JP2013115151A - 研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、異形の砥粒と、標準電極が0.3V以上である酸化剤とを含有し、好ましくはアンモニウム塩などの塩をさらに含有する。研磨用組成物のpHは1〜6又は8〜14である。
【選択図】なし
Description
前記砥粒は複数の突起を表面に有するいわゆる金平糖形の粒子であってもよい。その場合、複数の突起を表面に有する粒子のうち同粒子の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均は0.245以上であることが好ましい。
上記第1の態様の研磨用組成物は塩をさらに含有してもよい。その場合、前記塩はアンモニウム塩であることが好ましい。
本発明の第3の態様では、上記第1の態様の研磨用組成物を用いて、III−V族化合物材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨することにより、基板を製造する方法を提供する。
本実施形態の研磨用組成物は、特定の砥粒と特定の酸化剤を水に混合して調製され、必要に応じてpH調整剤を添加することによりpHが1〜6又は8〜14の範囲に調整されている。従って、研磨用組成物は、特定の砥粒及び特定の酸化剤を含有し、必要に応じてさらにpH調整剤を含有している。
研磨用組成物中に含まれる砥粒は、異形すなわち非球形の外形を有している。異形の砥粒を使用した場合、非異形すなわち球形の外形を有する砥粒を使用した場合に比べて、研磨用組成物によるIII−V族化合物材料部分及びケイ素材料部分の研磨速度、特にケイ素材料部分の研磨速度が向上するという有利がある。異形の砥粒の典型例としては、中央部にくびれを有するいわゆる繭形の粒子や、複数の突起を表面に有するいわゆる金平糖形の粒子がある。
研磨用組成物中に含まれる酸化剤は、0.3V以上の標準電極電位を有している。0.3V以上の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合には、0.3V未満の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合に比べて、研磨用組成物によるIII−V族化合物材料部分及びケイ素材料部分の研磨速度、特にケイ素材料部分の研磨速度が向上するという有利がある。0.3V以上の標準電極電位を有する酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、有機酸化剤、オゾン水、銀( I I ) 塩、鉄( I I I ) 塩、過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、亜塩素酸、過塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、硫酸、過硫酸、クエン酸、ジクロロイソシアヌル酸及びそれらの塩等が挙げられる。これらの中でも、研磨用組成物によるIII−V族化合物材料部分及びケイ素材料部分の研磨速度、特にケイ素材料部分の研磨速度が大きく向上することから、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、及びジクロロイソシアヌル酸ナトリウムが好ましい。
E0=−△G0/nF=(RT/nF)lnK
ここで、E0は標準電極電位、△G0は酸化反応の標準ギブスエネルギー変化、Kはその平行定数、Fはファラデー定数、Tは絶対温度、nは酸化反応に関与する電子数である。従って、標準電極電位は温度により変動するので、本明細書中においては25℃における標準電極電位を採用している。なお、水溶液系の標準電極電位は、例えば改訂4版化学便覧(基礎編)II、pp464−468(日本化学会編)等に記載されている。
研磨用組成物のpHの値は1〜6又は8〜14の範囲内である必要がある。pHが7前後である場合には、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度が大きく低下するという不利がある。
本実施形態の研磨用組成物では、研磨用組成物によるIII−V族化合物材料部分及びケイ素材料部分の研磨速度、特にケイ素材料部分の研磨速度を向上させるために、異形の砥粒が使用されている。また、研磨用組成物によるIII−V族化合物材料部分の研磨速度を向上させるために、標準電極電位が0.3V以上である酸化剤も使用されている。さらには、研磨用組成物のpHの値を1〜6又は8〜14の範囲内に調整することにより、研磨用組成物によるケイ素材料部分の研磨速度を高く保つようにしている。そのため、この研磨用組成物を用いた場合には、III−V族化合物材料部分とケイ素材料部分の両方を高い研磨速度で研磨することができる。従って、本実施形態の研磨用組成物は、III−V族化合物材料部分とケイ素材料部分を同時に研磨する目的での使用に適する。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は、二種類以上の砥粒を含有してもよい。この場合、一部の砥粒については必ずしも異形である必要はない。
・ 前記実施形態の研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型をはじめとする多液型であってもよい。
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
Claims (8)
- III−V族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、異形の砥粒と、標準電極が0.3V以上である酸化剤とを含有し、pHが1〜6又は8〜14であることを特徴とする研磨用組成物。
- 前記砥粒の平均二次粒子径の値を前記砥粒の平均一次粒子径の値で除することにより得られる前記砥粒の平均会合度が1.6以上である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記砥粒は複数の突起を表面に有する粒子を含み、その粒子のうち同粒子の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均が0.245以上である、請求項1に記載の研磨用組成物。
- 前記複数の突起を表面に有する粒子のうち同粒子の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の平均高さが2.5nm以上である、請求項3に記載の研磨用組成物。
- 塩をさらに含有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 前記塩がアンモニウム塩である、請求項5に記載の研磨用組成物。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、III−V族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨することを特徴とする研磨方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、III−V族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨することにより、基板を製造することを特徴とする基板の製造方法。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384872A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-15 | Nissan Chem Ind Ltd | 第3−5族化合物半導体の研磨剤 |
JP2000160140A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2003109918A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 化学機械研磨(cmp)を用いてボンディングのためにウェハを平滑化する装置およびその方法 |
JP2003197574A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Toshiba Corp | SiC系化合物のCMP用研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法 |
JP2003220551A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-08-05 | Hitachi Ltd | 研磨用組成物、砥粒、それらの製造方法、研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004207417A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | InPウエハの研磨液とInPウエハの研磨方法 |
JP2007103514A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2007103463A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、GaxIn1−xAsyP1−y結晶の表面処理方法およびGaxIn1−xAsyP1−y結晶基板 |
JP4053755B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
JP2011238763A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 研磨剤、化合物半導体の製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
-
2011
- 2011-11-25 JP JP2011258342A patent/JP6068790B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384872A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-15 | Nissan Chem Ind Ltd | 第3−5族化合物半導体の研磨剤 |
JP2000160140A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2003109918A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 化学機械研磨(cmp)を用いてボンディングのためにウェハを平滑化する装置およびその方法 |
JP4053755B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法 |
JP2003220551A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-08-05 | Hitachi Ltd | 研磨用組成物、砥粒、それらの製造方法、研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003197574A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Toshiba Corp | SiC系化合物のCMP用研磨スラリー、研磨方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004207417A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | InPウエハの研磨液とInPウエハの研磨方法 |
JP2007103514A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2007103463A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、GaxIn1−xAsyP1−y結晶の表面処理方法およびGaxIn1−xAsyP1−y結晶基板 |
JP2011238763A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 研磨剤、化合物半導体の製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
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