JP2013108110A - マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 418
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 410
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 405
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 981
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 250
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 250
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 152
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 90
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 19
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 120
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 170
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 96
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 69
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 53
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 51
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 46
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 35
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 6
- 241000255969 Pieris brassicae Species 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001361 White metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000828 alnico Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000010969 white metal Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
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- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
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- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/06—Alloys based on chromium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
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- C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- H—ELECTRICITY
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲット10であって、前記強磁性金属元素を含む磁性相12と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相14、16と、酸化物相18とを有しており、前記複数の非磁性相のうちの少なくとも1つの非磁性相14は、磁性相12よりも細かく酸化物相18と分散し合っている。
【選択図】図1
Description
本実施形態に係るターゲットの構成成分は、Co−Cr−Pt−SiO2−TiO2−Cr2O3である。Co、Cr、Ptは、スパッタリングによって形成される磁気記録層のグラニュラ構造において、磁性粒子(微小な磁石)の構成成分となる。酸化物(SiO2、TiO2、Cr2O3)は、グラニュラ構造において、磁性粒子(微小な磁石)を仕切る非磁性マトリックスとなる。
図1(実施例1のターゲットの厚さ方向断面のSEM写真)を例にとって示すように、本実施形態に係るターゲット10のミクロ構造は、磁性相12(Coの含有割合が85at%以上のCo−Cr合金相)、第1の非磁性相14(Coの含有割合が0at%より大きく73at%以下のCo−Cr−Pt合金相)、第2の非磁性相16(Coの含有割合が0at%より大きく12at%以下のCo−Pt合金相)がお互いに分散し、かつ、第1の非磁性相14(Coの含有割合が0at%より大きく73at%以下のCo−Cr−Pt合金相)と酸化物相18(SiO2−TiO2−Cr2O3相)とは、磁性相12および第2の非磁性相16よりも細かく酸化物相18と分散し合っている。なお、本実施形態では、磁性相12(Coの含有割合が85at%以上のCo−Cr合金相)をCoの含有割合が100at%のCo単体相としてもよく、Coの含有割合が85at%以上のCo−Cr合金相には、Coの含有割合が100at%のCo単体相も含まれるものとする。
本実施形態に係るターゲット10は、以下のようにして製造することができる。
所定の組成(Coの含有割合が85at%以上)となるようにCo、Crを秤量し、合金溶湯を作製して、ガスアトマイズを行い、所定の組成(Coの含有割合が85at%以上)のCo−Cr合金アトマイズ磁性粉末を作製する。作製したCo−Cr合金アトマイズ磁性粉末は分級して、粒径が所定の粒径以下(例えば106μm以下)となるようにする。ここで、Crを含有させずにCo単体のアトマイズ磁性粉末としてもよく、本実施形態では、所定の組成(Coの含有割合が85at%以上)のCo−Cr合金アトマイズ磁性粉末には、Co単体のアトマイズ磁性粉末も含まれるものとする。
所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく73at%以下)となるようにCo、Cr、Ptを秤量し、合金溶湯を作製して、ガスアトマイズを行い、所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく73at%以下)の第1の非磁性金属粉末(Co−Cr−Pt合金アトマイズ非磁性粉末)を作製する。作製した第1の非磁性金属粉末(Co−Cr−Pt合金アトマイズ非磁性粉末)は分級して、粒径が所定の粒径以下(例えば106μm以下)となるようにする。
所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく12at%以下)となるようにCo、Ptを秤量し、合金溶湯を作製して、ガスアトマイズを行い、所定の組成(Coの含有割合が0at%より大きく12at%以下)である第2の非磁性金属粉末(Co−Pt合金アトマイズ非磁性粉末)を作製する。作製した第2の非磁性金属粉末は分級して、粒径が所定の粒径以下(例えば106μm以下)となるようにする。
(2)で作製した非磁性混合粉末と、(1)で作製した磁性金属粉末と、(3)で作製した第2の非磁性金属粉末とを概ね均一になるまで混合分散して、加圧焼結用混合粉末を作製する。この加圧焼結用混合粉末の作製の際には、(2)で作製した非磁性混合粉末、(1)で作製した磁性金属粉末、(3)で作製した第2の非磁性金属粉末に、必要に応じ酸化物粉末を加えて混合分散を行ってもよい。なお、この工程での混合分散は、各粒子径が小さくならない程度に止める。各粒子径が小さくなる程度まで混合分散を行うと、得られるターゲットの漏洩磁束量が小さくなってしまうおそれがある。
(4)で作製した加圧焼結用混合粉末を、例えば真空ホットプレス法により加圧焼結して成形し、ターゲットを作製する。
本実施形態に係る製造方法の特徴は、(2)で作製した第1の非磁性金属粉末と酸化物粉末とを、(2)で記載したように、十分に細かく分散し合うまで混合分散を行って、非磁性混合粉末を得ていることである。
実施例1として作製したターゲット全体の組成は、90(71Co−10Cr−14Pt−5Ru)−7SiO2−3Cr2O3であり、以下のようにしてターゲットの作製を行うとともに評価を行った。
実施例2として作製したターゲット全体の組成は、90(71Co−10Cr−14Pt−5Ru)−7SiO2−3Cr2O3であり、実施例1と同じであり、また、作製した3種類のアトマイズ金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末、5Co−95Pt合金粉末、Co粉末)の組成も同じである。ただし、実施例1では、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせた金属粉末は第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)のみであったが、本実施例2では、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)だけでなく、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)および磁性金属粉末(Co粉末)についても、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせている点が異なる。
比較例1として作製したターゲット全体の組成は、90(71Co−10Cr−14Pt−5Ru)−7SiO2−3Cr2O3で、実施例1、2と同じである。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)、50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)、Co粉末(第2の磁性金属粉末)であり、実施例1、2の5Co−95Pt合金粉末(非磁性金属粉末)に替えて、50Co−50Pt合金粉末(磁性金属粉末)を作製している。また、本比較例1では、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせた金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)と50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)であり、Co粉末(第2の磁性金属粉末)については、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせることはしていない。
比較例2として作製したターゲット全体の組成は、90(71Co−10Cr−14Pt−5Ru)−7SiO2−3Cr2O3で、実施例1、2、比較例1と同じである。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)、50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)、Co粉末(第2の磁性金属粉末)であり、比較例1と同様に、実施例1、2の5Co−95Pt合金粉末(非磁性金属粉末)に替えて、50Co−50Pt合金粉末(磁性金属粉末)を作製している。ただし、本比較例2では、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせており、磁性金属粉末(Co粉末)についても、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせている点が比較例1と異なる。
比較例3として作製したターゲット全体の組成は、90(71Co−10Cr−14Pt−5Ru)−7SiO2−3Cr2O3で、実施例1、2、比較例1、2と同じである。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)、50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)、Co粉末(第2の磁性金属粉末)であり、比較例1、2と同様に、実施例1、2の5Co−95Pt合金粉末(非磁性金属粉末)に替えて、50Co−50Pt合金粉末(磁性金属粉末)を作製している。また、本比較例3では、比較例2と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせており、磁性金属粉末(Co粉末)についても、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせている点が比較例1と異なる。磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は比較例2と同じ(493,560回)である。
比較例4として作製したターゲット全体の組成は、90(71Co−10Cr−14Pt−5Ru)−7SiO2−3Cr2O3で、実施例1、2、比較例1、2、3と同じである。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)、50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)、Co粉末(第2の磁性金属粉末)であり、比較例1、2、3と同様に、実施例1、2の5Co−95Pt合金粉末(非磁性金属粉末)に替えて、50Co−50Pt合金粉末(磁性金属粉末)を作製している。また、本比較例4では、比較例2、3と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせており、磁性金属粉末(Co粉末)についても、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせている点が比較例1と異なる。ただし、本比較例4では磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数が817,560回であり、比較例3における磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数493,560回よりも66%ほど多くなっている。なお、本比較例4では、磁性金属粉末(Co粉末)を1回しか分級しておらず、磁性金属粉末(Co粉末)の粒径の範囲は106μm以下であり、この点は比較例3と同じである。
参考例1として作製したターゲット全体の組成は、91(71.5Co−11Cr−17.5Pt)−3SiO2−2TiO2−4Cr2O3である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)、50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)、Co粉末(第2の磁性金属粉末)であり、実施例1、2の5Co−95Pt合金粉末(非磁性金属粉末)に替えて、50Co−50Pt合金粉末(磁性金属粉末)を作製している。また、本参考例1では、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせた金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)と50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)であり、Co粉末(第2の磁性金属粉末)については、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせることはしていない。
参考例2として作製したターゲット全体の組成は、91(71.5Co−11Cr−17.5Pt)−3SiO2−2TiO2−4Cr2O3であり、参考例1と同様である。また、作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、比較例1と同様に、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)、50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)、Co粉末(第2の磁性金属粉末)であり、実施例1および実施例2の5Co−95Pt合金粉末(非磁性金属粉末)に替えて、50Co−50Pt合金粉末(磁性金属粉末)を作製している。ただし、参考例1では、ボールミルを用いて酸化物と混合分散をさせた金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(非磁性金属粉末)と50Co−50Pt合金粉末(第1の磁性金属粉末)であり、Co粉末(第2の磁性金属粉末)についてはボールミルを用いての酸化物との混合分散はさせていないのに対し、本参考例2では、3種の金属粉末を全てそれぞれ酸化物とボールミルを用いて混合させており、Co粉末(第2の磁性金属粉末)についてもボールミルを用いての酸化物との混合分散をさせている。
実施例3として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1、2と同様である。また、本実施例3では、実施例2と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,082,160回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は385,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は871,560回である。
比較例5として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例3と同様である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1〜3と同様である。また、本比較例5では、実施例2、3と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,082,160回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は385,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は3,300,840回である。
比較例6として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例3、4と同様である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1〜3、比較例5と同様である。また、本比較例6では、実施例2、3、比較例5と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,082,160回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は547,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は3,300,840回である。
比較例7として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例3、比較例1、2と同様である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1〜3、比較例1、2と同様である。また、本比較例7では、実施例2、3、比較例1、2と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,082,160回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,573,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は3,300,840回である。
比較例8として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例3、比較例5〜7と同様である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1〜3、比較例5〜7と同様である。また、本比較例8では、実施例2、3、比較例5〜7と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は2,390,040回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,573,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は3,300,840回である。
実施例4として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例3、比較例5〜8と同様である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1〜3、比較例5〜8と同様である。また、本実施例4では、実施例2、3、比較例5〜8と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,082,160回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,627,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は871,560回である。本実施例4では、実施例3と比較して、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)および磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は同様であるが、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数が約4.2倍になっている。
実施例5として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例3、4、比較例5〜8と同様である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1〜4、比較例5〜8と同様である。また、本実施例5では、実施例2〜4、比較例5〜8と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は2,473,200回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は385,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は871,560回である。本実施例5では、実施例3と比較して、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)および磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は同様であるが、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数が約2.3倍になっている。
実施例6として作製したターゲット全体の組成は、91(73Co−11Cr−16Pt)−4SiO2−2TiO2−3Cr2O3であり、実施例3〜5、比較例5〜8と同様である。作製した3種類のアトマイズ金属粉末は、68Co−22Cr−10Pt合金粉末(第1の非磁性金属粉末)、5Co−95Pt合金粉末(第2の非磁性金属粉末)、Co粉末(磁性金属粉末)であり、実施例1〜5、比較例5〜8と同様である。また、本実施例6では、実施例2〜5、比較例5〜8と同様に、作製した3種類のアトマイズ金属粉末全てについてそれぞれ、ボールミルを用いて酸化物粉末と混合分散をさせており、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は2,390,040回であり、第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数は1,573,560回であり、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は871,560回である。本実施例6では、実施例3と比較して、磁性金属粉末(Co粉末)に対するボールミルの累計回転回数は同様であるが、第1の非磁性金属粉末(68Co−22Cr−10Pt合金粉末)および第2の非磁性金属粉末(5Co−95Pt合金粉末)に対するボールミルの累計回転回数がそれぞれ約2.2倍、約4.1倍になっている。
平均漏洩磁束率を測定した実施例1〜6、比較例1〜8、参考例1、2についての測定結果を下記の表29にまとめて示す。ただし、ターゲットの厚さが厚いほど、平均漏洩磁束率が小さく測定されやすくなるところ、実施例1、2、比較例1〜4おいて平均漏洩磁束率を測定したターゲットの厚さが5.0mmであり、参考例1、2において平均漏洩磁束率を測定したターゲットの厚さは6.5mmであり、実施例3〜6、比較例5〜8において平均漏洩磁束率を測定したターゲットの厚さは7.0mmであり、ターゲットの厚さが異なっている点に留意する必要がある。
12…磁性相
14…第1の非磁性相
16…第2の非磁性相
18…酸化物相
Claims (20)
- 強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、
前記強磁性金属元素を含む磁性相と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相と、酸化物相とを有しており、
前記複数の非磁性相のうちの少なくとも1つは、前記磁性相よりも細かく前記酸化物相と分散し合っていることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1において、
前記複数の非磁性相のうちの1つは、他の非磁性相よりも細かく前記酸化物相と分散し合っていることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1または2において、
前記磁性相は、相の平均の大きさが40〜80μmであることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1〜3のいずれかにおいて、
前記複数の非磁性相は、2種の非磁性相であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1〜4のいずれかにおいて、
前記強磁性金属元素は、Coであることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項5において、
前記磁性相は、Coの含有割合が85at%以上であるCo−Cr合金相からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項5において、
前記磁性相は、Co単体であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項5〜7のいずれかにおいて、
前記非磁性相のうちの少なくとも1つは、Coの含有割合が0at%より大きく75at%以下であるCo−Cr合金相またはCoの含有割合が0at%より大きく73at%以下であるCo−Cr−Pt合金相からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項5〜8のいずれかにおいて、
前記非磁性相のうちの少なくとも1つは、Coの含有割合が12at%以下であるCo−Pt合金相からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1〜9のいずれかにおいて、
前記酸化物相は、SiO2、TiO2、Ti2O3、Ta2O5、Cr2O3、CoO、Co3
O4、B2O5、Fe2O3、CuO、Y2O3、MgO、Al2O3、ZrO2、Nb2O5、MoO3、CeO2、Sm2O3、Gd2O3、WO2、WO3、HfO2、NiO2のうちの少なくとも1種を含むことを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 請求項1〜10のいずれかにおいて、
前記ターゲットは、磁気記録層の形成に用いられることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲット。 - 強磁性金属元素を含む第1の非磁性金属粉末を酸化物粉末と混合分散して非磁性混合粉末を得る工程と、
前記得られた非磁性混合粉末と、前記強磁性金属元素を含む磁性金属粉末と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合が前記第1の非磁性金属粉末とは異なる第2の非磁性金属粉末と、を混合分散して加圧焼結用混合粉末を得る工程と、
を有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 強磁性金属元素を含む第1の非磁性金属粉末を酸化物粉末と混合分散して非磁性混合粉末を得る工程と、
前記得られた非磁性混合粉末と、前記強磁性金属元素を含む磁性金属粉末と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合が前記第1の非磁性金属粉末とは異なる第2の非磁性金属粉末と、酸化物粉末と、を混合分散して加圧焼結用混合粉末を得る工程と、
を有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項12または13において、
前記複数の非磁性金属粉末は、2種の非磁性金属粉末であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項12〜14のいずれかにおいて、
前記強磁性金属元素は、Coであることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項15において、
前記磁性金属粉末はCoおよびCrを主成分として含み、該磁性金属粉末におけるCoの含有割合が85at%以上であることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項15において、
前記磁性金属粉末はCo単体からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項12〜17のいずれかにおいて、
前記複数の非磁性金属粉末のうち少なくとも1つは、Coの含有割合が0at%より大きく75at%以下であるCo−Cr合金またはCoの含有割合が0at%より大きく73at%以下であるCo−Cr−Pt合金からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項12〜18のいずれかにおいて、
前記複数の非磁性金属粉末のうち少なくとも1つは、Coの含有割合が12at%以下であるCo−Pt合金からなることを特徴とするマグネトロンスパッタリング用ターゲットの製造方法。 - 請求項12〜19のいずれかに記載の製造方法により得られたマグネトロンスパッタリング用ターゲット。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011252103A JP5863411B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
SG11201402388YA SG11201402388YA (en) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | Magnetron sputtering target and method for manufacturing the same |
US14/357,852 US9502224B2 (en) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | Magnetron sputtering target and method for manufacturing the same |
SG10201505966UA SG10201505966UA (en) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | Magnetron sputtering target and method for manufacturing the same |
PCT/JP2012/076395 WO2013073323A1 (ja) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
MYPI2014701203A MY168164A (en) | 2011-11-17 | 2012-10-12 | Magnetron sputtering target and method for manufacturing the same |
TW101142603A TWI496913B (zh) | 2011-11-17 | 2012-11-15 | Target for magnetron sputtering and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011252103A JP5863411B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013108110A true JP2013108110A (ja) | 2013-06-06 |
JP5863411B2 JP5863411B2 (ja) | 2016-02-16 |
Family
ID=48429393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011252103A Active JP5863411B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9502224B2 (ja) |
JP (1) | JP5863411B2 (ja) |
MY (1) | MY168164A (ja) |
SG (2) | SG10201505966UA (ja) |
TW (1) | TWI496913B (ja) |
WO (1) | WO2013073323A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4871406B1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-08 | 田中貴金属工業株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
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2011
- 2011-11-17 JP JP2011252103A patent/JP5863411B2/ja active Active
-
2012
- 2012-10-12 US US14/357,852 patent/US9502224B2/en active Active
- 2012-10-12 MY MYPI2014701203A patent/MY168164A/en unknown
- 2012-10-12 SG SG10201505966UA patent/SG10201505966UA/en unknown
- 2012-10-12 SG SG11201402388YA patent/SG11201402388YA/en unknown
- 2012-10-12 WO PCT/JP2012/076395 patent/WO2013073323A1/ja active Application Filing
- 2012-11-15 TW TW101142603A patent/TWI496913B/zh active
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US20090173627A1 (en) * | 2006-02-22 | 2009-07-09 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sintered Sputtering Target Made of Refractory Metals |
JP4499183B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2010-07-07 | 日鉱金属株式会社 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
JP4673453B1 (ja) * | 2010-01-21 | 2011-04-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
JP2011175725A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-09-08 | Mitsubishi Materials Corp | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI496913B (zh) | 2015-08-21 |
SG11201402388YA (en) | 2014-10-30 |
US9502224B2 (en) | 2016-11-22 |
WO2013073323A1 (ja) | 2013-05-23 |
JP5863411B2 (ja) | 2016-02-16 |
MY168164A (en) | 2018-10-11 |
TW201335394A (zh) | 2013-09-01 |
SG10201505966UA (en) | 2015-09-29 |
US20140311901A1 (en) | 2014-10-23 |
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