JP2013093618A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 - Google Patents
基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013093618A JP2013093618A JP2013020673A JP2013020673A JP2013093618A JP 2013093618 A JP2013093618 A JP 2013093618A JP 2013020673 A JP2013020673 A JP 2013020673A JP 2013020673 A JP2013020673 A JP 2013020673A JP 2013093618 A JP2013093618 A JP 2013093618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wafer
- processing chamber
- gas
- core wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。
【選択図】図1
Description
基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、
を有する基板処理装置が提供される。
処理室に収容された基板に処理ガスを供給する工程と、前記処理室に配置された電極であって、金属で構成される芯線と該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材とを有する電極に、高周波電力を印加して前記処理ガスを活性化させる工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
処理室に供給された処理ガスを活性な状態にするための高周波電力が印加される電極であって、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する電極が提供される。
図1及び図2には、本発明の実施形態に係る基板処理装置1が示されている。基板処理装置1は、半導体製造装置として構成されていて、筐体101を有する。
処理炉202の周辺には、加熱装置(加熱手段)として用いられるヒータ207が設けられ、ヒータ207の内側に、ウエハ200を処理する反応容器として用いられる反応管203が設けられ、反応管203の下端開口は蓋体として用いられるシールキャップ29により、気密部材として用いられるOリング220を介して気密に閉塞され、少なくとも、反応管203、及びシールキャップ219により、ウエハ200を収納する処理室201を形成している。
本実施の形態においては、第3のガス供給孔248aの開口面積を上流側から下流側にかけて徐々に大きくしている。
Vapor Deposition)法の中の1つであって、ある成膜条件(温度、時間等)の下で、成膜に用いる2種類(またはそれ以上)の原料となる処理ガスを1種類ずつ交互に基板上に供給し、1原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
以下、第1の電極269について説明をするが、第2電極270の構成は、第1の電極269と同一である。
以下、第1の電極269について説明をするが、第2電極270としても、以下で説明をする変形例に係る電極を利用することができる。
先述の本発明の第1の実施形態で用いられる第1の電極269、及び変形例に係る第1の電極は、複数の短管290と、芯線292と、網組部材294とを有していた。これに対して、この変形例に係る第1の電極は、図8(a)に示すように、短管290を有せず、芯線292が直接に網組部材294で覆われている。このため、加熱された際に、断熱効果を有する短管290を介せず、直接に芯線292が加熱されるため、図8(b)の右側に示されるように、芯線292が熱の影響で縮んだり歪んだりしやすい。
図8(b)は、芯線292が熱によって縮み歪むことによって、第1の電極が長さd2だけ短くなった状態を示している。
このように、ウエハ200が処理室201の上部に配置される場合、面内膜厚均一性は、第1の電極269及び第2の電極270として石英を材質とする短管を供えた電極を用いた場合が最も良く、第1の電極269及び第2の電極としてNiを材質とする短管を備えた電極を用いた場合が次に良く、第1の電極269及び第2の電極270として短管を有しない電極を用いた場合が最も悪い。
このように、ウエハ200が処理室201の中央部に配置される場合、面内膜厚均一性は、第1の電極269及び第2の電極270として石英を材質とする短管を供えた電極を用いた場合が最も良く、第1の電極269及び第2の電極としてNiを材質とする短管を備えた電極を用いた場合が次に良く、第1の電極269及び第2の電極270として短管を有しない電極を用いた場合が最も悪い。
このように、ウエハ200が処理室201の上部に配置される場合、ウエハ200に形成される膜の膜厚は、第1の電極269及び第2の電極270として石英を材質とする短管を供えた電極を用いた場合が最も厚く、第1の電極269及び第2の電極としてNiを材質とする短管を備えた電極を用いた場合が次に厚く、第1の電極269及び第2の電極270として短管を有しない電極を用いた場合が最も薄い。
このように、ウエハ200が処理室201の中央部に配置される場合、ウエハ200に形成される膜の膜厚は、第1の電極269及び第2の電極270として石英を材質とする短管を供えた電極を用いた場合が最も厚く、第1の電極269及び第2の電極としてNiを材質とする短管を備えた電極を用いた場合が次に厚く、第1の電極269及び第2の電極270として短管を有しない電極を用いた場合が最も薄い。
このように、ウエハ200が処理室201の下部に配置される場合、ウエハ200に形成される膜の膜厚は、第1の電極269及び第2の電極270として石英を材質とする短管を供えた電極を用いた場合が最も厚く、第1の電極269及び第2の電極としてNiを材質とする短管を備えた電極を用いた場合が次に厚く、第1の電極269及び第2の電極270として短管を有しない電極を用いた場合が最も薄い。
このように、第1の電極269及び第2の電極270として短管290を有しない電極を用いた場合と比較して、第1の電極269及び第2の電極270として、Ni及び石英のいずれかを材質とする短管290を備えた電極を用いた場合に、面間均一性が向上している。
図11に示される測定データは、ウエハ200に形成された膜の周方向別変化率である。ここで、周方向別変化率とは、ウエハ200の中心からの距離ごとの面間均一性をいう。また、図11には、ウエハ200内における周方向別変化率が測定される位置として、中心位置、位置1、位置2、及び位置3が示されている。ここで、位置1、位置2、位置3の順に、ウエハ200の中心からの距離が大きく定められている。
基板を収容する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、
前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、
前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、
を備え、
前記電極は、
金属からなる芯線と、
この芯線により折曲可能であるように複数個が連結され、前記芯線よりも熱による変形が少ない管体と、
から構成される基板処理装置。
前記管体は、金属又は絶縁材からなる付記1記載の基板処理装置。
前記管体は石英からなる付記2記載の基板処理装置。
前記管体の形状は、略円筒形状又は略球状である付記1記載の基板処理装置。
前記芯線は、塑性変形可能な金属からなる付記1記載の基板処理装置。
前記芯線は、ニッケルからなる請求項1記載の基板処理装置。
前記電極は、前記管体の複数個の外表面を覆うように設けられ、金属からなり可撓性を有する網状の網組部材をさらに有する付記1記載の基板処理装置。
前記管体は、導電性材料からなる付記1記載の基板処理装置。
複数の基板を積層して収容する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理室内の雰囲気を排気するガス排気ユニットと、
前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、
前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、
前記処理室の外に設けられ、前記処理室内の雰囲気を加熱する加熱ユニットと、
を備え、
前記電極は、
金属又は絶縁材からなる複数の内部材と、
前記内部材のそれぞれを連結する金属からなる芯線と、
前記内部材の外表面を覆うように設けられた金属からなる網状の外部材と、
から構成される基板処理装置。
200 ウエハ
201 処理室
224 プラズマ生成領域
231 ガス排気管
232 ガス供給管
269 第1の電極
270 第2の電極
273 高周波電源
275 収納管
290 短管
292 芯線
294 網組部材
296 貫通孔
Claims (9)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、
前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、
を備え、
前記電極は、金属で構成される芯線と、
該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、
前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、
を有する基板処理装置。 - 前記管体の形状は、円筒形状又は球状である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記芯線は、塑性変形可能な金属で構成される請求項1と2のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記網組部材は、細線で構成され可撓性を有する請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記管体は、石英で構成される請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記管体は、前記芯線により折曲可能であるように複数個が連続して連結されている請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 処理室に収容された基板に処理ガスを供給する工程と、
前記処理室に配置された電極であって、金属で構成される芯線と該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材とを有する電極に、高周波電力を印加して前記処理ガスを活性化させる工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記処理室に処理ガスを供給する工程中に、前記電極に高周波電力を印加して当該処理ガスを活性化させる工程を行う請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 処理室に供給された処理ガスを活性な状態にするための高周波電力が印加される電極であって、
金属で構成される芯線と、
該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、
前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、
を有する電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013020673A JP5409938B2 (ja) | 2008-04-01 | 2013-02-05 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094503 | 2008-04-01 | ||
JP2008094503 | 2008-04-01 | ||
JP2013020673A JP5409938B2 (ja) | 2008-04-01 | 2013-02-05 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009011769A Division JP5198299B2 (ja) | 2008-04-01 | 2009-01-22 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013093618A true JP2013093618A (ja) | 2013-05-16 |
JP5409938B2 JP5409938B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=48616443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013020673A Active JP5409938B2 (ja) | 2008-04-01 | 2013-02-05 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5409938B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08210923A (ja) * | 1995-02-06 | 1996-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | 加熱炉用の炉内温度測定器 |
JP2002022554A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-23 | Ulvac Japan Ltd | 高温用熱電対及びその製造方法 |
WO2007055138A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
WO2007129568A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
-
2013
- 2013-02-05 JP JP2013020673A patent/JP5409938B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08210923A (ja) * | 1995-02-06 | 1996-08-20 | Kokusai Electric Co Ltd | 加熱炉用の炉内温度測定器 |
JP2002022554A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-23 | Ulvac Japan Ltd | 高温用熱電対及びその製造方法 |
WO2007055138A1 (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
WO2007129568A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5409938B2 (ja) | 2014-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5137903B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び電極 | |
JP4828599B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4951501B2 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JP4516969B2 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5568212B2 (ja) | 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP5198299B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 | |
JP5409938B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および電極 | |
JP4938805B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4267434B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4434807B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005243737A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4716737B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005167027A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006287153A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4509697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101101164B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2009253013A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005277264A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012119500A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4495573B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
JP2005251775A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006190876A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006066593A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006286765A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006190875A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5409938 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |