) * | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각방법 및 그의 장치 |
JP5864879B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法 |
JP5977509B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP5867701B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2016-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5808012B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP6657904B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2020-03-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 機内環境管理装置、電子機器、画像形成装置、及び機内環境管理プログラム |
-
2011
- 2011-12-09 JP JP2011270356A patent/JP5977509B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-03 TW TW101145280A patent/TWI588889B/zh active
- 2012-12-03 WO PCT/JP2012/007727 patent/WO2013084459A1/ja active Application Filing
- 2012-12-03 KR KR1020147015208A patent/KR102038617B1/ko active IP Right Grant
- 2012-12-03 US US14/363,382 patent/US9754768B2/en active Active
-
2017
- 2017-07-27 US US15/661,052 patent/US10593519B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005130198A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Ulvac Japan Ltd | 高周波装置 |
JP2011525682A (ja) * | 2008-05-14 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Rf電力供給のための時間分解チューニングスキームを利用したパルス化プラズマ処理の方法及び装置 |
JP2011016266A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Nec Tokin Corp | 積層磁性シート |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014089945A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-05-15 | Lam Research Corporation | エッジランピング |
JP2014204050A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
US10121640B2 (en) | 2013-04-09 | 2018-11-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for plasma processing |
JP2016073124A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源 |
JP2016152252A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法 |
JP2018535505A (ja) * | 2015-10-05 | 2018-11-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrf電力供給制御 |
JP2018536251A (ja) * | 2015-10-13 | 2018-12-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板処理のためのrfパルス反射の低減 |
JP2019516273A (ja) * | 2016-03-23 | 2019-06-13 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | インピーダンス整合システム、インピーダンス整合方法および半導体処理装置 |
JP2018073904A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法 |
WO2020185353A1 (en) * | 2019-03-13 | 2020-09-17 | Applied Materials, Inc. | Plasma ignition circuit |
US11328900B2 (en) | 2019-03-13 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma ignition circuit |
WO2022158307A1 (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2022158305A1 (ja) * | 2021-01-19 | 2022-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
WO2023027907A1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-02 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
WO2023210399A1 (ja) * | 2022-04-25 | 2023-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、電源システム及びプラズマ処理方法 |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
WO2023244653A1 (en) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | Lam Research Corporation | Modulation of station voltages during plasma operations |
WO2024004339A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140305905A1 (en) | 2014-10-16 |
US10593519B2 (en) | 2020-03-17 |
JP5977509B2 (ja) | 2016-08-24 |
WO2013084459A1 (ja) | 2013-06-13 |
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TWI588889B (zh) | 2017-06-21 |
US9754768B2 (en) | 2017-09-05 |
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