JP2013074048A - Semiconductor element housing package and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable semiconductor element housing package, which has excellent bondability of a partially-folded lead terminal to a base substrate.SOLUTION: An element housing package 1 comprises a lead terminal 15 including a first part positioned on one end side and a second part positioned on another end side, which is folded at a part between the first part and the second part. The first part of the lead terminal 15 is covered with a solder 13 and fitted in a recess of a frame 9 so as to be bonded to a wiring conductor 11 via the solder 13.

Description

本発明は、半導体素子が収納される半導体素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置に関する。このような半導体装置は各種電子機器に用いることができる。   The present invention relates to a semiconductor element storage package in which a semiconductor element is stored, and a semiconductor device using the same. Such a semiconductor device can be used for various electronic devices.

半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)としては、例えば、特許文献1に記載されたパッケージが知られている。特許文献1に記載のパッケージにおいては、半導体素子に電気的に接続される電極が基体の側壁部の外面に形成され、この電極にリード端子がロウ付けされている。リード端子は、その上側が電極にロウ付けされ、下側が基体の外側に向かって曲げられている。   As a package for housing a semiconductor element (hereinafter also simply referred to as a package) for housing a semiconductor element, for example, a package described in Patent Document 1 is known. In the package described in Patent Document 1, an electrode that is electrically connected to a semiconductor element is formed on the outer surface of a side wall portion of a base, and a lead terminal is brazed to the electrode. The lead terminal has its upper side brazed to the electrode and its lower side bent toward the outside of the substrate.

特開2004−356340号公報JP 2004-356340 A

特許文献1に記載のリード端子を用いた場合、パッケージの製造時あるいは使用時において、リード端子の下側が伸ばされた基体の外側の方向と平行な方向(以下、便宜的に「延設方向」ともいう)への応力がリード端子に加わり易い。近年、半導体素子へより多く通電することが求められていることから、上記の応力がより大きくなる傾向にある。   When the lead terminal described in Patent Document 1 is used, the direction in which the lower side of the lead terminal extends parallel to the direction of the outside of the base body (hereinafter referred to as the “extending direction” for convenience) when the package is manufactured or used. Stress on the lead terminal. In recent years, since it is required to energize a semiconductor element more, the stress tends to be larger.

しかしながら、特許文献1に記載のパッケージにおいては、リード端子における基体と対向する側面のみがロウ付けされている。そのため、基体の厚み方向への応力に対するリード端子の基体への接合性を良好に保つことができるが、延設方向への応力に対するリード端子の基体への接合性が低下する可能性がある。   However, in the package described in Patent Document 1, only the side surface of the lead terminal facing the base is brazed. For this reason, the bondability of the lead terminal to the substrate with respect to the stress in the thickness direction of the substrate can be kept good, but the bondability of the lead terminal to the substrate with respect to the stress in the extending direction may be lowered.

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものである。すなわち、部分的に折り曲げられたリード端子の基体への接合性が良好であって信頼性の高い半導体素子収納用パッケージを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a highly reliable package for housing a semiconductor element, which has good bondability to a base body of a lead terminal that is partially bent.

本発明の一つの態様に基づく半導体素子収納用パッケージは、半導体素子が載置される載置領域を上面に有する基板と、前記載置領域を囲むように前記基板の上面に配設された、外周面側に凹部を有する枠体と、該枠体で囲まれた領域から前記凹部の内面に引き出された、前記半導体素子と電気的に接続される配線導体と、一方の端部側に位置する第1の部位および他方の端部側に位置する第2の部位を具備して前記第1の部位および前記第2の部位の間が折り曲げられた、前記第1の部位がロウ材によって覆われるとともに該ロウ材を介して前記配線導体に接合されるように前記凹部に嵌め込まれ、前記第2の部位が前記枠体の側方に引き出されたリード端子とを備えていることを特徴としている。   A package for housing a semiconductor element according to one aspect of the present invention is provided on a top surface of the substrate so as to surround the mounting region, a substrate having a mounting region on which the semiconductor element is mounted on the top surface, A frame having a recess on the outer peripheral surface side, a wiring conductor that is led out from the region surrounded by the frame to the inner surface of the recess and electrically connected to the semiconductor element, and is located on one end side A first part that is positioned on the other end side and a second part that is bent between the first part and the second part, and the first part is covered with a brazing material. And a lead terminal that is fitted into the recess so as to be joined to the wiring conductor via the brazing material, and the second part is pulled out to the side of the frame. Yes.

上記態様のパッケージにおいては、枠体がその外周面側に凹部を有している。凹部にはリード端子の第1の部位が嵌め込まれている。このとき、第1の部位はロウ材によって覆われた状態で凹部に嵌め込まれ、このロウ材を介して配線導体に接合されている。すなわち、リード端子の第1の部位がロウ材に物理的に固定されている。   In the package of the above aspect, the frame has a recess on the outer peripheral surface side. The first portion of the lead terminal is fitted in the recess. At this time, the first portion is fitted into the recess while being covered with the brazing material, and is joined to the wiring conductor via the brazing material. That is, the first part of the lead terminal is physically fixed to the brazing material.

筐体の平坦な外側面に対してリード端子における筐体と対向する側面のみがロウ付けされている場合と比較して、上記の通り、リード端子がロウ材に物理的に固定されていることから、リード端子のロウ材からの剥離を抑制できる。そのため、延設方向への応力に対するリード端子の枠体への接合性を良好なものにできる。   Compared to the case where only the side surface of the lead terminal facing the housing is brazed to the flat outer surface of the housing, the lead terminal is physically fixed to the brazing material as described above. Therefore, peeling of the lead terminal from the brazing material can be suppressed. Therefore, it is possible to improve the bondability of the lead terminal to the frame body against the stress in the extending direction.

第1の実施形態の半導体素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置を示す分解斜視図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an exploded perspective view showing a semiconductor element storage package and a semiconductor device including the same according to a first embodiment. 図1に示す半導体素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the semiconductor element storage package shown in FIG. 1 and a semiconductor device including the same. 図1に示す半導体素子収納用パッケージの領域Aの拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the area | region A of the package for semiconductor element accommodation shown in FIG. 図1に示す半導体素子収納用パッケージのX−X断面における断面図である。It is sectional drawing in the XX cross section of the package for semiconductor element accommodation shown in FIG. 図2に示す半導体素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置の第1の変形例の分解斜視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view of a first modification of the semiconductor element storage package and the semiconductor device including the same shown in FIG. 2. 図2に示す半導体素子収納用パッケージおよびこれを備えた半導体装置の第2の変形例の分解斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of a second modification of the semiconductor element storage package and the semiconductor device including the same shown in FIG. 2. 図6に示す半導体素子収納用パッケージにおける図4に対応する断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4 in the semiconductor element storage package shown in FIG. 6. 図3に示す半導体素子収納用パッケージの第3の変形例の拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the 3rd modification of the package for semiconductor element accommodation shown in FIG. 図8に示す半導体素子収納用パッケージにおける基板の上面に水平な断面であって、リード端子が枠体に接合された部分の拡大断面図である。FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of a portion horizontal to the upper surface of the substrate in the package for housing a semiconductor element shown in FIG. 8 and where a lead terminal is joined to a frame body. 図3に示す半導体素子収納用パッケージの第4の変形例の拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the 4th modification of the package for semiconductor element accommodation shown in FIG. 図10に示す半導体素子収納用パッケージにおける基板の上面に水平な断面であって、リード端子が枠体に接合された部分の拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a portion horizontal to the upper surface of the substrate in the package for housing a semiconductor element shown in FIG. 10 and in which a lead terminal is joined to a frame body. 図3に示す半導体素子収納用パッケージの第5の変形例の拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the 5th modification of the package for semiconductor element accommodation shown in FIG. 図12に示す半導体素子収納用パッケージにおける基板の上面に水平な断面であって、リード端子が枠体に接合された部分の拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a portion horizontal to the upper surface of the substrate in the package for housing a semiconductor element shown in FIG. 12 and in which a lead terminal is joined to a frame body. 図3に示す半導体素子収納用パッケージの第6の変形例の拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the 6th modification of the package for semiconductor element accommodation shown in FIG. 図3に示す半導体素子収納用パッケージの第7の変形例の拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the 7th modification of the package for semiconductor element accommodation shown in FIG.

以下、一実施形態の半導体素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)およびにこれを備えた半導体装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。したがって、本発明に係るパッケージおよび半導体装置は、本明細書が参照する各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。   Hereinafter, a semiconductor element housing package (hereinafter also simply referred to as a package) and a semiconductor device including the same according to an embodiment will be described in detail with reference to the drawings. However, in the drawings referred to below, for convenience of explanation, among the constituent members of the embodiment, only the main members necessary for explaining the present invention are shown in a simplified manner. Therefore, the package and the semiconductor device according to the present invention can include arbitrary constituent members not shown in the drawings referred to in this specification. Moreover, the dimension of the member in each figure does not represent the dimension of an actual structural member, the dimension ratio of each member, etc. faithfully.

図1〜4に示すように、第1の実施形態にかかる素子収納用パッケージ1は、半導体素子3が載置される載置領域を上面に有する基板5と、載置領域を囲むように基板5の上面に配設された、外周面側に凹部7を有する枠体9と、枠体9で囲まれた領域から凹部7の内面に引き出された、半導体素子3と電気的に接続される配線導体11と、ロウ材13を介して配線導体11に接合されたリード端子15とを備えている。   As shown in FIGS. 1 to 4, the element storage package 1 according to the first embodiment includes a substrate 5 having a placement area on which a semiconductor element 3 is placed on an upper surface, and a substrate surrounding the placement area. 5 is disposed on the upper surface of the frame 5 and has a recess 9 on the outer peripheral surface side, and is electrically connected to the semiconductor element 3 drawn from the area surrounded by the frame 9 to the inner surface of the recess 7. The wiring conductor 11 and the lead terminal 15 joined to the wiring conductor 11 through the brazing material 13 are provided.

このとき、リード端子15が、一方の端部側に位置する第1の部位17および他方の端部側に位置する第2の部位19を具備して第1の部位17および第2の部位19の間が折り曲げられた構造となっている。そして、リード端子15の第1の部位17がロウ材13によって覆われるとともにこのロウ材13を介して配線導体11に接合されるように凹部7に嵌め込まれている。また、リード端子15の第2の部位19が枠体9の側方に引き出されている。   At this time, the lead terminal 15 includes a first part 17 located on one end side and a second part 19 located on the other end side, so that the first part 17 and the second part 19 are provided. The structure is bent between the two. The first portion 17 of the lead terminal 15 is covered with the brazing material 13 and is fitted into the recess 7 so as to be joined to the wiring conductor 11 through the brazing material 13. Further, the second portion 19 of the lead terminal 15 is pulled out to the side of the frame body 9.

本実施形態のパッケージ1においては、枠体9がその外周面側に凹部7を有している。凹部7にはリード端子15の第1の部位17が嵌め込まれている。このとき、第1の部位17はロウ材13によって覆われた状態で凹部7に嵌め込まれ、このロウ材13を介して配線導体11に接合されている。具体的には、リード端子15の第1の部位17が、上下方向、第2の部位19が引き出された方向およびこれら対して垂直な方向のそれぞれの方向からロウ材13によって3次元的に覆われている。すなわち、ロウ材13のリード端子15に対する接着力のみによってリード端子15がロウ材13に固定されているのではなく、リード端子15の第1の部位17がロウ材13に物理的に固定されている。   In the package 1 of the present embodiment, the frame body 9 has a recess 7 on the outer peripheral surface side. A first portion 17 of the lead terminal 15 is fitted in the recess 7. At this time, the first portion 17 is fitted into the recess 7 while being covered with the brazing material 13, and is joined to the wiring conductor 11 via the brazing material 13. Specifically, the first portion 17 of the lead terminal 15 is three-dimensionally covered by the brazing material 13 from the vertical direction, the direction in which the second portion 19 is pulled out, and the direction perpendicular thereto. It has been broken. That is, the lead terminal 15 is not fixed to the brazing material 13 only by the adhesive force of the brazing material 13 to the lead terminal 15, but the first portion 17 of the lead terminal 15 is physically fixed to the brazing material 13. Yes.

そのため、枠体9の平坦な外側面に対してリード端子15における枠体9と対向する側面のみがロウ付けされている場合と比較して、第2の部位19が引き出された方向(延設方向)を含む様々な方向からリード端子15に応力が加わった場合であっても、リード端子15のロウ材13からの剥離を抑制できる。結果、リード端子15を介して半導体素子3と外部の配線回路(不図示)との間での信号の入出力を安定して行うことができる。   Therefore, as compared with the case where only the side surface of the lead terminal 15 facing the frame body 9 is brazed to the flat outer surface of the frame body 9, the direction in which the second portion 19 is pulled out (extended) Even when stress is applied to the lead terminal 15 from various directions including (direction), peeling of the lead terminal 15 from the brazing material 13 can be suppressed. As a result, signal input / output between the semiconductor element 3 and an external wiring circuit (not shown) can be stably performed via the lead terminal 15.

本実施形態における基板5は、四角板形状であって、主面上に半導体素子3が載置される載置領域を有している。なお、本実施形態において載置領域とは、基板5を平面視した場合に半導体素子3と重なり合う領域を意味している。具体的には、本実施形態における基板5は、四角板形状の部分と、この四角板形状の部分の四隅にそれぞれ側方に引き出されてネジ止め孔21が形成された部分とを有する形状となっている。このネジ止め孔21によってパッケージ1を実装基板(不図示)にネジ止め固定することができる。   The substrate 5 in the present embodiment has a square plate shape, and has a placement area on which the semiconductor element 3 is placed on the main surface. In the present embodiment, the placement region means a region that overlaps the semiconductor element 3 when the substrate 5 is viewed in plan. Specifically, the substrate 5 in the present embodiment has a shape having a square plate-shaped portion and a portion in which the screw holes 21 are formed by being pulled out to the four corners of the square plate-shaped portion. It has become. The package 1 can be screwed and fixed to a mounting substrate (not shown) by the screw holes 21.

基板5が平板形状である場合、その大きさを、例えば一辺5mm以上50mm以下に設定することができる。また、基板5の厚みとしては、例えば、0.2mm以上2mm以下に設定することができる。   When the board | substrate 5 is flat plate shape, the magnitude | size can be set to 5 mm or more and 50 mm or less, for example. Moreover, as thickness of the board | substrate 5, it can set to 0.2 mm or more and 2 mm or less, for example.

本実施形態においては載置領域が主面の中央部に形成されているが、半導体素子3が載置される領域を載置領域としていることから、例えば、基板5の主面の端部に載置領域が形成されていても何ら問題ない。また、本実施形態の基板5は一つの載置領域を有しているが、基板5が複数の載置領域を有し、それぞれの載置領域に半導体素子3が載置されていてもよい。   In the present embodiment, the placement region is formed at the center of the main surface, but since the region where the semiconductor element 3 is placed is the placement region, for example, at the end of the main surface of the substrate 5. There is no problem even if the mounting area is formed. Moreover, although the board | substrate 5 of this embodiment has one mounting area | region, the board | substrate 5 may have a some mounting area | region and the semiconductor element 3 may be mounted in each mounting area | region. .

基板5の主面における載置領域には半導体素子3が配設されている。半導体素子3は、リード端子15などを介して外部の配線回路との間で信号の入出力を行うことができる。このように、基板5の主面には半導体素子3が配設されることから、基板5としては、少なくとも半導体素子3が配設される部分には高い絶縁性を有していることが求められる。本実施形態にかかる基板5は、複数の絶縁性部材を積層することにより作製される。そして、この基板5の載置領域に半導体素子3が載置される。絶縁性部材としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料を用いることができる。   The semiconductor element 3 is disposed in the mounting region on the main surface of the substrate 5. The semiconductor element 3 can input / output signals to / from an external wiring circuit via the lead terminal 15 or the like. As described above, since the semiconductor element 3 is disposed on the main surface of the substrate 5, the substrate 5 is required to have high insulation at least in a portion where the semiconductor element 3 is disposed. It is done. The substrate 5 according to this embodiment is manufactured by stacking a plurality of insulating members. The semiconductor element 3 is placed on the placement region of the substrate 5. Examples of the insulating member include a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, and a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic. Materials can be used.

これらのガラス粉末およびセラミック粉末を含有する原料粉末、有機溶剤並びにバインダを混ぜることにより混合部材を作製する。この混合部材をシート状に成形することにより複数のセラミックグリーンシートを作製する。作製された複数のセラミックグリーンシートを積層することにより複数の積層体を作製する。複数の積層体をそれぞれ約1600度の温度で一体焼成することにより基板5が作製される。   A mixing member is prepared by mixing the raw material powder containing these glass powder and ceramic powder, an organic solvent, and a binder. A plurality of ceramic green sheets are produced by forming the mixed member into a sheet. A plurality of laminated bodies are produced by laminating the produced ceramic green sheets. The substrate 5 is manufactured by integrally firing the plurality of laminated bodies at a temperature of about 1600 degrees.

なお、基板5としては、複数の絶縁性部材が積層された構成に限られるものではない。一つの絶縁性部材により基板5が構成されていてもよい。また、基板5として、少なくとも半導体素子3が配設される部分に高い絶縁性を有していることが求められることから、例えば、金属部材上に絶縁性部材を積層した構成としてもよい。特に、基板5に対して高い放熱性が求められる場合、基板5が上記の構成であることが好ましい。金属部材は高い放熱性を有しているからである。金属部材上に絶縁性部材を積層した構成とすることで、基板5の放熱性を高めることができる。   The substrate 5 is not limited to a configuration in which a plurality of insulating members are stacked. The board | substrate 5 may be comprised by one insulating member. Moreover, since it is calculated | required that the board | substrate 5 has high insulation in the part by which the semiconductor element 3 is arrange | positioned at least, it is good also as a structure which laminated | stacked the insulating member on the metal member, for example. In particular, when high heat dissipation is required for the substrate 5, the substrate 5 preferably has the above-described configuration. This is because the metal member has high heat dissipation. By setting it as the structure which laminated | stacked the insulating member on the metal member, the heat dissipation of the board | substrate 5 can be improved.

金属部材としては、具体的には、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって基板5を構成する金属部材を作製することができる。   Specifically, a metal member such as iron, copper, nickel, chromium, cobalt, and tungsten, or an alloy made of these metals can be used as the metal member. The metal member which comprises the board | substrate 5 is producible by giving metal processing methods, such as a rolling method and a punching method, to such an ingot of a metal member.

なお、金属部材を基板5の一部として用いている場合には、配線導体11、ロウ材13およびリード端子15などと電気的な短絡を生じないように、図5に示すように基板5を形成してもよい。図5において、基板5は金属部材からなる第1の基板23および絶縁性部材からなる第2の基板25によって構成されている。このとき、第1の基板23は配線導体11、ロウ材13およびリード端子15から離隔するように位置しており、配線導体11、ロウ材13およびリード端子15からなる導電性の部材に接する部分には第2の基板25が用いられている。   When a metal member is used as a part of the substrate 5, the substrate 5 is arranged as shown in FIG. 5 so as not to cause an electrical short circuit with the wiring conductor 11, the brazing material 13, the lead terminal 15, and the like. It may be formed. In FIG. 5, the substrate 5 includes a first substrate 23 made of a metal member and a second substrate 25 made of an insulating member. At this time, the first substrate 23 is positioned so as to be separated from the wiring conductor 11, the brazing material 13, and the lead terminal 15, and is a portion in contact with the conductive member composed of the wiring conductor 11, the brazing material 13 and the lead terminal 15. The second substrate 25 is used for the above.

また、半導体素子3が直接に基板5の上面に実装されても良いが、本実施形態のパッケージ1のように、基板5の載置領域上に配設された、半導体素子3を載置するための載置基板27を備えて、この載置基板27上に半導体素子3が載置されていても良い。載置基板27としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。   In addition, the semiconductor element 3 may be directly mounted on the upper surface of the substrate 5, but the semiconductor element 3 disposed on the mounting region of the substrate 5 is placed as in the package 1 of the present embodiment. For example, the semiconductor element 3 may be mounted on the mounting substrate 27. As the mounting substrate 27, it is preferable to use a member having good insulation like the insulating member. For example, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, and an aluminum nitride material are used. Ceramic materials such as sintered bodies and silicon nitride-based sintered bodies, or glass ceramic materials can be used.

本実施形態のパッケージ1は、基板5の上面であって載置領域を囲むように配設された枠体9を備えている。枠体9は接合部材(不図示)を介して基板5に接合されている。接合部材としては、例えば、金−錫ロウ、銀ロウが挙げられる。   The package 1 of the present embodiment includes a frame body 9 disposed on the upper surface of the substrate 5 so as to surround the mounting area. The frame body 9 is joined to the substrate 5 via a joining member (not shown). Examples of the joining member include gold-tin solder and silver solder.

枠体9が、図1,2に示すように平面視した際の外周および内周の形状が四角形である筒形状である場合、例えば外周を一辺5mm以上50mm以下に設定することができる。また、外周と内周との間の距離を枠体9の厚みとした場合、枠体9の厚みは、例えば0.5mm以上2mm以下に設定することができる。また、枠体9の高さとしては、例えば2mm以上10mm以下に設定することができる。   When the frame 9 has a cylindrical shape in which the shape of the outer periphery and the inner periphery when viewed in plan is a quadrangle as shown in FIGS. 1 and 2, for example, the outer periphery can be set to 5 mm to 50 mm on a side. Moreover, when the distance between an outer periphery and an inner periphery is made into the thickness of the frame 9, the thickness of the frame 9 can be set to 0.5 mm or more and 2 mm or less, for example. Moreover, as the height of the frame 9, it can set to 2 mm or more and 10 mm or less, for example.

枠体9としては、例えば、基板5と同様に絶縁性の良好な部材を用いることができる。絶縁性の良好な部材としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料が挙げられる。また、絶縁性の良好な部材の他にも、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或い
はこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって枠体9を構成する金属部材を作製することができる。また、枠体9は、一つの部材からなっていてもよいが、複数の部材の積層構造であってもよい。
As the frame body 9, for example, a member having good insulating properties can be used in the same manner as the substrate 5. Examples of members having good insulation include ceramic materials such as an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, and a silicon nitride sintered body, Or a glass ceramic material is mentioned. In addition to a member having good insulating properties, for example, a metal member such as iron, copper, nickel, chromium, cobalt, and tungsten, or an alloy made of these metals can be used. A metal member constituting the frame body 9 can be produced by subjecting such an ingot of the metal member to a metal working method such as a rolling method or a punching method. Further, the frame body 9 may be composed of one member, but may be a laminated structure of a plurality of members.

なお、金属部材を枠体9の一部として用いている場合には、配線導体11、ロウ材13およびリード端子15などと電気的な短絡を生じないように、図5に示すように枠体9を形成してもよい。図5において、枠体9は金属部材からなる第1の枠体29および絶縁性部材からなる第2の枠体31によって構成されている。このとき、第1の枠体29は配線導体11、ロウ材13およびリード端子15から離隔するように位置しており、配線導体11、ロウ材13およびリード端子15からなる導電性の部材に接する部分には第2の枠体31が用いられている。   When a metal member is used as a part of the frame body 9, the frame body as shown in FIG. 5 is used so as not to cause an electrical short circuit with the wiring conductor 11, the brazing material 13, the lead terminal 15, and the like. 9 may be formed. In FIG. 5, the frame body 9 is constituted by a first frame body 29 made of a metal member and a second frame body 31 made of an insulating member. At this time, the first frame body 29 is positioned so as to be separated from the wiring conductor 11, the brazing material 13 and the lead terminal 15, and is in contact with the conductive member composed of the wiring conductor 11, the brazing material 13 and the lead terminal 15. The second frame 31 is used for the part.

また、枠体9は、その外周面側に複数の凹部7を有している。具体的には、外周面を構成する側面のうち互いに反対側に位置する側面に、複数の凹部7がそれぞれ形成されている。これらの側面に形成された複数の凹部7は、それぞれ基板5の上面に平行な方向に並設されている。それぞれの凹部7は、枠体9の側方に向かって開口している。凹部7には後述するリード端子15がそれぞれ嵌め込まれている。   The frame body 9 has a plurality of recesses 7 on the outer peripheral surface side. Specifically, a plurality of recesses 7 are formed on the side surfaces that are opposite to each other among the side surfaces constituting the outer peripheral surface. The plurality of recesses 7 formed on these side surfaces are arranged in parallel in a direction parallel to the upper surface of the substrate 5. Each recess 7 opens toward the side of the frame body 9. A lead terminal 15 to be described later is fitted in the recess 7.

さらに、枠体9は、内周面および外周面に開口する開口部を有している。この開口部に入出力端子33が挿入固定されている。本実施形態のパッケージ1においては、この入出力端子33における枠体9に挿入固定された側面と、枠体9の開口部の内側面とによって、凹部7の内面が形成されている。   Further, the frame body 9 has openings that open to the inner peripheral surface and the outer peripheral surface. The input / output terminal 33 is inserted and fixed in this opening. In the package 1 of the present embodiment, the inner surface of the recess 7 is formed by the side surface of the input / output terminal 33 inserted and fixed to the frame body 9 and the inner surface of the opening of the frame body 9.

本実施形態のパッケージ1における枠体9は、内周面および外周面に開口する開口部を有している。枠体9の開口部には、入出力端子33の一部が挿入固定されている。入出力端子33は、第1の絶縁部材35、第2の絶縁部材37および配線部材39を有している。第1の絶縁部材35は、基板5の上面に配設されている。配線部材39は、第1の絶縁部材35の上面に配設されている。第2の絶縁部材37は、配線部材39の一方の端部および他方の端部が露出するように、第1の絶縁部材35および配線部材39の上面に配設されている。このとき、配線部材39の一方の端部が枠体9で囲まれた領域内に位置して、他方の端部が凹部7の内面に引き出されている。   The frame body 9 in the package 1 of the present embodiment has openings that open to the inner peripheral surface and the outer peripheral surface. A part of the input / output terminal 33 is inserted and fixed in the opening of the frame body 9. The input / output terminal 33 includes a first insulating member 35, a second insulating member 37, and a wiring member 39. The first insulating member 35 is disposed on the upper surface of the substrate 5. The wiring member 39 is disposed on the upper surface of the first insulating member 35. The second insulating member 37 is disposed on the upper surfaces of the first insulating member 35 and the wiring member 39 so that one end and the other end of the wiring member 39 are exposed. At this time, one end of the wiring member 39 is located within the region surrounded by the frame body 9, and the other end is drawn out to the inner surface of the recess 7.

配線部材39は、配線導体11の一部を構成している。配線部材39の一方の端部と半導体素子3とはボンディングワイヤ41を介して電気的に接続されている。これにより、枠体9で囲まれた領域の内側と外側との間で電気的な接続を図ることができる。本実施形態のパッケージ1における入出力端子33は、複数の配線部材39を有しており、複数の配線部材39は、互いに電気的に短絡することの無いように所定の間隔をあけて配設されている。複数の配線部材39の間隔としては0.3〜1.5mm程度であればよい。   The wiring member 39 constitutes a part of the wiring conductor 11. One end of the wiring member 39 and the semiconductor element 3 are electrically connected via a bonding wire 41. Thereby, electrical connection can be achieved between the inside and the outside of the region surrounded by the frame body 9. The input / output terminal 33 in the package 1 of the present embodiment has a plurality of wiring members 39, and the plurality of wiring members 39 are arranged at predetermined intervals so as not to be electrically short-circuited with each other. Has been. The interval between the plurality of wiring members 39 may be about 0.3 to 1.5 mm.

なお、本実施形態のパッケージ1においては、ボンディングワイヤ41を介して配線部材39と半導体素子3とが電気的に接続されているが、これに限られるものではない。例えば、基板5の上面に、一方の端部が配線部材39と電気的に接続され、他方の端部が載置領域にまで引き回された接続用の導体を配設して、このような導体と半導体素子3とを接続しても良い。   In the package 1 of the present embodiment, the wiring member 39 and the semiconductor element 3 are electrically connected via the bonding wires 41, but the present invention is not limited to this. For example, a connection conductor having one end electrically connected to the wiring member 39 and the other end routed to the placement area is disposed on the upper surface of the substrate 5, and The conductor and the semiconductor element 3 may be connected.

本実施形態における第1の絶縁部材35は、四角板形状であって上面に複数の配線部材39が配設されている。第1の絶縁部材35の例示的な大きさとしては、平面視した場合における配線部材39の引き出し方向に平行な短手方向の幅が1〜10mm程度、平面視した場合における配線部材39の引き出し方向に垂直な長手方向の幅が5〜50mm程度
であって、厚みが0.3〜5mm程度である四角板形状の部材を用いることができる。
The first insulating member 35 in the present embodiment has a quadrangular plate shape, and a plurality of wiring members 39 are disposed on the upper surface. As an exemplary size of the first insulating member 35, the width of the short side direction parallel to the drawing direction of the wiring member 39 when viewed in plan is about 1 to 10 mm, and the wiring member 39 is drawn when viewed in plan. A rectangular plate-shaped member having a width in the longitudinal direction perpendicular to the direction of about 5 to 50 mm and a thickness of about 0.3 to 5 mm can be used.

第1の絶縁部材35としては、絶縁性部材と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましく、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体および窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、又はガラスセラミック材料を用いることができる。   As the first insulating member 35, it is preferable to use a member having good insulation like the insulating member. For example, an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, a nitrided body A ceramic material such as an aluminum sintered body and a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic material can be used.

配線部材39は、凹部7に嵌め込まれたリード端子15などを介して外部の配線回路と半導体素子3とを電気的に接続するための部材である。そのため、本実施形態における配線部材39は基板5の主面上のみに配設されているが、特にこれに限られるものではない。例えば、配線部材39の一部が第1の絶縁部材35に埋設されていてもよい。   The wiring member 39 is a member for electrically connecting an external wiring circuit and the semiconductor element 3 via the lead terminal 15 or the like fitted in the recess 7. Therefore, the wiring member 39 in the present embodiment is disposed only on the main surface of the substrate 5, but is not particularly limited thereto. For example, a part of the wiring member 39 may be embedded in the first insulating member 35.

配線部材39としては、導電性の良好な部材を用いることが好ましい。具体的には、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀および金のような金属材料を配線部材39として用いることができる。上記の金属材料を単一で用いてもよく、また、合金として用いてもよい。   As the wiring member 39, a member having good conductivity is preferably used. Specifically, a metal material such as tungsten, molybdenum, nickel, copper, silver, and gold can be used as the wiring member 39. The above metal materials may be used alone or as an alloy.

第2の絶縁部材37は、枠体9で囲まれた領域を気密に封止するため、第1の絶縁部材35とによって枠体9の開口部を塞ぐように第1の絶縁部材35および配線部材39の上に設けられている。このとき、第2の絶縁部材37は、配線部材39の上に設けられているのではなく配線部材39の一方の端部および他方の端部が露出するように、配線部材39の中央部分の上に設けられている。   Since the second insulating member 37 hermetically seals the region surrounded by the frame body 9, the first insulating member 35 and the wiring are closed so as to close the opening of the frame body 9 with the first insulating member 35. It is provided on the member 39. At this time, the second insulating member 37 is not provided on the wiring member 39 but the one end and the other end of the wiring member 39 are exposed. It is provided above.

本実施形態における第2の絶縁部材37は、四角板形状である。例示的な大きさとしては、平面視した場合における配線部材39の引き出し方向に平行な短手方向の幅が0.5〜9.5mm程度、平面視した場合における配線部材39の引き出し方向に垂直な長手方向の幅が5〜50mm程度であって、厚みが0.3〜5mm程度である四角板形状の部材を用いることができる。第2の絶縁部材37としては、第1の絶縁部材35と同様に絶縁性の良好な部材を用いることが好ましい。   The second insulating member 37 in the present embodiment has a square plate shape. As an exemplary size, the width in the short direction parallel to the drawing direction of the wiring member 39 when viewed in plan is about 0.5 to 9.5 mm, and is perpendicular to the drawing direction of the wiring member 39 when viewed in plan. A square plate-shaped member having a width in the longitudinal direction of about 5 to 50 mm and a thickness of about 0.3 to 5 mm can be used. As the second insulating member 37, it is preferable to use a member having good insulating properties like the first insulating member 35.

本実施形態のパッケージ1は、枠体9で囲まれた領域から凹部7の内面に引き出された配線導体11を備えている。本実施形態のパッケージ1における配線導体11は、具体的には上述の通り、入出力端子33の配線部材39およびこの配線部材39と半導体素子3とを電気的に接続するボンディングワイヤ41によって構成されている。配線導体11の一方の端部、すなわちボンディングワイヤ41は、枠体9で囲まれた領域に位置して半導体素子3と電気的に接続されている。また、配線導体11の他方の端部、すなわち配線部材39の他方の端部は、枠体9の外周面側に形成された凹部7の内面に引き出されている。   The package 1 of the present embodiment includes a wiring conductor 11 drawn out from the region surrounded by the frame body 9 to the inner surface of the recess 7. Specifically, the wiring conductor 11 in the package 1 of the present embodiment is configured by the wiring member 39 of the input / output terminal 33 and the bonding wire 41 that electrically connects the wiring member 39 and the semiconductor element 3 as described above. ing. One end of the wiring conductor 11, that is, the bonding wire 41 is located in a region surrounded by the frame body 9 and is electrically connected to the semiconductor element 3. Further, the other end of the wiring conductor 11, that is, the other end of the wiring member 39 is drawn out to the inner surface of the recess 7 formed on the outer peripheral surface side of the frame body 9.

枠体9の厚み方向における凹部7の幅を凹部7の深さとした場合、凹部7の深さとしては、枠体9の厚みに対して10〜50%であることが好ましい。上記の比率が10%以上である場合には、安定して凹部7内にロウ材13を溜めることができるからである。また、上記の比率が50以下である場合には、枠体9で囲まれた領域の気密性を良好なものにできる。   When the width of the concave portion 7 in the thickness direction of the frame body 9 is the depth of the concave portion 7, the depth of the concave portion 7 is preferably 10 to 50% with respect to the thickness of the frame body 9. This is because when the above ratio is 10% or more, the brazing material 13 can be stably stored in the recess 7. Moreover, when said ratio is 50 or less, the airtightness of the area | region enclosed by the frame 9 can be made favorable.

図6,7に示すように、枠体9の内周面に第1の絶縁部材35および第2の絶縁部材37が接するように入出力端子33が配設され、枠体9の外周面側に凹部7が形成されている場合には、単純に枠体9の外周面側に上記の深さの凹部7を形成すればよい。また、本実施形態のパッケージ1のように、枠体9が開口部を有して、この開口部に入出力端子33の一部が挿入固定されている場合には、枠体9の厚みに対して50〜90%となる幅で
入出力端子33を開口部に挿入すればよい。これにより、凹部7の深さを枠体9の厚みに対して10〜50%とすることができる。凹部7の深さとして、具体的には、0.2mm以上2mm以下に設定することができる。
As shown in FIGS. 6 and 7, the input / output terminal 33 is disposed so that the first insulating member 35 and the second insulating member 37 are in contact with the inner peripheral surface of the frame body 9, and the outer peripheral surface side of the frame body 9. If the recess 7 is formed on the outer peripheral surface of the frame body 9, the recess 7 having the above-described depth may be simply formed on the outer peripheral surface side of the frame body 9. Further, as in the package 1 of the present embodiment, when the frame body 9 has an opening, and a part of the input / output terminal 33 is inserted and fixed in the opening, the thickness of the frame body 9 is increased. The input / output terminal 33 may be inserted into the opening with a width of 50 to 90%. Thereby, the depth of the recessed part 7 can be 10 to 50% with respect to the thickness of the frame 9. Specifically, the depth of the recess 7 can be set to 0.2 mm or more and 2 mm or less.

また、枠体9の上下方向に平行な方向での凹部7の幅が、枠体9の上下方向の幅(高さ)に対して20%以上であることが好ましい。上記の比率が20%以上である場合には、リード端子15の第1の部位17が嵌め込まれるスペースを安定して確保できるので、リード端子15が剥離する可能性をさらに小さくできる。上記方向での凹部7の幅として、具体的には、0.4mm以上に設定することができる。   Moreover, it is preferable that the width | variety of the recessed part 7 in the direction parallel to the up-down direction of the frame 9 is 20% or more with respect to the width | variety (height) of the up-down direction of the frame 9. When the above ratio is 20% or more, a space in which the first portion 17 of the lead terminal 15 is fitted can be stably secured, so that the possibility of the lead terminal 15 peeling off can be further reduced. Specifically, the width of the recess 7 in the above direction can be set to 0.4 mm or more.

また、上記2方向に対して垂直な方向である、枠体9の外周面に平行かつ基板5の上面に平行な方向での凹部7の幅としては、凹部7の深さと同等であれば良く、具体的には、0.2mm以上2mm以下に設定すればよい。   Further, the width of the concave portion 7 in a direction perpendicular to the two directions and parallel to the outer peripheral surface of the frame body 9 and parallel to the upper surface of the substrate 5 may be equal to the depth of the concave portion 7. Specifically, it may be set to 0.2 mm or more and 2 mm or less.

本実施形態のパッケージ1は、ロウ材13を介して配線導体11に接合されたリード端子15を備えている。本実施形態におけるリード端子15は、直線状の構造ではなく、一方の端部側に位置する第1の部位17および他方の端部側に位置する第2の部位19を具備して第1の部位17および第2の部位19の間が折り曲げられた構造となっている。より詳細には、本実施形態のパッケージ1のリード端子15において、折り曲げられた部分よりも一方の端部側に位置する直線形状の部分を第1の部位17、折り曲げられた部分よりも他方の端部側に位置して枠体9の側方に引き出された直線形状の部分を第2の部位19としている。   The package 1 of the present embodiment includes a lead terminal 15 joined to the wiring conductor 11 via a brazing material 13. The lead terminal 15 in the present embodiment is not a linear structure, but includes a first part 17 located on one end side and a second part 19 located on the other end side. The region 17 and the second region 19 are bent. More specifically, in the lead terminal 15 of the package 1 of the present embodiment, the linear portion located on one end side of the bent portion is the first portion 17, the other portion than the bent portion. A linear portion located on the end side and drawn out to the side of the frame body 9 is defined as a second portion 19.

そして、リード端子15の第1の部位17がロウ材13によって覆われるとともにこのロウ材13を介して配線導体11に接合されるように凹部7に嵌め込まれている。また、リード端子15の第2の部位19が枠体9の側方に引き出されている。リード端子15が上記の構成を有していることから、上述の通り、枠体9の平坦な外側面に対してリード端子15における枠体9と対向する側面のみがロウ付けされている場合と比較して、リード端子15のロウ材13からの剥離を抑制できる。   The first portion 17 of the lead terminal 15 is covered with the brazing material 13 and is fitted into the recess 7 so as to be joined to the wiring conductor 11 through the brazing material 13. Further, the second portion 19 of the lead terminal 15 is pulled out to the side of the frame body 9. Since the lead terminal 15 has the above-described configuration, as described above, only the side surface of the lead terminal 15 facing the frame body 9 is brazed to the flat outer surface of the frame body 9. In comparison, peeling of the lead terminal 15 from the brazing material 13 can be suppressed.

リード端子15としては、長手方向に垂直な断面が円形、楕円形あるいは多角形である直線状の金属部材を用いることができる。このような金属部材を部分的に折り曲げることによって、第1の部位17および第2の部位19を具備してこれらの部位の間が折り曲げられた構造のリード端子15とすることができる。   As the lead terminal 15, a linear metal member whose cross section perpendicular to the longitudinal direction is circular, elliptical or polygonal can be used. By partially bending such a metal member, the lead terminal 15 having the first portion 17 and the second portion 19 and having a structure in which the portion is bent can be obtained.

リード端子15の第1の部位17は、その長手方向が枠体9の上下方向に平行となるように凹部7に嵌め込まれている。そのため、リード端子15の第1の部位17を安定してロウ材13によって覆うとともに凹部7に嵌め込むことができる。また、リード端子15の第1の部位17における長手方向の幅としては、第1の部位17を安定して凹部7に嵌め込むために、枠体9の上下方向に平行な方向での凹部7の幅よりも一回り小さいことが好ましく、具体的には、0.3mm以上8mm以下に設定することができる。   The first portion 17 of the lead terminal 15 is fitted into the recess 7 so that the longitudinal direction thereof is parallel to the vertical direction of the frame body 9. Therefore, the first portion 17 of the lead terminal 15 can be stably covered with the brazing material 13 and fitted into the recess 7. Further, the width in the longitudinal direction of the first portion 17 of the lead terminal 15 is such that the concave portion 7 in a direction parallel to the vertical direction of the frame body 9 in order to stably fit the first portion 17 into the concave portion 7. It is preferable that the width is slightly smaller than the width, specifically, 0.3 mm to 8 mm.

第1の部位17は、その一部が枠体9の外周面よりも側方に位置する、言い換えればその一部が凹部7からはみ出るように部分的に凹部7に嵌め込まれていてもよいが、図に示すように、第1の部位17の全体が凹部7内に嵌め込まれていることが好ましい。これにより、過度に多量のロウ材13を用いることなく、第1の部位17を安定してロウ材13によって覆うとともにロウ材13と凹部7の内面との接合面積を増やすことができる。そのため、リード端子15の枠体9からの剥離をさらに抑制できる。   The first portion 17 may be partially fitted in the recess 7 so that a part thereof is located on the side of the outer peripheral surface of the frame body 9, in other words, a part thereof protrudes from the recess 7. As shown in the figure, the entire first portion 17 is preferably fitted in the recess 7. Accordingly, the first portion 17 can be stably covered with the brazing material 13 and the bonding area between the brazing material 13 and the inner surface of the recess 7 can be increased without using an excessive amount of brazing material 13. Therefore, peeling of the lead terminal 15 from the frame body 9 can be further suppressed.

図1〜4に示すパッケージ1においては、枠体9の外周面に平行かつ基板5の上面に平
行な方向での凹部7の幅が一定である。言い換えれば、凹部7の底部側における枠体9の外周面に平行かつ基板5の上面に平行な方向での幅と、開口部側における枠体9の外周面に平行かつ基板5の上面に平行な方向での幅が同じである。凹部7の形状としては、このような形状であっても良いが、図8,9に示すような形状であることが好ましい。
In the package 1 shown in FIGS. 1-4, the width | variety of the recessed part 7 in the direction parallel to the outer peripheral surface of the frame 9 and parallel to the upper surface of the board | substrate 5 is constant. In other words, the width in the direction parallel to the outer peripheral surface of the frame body 9 on the bottom side of the recess 7 and parallel to the upper surface of the substrate 5, and parallel to the outer peripheral surface of the frame body 9 on the opening side and parallel to the upper surface of the substrate 5. The width in the same direction is the same. The shape of the recess 7 may be such a shape, but is preferably a shape as shown in FIGS.

すなわち、枠体9の外周面側に形成された凹部7が、基板5の上面に平行な断面において、底部側から開口部側に向かうに従って幅が小さくなるテーパ形状の部分を有していることが好ましい。凹部7がこのようなテーパ形状の部分を有していることによって、リード端子15の第1の部位17を覆い凹部7内に充填されたロウ材13が、凹部7に物理的に固定されることになる。ロウ材13が凹部7に物理的に固定され、上記の通り、リード端子15がロウ材13に物理的に固定されることから、リード端子15の凹部7からの剥離を抑制できる。そのため、リード端子15と半導体素子3との安定した電気的な接続を図ることができる。   That is, the concave portion 7 formed on the outer peripheral surface side of the frame body 9 has a tapered portion whose width decreases in the cross section parallel to the upper surface of the substrate 5 from the bottom side toward the opening side. Is preferred. Since the concave portion 7 has such a tapered portion, the brazing material 13 covering the first portion 17 of the lead terminal 15 and filled in the concave portion 7 is physically fixed to the concave portion 7. It will be. Since the brazing material 13 is physically fixed to the concave portion 7 and the lead terminal 15 is physically fixed to the brazing material 13 as described above, peeling of the lead terminal 15 from the concave portion 7 can be suppressed. Therefore, stable electrical connection between the lead terminal 15 and the semiconductor element 3 can be achieved.

図8,9に示す凹部7は、内側面の全体がテーパ形状となっているが、これに限られるものではない。内側面の全体がテーパ形状となっている場合には、ロウ材13を凹部7に強固に固定することができるが、例えば、図10,11に示すように、凹部7の内側面が部分的にテーパ形状となっている場合であっても、リード端子15がロウ材13に物理的に固定されることから、リード端子15の凹部7からの剥離を抑制できる。さらに、ロウ材13は、凹部7から枠体9の外周面側に漏れ出し難くなり、隣接されたリード端子15および配線導体11との電気的な短絡を抑制することができる。   8 and 9, the entire inner surface is tapered, but the present invention is not limited to this. When the entire inner surface has a tapered shape, the brazing material 13 can be firmly fixed to the recess 7. For example, as shown in FIGS. 10 and 11, the inner surface of the recess 7 is partially Even when the lead terminal 15 has a taper shape, the lead terminal 15 is physically fixed to the brazing material 13, and therefore, the peeling of the lead terminal 15 from the recess 7 can be suppressed. Further, the brazing material 13 is difficult to leak from the recess 7 to the outer peripheral surface side of the frame body 9, and an electrical short circuit between the adjacent lead terminal 15 and the wiring conductor 11 can be suppressed.

また、図8,9に示すように、枠体9の外周面側に形成された凹部7が、基板5の上面に平行な断面において、底部側から開口部側に向かうに従って幅が小さくなるテーパ形状の部分を有していることも好ましいが、反対に、図12,13に示すように、凹部7が、基板5の上面に平行な断面において、開口部側から底部側に向かうに従って幅が小さくなるテーパ形状の部分を有していてもよい。   As shown in FIGS. 8 and 9, the concave portion 7 formed on the outer peripheral surface side of the frame body 9 has a taper whose width decreases in the cross section parallel to the top surface of the substrate 5 from the bottom side toward the opening side. It is also preferable to have a shape portion, but conversely, as shown in FIGS. 12 and 13, in the cross section parallel to the top surface of the substrate 5, the width of the recess 7 increases from the opening side toward the bottom side. You may have the taper-shaped part which becomes small.

ロウ材13を介してリード端子15と配線導体11とが接合された部分は、ロウ材13を介してリード端子15を配線導体11に接合する際に、ロウ材13を溶融させる程度の熱が加えられるとともに、半導体素子3への通電時において比較的発熱し易い。そのため、ロウ材13が大きく熱膨張する可能性があるとともに、リード端子15と配線導体11または第1の絶縁部材35との熱膨張差に起因した応力が、ロウ材13や凹部7の底部と内周面との角部に生じる。しかしながら、凹部7が、図12,13に示すように開口部側から底部側に向かうに従って幅が小さくなるテーパ形状の部分を有している場合には、ロウ材13が枠体9の側方に向かって熱膨張し易くなるとともに、ロウ材13を介して応力が分散される。   The portion where the lead terminal 15 and the wiring conductor 11 are joined via the brazing material 13 has a heat that melts the brazing material 13 when the lead terminal 15 is joined to the wiring conductor 11 via the brazing material 13. In addition to being added, heat is relatively easily generated when the semiconductor element 3 is energized. Therefore, there is a possibility that the brazing material 13 is largely thermally expanded, and stress due to a difference in thermal expansion between the lead terminal 15 and the wiring conductor 11 or the first insulating member 35 is caused by the solder material 13 and the bottom of the recess 7. It occurs at the corner with the inner peripheral surface. However, when the concave portion 7 has a tapered portion whose width decreases from the opening side toward the bottom side as shown in FIGS. 12 and 13, the brazing material 13 is located on the side of the frame body 9. And the stress is dispersed through the brazing material 13.

そのため、ロウ材13の熱膨張に伴って生じる熱応力や、リード端子15と配線導体11または第1の絶縁部材35との熱膨張差に起因して生じる熱応力、凹部7の底部と内周面との角部に生じる熱応力を凹部7の底部から開口部側に沿って枠体9の側方に逃がすことができる。結果、耐久性の良好なパッケージ1とすることができる。すなわち、耐久性の良好なパッケージ1とする場合、凹部7が開口部側から底部側に向かうに従って幅が小さくなるテーパ形状の部分を有していることが好ましい。   Therefore, the thermal stress caused by the thermal expansion of the brazing material 13, the thermal stress caused by the thermal expansion difference between the lead terminal 15 and the wiring conductor 11 or the first insulating member 35, the bottom and inner circumference of the recess 7 The thermal stress generated at the corner with the surface can be released from the bottom of the recess 7 to the side of the frame body 9 along the opening. As a result, the package 1 with good durability can be obtained. That is, when making the package 1 with good durability, it is preferable that the concave portion 7 has a tapered portion whose width decreases as it goes from the opening side to the bottom side.

本実施形態のパッケージ1においては、図1〜4に示すように、凹部7が枠体9の外周面および下面に開口している。また、基板5が、凹部7と上下に重なり合うように上下方向に切り欠かれた切欠き部を有している。図14に示すように、基板5が切欠き部を有しておらず、凹部7が基板5および枠体9からなる筐体の外周面側のみに開口していても良いが、本実施形態のパッケージ1のように、凹部7および切欠き部が形成されている場合
には、ロウ材13の熱膨張に伴って生じる熱応力による影響を小さくできる。これは、ロウ材13の熱膨張に伴って生じる熱応力を枠体9の側方だけでなく基板5の下方にも逃がすことができるからである。
In the package 1 of the present embodiment, as shown in FIGS. 1 to 4, the recess 7 is opened on the outer peripheral surface and the lower surface of the frame body 9. Further, the substrate 5 has a cutout portion that is cut out in the vertical direction so as to overlap the concave portion 7 in the vertical direction. As shown in FIG. 14, the substrate 5 does not have a notch, and the recess 7 may be opened only on the outer peripheral surface side of the housing formed of the substrate 5 and the frame body 9. In the case where the recess 7 and the notch are formed as in the package 1, the influence of thermal stress caused by the thermal expansion of the brazing material 13 can be reduced. This is because the thermal stress caused by the thermal expansion of the brazing material 13 can be released not only to the side of the frame body 9 but also to the lower side of the substrate 5.

また、凹部7およびリード端子15を複数備えている場合には、それぞれの凹部7に充填されたロウ材13を基板5の下方にも分散させることができる。そのため、それぞれの凹部7からはみ出したロウ材13同士が接触して電気的な短絡が生じる可能性を低減できる。   Further, when a plurality of recesses 7 and lead terminals 15 are provided, the brazing material 13 filled in each recess 7 can be dispersed below the substrate 5. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the brazing members 13 protruding from the respective recesses 7 come into contact with each other to cause an electrical short circuit.

なお、パッケージ1が実装される実装基板として金属製の部材を用いる場合には、基板5の下方にはみ出したロウ材13が実装基板を介して電気的に短絡する可能性を小さくするため、図14に示すように、基板5が切欠き部を有しておらず、凹部7が基板5および枠体9からなる筐体の外周面側のみに開口していることが好ましい。また、図14においては、基板5が切欠き部を有しておらず、凹部7が基板5および枠体9からなる筐体の外周面側のみに開口しているが、例えば、凹部7が枠体9の外周面側のみに開口している構成であっても同様の効果が得られる。   In the case where a metal member is used as the mounting substrate on which the package 1 is mounted, in order to reduce the possibility that the brazing material 13 protruding below the substrate 5 is electrically short-circuited through the mounting substrate. As shown in FIG. 14, it is preferable that the substrate 5 does not have a notch, and the recess 7 is opened only on the outer peripheral surface side of the housing formed of the substrate 5 and the frame body 9. Further, in FIG. 14, the substrate 5 does not have a notch, and the recess 7 is opened only on the outer peripheral surface side of the housing formed of the substrate 5 and the frame body 9. The same effect can be obtained even if the structure is opened only on the outer peripheral surface side of the frame body 9.

本実施形態のパッケージ1においては、凹部7の内面にメタライズ層(不図示)が配設されている。これにより、凹部7の内面とロウ材13の濡れ性が向上するので、枠体9とロウ材13の接合性を良好なものとすることができる。   In the package 1 of the present embodiment, a metallized layer (not shown) is disposed on the inner surface of the recess 7. Thereby, the wettability between the inner surface of the recess 7 and the brazing material 13 is improved, so that the bonding property between the frame body 9 and the brazing material 13 can be improved.

さらに、本実施形態のパッケージ1においては、凹部7およびリード端子15をそれぞれ複数備え、複数の凹部7の内面にそれぞれメタライズ層が配設されるとともに、枠体9の外周面における互いに隣り合う凹部7の間に位置する部分がメタライズ層から露出している。このように、メタライズ層が配設されていることによって、隣り合う凹部7に充填されたロウ材13同士が、接触して電気的な短絡が生じる可能性を低減できる。   Furthermore, the package 1 of the present embodiment includes a plurality of recesses 7 and lead terminals 15, and metallized layers are disposed on the inner surfaces of the plurality of recesses 7, and the recesses adjacent to each other on the outer peripheral surface of the frame body 9. 7 is exposed from the metallized layer. Thus, by providing the metallized layer, it is possible to reduce the possibility that the brazing materials 13 filled in the adjacent recesses 7 come into contact with each other to cause an electrical short circuit.

また、メタライズ層は、複数の凹部7の内面にそれぞれ配設されるとともに、枠体9の外周面で凹部7の開口部周囲に配設され、互いに隣り合う凹部7の間に位置する部分がメタライズ層から露出されてもよい。このように、メタライズ層が配設されていることにより、凹部7の開口部と枠体9の外周面との角部がロウ材13で被覆されることとなり、角部に集中する応力によって生じる、ロウ材13のメタライズ層からの剥がれや接合部におけるクラックを低減できるとともに、隣り合う凹部7に充填されたロウ材13同士が、接触して電気的な短絡が生じる可能性を低減できる。   Further, the metallized layer is disposed on the inner surfaces of the plurality of recesses 7, and is disposed around the opening of the recess 7 on the outer peripheral surface of the frame body 9, and a portion located between the recesses 7 adjacent to each other. It may be exposed from the metallization layer. Thus, by providing the metallized layer, the corners of the openings of the recesses 7 and the outer peripheral surface of the frame body 9 are covered with the brazing material 13, which is caused by stress concentrated on the corners. In addition to reducing peeling of the brazing material 13 from the metallized layer and cracks at the joint, it is possible to reduce the possibility that the brazing materials 13 filled in the adjacent recesses 7 come into contact with each other to cause an electrical short circuit.

また、枠体9は、その内周面および外周面に開口する貫通孔を有している。貫通孔は、例えばドリル孔あけ加工によって枠体9に形成することができる。貫通孔には筒状の固定部材43が固定される。具体的には、貫通孔に固定部材43の一方の端部を挿入するとともに貫通孔の表面に固定部材43を接合することによって、筒状の固定部材43を貫通孔に固定している。筒状の固定部材43は、光ファイバを固定して位置決めを図るための部材である。また、固定部材43が筒状であることによって、この筒形状の中空部分で電子部品と光ファイバとの間での光の伝達を行うことができる。   Moreover, the frame body 9 has a through-hole opened in the inner peripheral surface and outer peripheral surface. The through hole can be formed in the frame body 9 by, for example, drilling. A cylindrical fixing member 43 is fixed in the through hole. Specifically, the tubular fixing member 43 is fixed to the through hole by inserting one end of the fixing member 43 into the through hole and joining the fixing member 43 to the surface of the through hole. The cylindrical fixing member 43 is a member for fixing and positioning the optical fiber. In addition, since the fixing member 43 is cylindrical, light can be transmitted between the electronic component and the optical fiber through the cylindrical hollow portion.

固定部材43としては、少なくとも光ファイバを固定できる程度の強度を有していることが好ましい。具体的には、ステンレス、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。このような金属部材のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって筒状の固定部材43を作製することができる。   It is preferable that the fixing member 43 has a strength that can fix at least the optical fiber. Specifically, metal members such as stainless steel, iron, copper, nickel, chromium, cobalt, and tungsten, or alloys made of these metals can be used. The cylindrical fixing member 43 can be produced by subjecting such a metal member ingot to a metal processing method such as a rolling method or a punching method.

特に、枠体9と固定部材43とが、同じ金属部材を用いて形成されていることが好まし
い。枠体9及び固定部材43の熱膨張差を小さくすることができるので、枠体9と固定部材43との間に生じる応力を小さくすることができるからである。
In particular, it is preferable that the frame body 9 and the fixing member 43 are formed using the same metal member. This is because the difference in thermal expansion between the frame body 9 and the fixing member 43 can be reduced, so that the stress generated between the frame body 9 and the fixing member 43 can be reduced.

固定部材43は枠体9に接合部材を用いて接合することによって枠体9に固定することができる。接合部材としては、例えば、金−錫ロウ、銀ロウを用いることができる。また、固定部材43を枠体9に溶接することによって、枠体9に固定部材43を固定してもよい。   The fixing member 43 can be fixed to the frame body 9 by bonding to the frame body 9 using a bonding member. As the joining member, for example, gold-tin solder or silver solder can be used. Further, the fixing member 43 may be fixed to the frame body 9 by welding the fixing member 43 to the frame body 9.

固定部材43の筒内部には、固定部材43の穴を塞ぐように透光性部材を配設してもよい。透光性部材は固定部材43の内側を塞ぎ、素子収納用パッケージ1の気密性を保持するとともに固定部材43の内部空間を伝達する半導体素子3の励起した光をそのまま固定部材43に取着接続される光ファイバに伝達させる作用をなす。透光性部材としては、例えば、酸化珪素、酸化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分としたホウケイ酸系の非晶質ガラスを用いることができる。   A translucent member may be disposed inside the tube of the fixing member 43 so as to close the hole of the fixing member 43. The translucent member closes the inside of the fixing member 43, maintains the airtightness of the element housing package 1, and attaches and connects the excited light of the semiconductor element 3 that transmits the internal space of the fixing member 43 to the fixing member 43 as it is. It acts to transmit to the optical fiber. As the translucent member, for example, lead-based amorphous silicon and borosilicate-based glass mainly composed of lead oxide and boric acid and silica sand can be used.

本実施形態の半導体装置101の使用時においては、固定部材43の他方の端部にフェルールが固定される。フェルールは、固定部材43の筒の内部に対して一方の端部が開口する貫通孔を有している。そして、この貫通孔に光ファイバが挿入固定される。このようにフェルールが固定部材43に挿入固定されていることによって、光ファイバと半導体素子3との光学結合を行うことができる。   When using the semiconductor device 101 of this embodiment, the ferrule is fixed to the other end of the fixing member 43. The ferrule has a through hole whose one end opens to the inside of the cylinder of the fixing member 43. Then, an optical fiber is inserted and fixed in this through hole. As described above, the ferrule is inserted and fixed to the fixing member 43, whereby the optical fiber and the semiconductor element 3 can be optically coupled.

本実施形態の半導体装置101は、上記の実施形態に代表される素子収納用パッケージ1と、素子収納用パッケージ1の載置領域内に載置された半導体素子3と、枠体9と接合された、半導体素子3を封止する蓋体45とを備えている。   The semiconductor device 101 of the present embodiment is joined to the element housing package 1 typified by the above embodiment, the semiconductor element 3 placed in the placement area of the element housing package 1, and the frame body 9. In addition, a lid 45 for sealing the semiconductor element 3 is provided.

本実施形態の半導体装置101においては、基板5の載置領域に半導体素子3が載置されている。また、半導体素子3および線路導体、並びに線路導体および内部端子は、それぞれ導線により接続されている。この半導体素子3に入出力端子33などを介して外部信号を入力することにより、半導体素子3から所望の出力を得ることができる。半導体素子3としては、例えば、LD素子に代表される、光ファイバに対して光を出射する発光素子、PD素子に代表される、光ファイバに対して光を受光する受光素子が挙げられる。   In the semiconductor device 101 of this embodiment, the semiconductor element 3 is placed on the placement region of the substrate 5. In addition, the semiconductor element 3 and the line conductor, and the line conductor and the internal terminal are connected by a conducting wire, respectively. A desired output can be obtained from the semiconductor element 3 by inputting an external signal to the semiconductor element 3 via the input / output terminal 33 or the like. Examples of the semiconductor element 3 include a light emitting element that emits light to an optical fiber, typified by an LD element, and a light receiving element that receives light to an optical fiber, typified by a PD element.

蓋体45は、枠体9と接合され、半導体素子3を封止するように設けられている。蓋体45は、枠体9の上面に接合されている。そして、基体、枠体9および蓋体45で囲まれた空間において半導体素子3を封止している。このように半導体素子3を封止することによって、長期間のパッケージ1の使用による半導体素子3の劣化を抑制することができる。蓋体45としては、例えば、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト及びタングステンのような金属部材、或いはこれらの金属からなる合金を用いることができる。また、枠体9と蓋体45は、例えばシーム溶接法によって接合することができる。また、枠体9と蓋体45は、例えば、金−錫ロウを用いて接合してもよい。   The lid body 45 is bonded to the frame body 9 and is provided so as to seal the semiconductor element 3. The lid body 45 is joined to the upper surface of the frame body 9. The semiconductor element 3 is sealed in a space surrounded by the base body, the frame body 9 and the lid body 45. By sealing the semiconductor element 3 in this way, it is possible to suppress the deterioration of the semiconductor element 3 due to the long-term use of the package 1. As the lid body 45, for example, a metal member such as iron, copper, nickel, chromium, cobalt, and tungsten, or an alloy made of these metals can be used. Further, the frame body 9 and the lid body 45 can be joined by, for example, a seam welding method. Moreover, you may join the frame 9 and the cover body 45, for example using gold- tin solder.

以上、本発明の一実施形態の素子収納用パッケージ1およびこれを備えた半導体装置101について説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更や実施の形態の組み合わせを施すことは何等差し支えない。   The element storage package 1 and the semiconductor device 101 including the element storage package 1 according to an embodiment of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiment. In other words, various modifications and combinations of embodiments may be made without departing from the scope of the present invention.

1・・・素子収納用パッケージ(パッケージ)
3・・・半導体素子
5・・・基板
7・・・凹部
9・・・枠体
11・・・配線導体
13・・・ロウ材
15・・・リード端子
17・・・第1の部位
19・・・第2の部位
21・・・ネジ止め孔
23・・・第1の基板
25・・・第2の基板
27・・・載置基板
29・・・第1の枠体
31・・・第2の枠体
33・・・入出力端子
35・・・第1の絶縁部材
37・・・第2の絶縁部材
39・・・配線部材
41・・・ボンディングワイヤ
43・・・固定部材
45・・・蓋体
101・・・半導体装置
1 ... Package for element storage (package)
3 ... Semiconductor element 5 ... Substrate 7 ... Recess 9 ... Frame 11 ... Wiring conductor 13 ... Brazing material 15 ... Lead terminal 17 ... First part 19 .... Second part 21 ... Screwing hole 23 ... First substrate 25 ... Second substrate 27 ... Mounting substrate 29 ... First frame 31 ... First 2 frame 33 ... input / output terminal 35 ... first insulating member 37 ... second insulating member 39 ... wiring member 41 ... bonding wire 43 ... fixing member 45 ... .Cover body 101 ... Semiconductor device

Claims (5)

半導体素子が載置される載置領域を上面に有する基板と、
前記載置領域を囲むように前記基板の上面に配設された、外周面側に凹部を有する枠体と、
該枠体で囲まれた領域から前記凹部の内面に引き出された、前記半導体素子と電気的に接続される配線導体と、
一方の端部側に位置する第1の部位および他方の端部側に位置する第2の部位を具備して前記第1の部位および前記第2の部位の間が折り曲げられた、前記第1の部位がロウ材によって覆われるとともに該ロウ材を介して前記配線導体に接合されるように前記凹部に嵌め込まれ、前記第2の部位が前記枠体の側方に引き出されたリード端子とを備えた半導体素子収納用パッケージ。
A substrate having a mounting region on a top surface on which a semiconductor element is mounted;
A frame having a recess on the outer peripheral surface side disposed on the upper surface of the substrate so as to surround the placement area;
A wiring conductor that is drawn from the region surrounded by the frame body to the inner surface of the recess and is electrically connected to the semiconductor element;
A first portion located on one end side and a second portion located on the other end side, wherein the first portion and the second portion are bent between the first portion and the first portion; A lead terminal which is covered with the brazing material and is fitted into the recess so as to be joined to the wiring conductor via the brazing material, and the second portion is pulled out to the side of the frame body. A package for storing semiconductor elements.
前記凹部が、前記基板の上面に平行な断面において、底部側から開口部側に向かうに従って幅が小さくなるテーパ形状の部分を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子収納用パッケージ。   2. The semiconductor element housing according to claim 1, wherein the concave portion has a tapered portion whose width decreases from the bottom side toward the opening side in a cross section parallel to the top surface of the substrate. For package. 前記凹部が前記枠体の外周面および下面に開口し、
前記基板が、前記凹部と上下に重なり合うように上下方向に切り欠かれた切欠き部を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子収納用パッケージ。
The recesses open to the outer peripheral surface and the lower surface of the frame,
2. The package for housing a semiconductor element according to claim 1, wherein the substrate has a cutout portion cut out in a vertical direction so as to overlap the concave portion in the vertical direction.
前記凹部および前記リード端子をそれぞれ複数備え、
複数の前記凹部の内面にそれぞれメタライズ層が配設されるとともに、前記枠体の外周面における互いに隣り合う前記凹部の間に位置する部分が前記メタライズ層から露出していることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子収納用パッケージ。
A plurality of the recesses and the lead terminals, respectively,
The metallized layer is disposed on each of the inner surfaces of the plurality of recesses, and a portion of the outer peripheral surface of the frame located between the adjacent recesses is exposed from the metallization layer. Item 14. A package for housing a semiconductor element according to Item 1.
請求項1に記載の半導体素子収納用パッケージと、
該半導体素子収納用パッケージの前記載置領域に載置された半導体素子と、
前記枠体の上面に接合された、前記半導体素子を封止する蓋体とを備えた半導体装置。
A package for housing semiconductor elements according to claim 1;
A semiconductor element placed in the placement area of the semiconductor element storage package;
A semiconductor device comprising: a lid that is bonded to the upper surface of the frame and seals the semiconductor element.
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