JP2013110110A - 仮圧着工程性を改善した異方性導電フィルム及び半導体装置(Anisotropicconductivefilmwitheasypre−bondingprocessandthesemiconductordevice) - Google Patents

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長 鉉 ▲そう▼
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Abstract

【課題】本発明は、導電性接着層及び絶縁性接着層が積層された異方性導電フィルムを提供する。
【解決手段】本発明は、導電性接着層及び絶縁性接着層が積層された異方性導電フィルムに関するもので、前記導電性接着層の反応性モノマー含量を絶縁性接着層の反応性モノマー含量より高くしてガラスに対する導電性接着層の粘着力が強化することで、仮圧着時の工程不良の問題を改善した、異方性導電フィルムに関するものである。
【選択図】なし

Description

本発明は、導電性接着層及び絶縁性接着層が積層された異方性導電フィルムに関するもので、前記導電性接着層の反応性モノマー含量を前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量より高くしガラスに対する導電性接着層の粘着力を強化することで、仮圧着時に工程不良の問題を改善した異方性導電フィルムに関するものである。
異方性導電フィルム(Anisotropic conductive film、ACF)とは、一般的にニッケル(Ni)や金(Au)などの金属粒子、またはそのような金属でコーティングされた高分子粒子などの導電粒子をエポキシなどの樹脂に分散したフィルム形状の接着剤をいうもので、フィルムの膜の厚さ方向には導電性を帯び、面方向には絶縁性を有する、電気異方性及び接着性を有する高分子膜を意味する。異方性導電フィルムを接続しようとする回路間に前記フィルムを置いた後、所定条件の加熱・加圧工程を経ると、回路端子同士の間は導電性粒子により電気的に接続するようになり、隣接する電極間には絶縁性接着樹脂が充填されて導電性粒子がお互いに独立して存在することで高絶縁性が与えられる。
最近IT(情報技術)デバイスの軽薄短小化及びフラットパネルディスプレイの解像度増加などにより前記デバイスの回路幅が従来より段々狭くなっている。この場合、回路幅が狭くなることにより、接着層に含まれていて回路を接続させる導電粒子(同士)が固まる(凝集、塊状化する)ことによる電気的な短絡が発生せざるを得なくなる。これを回避するために多層構造の異方性導電フィルムが一般的に広く使用されている。
現在使用されている多層構造の異方性導電フィルムは、PET(ポリエチレンテレフタラート)などの離型フィルム上に絶縁性接着層が積層されていて、その上に導電粒子を含み前記絶縁性接着層より反応性モノマーの含量が少なく溶融粘度の高い導電性接着層が積層されている構造となっている。
このような異方性導電フィルムを使用する場合、ボンディング時に相対的に高溶融粘度を有する導電性接着層は導電粒子の流動性を最大限に抑えるし、相対的に低溶融粘度を有する絶縁性接着層は電極間を埋めることで、導電粒子の流動による電気的短絡を防止する長所がある。
しかし、前記の従来の異方性導電フィルムは仮圧着工程性に劣る短所を有する。具体的に、異方性導電フィルムを利用したモジュール工程において、前記異方性導電フィルムをガラス上に整列させこれを熱圧着などによりガラス上に固定させた後、離型フィルムを除去する仮圧着工程を経るが、この際従来の異方性導電フィルムの場合ガラスに固定される導電性接着層の溶融粘度が離型フィルム側に隣接した絶縁性接着層の溶融粘度より高くてガラスに対する導電性接着層の粘着力が低いため、離型フィルムを除去する時異方性導電フィルムが残っていけずガラスから全て剥れてしまう仮圧着工程不良が頻繁に発生するようになる。
また、本圧着時に不良が発生するとガラスを廃棄することよりリワーク(rework)工程を通して除去し、再び異方性導電フィルムの手動仮圧着工程を経ることになるため問題となる。
従って、導電性接着層の粘着力を強化して仮圧着工程性の向上された異方性導電フィルムの開発が要求される。
一方、多層構造の異方性導電フィルムに関する先行技術は以下の通りである。
特許文献1は、重合開始剤として、1分間の半減期が異なる2種類の有機過酸化物を使用することにより低温速硬化を達成した多層異方性導電フィルムに関するものである。
特許文献2は、絶縁性接着層にナノシリカを添加することにより絶縁性接着層の接着強度を高めた多層異方性導電フィルムに関するものである。
特許文献3は、絶縁性接着層より高溶融粘度を有し多数の孔部がある導電性接着層から構成されたもので、ファインピッチ(fine pitch)に対応できる多層異方性導電フィルムに関するものである。
導電性接着層の観点から、前記先行技術は全て導電性接着層の溶融粘度を絶縁性接着層より高くして導電粒子の流動を防止する効果を図るだけで、先行技術のどこにも導電性接着層の粘着力改善、即ち仮圧着時の工程不良を改善することに関する内容は開示されてない。
特開2010−0037539号公報 特開2007−0257947号公報 韓国公開特許第10−2010−0010694号公報
本発明者は上述の通り、仮圧着工程時に導電性接着層の溶融粘度が絶縁性接着層の溶融粘度より高い異方性導電フィルムを使用する場合、導電性接着層の粘着力が低くて仮圧着時に工程不良を誘発する問題点を認識し、これを解決しようとして導電性接着層の反応性モノマー含量を絶縁性接着層の反応性モノマー含量より高くすることで、粘着力の優秀な異方性導電フィルムを開発するに至ったものである。
具体的に、本発明は従来の多層異方性導電フィルムの主な効果である電気的短絡の発生抑制性能を保持しながらも、導電性接着層の粘着力が強化され仮圧着工程性の優れた異方性導電フィルムを提供することを目的とする。
本発明の実施形態において、(1)導電性接着層及び絶縁性接着層が積層された異方性導電フィルムであって、前記導電性接着層の反応性モノマー含量が、前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量より多い、異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(2)前記導電性接着層の総質量を基準として、前記導電性接着層の反応性モノマー含量が25ないし50質量%で、前記絶縁性接着層の総質量を基準として前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量が20ないし40質量%である、上記(1)に記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(3)前記導電性接着層の反応性モノマー含量が、前記絶縁性接着層のモノマー含量の1倍超過ないし2倍以下である、上記(1)または(2)に記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(4)前記導電性接着層、前記絶縁性接着層、又は前記導電性接着層及び前記絶縁性接着層の反応性モノマーは、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である、上記(1)ないし(3)の何れか一つに記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(5)異方性導電フィルムの総質量を基準として、反応性モノマー20ないし45質量%、及びバインダー樹脂55ないし80質量%を含み、各々のピール強度(引きはがし強度)が異なる2以上の層を有する、上記(1)ないし(4)の何れか一つに記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(6)異方性導電フィルムの総質量を基準として、反応性モノマー20ないし45質量%、及びバインダー樹脂55ないし80質量%を含み、ピール強度は25℃、1MPa、1秒の条件で、上面(導電性接着層層)のピール強度が3ないし10gf/mmで、下面(絶縁性接着層)のピール強度が2ないし7gf/mmである、上記(5)に記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(7)前記反応性モノマーは、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である、上記(5)または(6)に記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(8)異方性導電フィルムの総質量を基準として、熱可塑性樹脂45ないし75質量%、導電粒子1ないし10質量%、及び反応性モノマー20ないし45質量%を含み、伸び率が400ないし800%である、上記(1)ないし(7)の何れか一つに記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(9)異方性導電フィルムの総質量を基準として、熱可塑性樹脂45ないし75質量%、導電粒子1ないし10質量%及び反応性モノマー20ないし45質量%を含み、25℃、1MPa、1秒の条件で、上面(導電性接着層層)のピール強度が3ないし10gf/mmで、下面(絶縁性接着層)のピール強度が2ないし7gf/mmである、上記(1)ないし(8)の何れか一つに記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(10)前記反応性モノマーは、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である、上記(8)または(9)に記載の異方性導電フィルムを提供する。
本発明の他の実施形態において、(9)前記(1)ないし(8)の何れか一つに記載の異方性導電フィルムより接続した半導体装置を提供する。
前記半導体装置は、配線基板;前記配線基板のチップ搭載面に接着(付着)されている異方性導電フィルム;及び前記フィルム上に搭載された半導体チップを含むことができる。
本発明の異方性導電フィルムは、導電性接着層の粘着力が強化され、仮圧着時の工程性が優れる効果を有する。
より具体的には、本発明は導電性接着層の反応性モノマー含量を絶縁性接着層の反応性モノマー含量より高くすることで仮圧着時に導電性接着層の粘着力が強化され離型フィルムが容易に除去できるようにし、本圧着時には導電性接着層の速い反応性によって導電性接着層の流動性が絶縁性接着層より急激に減ることで電気的短絡を防止する効果を有する。
以下、本発明に関して、より詳細に説明する。本願明細書に記載されてない内容は本発明の技術分野、又は類似分野での熟練者であれば十分に認識し類推できるので説明を省略する。
本発明の実施形態において、導電性接着層及び絶縁性接着層が積層された異方性導電フィルムであって、前記導電性接着層の反応性モノマー含量が前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量より多い、異方性導電フィルムを提供する。
前記本発明は、仮圧着時に導電性接着層とガラスとの間の粘着力が優秀であり、絶縁性接着層と離型フィルムとの間の離型力が優秀で、工程不良を防止する効果を有する。
前記導電性接着層の反応性モノマー含量は、好ましくは前記導電性接着層の総質量を基準として、25ないし50質量%で、より好ましくは30ないし45質量%である。
前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量は、好ましくは前記絶縁性接着層の総質量を基準として、20ないし40質量%で、より好ましくは25ないし35質量%である。
本発明の他の実施形態において、前記導電性接着層の反応性モノマーの含量は、好ましくは前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量の1倍超過ないし2倍以下、より好ましくは1倍超過ないし1.8倍以下で、最も好ましくは1.1倍ないし1.5倍の範囲である。
本発明の他の実施形態において、異方性導電フィルムの総質量を基準として、好ましくは反応性モノマー20ないし45質量%、及びバインダー樹脂55ないし80質量%、より好ましくは反応性モノマー25ないし40質量%、及びバインダー樹脂60ないし75質量%を含み、上面(導電性接着層)と下面(絶縁性接着層)のピール強度が異なる2以上の層を有する異方性導電フィルムを提供する。
前記上面のピール強度(導電性接着層)は25℃、1MPa、1秒の条件で、好ましくは3ないし10gf/mmで、下面(絶縁性接着層)のピール強度は前記と同じ条件で、好ましくは2ないし7gf/mmである。上面(導電性接着層)のピール強度および下面(絶縁性接着層)のピール強度が、上記範囲内であれば、導電性接着層は、仮圧着(prebonding)の際に絶縁性接着層に比べて接着力が高く、離型フィルムの除去を容易にすることができる点で優れている。
本発明の他の実施形態において、異方性導電フィルムの総質量を基準として、好ましくは熱可塑性樹脂45ないし75質量%、導電粒子1ないし10質量%、及び反応性モノマー20ないし45質量%、より好ましくは熱可塑性樹脂60ないし70質量%、導電粒子1ないし10質量%、反応性モノマー25ないし40質量%を含み、伸び率が400ないし800%である異方性導電フィルムを提供する。
前記導電性接着層、及び/又は、絶縁性接着層の反応性モノマーは、好ましくは(メタ)アクリレートモノマーで、より好ましくはホスフェート基を有するアクリレート、水酸基を有するアクリレート、エポキシ基を有するアクリレート、トリ(メタ)アクリレート及びイソシアヌレートからなる群より選ばれる1種以上で、より好ましくは2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である。最も好ましくは、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートである。
本発明の他の実施形態において、前記異方性導電フィルムで接続された半導体装置を提供する。
前記半導体装置は、配線基板;前記配線基板のチップ搭載面に付着(接着)されている異方性導電フィルム;及び前記フィルム上に搭載される半導体チップを含むことができる。
本発明に用いられる前記配線基板、半導体チップは特に限定されなく、当該技術分野で知られているものを用いることができる。
本発明の半導体装置を製造する方法は特に限定されなく、当該技術分野で知られている方法で行うことができる。
本発明の異方性導電フィルムにおいて、前記導電性接着層はバインダー樹脂、反応性モノマー、ラジカル開始剤、及び導電粒子を含むことができ、前記絶縁性接着層はバインダー樹脂、反応性モノマー及びラジカル開始剤を含むことができる。以下、各成分に関してより詳細に説明する。
(a)バインダー樹脂
本発明に使用されるバインダー樹脂として、例えば、熱可塑性樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリウレタンアクリレート樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、またはNBR系樹脂などがある。
(a−1)熱可塑性樹脂
本発明で使用できる熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル系、フェノキシ系、ブタジエン系、アクリル系、ポリウレタン系、ウレタンアクリレート系、ポリアミド系、オレフィン系、シリコン系、及びNBR(Nitrile butadiene rubber)系樹脂からなる群より選ばれる1種以上を使用することができるが、これらに限定されない。
熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が1,000ないし1,000,000g/molであるものが良い。前記範囲内で、適切なフィルム強度を有することができるし、相分離が起こらなく、被着材との密着性が低くて接着力が低下されないためである。
前記熱可塑性樹脂の含量は、導電性接着層の場合、導電性接着層の総質量を基準として、好ましくは50ないし80質量%、より好ましくは60ないし75質量%で、絶縁性接着層の場合、絶縁性接着層の総質量を基準として、好ましくは50ないし90質量%、より好ましくは65ないし85質量%である。
(a−2)アクリル系樹脂
本発明で使用できるアクリル系樹脂は、アクリル系単量体及び/又はこれと重合できる単量体を重合して得ることができる。例えば、アクリル系樹脂は炭素数2ないし10のアルキル基を有する(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、ビニルアセテート及びこれから変性されたアクリル系単量体からなる群より選ばれる1種以上の単量体を重合して製造することができる。重合方法は特に限定されない。
本発明に使用されるバインダー樹脂中、アクリル系樹脂の含量は特に限定されないが、フィルムの総質量を基準として、好ましくは0ないし40質量%である。
(a−3)ポリウレタン系樹脂
本発明で使用できるポリウレタン系樹脂はウレタン結合を有する高分子樹脂で、イソホロンジイソシアネート、ポリテトラメチレングリコールなどを重合して製造されるが、これらに限定されない。ポリウレタン系樹脂は重量平均分子量が50,000ないし100,000g/molの樹脂であり得る。
本発明で使用されるバインダー樹脂中、ポリウレタン系樹脂の含量は特に限定されないが、好ましくはフィルムの総質量を基準として0ないし40質量%である。
(a−4)ポリウレタンアクリレート樹脂
本発明で使用できるポリウレタンアクリレート樹脂は、イソシアネート、ポリオール、ジオール類及びヒドロキシアクリレートを共重合した樹脂であり得る。
イソシアネートは、芳香族、脂肪族及び脂環族のジイソシアネートからなる群より選ばれる1種以上であることができる。例えば、テトラメチレン−1,4−ジイソシアネート、ヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−1,4−ジイソシアネート、メチレンビス(4−シクロヘキシルイソシアネート)、イソホロンジイソシアネート、及び4,4−メチレンビス(シクロヘキシルジイソシアネート)からなる群より選ばれる1種以上であることができる。
ポリオールは、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、及びポリカーボネートポリオールからなる群より選ばれる1種以上であることができる。ポリオールは、ジカルボン酸化合物とジオール化合物の縮合反応により得ることができる。ジカルボン酸の例では、コハク酸、グルタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、オルトフタル酸、テトラクロロフタル酸、1,5−ナフタレンジカルボン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、テトラヒドロフタル酸などがあるが、これらに限定されることではない。ジオール化合物は、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ジブチレングリコール、2−メチル−1,3−ペンタンジオール、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオール、1,4−シクロヘキサンメタノールなどがあるが、これらに限定されることではない。また、適切なポリエーテルポリオールは、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラエチレングリコールなどがあるが、これらに限定されることではない。
ジオール類は、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジブチレングリコール、2−メチル−1,3−ペンタンジオール、2,2,4−トリメチル−1,3ペンタンジオール、及び1,4−シクロヘキサンジメタノールからなる群より選ばれる1種以上であることができるが、これらに限定されることではない。
ポリウレタンアクリレート樹脂を製造する重合方法は特に限定されない。
本発明で使用されるバインダー樹脂中、ポリウレタンアクリレート樹脂の含量は特に限定されないが、好ましくはフィルムの総質量を基準として0ないし30質量%である。
(a−5)ポリエステルウレタン樹脂
本発明で使用できるポリエステルウレタン樹脂は、ポリエステルポリオールとジイソシアネートの反応により得ることができる。
ポリエステルポリオールは、複数のエステル基及び複数の水酸基を有する重合体である。ポリエステルポリオールは、ジカルボン酸とジオールの反応により得ることができる。
ジカルボン酸の例として、テレフタル酸、イソフタル酸、アジピン酸、セバシン酸などがあり、前記のような芳香族ジカルボン酸、又は脂肪族ジカルボン酸が好ましい。
ジオールの例として、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどがあり、前記のようなグリコール類が好ましい。
ジイソシアネートの例として、2,4−トリレンジイソシアネート(TDI)、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート(MDI)、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート(HDI)、イソホロンジイソシアネート(IPDI)などがあり、芳香族、脂環族、または脂肪族のジイソシアネートが好ましい。
(a−6)NBR系樹脂
本発明で使用できるNBR系樹脂は、アクリロニトリルとブタジエンの乳化重合により製造される共重合体で、共重合体の中でアクリロニトリルとブタジエンの各々の含量は特に限定されなく、重合方法も特に限定されない。NBR系樹脂は重量平均分子量が50,000ないし2,000,000g/molの樹脂であることができる。
本発明で使用されるバインダー樹脂の中でNBR系樹脂の含量は特に限定されないが、好ましくはフィルムの総質量を基準として0ないし15質量%である。
(b)反応性モノマー
反応性モノマーとは、一般的に分子量が1,000未満の化合物で実質的に硬化反応を起こす化合物を意味する。本発明の反応性モノマーとして、好ましくは(メタ)アクリレートモノマーを使用することができる。
本発明の導電性接着層の反応性モノマーは、導電性接着層の総質量を基準として、25ないし50質量%であることが好ましい。前記範囲内で導電性接着層の粘着力を高めることができ仮圧着時の工程不良が防止できるし、接着層の流動性が適切に調節され導電粒子の流動による電気的短絡を防止することができる。前記反応モノマーの含量は、より好ましくは30ないし45質量%である。
本発明の絶縁性接着層の反応性モノマーは、絶縁性接着層の総質量を基準として、好ましくは20ないし40質量%で、より好ましくは25ないし35質量%である。
本発明の導電性接着層の反応性モノマーは、絶縁性接着層の反応性モノマーより高い含量で含まれる。
前記導電性接着層の反応性モノマーの含量は、好ましくは絶縁性接着層の反応性モノマー含量の1倍超過ないし2倍以下であり得る。前記含量比率の範囲内で、仮圧着工程時に導電性接着層の粘着力が絶縁性接着層の粘着力より高くて離型フィルムの除去が容易になるし、導電性接着層の導電粒子の流動性を制御して電気的短絡を防止することができる。
前記導電性接着層の反応性モノマーの含量は、より好ましくは絶縁性接着層の反応性モノマー含量の1倍超過ないし1.8倍以下で、最も好ましくは1.1倍ないし1.5倍の範囲である。
(b−1)(メタ)アクリレートモノマー
(メタ)アクリレートモノマーは特に限定されないが、6−ヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェニルオキシプロピル(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオール(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシアルキル(メタ)アクリロイルホスフェート、4−ヒドロキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールモノ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、t−ヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、2−(2−エトキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、2−フェノキシエチル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、エトキシ化ノニルフェノール(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、t−エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ビスフェノール−Aジ(メタ)アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ(メタ)アクリレート、フェノキシ−t−グリコール(メタ)アクリレート、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ジメチロールトリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンベンゾエートアクリレート、アシッドホスホキシエチル(メタ)アクリレート、2−アクリロイルオキシエチルフタレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、2−ヒドロキシ−1,3−ジアクリロキシプロパン、2,2−ビス[4−(アクリロキシポリメトキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性ジアクリレート、ウレタンアクリレート、及びこれらの組合せからなる群より選ばれる1種以上であることができる。
本発明で使用される反応性モノマーは、好ましくは(メタ)アクリレートモノマーであり得るし、より好ましくはホスフェーと基を有するアクリレート、水酸基を有するアクリレート、エポキシ基を有するアクリレート、トリ(メタ)アクリレート、及びイソシアヌレートからなる群より選ばれる1種以上であり、さらに好ましくは、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である。最も好ましくは、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートである。
本発明の導電性接着層で使用される反応性モノマー中、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェートの含量は特に限定されないが、好ましくは導電性接着層の総質量を基準として0ないし5質量%である。
本発明の導電性接着層で使用される反応性モノマー中、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートの含量は特に限定されないが、好ましくは導電性接着層の総質量を基準として0ないし20質量%である。
本発明の導電性接着層で使用される反応性モノマー中、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートの含量は特に限定されないが、好ましくは導電性接着層の総質量を基準として0ないし20質量%である。
本発明の絶縁性接着層で使用される反応性モノマー中、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェートの含量は特に限定されないが、好ましくは絶縁性接着層の総質量を基準として0ないし5質量%である。
本発明の絶縁性接着層で使用される反応性モノマー中、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートの含量は特に限定されないが、好ましくは絶縁性接着層の総質量を基準として0ないし15質量%である。
本発明の絶縁性接着層で使用される反応性モノマー中、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートの含量は特に限定されないが、好ましくは絶縁性接着層の総質量を基準として0ないし15質量%である。
(c)ラジカル開始剤
本発明で使用されるラジカル開始剤として、光重合型開始剤又は熱硬化型開始剤の中で、1種以上を組み合わせて使用することができる。好ましくは、熱硬化型開始剤を使用することができる。
本発明で使用されるラジカル開始剤の含量は特に限定されないが、好ましくはフィルムの総質量を基準として、0.5ないし10質量%である。
(c−1)光重合型開始剤
光重合型開始剤として、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニル硫化物、イソプロピルチオクサントン、ジエチルチオクサントン、4−ジエチル安息香酸エチル、ベンゾインエーテル、ベンゾイルプロピルエーテル、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、ジエトキシアセトフェノンなどが使用できるが、これらに限定されることではない。
(c−2)熱硬化型開始剤
熱硬化型開始剤として、パーオキサイド系とアゾ系を使用することができるが、これらに限定されることではない。
パーオキサイド系として、ベンゾイルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシラウレート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、キュメンハイドロパーオキサイドなどが使用できるが、これらに限定されることではない。
アゾ系開始剤として、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、2,2’−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオネート)などが使用できるが、これらに限定されることではない。
(d)導電粒子
本発明の導電性接着層に使用できる導電粒子として、金、銀、ニッケル、銅、錫、ハンダなどを含む金属粒子;炭素;ベンゾグアニン、ポリメタクリル酸メチル(PMMA;Polymethylmethacrylate)、アクリルコポリマー、ポリスチレンなどを含む樹脂、及びその変性樹脂を粒子にして、金、銀、ニッケル、銅、錫、ハンダなどを含む金属でコーティングされたもの;及び、その上に絶縁粒子又は絶縁膜を加えてコーティングし絶縁化処理した導電粒子などを使用することができるが、これらに限定されることではない。
導電粒子の適切な含量は、当該異方性導電フィルムの用途により非常に多様であるが、導電性接着層の総質量を基準として、好ましくは0.5ないし20質量%である。前記範囲内で適当に導通が行われるし、電気的短絡の発生を防止することができる。より好ましくは1ないし10質量%である。
導電粒子の大きさ(平均粒径)は特に限定されないが、好ましくは0.1ないし10μmである。前記範囲内で適当な接着力と接続信頼性を得ることができる。より好ましくは、1ないし5μmである。
(e)接着層の厚さ
(e−1)導電性接着層の厚さ
本発明の導電性接着層の厚さは導電性粒子の大きさに応じて適切な範囲で選択することができ、例えば導電粒子の大きさ(平均粒径)が3μmである場合、導電性接着層の厚さは、好ましくは4ないし6μmであり得る。すなわち、導電性接着層の厚さは、一般的に導電粒子の大きさの1.3倍〜2倍程度の範囲が望ましいものである。
(e−2)絶縁性接着層の厚さ
本発明の絶縁性接着層の厚さは電極間のスペース部の大きさ、及び間隔などにより決定され、好ましくは6ないし20μmである。
絶縁性接着層の厚さは導電性接着層の厚さより大きい方が好ましい。
本願明細書で使用されたピール強度は下記の方法により測定されたことを意味する。
導電性接着層のピール強度は多層異方性導電フィルム各々を常温(25℃)で1時間放置した後、パターン無しのガラスに実測温度25℃で1MPa、1秒の仮圧着条件で1.5mm幅の異方性導電フィルムを仮圧着してPET離型フィルムを除去する。その後、接着テープ(Nitto社)を、1.5mmの幅でガラス上に仮圧着した異方性導電フィルムより5cm長く準備して前記接着テープをガラス上に仮圧着した異方性導電フィルム上に置いてゴムローラを2回移動させ接着テープと異方性導電フィルムをくっつける。
前記のような方法で3個の同じ試片を準備し、前記接着テープの中で前記ガラスの外部に露出された部分をUTM(万能試験機(引張強度試験機ないし剥離強度試験装置))に置いて各々のピール強度を測定した後、その平均値を計算する。
絶縁性接着層のピール強度は導電性接着層のピール強度測定と同様であるが、多層異方性導電フィルムに接着テープをくっつけて離型フィルムを除去した後パターン無しのガラスに、導電性接着層のピール強度測定と同一条件で仮圧着した後、測定する。
以下、実施例、比較例、及び実験例を記述し、本発明をより詳細に説明する。但し、下記の実施例、比較例、及び実験例は本発明の例示に過ぎなく、本発明の内容がこれらに限定されて理解されるべきではない。
[実施例1、2及び比較例1、2]
≪多層構造の異方性導電フィルムの製造≫
実施例1
<導電性接着層の反応性モノマー含量が絶縁性接着層の反応性モノマー含量より高い異方性導電フィルムの製造>
(1)導電性接着層
バインダー樹脂として、NBR系樹脂(N−34、日本ゼオン)5質量%、ポリウレタンバインダー(NPC7007T、NANUX社)24質量%、アクリルバインダー(AOF−7003、AEKYUNG化学)28質量%、及びウレタンアクリレート(NPC7007、NANUX社)12質量%;反応性モノマーとして、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート1質量%、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート12質量%、及び、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート12質量%;熱硬化型開始剤として、ラウリルパーオキサイド3質量%;及び、導電粒子として、3μmの大きさ(平均粒径)の導電粒子(Sekisui社)3質量%を使用しこれを混合することにより、4μm厚さの導電性接着層を製造した。
(2) 絶縁性接着層
バインダー樹脂として、NBR系樹脂(N−34、日本ゼオン)5質量%、ポリウレタンバインダー(NPC7007T、NANUX社)29質量%、アクリルバインダー(AOF−7003、AEKYUNG化学)30質量%、及び、ウレタンアクリレート(NPC7007、NANUX社)12質量%;反応性モノマーとして、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート1質量%、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート10質量%、及び、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート10質量%;及び、熱硬化型開始剤として、ラウリルパーオキサイド3質量%を使用しこれらを混合することにより、10μm厚さの絶縁性接着層を製造した。
前記導電性接着層に前記絶縁性接着層を積層して多層構造の異方性導電フィルムを製造した。
実施例2
<導電性接着層の反応性モノマー含量が絶縁性接着層の反応性モノマー含量より高い異方性導電フィルムの製造>
(1)導電性接着層
前記実施例1の(1)において、ポリウレタンバインダー(NPC7007T、NANUX社)を20質量%、アクリルバインダー(AOF−7003、AEKYUNG化学)を22質量%、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートを17質量%、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートを17質量%として含量を変えて使用したこと以外は、前記実施例1の(1)と同一方法で製造した。
(2)絶縁性接着層
前記実施例1の(2)において、ポリウレタンバインダー(NPC7007T、NANUX社)を27質量%、アクリルバインダー(AOF−7003、AEKYUNG化学)を28質量%、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートを12質量%、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートを12質量%として含量を変えて使用したこと以外は、前記実施例1の(2)と同一方法で製造した。
前記導電性接着層に前記絶縁性接着層を積層して多層構造の異方性導電フィルムを製造した。
比較例1
<絶縁性接着層の反応性モノマー含量が導電性接着層の反応性モノマー含量より高い異方性導電フィルムの製造>
(1)導電性接着層
前記実施例1の(1)において、アクリルバインダー(AOF−7003、AEKYUNG化学)を40質量%、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートを6質量%、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートを6質量%として含量を変えて使用したこと以外は、前記実施例1の(1)と同一方法で製造した。
(2)絶縁性接着層
前記実施例1の(2)と同一方法で製造した。
前記導電性接着層に前記絶縁性接着層を積層して多層構造の異方性導電フィルムを製造した。
比較例2
<絶縁性接着層の反応性モノマー含量が導電性接着層の反応性モノマー含量より高い異方性導電フィルムの製造>
(1)導電性接着層
前記実施例1の(1)において、ポリウレタンバインダー(NPC7007T、NANUX社)を31質量%、アクリルバインダー(AOF−7003、AEKYUNG化学)を38質量%、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートを3質量%、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートを4質量%として含量を変えて使用したこと以外は、前記実施例1の(1)と同一方法で製造した。
(2)絶縁性接着層
前記実施例1の(2)において、ポリウレタンバインダー(NPC7007T、NANUX社)を17質量%、アクリルバインダー(AOF−7003、AEKYUNG化学)を18質量%、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートを22質量%、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートを22質量%として含量を変えて使用したこと以外は、前記実施例1の(2)と同一方法で製造した。
前記導電性接着層に前記絶縁性接着層を積層して多層構造の異方性導電フィルムを製造した。
下記の表1は、前記実施例1、2及び比較例1、2の反応性モノマー含量を示す。
Figure 2013110110
実験例1
<仮圧着性測定−ピール強度の測定>
前記実施例1、2及び比較例1、2の多層異方性導電フィルムにおいて、導電性接着層及び絶縁性接着層のピール強度を各々測定した。
導電性接着層のピール強度を測定するために多層異方性導電フィルム各々を常温(25℃)で1時間放置した後、パターン無しのガラスに実測温度25℃で1MPa、1秒の仮圧着条件で1.5mm幅の異方性導電フィルムを仮圧着しPET離型フィルムを除去した。その後、接着テープ(Nitto社)を、1.5mmの幅でガラス上に仮圧着した異方性導電フィルムより5cm長く準備して、前記接着テープをガラス上に仮圧着した異方性導電フィルム上に置いてゴムローラを2回移動させて接着テープと異方性導電フィルムをくっつけた。
前記のような方法で3個の同じ試片を準備し、前記接着テープの中で前記ガラス外部に露出された部分をUTM(万能試験機(引張強度試験機ないし剥離強度試験装置))に置いて各々のピール強度を測定した後、その平均値を計算した。
絶縁性接着層のピール強度も前記方法と同様に測定したが、多層異方性導電フィルムに接着テープをくっつけて離型フィルムを除去した後パターン無しのガラスに導電性接着層のピール強度測定と同一条件で仮圧着した後測定した。
下記の表2は、前記実施例1、2及び比較例1、2の導電性接着層及び絶縁性接着層のピール強度を示す。
Figure 2013110110
実験例2
<接着力の信頼性の評価>
前記実施例1、2及び比較例1、2の多層異方性導電フィルムの各々をメタル電極ガラス(Mo/Al/Mo構造、サムスン電子)とCOF(Chip on Film)(サムスン電子)を利用して実測温度70℃で1秒の仮圧着条件と、180℃、5秒、4.5MPaの本圧着条件で接続して、前記の各々の試片を10個ずつ準備して、これら各々の初期接着力を測定して平均値を計算した。
前記の各々の10個ずつの試片を、温度85℃、相対湿度85%で500時間放置して高温・高湿信頼性評価を行った後、これらの各々の信頼性接着力を測定して平均値を計算した。
実験例3
<接続抵抗の信頼性の評価>
前記実施例1、2及び比較例1、2の多層異方性導電フィルム各々を常温(25℃)で1時間放置した後、ITO層を1000Åで被膜した、パターン無しのガラスに4端子測定可能なパターンを形成したCOF(サムスン電子)を利用して実測温度70℃で1秒の仮圧着条件と、180℃、5秒、4.5MPaの本圧着条件で接続して前記の各々の試片を10個ずつ準備し、これらの各々を4端子測定方法で初期接続抵抗を測定(ASTM F43−64Tの方法に準する)して平均値を計算した。
前記の各々の10個ずつの試片を、温度85℃、相対湿度85%で500時間放置して高温・高湿信頼性評価を行った後、これらの各々の信頼性接続抵抗を測定(ASTM D117に準する)して平均値を計算した。
実験例4
<電気的短絡発生の測定>
前記実施例1、2及び比較例1、2の多層異方性導電フィルムの各々に対する電気的短絡発生は、100回測定した時短絡による問題発生の比率を測定した。
前記実施例1、2及び比較例1、2の多層異方性導電フィルムの各々を常温(25℃)で1時間放置した後、ITO層を1,000Åで被膜した、パターン無しのガラスに2端子測定が可能であるけどパターンが連結されてないCOF(STEMCO;東レと韓国サムスン電機とのジョイントベンチャー(JV))を利用して実測温度70℃で1秒の仮圧着条件と、180℃、5秒、4.5MPaの本圧着条件で接続して前記各々の試片を100個ずつ準備して、これらの各々に50Vの電圧を印加して通電する試片の個数を測定した。
実験例5
<伸び率の測定>
前記実施例1、2及び比較例1、2の異方性導電フィルムを1.5mmの幅でスリーティングして3cmの長さで準備した。前記フィルムの2cmを離型フィルムから除去した後UTM(万能試験機(引張強度試験機ないし剥離強度試験装置))に置いて他方の片側(離型フィルムが除去されてない部分)をUTM(万能試験機(引張強度試験機ないし剥離強度試験装置))の反対側に置いた後、5Nのロードセルを使用して50mm/分の速度で引張り、切れるまでの伸び率を測定した。
下記の表3は、前記実験例2ないし5の測定結果を示す。
Figure 2013110110
前記表2及び表3で示した通り、本発明の実施例1及び2の異方性導電フィルムの場合、ピール強度が優秀で、仮圧着性が優れているだけでなく接着力及び接続抵抗の信頼性が高く、電気的短絡も発生しないことが確認できた。
一方、比較例1の場合、接着力及び接続抵抗の信頼性が高く電気的短絡も発生しなかったが、ピール強度が低く仮圧着性能が劣っていて工程不良をもたらす問題があることが確認できた。比較例2の場合にはピール強度が低くて仮圧着性能が劣っているだけでなく電気的短絡も誘発することが確認できた。
従って、多層構造の異方性導電フィルムにおいて、i)導電性接着層と絶縁性接着層の反応性モノマーの含量が物性を決定する重要な要因の一つであること、ii)導電性接着層の反応性モノマー含量が絶縁性接着層の反応性モノマー含量より高い時に異方性導電フィルムが最も優れた物性を有することが確認された。

Claims (9)

  1. 導電性接着層及び絶縁性接着層が積層された異方性導電フィルムにおいて、前記導電性接着層の反応性モノマー含量が前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量より多い、異方性導電フィルム。
  2. 前記導電性接着層の総質量を基準として、前記導電性接着層の反応性モノマー含量が25ないし50質量%で、前記絶縁性接着層の総質量を基準として前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量が20ないし40質量%である、請求項1に記載の異方性導電フィルム。
  3. 前記導電性接着層の反応性モノマー含量が、前記絶縁性接着層の反応性モノマー含量の1倍超過ないし2倍以下である、請求項1または2に記載の異方性導電フィルム。
  4. 前記導電性接着層、前記絶縁性接着層、又は前記導電性接着層及び前記絶縁性接着層の反応性モノマーは、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である、請求項1ないし3の何れか一つに記載の異方性導電フィルム。
  5. 異方性導電フィルムの総質量を基準として、反応性モノマー20ないし45質量%、及びバインダー樹脂55ないし80質量%を含み、各々のピール強度が異なる二つ以上の層を有する、請求項1ないし4の何れか一つに記載の異方性導電フィルム。
  6. 前記反応性モノマーは、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である、請求項5に記載の異方性導電フィルム。
  7. 異方性導電フィルムの総質量を基準として、熱可塑性樹脂45ないし75質量%、導電粒子1ないし10質量%、及び反応性モノマー20ないし45質量%を含み、伸び率が400ないし800%である、請求項1ないし6の何れか一つに記載の異方性導電フィルム。
  8. 前記反応性モノマーは、2−メタクリロイルオキシエチルホスフェート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、及び2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートからなる群より選ばれる1種以上である、請求項7に記載の異方性導電フィルム。
  9. 配線基板;
    前記配線基板のチップ搭載面に接着されている異方性導電フィルム;及び、
    前記フィルム上に搭載された半導体チップを含む半導体装置において、
    前記異方性導電フィルムは、請求項1〜8の何れか一つに記載のフィルムである、半導体装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015124321A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 リンテック株式会社 導電性粘着剤組成物、導電性粘着シートおよび導電性粘着シートの製造方法
WO2022102573A1 (ja) * 2020-11-10 2022-05-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 回路接続用接着剤フィルム及びその製造方法、並びに回路接続構造体及びその製造方法
WO2023106400A1 (ja) * 2021-12-10 2023-06-15 株式会社レゾナック 回路接続用接着剤フィルム、並びに回路接続構造体及びその製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101479658B1 (ko) * 2011-11-18 2015-01-06 제일모직 주식회사 가압착 공정성이 개선된 이방성 도전 필름
US10209016B2 (en) * 2013-03-22 2019-02-19 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Thermal energy guiding systems including anisotropic thermal guiding coatings and methods for fabricating the same
TWI496870B (zh) * 2013-09-10 2015-08-21 Benq Materials Corp 一種用於電子元件間電性導通的異方性導電膠
JP6026446B2 (ja) 2014-01-10 2016-11-16 古河電気工業株式会社 平角絶縁電線および電動発電機用コイル
JP5778332B1 (ja) * 2014-12-26 2015-09-16 古河電気工業株式会社 耐曲げ加工性に優れる絶縁電線、それを用いたコイルおよび電子・電気機器
JP5778331B1 (ja) * 2014-12-26 2015-09-16 古河電気工業株式会社 絶縁電線およびコイル

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009508290A (ja) * 2005-08-19 2009-02-26 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 異方性導電フィルムおよびこれを用いた電子回路およびデバイス
JP2011159486A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電フィルム、接合体及び接続方法
JP2012140589A (ja) * 2010-12-29 2012-07-26 Cheil Industries Inc 異方導電性フィルム、これに含まれる異方導電性フィルム組成物およびこれを含む装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06139824A (ja) * 1992-10-27 1994-05-20 Oki Electric Ind Co Ltd 異方導電フィルム
US6444305B2 (en) * 1997-08-29 2002-09-03 3M Innovative Properties Company Contact printable adhesive composition and methods of making thereof
JP3325000B2 (ja) * 1999-05-28 2002-09-17 ソニーケミカル株式会社 半導体素子の実装方法
DE112005003523A5 (de) * 2005-01-28 2008-01-03 Mmr Marketing & Management Ag Rotkreuz Extrudersystem zum Strangformen eines Fluids
CN1955765B (zh) * 2005-08-02 2010-06-16 富士胶片株式会社 光学膜和抗反射膜以及它们的生产方法、偏振片及液晶显示装置
KR100722493B1 (ko) * 2005-09-02 2007-05-28 제일모직주식회사 절연 전도성 미립자 및 이를 이용한 이방 전도성 접착필름
KR100673773B1 (ko) * 2005-10-18 2007-01-24 제일모직주식회사 플루오렌계 (메타)아크릴레이트를 이용한 이방 전도성필름용 조성물
KR100713333B1 (ko) 2006-01-04 2007-05-04 엘에스전선 주식회사 다층 이방성 도전 필름
JP2007217503A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 異方導電性接着フィルム
JP4809701B2 (ja) 2006-03-22 2011-11-09 古河電気工業株式会社 異方性導電フィルム及びその製造方法
KR100787727B1 (ko) * 2006-10-31 2007-12-24 제일모직주식회사 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체를 이용한 고신뢰성 이방전도성 필름용 조성물
JP5226562B2 (ja) * 2008-03-27 2013-07-03 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、並びに、接合体及びその製造方法
WO2010004793A1 (ja) 2008-07-11 2010-01-14 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電フィルム
KR20100010694A (ko) 2008-07-23 2010-02-02 주식회사 효성 3층 이방성 도전 필름 및 이의 제조방법
KR101332441B1 (ko) * 2010-12-31 2013-11-25 제일모직주식회사 이방 도전성 필름
US10141084B2 (en) * 2010-10-08 2018-11-27 Cheil Industries, Inc. Electronic device
CN103155050B (zh) * 2010-10-08 2017-05-03 第一毛织株式会社 各向异性导电膜
US9281097B2 (en) * 2010-12-29 2016-03-08 Cheil Industries, Inc. Anisotropic conductive film, composition for the same, and apparatus including the same
EP2503025B1 (de) * 2011-03-22 2013-07-03 Henkel AG & Co. KGaA Mehrstufige korrosionsschützende Behandlung metallischer Bauteile, die zumindest teilweise Oberflächen von Zink oder Zinklegierungen aufweisen
KR101479658B1 (ko) * 2011-11-18 2015-01-06 제일모직 주식회사 가압착 공정성이 개선된 이방성 도전 필름
KR101355855B1 (ko) * 2011-12-19 2014-01-29 제일모직주식회사 이방성 도전 필름

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009508290A (ja) * 2005-08-19 2009-02-26 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 異方性導電フィルムおよびこれを用いた電子回路およびデバイス
JP2011159486A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Sony Chemical & Information Device Corp 異方性導電フィルム、接合体及び接続方法
JP2012140589A (ja) * 2010-12-29 2012-07-26 Cheil Industries Inc 異方導電性フィルム、これに含まれる異方導電性フィルム組成物およびこれを含む装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015124321A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 リンテック株式会社 導電性粘着剤組成物、導電性粘着シートおよび導電性粘着シートの製造方法
WO2022102573A1 (ja) * 2020-11-10 2022-05-19 昭和電工マテリアルズ株式会社 回路接続用接着剤フィルム及びその製造方法、並びに回路接続構造体及びその製造方法
WO2023106400A1 (ja) * 2021-12-10 2023-06-15 株式会社レゾナック 回路接続用接着剤フィルム、並びに回路接続構造体及びその製造方法

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