JP2013069764A - 半導体基板の洗浄方法及び装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013069764A JP2013069764A JP2011206009A JP2011206009A JP2013069764A JP 2013069764 A JP2013069764 A JP 2013069764A JP 2011206009 A JP2011206009 A JP 2011206009A JP 2011206009 A JP2011206009 A JP 2011206009A JP 2013069764 A JP2013069764 A JP 2013069764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- water vapor
- cleaning
- substrate
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の洗浄方法は、表面に凹凸パターンが形成された半導体基板を所定温度に加熱しながら前記半導体基板の表面に水蒸気を供給する工程と、前記加熱及び水蒸気の供給の停止に伴い前記半導体基板を冷却し、前記半導体基板上の水分を凍結させる工程と、前記水分の凍結後に、前記半導体基板上に純水を供給し、凍結膜を融解させる工程と、前記凍結膜の融解後に、前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。
【選択図】図9
Description
200 蒸気供給部
300 冷却部
400 温水供給部
Claims (7)
- 表面に凹凸パターンが形成された半導体基板を所定温度に加熱しながら前記半導体基板の表面に水蒸気を供給する工程と、
前記加熱及び水蒸気の供給の停止に伴い前記半導体基板を−40℃以下に冷却し、前記半導体基板上の水分を凍結させる工程と、
前記水分の凍結後に、前記半導体基板上に純水を供給し、凍結膜を融解させる工程と、
前記凍結膜の融解後に、前記半導体基板を乾燥させる工程と、
を備え、
前記水蒸気はイソプロピルアルコールを含み、前記イソプロピルアルコール濃度は5〜30wt%であることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 表面に凹凸パターンが形成された半導体基板を所定温度に加熱しながら前記半導体基板の表面に水蒸気を供給する工程と、
前記加熱及び水蒸気の供給の停止に伴い前記半導体基板を冷却し、前記半導体基板上の水分を凍結させる工程と、
前記水分の凍結後に、前記半導体基板上に純水を供給し、凍結膜を融解させる工程と、
前記凍結膜の融解後に、前記半導体基板を乾燥させる工程と、
を備える半導体基板の洗浄方法。 - 前記水蒸気はイソプロピルアルコールを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の洗浄方法。
- 前記イソプロピルアルコール濃度は5〜30wt%であることを特徴とする請求項3に記載の半導体基板の洗浄方法。
- 前記半導体基板を−40℃以下に冷却して前記半導体基板上の水分を凍結させることを特徴とする請求項2乃至4のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法。
- 表面に凹凸パターンが形成された半導体基板を保持し、前記半導体基板を回転させる基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記半導体基板に水蒸気を供給する第1供給部と、
前記第1供給部が前記半導体基板に水蒸気を供給している際に、前記半導体基板を所定温度に加熱する加熱部と、
前記基板保持部に保持された前記半導体基板の表面に付着した水分を凍結させる冷却部と、
前記基板保持回転部に保持された前記半導体基板の表面に純水を供給し、前記半導体基板上の凍結膜を融解させる第2供給部と、
を備える半導体基板の洗浄装置。 - 前記水蒸気はイソプロピルアルコールを含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体基板の洗浄装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011206009A JP5639556B2 (ja) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | 半導体基板の洗浄方法及び装置 |
US13/423,583 US8961696B2 (en) | 2011-09-21 | 2012-03-19 | Method and device for cleaning semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011206009A JP5639556B2 (ja) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | 半導体基板の洗浄方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013069764A true JP2013069764A (ja) | 2013-04-18 |
JP5639556B2 JP5639556B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=47879464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011206009A Active JP5639556B2 (ja) | 2011-09-21 | 2011-09-21 | 半導体基板の洗浄方法及び装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8961696B2 (ja) |
JP (1) | JP5639556B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI612574B (zh) * | 2013-09-02 | 2018-01-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
KR20180018330A (ko) | 2016-08-09 | 2018-02-21 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5715831B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-05-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN103286091B (zh) * | 2013-06-09 | 2017-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板的清洗方法 |
US9536757B2 (en) * | 2013-09-06 | 2017-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Device manufacturing cleaning process using vaporized solvent |
CN106960810A (zh) * | 2016-01-11 | 2017-07-18 | 锡宬国际有限公司 | 晶圆承载装置 |
JP6914138B2 (ja) * | 2017-07-26 | 2021-08-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US11784040B2 (en) | 2020-02-25 | 2023-10-10 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate treatment device |
JP7130722B2 (ja) * | 2020-02-25 | 2022-09-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4777804A (en) | 1987-08-26 | 1988-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for easing surface particle removal by size increase |
JPH03145130A (ja) | 1989-10-17 | 1991-06-20 | Applied Materials Inc | 物体表面から汚染粒子を除去する装置及び方法 |
JP2005019787A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Sony Corp | ウエハの洗浄方法 |
JP4767204B2 (ja) | 2007-03-26 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2011
- 2011-09-21 JP JP2011206009A patent/JP5639556B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-19 US US13/423,583 patent/US8961696B2/en active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI612574B (zh) * | 2013-09-02 | 2018-01-21 | 斯克林集團公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
KR20180018330A (ko) | 2016-08-09 | 2018-02-21 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판 처리 장치, 및 기판 처리 방법 |
US10734217B2 (en) | 2016-08-09 | 2020-08-04 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate treatment device and substrate treatment method |
US11355337B2 (en) | 2016-08-09 | 2022-06-07 | Shibaura Mechatronics Corporation | Substrate treatment device and substrate treatment method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130068257A1 (en) | 2013-03-21 |
US8961696B2 (en) | 2015-02-24 |
JP5639556B2 (ja) | 2014-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5639556B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法及び装置 | |
JP6259299B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP5647845B2 (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 | |
TWI698906B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
KR101465523B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP3300624B2 (ja) | 基板端面の洗浄方法 | |
JP5297959B2 (ja) | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 | |
KR20170017810A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2013542607A (ja) | 半導体ウエハを乾燥させるための方法および装置 | |
JP7018792B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP6703858B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5315189B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN107706131A (zh) | 液处理方法、基板处理装置以及存储介质 | |
JP6460947B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
JP7010629B2 (ja) | 基板乾燥方法および基板処理装置 | |
JP6946474B2 (ja) | 基板乾燥装置、基板乾燥方法および記憶媒体 | |
JP7030633B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2022170681A (ja) | 基板処理方法および処理液 | |
JP5753391B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP5816544B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI829142B (zh) | 基板處理方法及處理液 | |
JP2005347716A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
WO2023077728A1 (zh) | 一种衬底的清洁方法以及用于清洁衬底的系统 | |
JP2014187253A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2020136313A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130830 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141024 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5639556 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |