JP2013106325A - 増幅回路および受光回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】増幅回路100は、パッド111と、TIA150と、オンチップインダクタ130と、シャント容量140と、を1つのチップに備えている。パッド111には電流信号が入力される。TIA150は、入力された電流信号を電圧信号に変換して出力する。オンチップインダクタ130は、パッド111とTIA150との間に直列に接続されている。シャント容量140は、一端がオンチップインダクタ130とTIA150との間に接続され、他端がグランドに接続されている。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1にかかる増幅回路の構成)
図1は、実施の形態1にかかる増幅回路の構成例を示す図である。図1に示すフォトダイオード101は、受光した光に応じた電流信号を出力する。実施の形態1にかかる増幅回路100は、たとえば、フォトダイオード101から出力される電流信号を電圧信号に変換するTIAを含むTIAチップである。
図2は、共振回路における周波数に対する電流の特性の一例を示す図である。図2において、横軸は信号の周波数[GHz]を示し、縦軸は信号の電流[A]を示している。特性201は、パッド111およびESD素子120の容量と、オンチップインダクタ130と、シャント容量140と、により形成される共振回路における信号の周波数に対する電流の特性を示している。特性201に示すように、共振回路により、高周波(たとえば10[GHz]付近)における電流の特性を向上させることができる。
図3は、共振回路による広帯域化の一例を示す図である。図3において、横軸は信号の周波数を示し、縦軸はトランスインピーダンス(電流から電圧への変換効率)を示している。特性301は、TIA150における信号の周波数に対するトランスインピーダンスの特性を示している。特性301に示すように、TIA150においては高周波におけるトランスインピーダンスが低下している。
(実施の形態2にかかる増幅回路の構成)
図4は、実施の形態2にかかる増幅回路の構成例を示す図である。図4において、図1に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図4に示すように、実施の形態2にかかる増幅回路100においては、ESD素子120がオンチップインダクタ130とTIA150との間に電気的に接続されている。
図5は、実施の形態2にかかる増幅回路による広帯域化の一例を示す図である。図5において、横軸は信号の周波数[GHz]を示し、縦軸は信号のトランスインピーダンス[dBΩ]を示している。特性501は、ESD素子を入力パッドの直近に接続した従来構成(たとえば上記非特許文献1)における信号の周波数に対するトランスインピーダンスの特性を参考として示している。特性502は、図4に示したようにESD素子120をオンチップインダクタ130とTIA150との間に接続した構成における信号の周波数に対するトランスインピーダンスの特性を示している。
図6は、実施の形態2にかかる増幅回路による低雑音化の一例を示す図である。図6において、横軸は信号の周波数[GHz]を示し、縦軸は信号の入力換算電流密度[pA/√Hz]を示している。特性601は、ESD素子を入力パッドの直近に接続した従来構成(たとえば上記非特許文献1)における信号の周波数に対する入力換算電流密度の特性を参考として示している。
図7は、ESD素子の構成例1を示す図である。図4に示したESD素子120の部分には、たとえば図7に示す構成を適用することができる。入力部701は、オンチップインダクタ130に電気的に接続された部分である。出力部702は、TIA150に電気的に接続された部分である。ダイオード703,705はESD素子120として設けられた素子である。
前記チップに設けられ、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する変換部と、
前記チップに設けられ、前記入力パッドと前記変換部との間に直列に電気的に接続されたオンチップインダクタと、
前記チップに設けられ、一端が前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、他端がグランドに電気的に接続された蓄電素子と、
を備えることを特徴とする増幅回路。
カソードが電源に電気的に接続され、アノードが前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続された第一ダイオードと、
カソードが前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、アノードがグランドに電気的に接続された第二ダイオードと、
を含むことを特徴とする付記2または3に記載の増幅回路。
チップに設けられ、前記フォトダイオードによって出力された電流信号が入力される入力パッドと、
前記チップに設けられ、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する変換部と、
前記チップに設けられ、前記フォトダイオードと前記変換部との間に直列に電気的に接続されたオンチップインダクタと、
前記チップに設けられ、一端が前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、他端がグランドに電気的に接続された蓄電素子と、
を備えることを特徴とする受光回路。
101 フォトダイオード
110 ICチップ
111,112 パッド
120 ESD素子
130 オンチップインダクタ
140 シャント容量
150 TIA
151 増幅器
152 帰還抵抗
161 出力端子
162 接地端子
503 基準値
701 入力部
702 出力部
703,705 ダイオード
704 電源
801 ツェナーダイオード
901 バリスタ
Claims (6)
- チップに設けられ、電流信号が入力される入力パッドと、
前記チップに設けられ、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する変換部と、
前記チップに設けられ、前記入力パッドと前記変換部との間に直列に電気的に接続されたオンチップインダクタと、
前記チップに設けられ、一端が前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、他端がグランドに電気的に接続された蓄電素子と、
を備えることを特徴とする増幅回路。 - 前記蓄電素子は、前記入力パッドに印加された静電気をグランドに流す保護素子であることを特徴とする請求項1に記載の増幅回路。
- 前記保護素子は、
カソードが電源に電気的に接続され、アノードが前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続された第一ダイオードと、
カソードが前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、アノードがグランドに電気的に接続された第二ダイオードと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の増幅回路。 - 前記保護素子は、カソードが前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、アノードがグランドに電気的に接続されたツェナーダイオードであることを特徴とする請求項2に記載の増幅回路。
- 前記保護素子は、一端が前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、他端がグランドに電気的に接続されたバリスタであることを特徴とする請求項2に記載の増幅回路。
- 受光した光に応じた電流信号を出力するフォトダイオードと、
チップに設けられ、前記フォトダイオードによって出力された電流信号が入力される入力パッドと、
前記チップに設けられ、前記電流信号を電圧信号に変換して出力する変換部と、
前記チップに設けられ、前記フォトダイオードと前記変換部との間に直列に電気的に接続されたオンチップインダクタと、
前記チップに設けられ、一端が前記オンチップインダクタと前記変換部との間に電気的に接続され、他端がグランドに電気的に接続された蓄電素子と、
を備えることを特徴とする受光回路。
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