CN106960810A - 晶圆承载装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶圆承载装置，用于承载一晶圆，该晶圆承载装置包括一基座以及一承载盘。该承载盘固定于该基座上并包括一底盘、一出气盘、以及若干个限位单元。该底盘包括若干个连接部，各连接部包括若干个气孔。该出气盘设置于该底盘上且包括若干个多孔性薄膜。这些限位单元固定在该底盘之周围。本发明能解决现有技术中晶圆在清洗或蚀刻制程中容易破裂以及晶圆不需要清洗或蚀刻的表面受到破坏的问题。

Description

晶圆承载装置
技术领域
本发明涉及晶圆领域，特别是涉及一种晶圆承载装置。
背景技术
随着科技的进步，对于晶圆厚度的要求越来越薄，因此需要背面研磨的制程。
请参阅图1，图1显示现有技术中背面研磨及背面研磨之后的制程。
于步骤S100中，对一晶圆进行针测(wafer probe)。于步骤S102中，对该晶圆进行植球。于步骤S104中，对该晶圆进行背面研磨。于步骤S106中，以紫外光照射20～30秒，移除晶圆上之锡球面的保护胶带。于步骤S108中，对该晶圆进行固化。于步骤S110中，对该晶圆进行研磨面(即背面)上的微粒(particle)残胶清洗或蚀刻。于步骤S112中，对该晶圆背面之薄膜进行雷射标识(laser marking)。于步骤S114中，再次进行晶圆针测(wafer probe)。于步骤S116中，对该晶圆进行清洗或蚀刻。于步骤S118中，贴上芯片背面保护胶带(LC tape)并上框架(thinframe)。于步骤S120中，切割该晶圆以获得晶粒。于步骤S122中，以紫外光照射20～30秒，移除芯片背面保护胶带。于步骤S124中，传送到测试分类(pick and place)站。于步骤S126中，检验各晶粒。于步骤S128中，选取并放置晶粒。于步骤S130中，将选取的晶粒传送至吸取晶粒站(reel)。
在上述步骤S110及S116中，需要对晶圆进行清洗，然而由于晶圆厚度越来越薄，因此在清洗过程中容易造成晶圆破裂的情况发生。此外，现有技术中，采用吸盘吸住晶圆或用顶针承载晶圆，在清洗过程中也容易造成晶圆破裂的情况发生。
此外，在对晶圆进行研磨面上的微粒及残胶清洗或蚀刻制程中，所喷洒的液体或清水容易流至不需要清洗或蚀刻的表面，造成不需要清洗或蚀刻的表面受到侵蚀甚至破坏线路。
因此需要针对现有技术中晶圆容易破裂以及不需要清洗或蚀刻的表面受到破坏的问题提出解决方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶圆承载装置，其能解决现有技术中晶圆容易破裂以及不需要清洗或蚀刻的表面受到破坏的问题。
本发明提供一种晶圆承载装置，用于承载一晶圆，该晶圆承载装置包括一基座以及一承载盘。该承载盘固定于该基座上并包括一底盘、一出气盘、以及若干个限位单元。该底盘包括若干个连接部，各连接部包括若干个气孔。该出气盘设置于该底盘上且包括若干个多孔性薄膜。这些限位单元固定在该底盘之周围。
依据本发明的实施例，该基座具有一进气部，该进气部用于提供使该晶圆漂浮至一特定位置之气压。
依据本发明的实施例，该晶圆漂浮至该特定位置时，这些限位单元夹持住该晶圆并带动该晶圆旋转。
依据本发明的实施例，该特定位置为该出气盘上方0.5毫米至10毫米之间。
依据本发明的实施例，这些多孔性薄膜的位置对应至这些气孔的位置。
依据本发明的实施例，这些多孔性薄膜的孔径为0.1至0.5微米，这些多孔性薄膜的厚度为1至5毫米。
依据本发明的实施例，这些连接部被设置成同心圆的形状，且相同圈之连接部被分离成若干个部分。
依据本发明的实施例，这些多孔性薄膜被设置成同心圆的形状，且相同圈之多孔性薄膜被分离成若干个部分。
依据本发明的实施例，该出气盘进一步包括若干个锁固件，这些锁固件用于锁固在该底盘上。
依据本发明的实施例，各限位单元包括一固定部以及一可移动部。该固定部呈倒L形状并用于固定在该出气盘上。该可移动部嵌入于该固定部之一垂直边中。
依据本发明的实施例，该可移动部包括一扣件部，该可移动部可朝向该固定部之一水平边的方向倾斜，并带动该扣件部朝向该固定部之该水平边的方向倾斜。
相较于现有技术，本发明之晶圆承载装置采用之多孔性薄膜能提供均匀的气压给晶圆，使得晶圆不会有破裂的情况发生。再者，本发明之晶圆承载装置采用限位单元带动晶圆旋转，在清洗或蚀刻时所喷洒的化学药剂、氮气、或清水不会流至该晶圆不需要清洗或蚀刻的表面，因此不会破坏不需要清洗或蚀刻的表面上的线路。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1显示现有技术中背面研磨及背面研磨之后的制程。
图2显示根据本发明一实施例之晶圆承载装置之立体图。
图3显示图2之承载盘之分解图。
图4显示根据本发明一实施例之限位单元之立体图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。
请参阅图2至图3，图2显示根据本发明一实施例之晶圆承载装置2之立体图。图3显示图2之承载盘22之分解图。
该晶圆承载装置2包括一基座20以及承载盘22。该晶圆承载装置2用于承载一晶圆30，更明确地说，该晶圆承载装置2之该承载盘22承载该晶圆30。该基座20之内部具有一进气部24，该进气部24用于提供使该晶圆30能漂浮至一特定位置之气压。该晶圆30具有一正面300以及一背面302。该正面300为具有线路的表面。该背面302为需要清洗或蚀刻的表面，因此必须曝露朝向上方。
该承载盘22固定于该基座20上，由该基座20定位该承载盘22。于本实施例中，该基座20大致呈一圆柱体的形状，该承载盘22之下表面固定连结于该基座20上。于其他实施例中，该基座20并不限于如图2所示之形状，只要能固定并定位该承载盘22即可。
该晶圆30在未清洗或蚀刻时受到该承载盘22的承载，亦即该晶圆30之下表面在未清洗与该承载盘22接触。如图3所示，该承载盘22包括一底盘220、一出气盘222、以及若干个限位单元224。
该底盘220固定于该基座20上。该底盘220上包括若干个连接部2200。各连接部2200包括若干个气孔2202。该出气盘222设置于该底盘220上且包括若干个多孔性薄膜2220以及若干个锁固件2222。于一较佳实施例中，这些多孔性薄膜2220的孔径为0.1至0.5微米(micrometer；μm)，这些多孔性薄膜2220的厚度为1至5毫米(millimeter；mm)。这些多孔性薄膜2220的位置对应至这些连接部2200的位置。更明确地说，这些多孔性薄膜2220的下方对应至这些连接部2200，亦即对应至这些气孔2202的位置。
于本实施例中，这些连接部2200被设置成同心圆的形状，且相同圈之连接部2200被分离成若干个部分。于本实施例中，相同圈之连接部2200被分离成四个部分。相对应地，这些多孔性薄膜2220也被设置成同心圆的形状，且相同圈之多孔性薄膜2220被分离成若干个部分。于本实施例中，相同圈之多孔性薄膜2220被分离成四个部分。这些锁固件2222用于锁固在该底盘220上。
这些限位单元224固定在该底盘220之周围，用于使该晶圆30能限定在该出气盘222上而不会掉落。此外，要说明的是，于本实施例中，该承载盘22包括四个限位单元224，然而限位单元224的数量并非限于四个，可为其他数量。
请参阅图4，图4显示根据本发明一实施例之限位单元224之立体图。
该限位单元224包括一固定部2240以及一可移动部2242。该限位单元224大致呈一鸟嘴形状，更明确地说，该固定部2240大致呈倒L形状，用于固定在该出气盘222上。该可移动部2242嵌入于该固定部2240之一垂直边中且包括一扣件部2244，该可移动部2242可朝向该固定部2240之一水平边的方向倾斜，并带动该扣件部2244朝向该固定部2240之水平边的方向倾斜，藉此使图2之该晶圆30能限定在该出气盘222上而不会掉落。
请参阅图2至图4，当需要对该晶圆30进行清洗或蚀刻时，首先该基座20内部之进气部24提供足够使将该晶圆30能漂浮至特定位置之气压，该气压经由这些连接部2200之这些气孔2202及该出气盘之这些多孔性薄膜2220而使得该晶圆30漂浮至特定位置，较佳而言，本发明之晶圆承载装置2能承载之晶圆30的厚度为35微米(micrometer；μm)至900微米，并能控制该晶圆30漂浮至该出气盘222上方0.5毫米(millimeter；mm)至10毫米之间(亦即该特定位置为该出气盘222上方0.5毫米至10毫米之间)。要说明的是，此时该晶圆30仅漂浮至该出气盘222上方但并未旋转。
这些多孔性薄膜2220能将该进气部24所产生之气压均匀的提供给该晶圆30，使得晶圆30漂浮至特定位置时不会有破裂的情况发生。
该晶圆30漂浮至特定位置时，各可移动部2242在该进气部24所产生的气流、各可移动部2242的偏心力、以及各可移动部2242的离心力三者的作用下，各可移动部2242朝向该固定部2240之水平边的方向倾斜(即朝向该出气盘222的内部倾斜)，进而带动各扣件部2244朝向该固定部2240之水平边的方向倾斜，使得各限位单元224能夹持住该晶圆30并带动该晶圆30旋转，更明确地说，各限位单元224之各扣件部2244的顶端能夹持住该晶圆30并带动该晶圆30旋转。
接着，设置于该晶圆30上方之一喷洒单元(未图标)对该晶圆30喷洒清洗或蚀刻所需之化学药剂、氮气、或清水。该晶圆30能承受0.2公斤(kilogram；kg)至5公斤的压力。由于该晶圆30在各扣件部2244的带动下旋转，因此该晶圆30在清洗或蚀刻时所喷洒的化学药剂、氮气、或清水会向外甩出，并不会流至该晶圆30之正面300(具有线路)，亦即不会破坏该晶圆30之正面300的线路。
最后，当结束对该晶圆30的清洗或蚀刻时，喷洒单元(未图标)停止对该晶圆30喷洒化学药剂、氮气、或清水，该进气部24也停止提供气压，原本各可移动部2242朝向该固定部2240之水平边的方向倾斜(即朝向该出气盘222的内部倾斜)，此时各可移动部2242在该进气部24所产生的气流、各可移动部2242的偏心力、以及各可移动部2242的离心力三者消失的情况下，各可移动部2242会恢复至垂直的方向，进而使得各扣件部2244的顶端也会恢复至垂直的方向而不再夹持住该晶圆30，该晶圆30将会缓慢地平放在该出气盘222上。
综上所述，本发明之晶圆承载装置2采用之多孔性薄膜2220能提供均匀的气压给晶圆30，使得晶圆30在进气部24的作用而漂浮至特定位置时不会有破裂的情况发生。再者，本发明之晶圆承载装置2采用扣件部2244带动晶圆30旋转，在清洗或蚀刻时所喷洒的化学药剂、氮气、或清水不会流至晶圆30之正面300，因此不会破坏晶圆30之正面300的线路。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种晶圆承载装置，用于承载一晶圆，其特征在于，该晶圆承载装置包括：
一基座；以及
一承载盘，固定于该基座上，该承载盘包括：
一底盘，包括若干个连接部，各连接部包括若干个气孔；
一出气盘，设置于该底盘上且包括若干个多孔性薄膜；以及
若干个限位单元，固定在该底盘之周围。
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该基座具有一进气部，该进气部用于提供使该晶圆漂浮至一特定位置之气压。
3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，该晶圆漂浮至该特定位置时，这些限位单元夹持住该晶圆并带动该晶圆旋转。
4.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，该特定位置为该出气盘上方0.5毫米至10毫米之间。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，这些多孔性薄膜的位置对应至这些气孔的位置。
6.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，这些多孔性薄膜的孔径为0.1至0.5微米，这些多孔性薄膜的厚度为1至5毫米。
7.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，这些多孔性薄膜被设置成同心圆的形状，且相同圈之多孔性薄膜被分离成若干个部分。
8.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，这些连接部被设置成同心圆的形状，且相同圈之连接部被分离成若干个部分。
9.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该出气盘进一步包括若干个锁固件，这些锁固件用于锁固在该底盘上。
10.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，各限位单元包括：
一固定部，呈倒L形状，该固定部用于固定在该出气盘上；以及
一可移动部，嵌入于该固定部之一垂直边中。
11.根据权利要求10所述的晶圆承载装置，其特征在于，该可移动部包括一扣件部，该可移动部可朝向该固定部之一水平边的方向倾斜，并带动该扣件部朝向该固定部之该水平边的方向倾斜。
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