JP2013074169A - 薄膜配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 上面に配線導体11が形成されたセラミック基板1と、セラミック基板1の上面に積層された接合層2と、接合層2の上面に積層された薄膜配線層3とを備えており、接合層2に貫通導体21が設けられているとともに、貫通導体21を介してセラミック基板1の配線導体11と薄膜配線層3とが電気的に接続されており、貫通導体21は、上端部21aおよび下端部21bにおける弾性率が中央部21cにおける弾性率よりも小さい薄膜配線基板である。貫通導体21の上下端部21a,21bにおいて熱応力が緩和され、熱応力による貫通導体21の上下端部21a,21bにおけるクラック等の発生が抑制される。そのため、配線導体11および薄膜配線層3と貫通導体21との電気的な接続信頼性が高い。
【選択図】 図2
Description
ることにある。
図1は本発明の第1の実施の形態における薄膜配線基板を示す断面図であり、図2は、図1に示す薄膜配線基板の要部を拡大して示す要部拡大断面図である。セラミック基板1
の上面に接合層2および薄膜配線層3が順次積層されて薄膜配線基板が基本的に形成されている。
電極は、セラミック基板1の下面の接続パッド12と電気的に接続される。この接続パッド12を検査用の電気回路に電気的に接続すれば、半導体素子の電気的な検査(正常に演算や記憶等を行なうか否か等)を行なうことができる。なお、半導体素子としては、ICやLSI等の半導体集積回路素子や、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン(いわゆるMEMS素子)等が挙げられる。
1層に限らず、複数層であっても構わない。
導体21の中央部21cを銅(ヤング率が約110GPa)で形成した場合であれば、その上下
端部21a,21bを銅よりも弾性率が小さい金(ヤング率が約80GPa)またはスズ−銀−銅(ヤング率が約30GPa)等の金属材料で形成すればよい。
あることが好ましい。
とする合金等)である場合には、上下端部21a,21bの範囲は、貫通導体21の上端および下端のそれぞれから約10〜15μm程度に設定すればよい。
パッド12に比べて微細なパターンで、隣接間隔(いわゆるピッチ)を小さくして形成される。また、薄膜配線層3においては、最上面に近いほど薄膜導体層31がより微細かつ狭ピッチで形成されている。これによって、微細な半導体素子の電極と、これに比べて大きく、隣接間隔も広い外部回路との電気的な接続が容易に行なわれる。
本発明の第2の態様による薄膜配線基板は、接合層2の貫通導体21を除いては、基本的に上記第1の態様による薄膜配線基板と同様の構成であり、例えば全体の断面および要部断面は、図1〜図3に示すような形態である。そのため、以下の説明においては、第1の態様の薄膜配線基板と同様に図1〜図3を用いて説明し、前述した第1の態様と同様の部位については説明を省略する。
で小さくすること)が実現されているか否かを検知することができる。
とする合金等)である場合には、上下端部21a,21bの範囲は、貫通導体21の上端および下端のそれぞれから約10〜15μm程度に設定すればよい。
とするために、薄膜配線基板を半導体素子に押し付ける方向に圧力が加えられる。そして、半導体素子と外部回路とが薄膜配線基板を介して電気的に接続され、半導体素子が正常に動作し得るか否かが検査される。
図5は、本発明の第2の実施の形態の薄膜配線基板の要部を示す断面図である。図5において図1と同様の部位には同様の符号を付している。図5に示す例の薄膜配線基板において、接合層2は複数の樹脂層2a〜2cが積層されて形成されている。接合層2が3層の樹脂層2a〜2cで形成されている点以外は、前述した第1の実施形態の薄膜配線基板(第1および第2の態様)と同様である。
2の貫通導体21の上端および下端にそれぞれ位置合わせする。
11・・・・・配線導体
12・・・・・接続パッド
2・・・・・接合層
2a〜2c・樹脂層
21・・・・・貫通導体
21a・・・・貫通導体の上端部
21b・・・・貫通導体の下端部
21c・・・・貫通導体の中央部
3・・・・・薄膜配線層
31・・・・・薄膜導体層
32・・・・・樹脂絶縁層
4・・・・・プローブ
5・・・・・空隙
Claims (2)
- 上面に配線導体が形成されたセラミック基板と、
該セラミック基板の前記上面に積層された接合層と、
該接合層の上面に積層された薄膜配線層とを備えており、
前記接合層に貫通導体が設けられているとともに、該貫通導体を介して前記セラミック基板の前記配線導体と前記薄膜配線層とが電気的に接続されており、
前記貫通導体は、上端部および下端部における弾性率が、中央部における弾性率よりも小さいことを特徴とする薄膜配線基板。 - 上面に配線導体が形成されたセラミック基板と、
該セラミック基板の前記上面に積層された接合層と、
該接合層の前記上面に積層された薄膜配線層とを備えており、
前記接合層に貫通導体が設けられているとともに、該貫通導体を介して前記セラミック基板の前記配線導体と前記薄膜配線層とが電気的に接続されており、
前記貫通導体は、上端部および下端部における空隙率が、中央部における空隙率よりも大きいことを特徴とする薄膜配線基板。
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JP2011212808A JP2013074169A (ja) | 2011-09-28 | 2011-09-28 | 薄膜配線基板 |
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Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2001185857A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
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2011
- 2011-09-28 JP JP2011212808A patent/JP2013074169A/ja active Pending
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