JP2013084614A - 厚膜誘電性エレクトロルミネセントディスプレイ用の積層厚膜誘電体構造 - Google Patents
厚膜誘電性エレクトロルミネセントディスプレイ用の積層厚膜誘電体構造 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】この新規な構造が、複合厚膜誘電体層とこれらのディスプレイの蛍光体層の底部との間に配置された1つ又はそれ以上のアルミニウム酸化物層を含む。
【選択図】図2
Description
−誘電性粉末を含むペーストを印刷することにより高誘電率層を蒸着する段階、次に印刷された層を焼結する段階、及び印刷されかつ焼結された層上に金属有機蒸着(MOD:metal organic deposition)法を使用して形成された平坦化層を蒸着し、これによって複合厚膜誘電体層を形成する段階;
−前記複合厚膜誘電体層上にアルミニウム酸化物層を真空蒸着する段階;及び
−スパッタリング又はMOD法を使用してアルミニウム酸化物層上に少なくとも1つの無鉛高誘電率層を蒸着する段階。
ゾルゲル蒸着技術が、当業界においてよく理解されており、例えば非特許文献1が参照される。平坦な表面を得る方法で、ゾルゲル材料が、第1誘電体層18上に蒸着される。平坦な表面を提供することに加え、ゾルゲル法が、焼結された厚膜層内の微細孔の充填を促進する。スピン蒸着又はディッピングが、最も好ましい。必要に応じ、ゾルが、様々な段階で蒸着されることが可能である。ゾルゲルの粘度を変化させる、及びスピニング速度を変えることにより、平坦化層の厚さが、制御される。スピニングの後、湿式ゾルの薄層が、表面上に形成される。セラミック表面を形成するために、ゾルゲル平坦化層が、通常1000℃以下で加熱される。ゾル平坦化層が、ディッピングによって蒸着されてもよい。コーティングされる表面が、ゾル内に浸され、次に、通常極めて遅い一定速度で引き出される。平坦化層の厚さが、ゾルの粘度及び引出し速度を変えることにより制御される。ゾル平坦化層が、スクリーン印刷又はスプレーコーティングされてもよい。平坦化層に使用されるセラミック材料が、第1厚膜誘電体層に使用されるSr,Pb及びBaのチタン酸塩、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン(PLZT)のような材料から形成される。
12 基板
14 金属導体層
16 厚膜誘電体層
18 平坦化層
20 複合厚膜誘電体層
22,23,27,30 アルミニウム酸化物層
24 チタン酸バリウム層
26 タンタル酸バリウム層
40 蛍光体層
Claims (25)
- 改善された複合厚膜誘電体構造を含むエレクトロルミネセントディスプレイであって、
前記構造が、
複合厚膜誘電体層と、
前記複合厚膜誘電体層の上面上に設けられたアルミニウム酸化物または他の原子種でドープされたアルミニウム酸化物の1つ又はそれ以上の層であって、25から50nmの厚さを有し、有害なイオンに対するバリアとして機能し、かつ弱導電性である層と、
薄膜蛍光体層と、
を含み、
前記アルミニウム酸化物または他の原子種でドープされたアルミニウム酸化物の1つ又はそれ以上の層の少なくとも1つが、前記蛍光体層と直接的に接触しないことを特徴とするエレクトロルミネセントディスプレイ。 - 前記構造が、前記アルミニウム酸化物または他の原子種でドープされたアルミニウム酸化物の1つ又はそれ以上の層の上に、非鉛−含有組成の1つ又はそれ以上の薄膜誘電体層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記アルミニウム酸化物または他の原子種でドープされたアルミニウム酸化物の1つ又はそれ以上の層が、前記1つ又はそれ以上の薄膜誘電体層上に及び/又は前記1つ又はそれ以上の薄膜誘電体層の間に設けられたことを特徴とする請求項2に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記1つ又はそれ以上の薄膜誘電体層が、チタン酸バリウム及びタンタル酸バリウムから選択されたことを特徴とする請求項3に記載の改善されたエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記1つ又はそれ以上の層が、アルミニウム酸化物であることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記構造が、順に、複合厚膜誘電体層、アルミニウム酸化物層、チタン酸バリウム層、及び薄膜蛍光体層を備えることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記構造が、順に、複合厚膜誘電体層、アルミニウム酸化物層、チタン酸バリウム層、タンタル酸バリウム層、及び薄膜蛍光体層を備えることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記構造が、順に、複合厚膜誘電体層、アルミニウム酸化物層、チタン酸バリウム層、タンタル酸バリウム層、アルミニウム酸化物層、及び薄膜蛍光体層を備えることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記構造が、順に、複合厚膜誘電体層、アルミニウム酸化物層、チタン酸バリウム層、アルミニウム酸化物層、タンタル酸バリウム層、アルミニウム酸化物層、及び薄膜蛍光体層を備えることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記構造が、順に、複合厚膜誘電体層、アルミニウム酸化物層、チタン酸バリウム層、アルミニウム酸化物層、タンタル酸バリウム層、及び薄膜蛍光体層を備えることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記蛍光体層が、チオアルミン酸塩であることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記蛍光体層が、ABxCy:REによって表され、
Aが、1つ又はそれ以上のMg,Ca,Sr又はBaであり、
Bが、少なくとも1つのAl又はInであり、
Cが、少なくとも1つのS又はSeであり、
REが、希土類種であり、
xが、2から4であり、yが、4から7である
ことを特徴とする請求項11に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。 - 前記希土類種が、Eu及びCeから選択されたことを特徴とする請求項12に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記蛍光体が、ユウロピウムで活性化されたBaAl2S4であることを特徴とする請求項13に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記構造が、前記蛍光体層上にアルミニウム窒化物層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 前記構造が、前記アルミニウム窒化物層上にITO透明層をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のエレクトロルミネセントディスプレイ。
- 厚膜誘電体構造を含むエレクトロルミネセントディスプレイであって、
前記構造が、
(a)複合厚膜誘電体層、
(b)前記複合厚膜誘電体構造の上に隣接して設けられたアルミニウム酸化物層、
(c)(b)の上のチタン酸バリウム層、
(d)(c)の上の任意のタンタル酸バリウム層、及び
(e)(c)の上及び/又は(d)の上に設けられた任意のさらなるアルミニウム酸化物層、
を含むことを特徴とするディスプレイ。 - 前記アルミニウム酸化物層が、25から50nmの厚さを有することを特徴とする請求項17に記載のディスプレイ。
- 前記アルミニウム酸化物層が、50nm以下の厚さを有することを特徴とする請求項17に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイが、チオアルミン酸蛍光体層を含むことを特徴とする請求項17に記載のディスプレイ。
- 前記蛍光体層が、ABxCy:REによって表され、
Aが、1つ又はそれ以上のMg,Ca,Sr又はBaであり、
Bが、少なくとも1つのAl又はInであり、
Cが、少なくとも1つのS又はSeであり、
REが、Eu又はCeであり、
xが、2から4であり、yが、4から7である
ことを特徴とする請求項20に記載のディスプレイ。 - 前記蛍光体が、ユウロピウムで活性化されたBaAl2S4であることを特徴とする請求項21に記載のディスプレイ。
- 前記構造が、前記蛍光体層上にアルミニウム窒化物層をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載のディスプレイ。
- 前記構造が、前記アルミニウム窒化物層上にITO透明層をさらに含むことを特徴とする請求項23に記載のディスプレイ。
- 前記ディスプレイが、前記複合厚膜誘電体層の下に金属電極層を備えた基板を含むことを特徴とする請求項17に記載のディスプレイ。
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