JP2013098214A5 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去する方法である。
または、第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の前記補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法である。
または、第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆い、前記第１及び第２の電極間に埋設される補償膜を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う前記補償膜を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法である。
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去する方法である。
または、第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の前記補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法である。
または、第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆い、前記第１及び第２の電極間に埋設される補償膜を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う前記補償膜を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法である。
上記のような半導体装置の製造方法では、第１の電極及び第２の電極の上面と、第１の電極と第２の電極との隙間で露出していた半導体基板の主面との段差が補償膜によって低減される。そのため、分離して配置された第１の電極と第２の電極とを接続する配線のカバレッジが改善される。
Claims (20)
- 半導体装置の第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去する方法。 - 前記第１の電極は第１のトランジスタのゲート電極であり、
前記第２の電極は第２のトランジスタのゲート電極であり、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは導電型が逆極性の電界効果トランジスタである請求項１記載の方法。 - 前記補償膜は、導体である請求項１記載の方法。
- 前記補償膜は、シリコンを含む膜である請求項１記載の方法。
- 第１の絶縁膜を覆う前記第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記第２の電極を形成する請求項１記載の方法。 - 前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが異なる材料である請求項５記載の方法。
- 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、絶縁体から成るＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜である請求項５記載の方法。
- 前記第１の電極と前記第２の電極とが異なる材料である請求項１記載の方法。
- 前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが異なる膜厚である請求項１記載の方法。
- 前記第１の電極及び前記第２の電極は、トランジスタのゲート電極であり、前記ゲート電極は金属材料を用いたメタルゲートである請求項１に記載の方法。
- 前記第１の電極及び前記第２の電極は、金属材料から成る膜の上にシリコンを含む膜が積み重ねられた積層膜である請求項１記載の方法。
- 前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極を覆う配線をさらに形成する請求項１記載の方法。
- 前記配線は、金属シリサイド膜を含む請求項１２記載の方法。
- 前記配線は、タングステン、窒化タングステン、またはそれらを組み合わせた積層構造を含む請求項１２記載の方法。
- 第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う保護層を形成し、
前記保護層の上、並びに前記第１及び第２の電極間に補償膜を形成し、
前記保護層の上の前記補償膜を除去し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う前記保護層を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法。 - 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、絶縁体から成るＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜である請求項１５記載の方法。
- 第１の絶縁膜を覆う半導体装置の第１の電極を形成し、
第２の絶縁膜を覆う前記半導体装置の第２の電極を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆い、前記第１及び第２の電極間に埋設される補償膜を形成し、
前記第１及び第２の電極を覆う前記補償膜を除去し、
前記第１の電極、前記補償膜及び前記第２の電極と接触する配線を形成する方法。 - 前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、絶縁体から成るＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜である請求項１７記載の方法。
- 前記配線は、金属シリサイド膜を含む請求項１７記載の方法。
- 前記配線は、タングステン、窒化タングステン、またはそれらを組み合わせた積層構造を含む請求項１７記載の方法。
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